專利名稱：跨導(dǎo)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是預(yù)定用于將兩個(gè)輸入上提供的差分輸入電壓轉(zhuǎn)變成差分輸出電流的跨導(dǎo)電路。特別地，本發(fā)明涉及的是預(yù)定用于在上變換器電路中實(shí)施并且顯現(xiàn)出高線性度和低噪聲的跨導(dǎo)。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)US5497123中介紹了這樣一種高線性度的差分跨導(dǎo)。這種差分跨導(dǎo)包含了兩端，每一端各自包含單個(gè)輸入跨導(dǎo)。該跨導(dǎo)是一個(gè)AB類跨導(dǎo)。由于這類跨導(dǎo)是其中消耗與被處理信號(hào)無關(guān)的A類跨導(dǎo)與其中只在執(zhí)行信號(hào)處理時(shí)才存在消耗的B類跨導(dǎo)之間的中間物，因此這類跨導(dǎo)是非常有利的。AB類跨導(dǎo)的優(yōu)點(diǎn)還在于它們只呈現(xiàn)微弱的DC，并且在很大范圍以內(nèi)都是線性的。提出這種跨導(dǎo)是為了在接收鏈中的實(shí)現(xiàn)。同樣，這種跨導(dǎo)還顯現(xiàn)出低輸入阻抗從而與映像帶阻濾波器(imagerejection filter)輸出阻抗相匹配。這樣一來，由于所獲得的增益與輸入阻抗成反比，因此，所給出的跨導(dǎo)非常適合于接收鏈。而低輸入阻抗則適用于那些其中跨導(dǎo)輸入為片外(off-chip)輸入的離散應(yīng)用。
對(duì)集成應(yīng)用而言，輸入阻抗必須很高，以便減小消耗。此外，這種跨導(dǎo)不適合在那些通常要求上變換電路具有較大線性輸入阻抗的傳輸鏈中使用。
發(fā)明概述本發(fā)明人尋求設(shè)計(jì)出一種呈現(xiàn)高輸入阻抗的低噪聲、高線性度的AB類跨導(dǎo)。
這個(gè)目標(biāo)以及其他目標(biāo)是借助起始段落中給出的跨導(dǎo)電路實(shí)現(xiàn)的，其特征在于所述差分輸入電壓的兩個(gè)信號(hào)中的每一個(gè)經(jīng)由跟隨晶體管(follower transister)而被提供到每一個(gè)輸入，所述跟隨晶體管通過其發(fā)射極連接到所述輸入，以及在控制電極上接收所述信號(hào)，該跨導(dǎo)的兩個(gè)輸入中的每一個(gè)連接到各自的電流源，電流源則由跨導(dǎo)的另一個(gè)輸入進(jìn)行動(dòng)態(tài)控制，所述電流源還促使提供給每一個(gè)輸入的電流消除輸入電壓信號(hào)的電壓變化所導(dǎo)致的電流變化。
本發(fā)明結(jié)合使用了共集電極級(jí)以及從一個(gè)輸入到另一個(gè)輸入的正反饋，以便消除跟隨晶體管中的電流變化，其中所述共集電極級(jí)是借助一個(gè)發(fā)射極與輸入相連的跟隨晶體管來實(shí)現(xiàn)的。實(shí)際上，簡(jiǎn)單的跟隨晶體管是不能使用較大的輸入電壓來驅(qū)動(dòng)低輸入阻抗的。通過與提供正反饋的電流源相結(jié)合，跟隨晶體管的集電極電流中產(chǎn)生的較大變化可以得到消除。實(shí)際上，除非以很大的電流進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，否則這些電流變化會(huì)對(duì)所述跟隨晶體管的基極-發(fā)射極電壓進(jìn)行調(diào)整，并且由此引入失真。這樣則獲取了一個(gè)線性的、低噪聲的、高阻抗的AB類跨導(dǎo)電路。
本發(fā)明是以如下方式實(shí)現(xiàn)的，其中跨導(dǎo)電路包含了兩端，每一端包含一個(gè)輸入，一個(gè)輸出，至少一個(gè)第一晶體管，其控制電極耦合用于接收偏壓、第一電極連接到所述輸出并且第二電極連接到所述輸入，一個(gè)第二晶體管，其第一電極和控制電極共同耦合到所述輸入并且第二電極耦合到電源端子。
非常有利的是，所述第一和第二晶體管具有相同的大小。
在本發(fā)明的實(shí)施方式中，每一端還包括與所述第二晶體管具有相同大小的第三晶體管，其中所述第三晶體管具有與所述第一晶體管以及所述第二晶體管的控制電極相耦合的控制電極，與另一端的輸出相連的第一電極，以及與所述電源端子相連的第二電極。
眾所周知，這種實(shí)施方式可以為較大的輸入電壓提供高線性度的跨導(dǎo)傳輸函數(shù)。由于所述第三晶體管與所述第二晶體管具有相同大小，因此，就正、負(fù)輸入電壓而言，這個(gè)傳輸函數(shù)是對(duì)稱的。
在輸入電壓的負(fù)偏移過程中，第一晶體管會(huì)對(duì)大量的電流進(jìn)行處理。與此相反，在輸入電壓的正偏移過程中，第二和第三晶體管會(huì)對(duì)大量電流進(jìn)行處理。通過共同操作，這些晶體管提供了這樣一個(gè)傳輸函數(shù)，其中，無論所述第一和第二晶體管的相對(duì)大小怎樣，該傳輸函數(shù)對(duì)正和負(fù)的輸入電壓來說都是線性的。在一種簡(jiǎn)單的實(shí)施方式中，第一和第二晶體管具有相同的大小。
由此，電流源是以如下方式實(shí)施的，其中所述電流源包含以大小為2的增益鏡像(mirror)經(jīng)由所述第二晶體管的電流的電流反射鏡(mirror)。舉例來說，所述電流反射鏡包含了一個(gè)大小為所述第二晶體管的兩倍的鏡像晶體管，所述鏡像晶體管具有與第一晶體管以及所述第二晶體管的控制電極相連的控制電極，與另一端的輸入相連的第一電極，以及與所述電源端子相連的第二電極。
本發(fā)明還涉及一種預(yù)定在傳輸鏈中實(shí)現(xiàn)的芯片，以及一種包含了此類芯片的傳輸設(shè)備。
從下文描述的實(shí)施例中可以清楚了解本發(fā)明的這些和其他方面，并且本發(fā)明的這些和其他方面是參考下文描述的實(shí)施例而被闡述的。
附圖簡(jiǎn)述現(xiàn)在將參考附圖并借助實(shí)例來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中

圖1是現(xiàn)有技術(shù)所描述的跨導(dǎo)的示意圖；圖2是依照本發(fā)明的跨導(dǎo)應(yīng)用的示意圖；圖3a描繪的是依照現(xiàn)有技術(shù)以及依照本發(fā)明的跨導(dǎo)傳輸函數(shù)；圖3b描繪的是用于本發(fā)明的跨導(dǎo)的輸出電流；圖4描繪的是對(duì)依照本發(fā)明的跨導(dǎo)性能進(jìn)行描述的圖示；圖5示意性描繪了依照本發(fā)明的芯片；圖6描繪的是依照本發(fā)明的射頻信號(hào)收發(fā)信機(jī)的框圖。
發(fā)明詳述圖1描繪的是現(xiàn)有技術(shù)中的跨導(dǎo)電路。這個(gè)跨導(dǎo)電路具有兩個(gè)用于接收差分輸入信號(hào)的輸入IN+、IN-；以及用于提供差分輸出信號(hào)的輸出OUT+、OUT-。它包含了兩個(gè)對(duì)稱端，其中每一端都包括三個(gè)晶體管，即用于第一端的T1+、T2+、T3+以及用于第二端的T1-、T2-、T3-。所述晶體管是雙極性或MOS晶體管，它具有分別與第一電極、控制電極以及第二電極相對(duì)應(yīng)的集電極、基極以及發(fā)射極。
晶體管T1+和T1-具有耦合用于接收偏壓的控制電極，分別與所述輸出OUT+和OUT-相連的第一電極，以及分別與所述輸入IN+、IN-相連的第二電極，其中這些電極由恒定電流Ibias進(jìn)行偏置。
晶體管T2+和T2-采取的是二極管的結(jié)構(gòu)，它具有共同耦合的集電極和基極，以及耦合用于接收來自電源端子PST的電源電壓(例如接地)的發(fā)射極。
晶體管T3+和T3-其控制電極與所述第一晶體管并且分別與所述第二晶體管T2+、T2-的控制電極相耦合，使其第一電極分別連接到另一端的輸出OUT+以及OUT-，使其第二電極連接到所述電源端子PST。
這些晶體管與電源端子以及電路輸入和輸出之間的連接可以借助電阻器來實(shí)現(xiàn)。例如在圖1中，所述第一晶體管T1+和T1-的第二電極與輸入的連接是通過電阻器R1+和R1-實(shí)現(xiàn)的。所述第二和第三晶體管與電源端子PST的連接是通過電阻器R2+、R2-以及R3+、R3-實(shí)現(xiàn)的。在配對(duì)中，所述電阻器具有相等的值，并且非常有利的是，這些電阻器全都具有相同的值。對(duì)圖2所描述的本發(fā)明的跨導(dǎo)電路來說，這個(gè)意見同樣是適用的。
在電壓中相對(duì)于例如施加給輸入IN+的偏置點(diǎn)Vbias具有正侵入(positive incursion)的輸入信號(hào)將會(huì)減小跨越晶體管T1+的基極發(fā)射極結(jié)的電壓。與此相反，跨越晶體管T2+的基極發(fā)射機(jī)結(jié)的電壓將會(huì)增大。晶體管T3+是由晶體管T2+與T3+形成的電流反射鏡電路中的鏡像晶體管。晶體管T2+的基極發(fā)射極電壓的增大將被鏡像給晶體管T3+，該晶體管則會(huì)增大輸出OUT-提供的電流。
同時(shí)，在另一端，在電壓中相對(duì)于偏置點(diǎn)Vbias具有負(fù)侵入的輸入信號(hào)將被提供給輸入IN-。它具有相反的作用。跨越晶體管T1-的基極發(fā)射極的電壓會(huì)由這個(gè)負(fù)的電壓增大。與此相反，跨越晶體管T2-的基極發(fā)射極結(jié)的電壓將會(huì)減小。具有負(fù)電壓的輸入信號(hào)將會(huì)導(dǎo)致輸出OUT-的電流增大，并且導(dǎo)致輸出OUT+的電流減小?？鐚?dǎo)的這兩端的作用則是以相同的方式實(shí)行的。
在極端條件下，其中信號(hào)電流等于或大于偏置電流，并且不受對(duì)電路進(jìn)行偏置的電流源的限制，這時(shí)，這個(gè)跨導(dǎo)將會(huì)繼續(xù)以線性方式執(zhí)行操作。在每一端，由于輸入電壓很大，晶體管T1或晶體管T2將會(huì)切斷。例如，具有施加到輸入IN+的較大正電壓的輸入信號(hào)將會(huì)切斷晶體管T1+，但是會(huì)增大流經(jīng)晶體管T2+的電流，而該電流則被鏡像給輸出OUT-。這個(gè)輸出OUT-還會(huì)接收來自T1-的電流，同時(shí)T2-將會(huì)切斷。實(shí)際上，施加于輸入IN-的較大負(fù)電壓將會(huì)切斷晶體管T2-和T3-，但是將會(huì)線性增大在輸出OUT-提供并且流經(jīng)晶體管T1-的電流。因此，即使在有較大的正或負(fù)輸入電壓擺動(dòng)的情況下，該跨導(dǎo)仍舊會(huì)保持線性。
然而如上所述，這個(gè)跨導(dǎo)具有很低的輸入阻抗。并且，在所述跨導(dǎo)的每一個(gè)輸入IN+和IN-都可以執(zhí)行阻抗適配。如果有源的話，那么這種阻抗適配的部件將會(huì)存在向輸入信號(hào)中添加失真的缺陷。實(shí)際上，在這個(gè)有源并且由此為非線性的適配電路中流動(dòng)的電流的變化將會(huì)產(chǎn)生失真。
在圖1中顯示了輸入電壓信號(hào)δv的作用。這個(gè)作為IN+提供的電壓變化+δv將會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)晶體管T1+和T1-中的每一個(gè)都出現(xiàn)電流變化δi。然后，這個(gè)電流變化將被鏡像，并且在輸出OUT+上將會(huì)獲取一個(gè)經(jīng)過放大的變化2δi。由于輸入是由恒定電流Ibias偏置的，因此，阻抗適配部件必須提供或吸收電流I0+2δI或I0-2δi。由此，阻抗適配部件將會(huì)增大這種變化并添加失真。舉例來說，在借助發(fā)射極跟隨晶體管實(shí)現(xiàn)適配的時(shí)候，所述跟隨晶體管的基極發(fā)射極電壓由此應(yīng)當(dāng)會(huì)發(fā)生變化，而這將會(huì)導(dǎo)致失真。此外，當(dāng)這個(gè)電路在低電流上短暫偏置時(shí)，它還會(huì)使得從適配電路中產(chǎn)生的噪聲很高。
圖2描繪的是本發(fā)明的跨導(dǎo)的示范性應(yīng)用，其中該應(yīng)用不會(huì)遭受上述缺陷。
依照本發(fā)明，所述差分輸入電壓的兩個(gè)信號(hào)中的每一個(gè)分別經(jīng)由跟隨晶體管TF+以及TF-而被分別提供到每一個(gè)輸入IN+和IN-，其中所述跟隨晶體管TF+和TF-分別通過其發(fā)射極而與所述輸入IN+、IN-相連，并且在控制電極上接收所述信號(hào)。此外，該跨導(dǎo)的兩個(gè)輸入IN+和IN-中的每一個(gè)分別連接到通過該跨導(dǎo)的另一個(gè)輸入IN-和IN+動(dòng)態(tài)控制的電流源CS-和CS+。所述電流源CS-和CS+分別促使所述電流源CS-和CS+提供給每一個(gè)相對(duì)輸入IN+和IN-的電流消除輸入電壓信號(hào)的電壓變化+δv以及-δv所導(dǎo)致產(chǎn)生的電流變化2δi。
由此，通過實(shí)施正反饋，可以為輸入提供一個(gè)在幅度上與所吸收的電流相等的電流。于是，最終得到的輸入阻抗Zin將會(huì)很大。實(shí)際上，信號(hào)δv產(chǎn)生的是一個(gè)微弱的電流信號(hào)δI＝2δi-2δi，而跟隨晶體管所見的輸入阻抗Zin＝δv/δI將會(huì)很大。跟隨晶體管TF不再具有要提供到跨導(dǎo)輸入的電流變化，并且即使處于很高的輸入電壓，它也不會(huì)產(chǎn)生任何失真。
在下文中將會(huì)公開圖2中的左側(cè)的機(jī)能。關(guān)于右側(cè)機(jī)能的描述則與之相似。在圖2中描述了這樣一種情況，其中電阻器R1+、R2+具有相同的值，晶體管T1+、T2+也具有相同的大小。如先前所看到的那樣，電壓變化+δv將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電流，這個(gè)電流則會(huì)在包含T1+的分支以及包含T2+的分支中一分為二。由此，在每一個(gè)分支中將會(huì)產(chǎn)生兩個(gè)電流變化δi。在T2+中產(chǎn)生的電流變化δi由T3+鏡像到輸出OUT-。而輸出OUT-上的這個(gè)電流變化δi的效應(yīng)可以添加到包含T1-的分支所產(chǎn)生的電流變化效應(yīng)中。在將經(jīng)由T2-所產(chǎn)生的電流變化δi通過T3-鏡像到輸出OUT+的時(shí)候，在OUT+上將會(huì)觀察到相同的現(xiàn)象。
圖2分別給出了電流源CS+和CS-的示范性實(shí)施方式。所述電流源CS+和CS-各自包含了一個(gè)電流反射鏡，其中所述反射鏡分別包含了鏡像晶體管TM+和TM-，該晶體管具有分別與所述第二晶體管T2+、T2-的第一和控制電極相連的控制電極，分別與另一端的輸入IN-和IN+相連的第一電極，以及與所述電源端子PST相連的第二電極。
電流是以大小為2的增益來鏡像的，由此消除了在相對(duì)輸入進(jìn)入的電流變化。因此，在這里可以使用大小為T2大小兩倍的晶體管TM+和TM-。在實(shí)踐中，晶體管并沒有呈現(xiàn)出理想的特性，所述鏡像晶體管TM的大小是根據(jù)輸出電流的需要范圍來進(jìn)行適配的。所述鏡像晶體管TM+、TM-與所述電源端子的連接可以通過電阻器RM+、RM-來實(shí)現(xiàn)。較為有利的是，這種電阻器與那些結(jié)合所述第二和第三晶體管所使用的電阻器具有相同的值。依照這種應(yīng)用的跨導(dǎo)呈現(xiàn)出很高的輸入阻抗，并且對(duì)較大的正負(fù)電壓擺動(dòng)來說是對(duì)稱的，此外，對(duì)大小為5mA的偏置電流來說，該跨導(dǎo)還呈現(xiàn)出了圖3a所示的良好的線性度。通過觀察可以看出，曲線PAC所描繪的現(xiàn)有技術(shù)中的傳輸函數(shù)的線性度不如曲線IC所描繪的本發(fā)明的傳輸函數(shù)。如所示，即使是對(duì)很高的輸入電流而言，本發(fā)明的跨導(dǎo)都是線性的。圖3b描繪的是本發(fā)明跨導(dǎo)的兩個(gè)輸出電流I(OUT+)以及I(OUT-)。每一個(gè)輸出電流并不是線性的，但是差分輸出電流I(OUT+)-I(OUT-)＝Idiff卻完全是線性的。
實(shí)際上，跨導(dǎo)的每一個(gè)輸入IN+、IN-分別是由相對(duì)電流源CS-和CS+所實(shí)現(xiàn)的反饋來直接偏置的，而不是由恒定電流源來進(jìn)行偏置的。
在圖4中對(duì)本發(fā)明的性能進(jìn)行了圖示說明。該圖顯示了針對(duì)圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施方式以及圖2所示的本發(fā)明的實(shí)施方式所執(zhí)行的雙音分析的結(jié)果。第一個(gè)音調(diào)是一個(gè)幅度為V并且頻率為F1＝375MHz的差分電壓，而第二個(gè)音調(diào)則是一個(gè)具有相同幅度V以及頻率F2＝385MHz的差分電壓。這兩個(gè)音調(diào)是在跨導(dǎo)的輸入注入的。在跨導(dǎo)輸出，以電流IM1F1和IM1F2形式的兩個(gè)主音調(diào)是在相應(yīng)頻率F1和F2上獲取的。以電流IM3F1以及IM3F2形式的兩個(gè)輔音調(diào)則是在頻率F1’＝365MHz以及F2’＝395MHz上獲取的。這些輔音調(diào)是由跨導(dǎo)的非線性度產(chǎn)生的。在圖4中描繪了對(duì)應(yīng)于頻率F1的音調(diào)IM1F1，以及對(duì)應(yīng)于頻率F1的音調(diào)IM1F1與IM3F1之間的差值。這個(gè)差值越高，跨導(dǎo)的線性度也就越大。對(duì)應(yīng)于F2的曲線與之是類似的。由此可以觀察到的是，在相同的偏置電流上，對(duì)較大的輸入和輸出信號(hào)而言，本發(fā)明的跨導(dǎo)要比現(xiàn)有技術(shù)中的跨導(dǎo)的線性度更高。這個(gè)結(jié)果是通過如下事實(shí)來說明的，差值IM1F1-IM3F1較大，并且代表跨導(dǎo)增益的IM1F1的斜率不會(huì)因?yàn)楦叩妮斎腚妷憾陆怠４送膺€可以觀察到的是，本發(fā)明的跨導(dǎo)要高于現(xiàn)有技術(shù)中的跨導(dǎo)。這個(gè)結(jié)果則是通過IM1F曲線所表示的增益來描述的。舉例來說，可以觀察到的是，本發(fā)明的跨導(dǎo)可以產(chǎn)生兩個(gè)幅度為15mA并且差值IM1F1-IM3F1為40dB的差分音調(diào)，并且全局偏置電流僅為10mA。這兩個(gè)差分音調(diào)是以低于1dB的增益變化獲取的。在低信號(hào)電平，差值IM1F1-IM3F1比借助現(xiàn)有技術(shù)獲取的差值高12dB，在更高的輸入電壓，還要高更多(高達(dá)26dB)。
圖5描述的是預(yù)定用于在依照本發(fā)明的收發(fā)信機(jī)中實(shí)施的芯片F(xiàn)TCT。所述芯片包含了至少一個(gè)先前所述的跨導(dǎo)TRCD，以及一個(gè)專用于提供頻率偏移信號(hào)的混合器電路MIX，其中該信號(hào)來自所述跨導(dǎo)TRCD所輸出的電流。
圖6描述的是依照本發(fā)明的射頻信號(hào)收發(fā)信機(jī)FCS的框圖。通常，所述收發(fā)信機(jī)預(yù)定用于經(jīng)由天線ANT來接收和發(fā)射信號(hào)。通信設(shè)備COM控制對(duì)天線ANT的訪問。所述通信設(shè)備COM至少與接收鏈RX以及傳輸鏈TX相連。所述接收鏈RX至少包含一個(gè)信號(hào)處理電路SPC以及一個(gè)頻率變換單元FTCR，其中該單元通常是由混合器電路構(gòu)成的。處理單元MC跟隨在這些電路之后。該處理單元MC還對(duì)所要傳送的信號(hào)進(jìn)行處理，由此與傳輸鏈TX相連，所述傳輸鏈則至少包含一個(gè)先前在圖5中描述的芯片中實(shí)施的頻率變換單元FTCT以及一個(gè)放大單元AMPT。非常有利的是，這種收發(fā)信機(jī)是一個(gè)通信設(shè)備移動(dòng)電話......。在本發(fā)明的這個(gè)示范性的應(yīng)用中，本發(fā)明是在上變換電路中實(shí)行的，對(duì)所述電路而言，本發(fā)明的特性是非常適合的。
應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不局限于前述實(shí)施例，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的發(fā)明實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，各種修改和變更都是可行的。就此而論，在這里給出下列結(jié)束語(yǔ)評(píng)論。
應(yīng)該理解的是，跨導(dǎo)的線性度還可以通過跨導(dǎo)電阻器的值而以常規(guī)方式調(diào)整。特別地，修改R0的值即可實(shí)現(xiàn)這種改進(jìn)。
應(yīng)該理解的是，在本發(fā)明的電路中可以添加隔離裝置。舉例來說，在所述第三晶體管的集電極以及相對(duì)輸出之間，晶體管可以以與所述第三晶體管共射的方式來實(shí)現(xiàn)。這樣可以避免諸如混合器電路之類的所述跨導(dǎo)充電所引發(fā)的干擾。
應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不局限于前述電信應(yīng)用。本發(fā)明可以用在任何那些使用了在進(jìn)一步處理之前需要頻率變換的接收鏈的應(yīng)用中。
應(yīng)該理解的是，本發(fā)明并不局限于前述移動(dòng)電話應(yīng)用。它可以用在任何使用了出現(xiàn)偏移頻率的系統(tǒng)的應(yīng)用中，例如汽車應(yīng)用。
應(yīng)該理解的是，依照本發(fā)明的方法并不局限于上述實(shí)施方式。
在后續(xù)的權(quán)利要求中，任何參考符號(hào)不應(yīng)理解成是對(duì)權(quán)利要求加以限制。很明顯，使用動(dòng)詞“包含”及其變形并不排除在權(quán)利要求所限定的步驟或部件之外還存在其他步驟或部件。處于部件或步驟之前的冠詞“一”或“一個(gè)”并不排除存在多個(gè)這種部件或步驟。
權(quán)利要求
1.一種預(yù)定用于將差分輸入電壓轉(zhuǎn)換成差分輸出電流的跨導(dǎo)電路，其中該電壓是作為兩個(gè)輸入上的兩個(gè)信號(hào)提供的，其特征在于所述差分輸入電壓的兩個(gè)信號(hào)中的每一個(gè)經(jīng)由跟隨晶體管被提供到每一個(gè)輸入，所述跟隨晶體管通過其發(fā)射極與所述輸入相連，并且在控制電極上接收所述信號(hào)，該跨導(dǎo)的兩個(gè)輸入中的每一個(gè)都連接到相應(yīng)的由該跨導(dǎo)的另一個(gè)輸入動(dòng)態(tài)控制的電流源，所述電流源促使由所述電流源提供給每一個(gè)輸入的電流消除輸入電壓信號(hào)的電壓變化所導(dǎo)致的電流變化。
2.如權(quán)利要求1所述的跨導(dǎo)電路，其中，該跨導(dǎo)電路包含兩端，每一端都包含一個(gè)輸入；一個(gè)輸出；至少一個(gè)第一晶體管，該第一晶體管具有耦合用于接收偏壓的控制電極、與所述輸出相連的第一電極以及與所述輸入相連的第二電極；以及第二晶體管，該第二晶體管具有共同耦合到所述輸入的第一電極和控制電極以及耦合到電源端子的第二電極。
3.如權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)電路，其中，所述第一和第二晶體管具有相同的大小。
4.如權(quán)利要求2和3之一所述的跨導(dǎo)電路，其中，每一端還包括與所述第二晶體管具有相同大小的第三晶體管，其中所述第三晶體管具有與所述第一晶體管以及所述第二晶體管的控制電極相耦合的控制電極，與另一端的輸出相連的第一電極，以及與所述電源端子相連的第二電極。
5.如權(quán)利要求2～4之一所述的跨導(dǎo)電路，其中，所述電流源包含以大小為2的增益來鏡像經(jīng)由所述第二晶體管的電流的電流反射鏡。
6.如權(quán)利要求5所述的跨導(dǎo)電路，其中，所述電流反射鏡包含一個(gè)大小為所述第二晶體管兩倍的鏡像晶體管，所述鏡像晶體管具有與所述第二晶體管的第一以及控制電極相連的控制電極，與另一端的輸入相連的第一電極，以及與所述電源端子相連的第二電極。
7.一種預(yù)定用于在收發(fā)信機(jī)中實(shí)施的芯片，其中該芯片至少包含權(quán)利要求1～6之一所述的跨導(dǎo)。
8.一種射頻信號(hào)收發(fā)信機(jī)，其中包含至少一個(gè)如權(quán)利要求7所述的芯片。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于將差分輸入電壓轉(zhuǎn)換成差分輸出電流的跨導(dǎo)電路，其中該電壓分別是作為兩個(gè)信號(hào)而被提供到兩個(gè)輸入IN+、IN－上的。依照本發(fā)明，所述差分輸入電壓的兩個(gè)信號(hào)中的每一個(gè)分別經(jīng)由跟隨晶體管TF+、TF－而被提供給每一個(gè)輸入IN+、IN－，其中所述跟隨晶體管TF+、TF－分別通過其發(fā)射極而與所述輸入IN+、IN－相連，并且在控制電極上接收所述信號(hào)。此外，該跨導(dǎo)所具有的兩個(gè)輸入IN+、IN－中的每一個(gè)分別連接到相應(yīng)的電流源CS－、CS+，其中該電流源CS－、CS+分別是由跨導(dǎo)的另一個(gè)輸入IN－、IN+來進(jìn)行動(dòng)態(tài)控制的，所述電流源CS－和CS+分別促使由所述電源流CS－、CS+提供給每一個(gè)輸入IN+、IN－的電流消除輸入電壓信號(hào)的電壓變化所導(dǎo)致的電流變化。
文檔編號(hào)H03F3/45GK1868117SQ200480029908
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2004年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月13日
發(fā)明者S·普魯埃, H·馬里 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司