專利名稱：驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)控制所謂的圖騰柱連接的兩個(gè)開關(guān)裝置的驅(qū)動(dòng)裝置以及防止上述兩個(gè)開關(guān)裝置的連接結(jié)點(diǎn)的電位變動(dòng)時(shí)的誤動(dòng)作的技術(shù)。
背景技術(shù)：
例如，用以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)的功率裝置中通常采用逆變裝置。逆變裝置以交流電壓整流后的數(shù)百伏的直流電壓作為電源，具有以兩個(gè)相同功率開關(guān)裝置串聯(lián)到該電源(圖騰柱連接的)的電路作為單元電路的2相結(jié)構(gòu)和3相結(jié)構(gòu)。為了使逆變裝置達(dá)到期望的逆變作用，必須由驅(qū)動(dòng)裝置以正確的順序切換(開/關(guān))上述各開關(guān)裝置。執(zhí)行切換的開指令及關(guān)指令是數(shù)伏大小的低電壓信號(hào)，由驅(qū)動(dòng)控制電路等發(fā)出。
上述低電壓信號(hào)雖然可以原樣提供給圖騰柱連接的電路的低電位側(cè)的開關(guān)裝置，但是基準(zhǔn)電位的電平若不升高，則無法提供給高電位側(cè)的開關(guān)裝置。這是因?yàn)?，?qū)動(dòng)裝置中，切換高電位側(cè)開關(guān)裝置的電路是以高電位側(cè)開關(guān)裝置和低電位側(cè)開關(guān)裝置的連接結(jié)點(diǎn)的電位作為基準(zhǔn)電位而動(dòng)作的。
從而，以往普遍利用光耦合器將低電壓信號(hào)傳送到高電位側(cè)，但是成本變得相當(dāng)高。而且，最近進(jìn)行的將其控制電路和開關(guān)裝置一起集成到同一半導(dǎo)體芯片的研究開發(fā)中，光耦合器成為集成化的瓶頸。
作為解決這樣的問題的技術(shù)，已知有通過電平轉(zhuǎn)換電路將開指令及關(guān)指令傳送到高電位側(cè)開關(guān)裝置的技術(shù)。
但是，由于該電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)置成跨接在用以切換高電位側(cè)及低電位側(cè)開關(guān)裝置的兩個(gè)電路間，若開關(guān)裝置的切換引起兩個(gè)開關(guān)裝置間的上述連接結(jié)點(diǎn)的電位變動(dòng)，則該電位變動(dòng)引起的噪聲導(dǎo)致在電平轉(zhuǎn)換電路中(從而在驅(qū)動(dòng)裝置中)引起誤動(dòng)作，其結(jié)果，逆變裝置產(chǎn)生誤動(dòng)作。
本發(fā)明針對(duì)相關(guān)問題而提出，其目的在于提供即使兩個(gè)開關(guān)裝置的上述連接結(jié)點(diǎn)的電位變動(dòng)也可防止誤動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)裝置。
本發(fā)明第一方面的驅(qū)動(dòng)裝置，至少驅(qū)動(dòng)控制第1電位和比上述第1電位高的第2電位之間連接的兩個(gè)開關(guān)裝置中的高電位側(cè)的開關(guān)裝置，它包括控制信號(hào)發(fā)生器，生成使上述高電位側(cè)開關(guān)裝置導(dǎo)通的導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通的非導(dǎo)通指令相關(guān)的控制信號(hào)并從輸出端輸出；電平轉(zhuǎn)換裝置，與上述控制信號(hào)發(fā)生器的上述輸出端連接，用至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路對(duì)上述控制信號(hào)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，生成電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)；以及偽電路。上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路及上述偽電路分別包括第1開關(guān)裝置，該開關(guān)裝置具有在上述第1電位和以上述兩個(gè)開關(guān)裝置的連接的結(jié)點(diǎn)的第3電位為基準(zhǔn)設(shè)定的比上述第3電位高的第4電位之間設(shè)置的電流通路、上述電流通路中設(shè)置的主通路以及控制上述主通路的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)的控制端子。上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路中的上述第1開關(guān)裝置的上述控制端子與上述控制信號(hào)發(fā)生器的上述輸出端連接，另外，上述偽電路中的上述第1開關(guān)裝置總是設(shè)定成上述非導(dǎo)通狀態(tài)，上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路包含用以輸出上述電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)的第1結(jié)點(diǎn)，同時(shí)，上述偽電路包含與上述第1結(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第2結(jié)點(diǎn)，上述驅(qū)動(dòng)裝置還包括掩蔽(mask)電路，與上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的上述第1結(jié)點(diǎn)及上述偽電路的上述第2結(jié)點(diǎn)連接，利用上述第2結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)對(duì)上述第1結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)進(jìn)行掩蔽，生成掩蔽后的信號(hào)；判別器，利用上述掩蔽后的信號(hào)，判別與上述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的上述導(dǎo)通指令及上述非導(dǎo)通指令。
本發(fā)明第二方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是本發(fā)明第一方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述控制信號(hào)發(fā)生器包括選擇迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器，只選擇在上述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的上述導(dǎo)通指令期間和上述非導(dǎo)通指令期間的其中一個(gè)期間，生成包含有其周期比上述導(dǎo)通指示及上述非導(dǎo)通指示的上述期間短的迭代脈沖的迭代脈沖信號(hào)，作為上述控制信號(hào)。上述判別器包括第1判別器，其利用上述掩蔽后的信號(hào)中包含的多個(gè)脈沖的迭代性判別上述導(dǎo)通指令及上述非導(dǎo)通指令。
本發(fā)明第三方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第二方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述第1判別器包括單觸發(fā)脈沖發(fā)生器，后者利用上述掩蔽后的信號(hào)中包含的上述多個(gè)脈沖作為觸發(fā)脈沖，對(duì)各個(gè)觸發(fā)脈沖生成具有不小于上述迭代脈沖的上述周期的脈沖寬度的脈沖。
本發(fā)明第四方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第一方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述控制信號(hào)包括與上述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的上述導(dǎo)通指令對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通控制信號(hào)，以及與上述非導(dǎo)通指令對(duì)應(yīng)的非導(dǎo)通控制信號(hào)，同時(shí)，上述電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)包括與上述導(dǎo)通控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換后的導(dǎo)通控制信號(hào)以及與上述非導(dǎo)通控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換后的非導(dǎo)通控制信號(hào)，上述控制信號(hào)發(fā)生器的上述輸出端包括輸出上述導(dǎo)通控制信號(hào)的導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端以及輸出上述非導(dǎo)通控制信號(hào)的非導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端，上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路包括第1電平轉(zhuǎn)換電路，上述第1開關(guān)裝置的上述控制端子與上述控制信號(hào)發(fā)生器的上述導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端連接并從上述第1結(jié)點(diǎn)輸出上述電平轉(zhuǎn)換后的導(dǎo)通控制信號(hào)；第2電平轉(zhuǎn)換電路，上述第1開關(guān)裝置的上述控制端子與上述控制信號(hào)發(fā)生器的上述非導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端連接并從上述第1結(jié)點(diǎn)輸出上述電平轉(zhuǎn)換后的非導(dǎo)通控制信號(hào)。上述掩蔽后的信號(hào)包括第1及第2掩蔽后的信號(hào)。上述掩蔽電路包括第1掩蔽電路，與上述第1電平轉(zhuǎn)換電路的上述第1結(jié)點(diǎn)及上述偽電路的上述第2結(jié)點(diǎn)連接，利用上述第2結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)掩蔽上述第1結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，生成上述第1掩蔽后的信號(hào)；第2掩蔽電路，與上述第2電平轉(zhuǎn)換電路的上述第1結(jié)點(diǎn)及上述偽電路的上述第2結(jié)點(diǎn)連接，利用上述第2結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)掩蔽上述第1結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，生成上述第2掩蔽后的信號(hào)。
本發(fā)明第五方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第四方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述控制信號(hào)發(fā)生器包括迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器，生成包含有其周期比上述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的上述導(dǎo)通指示期間及上述非導(dǎo)通指示期間短的迭代脈沖的迭代脈沖信號(hào)；第1選擇器，僅僅從上述導(dǎo)通指令的上述期間中選擇輸出上述迭代脈沖信號(hào)；第2選擇器，僅僅從上述非導(dǎo)通指令的上述期間中選擇輸出上述迭代脈沖信號(hào)。上述導(dǎo)通控制信號(hào)及上述非導(dǎo)通控制信號(hào)中分別包含上述第1及第2選擇器輸出的上述迭代脈沖，上述判別器包括第2判別器，后者利用上述第1及第2掩蔽后的信號(hào)中包含的脈沖對(duì)上述導(dǎo)通指令及上述非導(dǎo)通指令進(jìn)行判別。
本發(fā)明第六方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第四方面或本發(fā)明第五方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述控制信號(hào)發(fā)生器包括與從上述非導(dǎo)通指令到上述導(dǎo)通指令的轉(zhuǎn)移同步生成導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖的導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器、與從上述導(dǎo)通指令到上述非導(dǎo)通指令的轉(zhuǎn)移同步生成非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖的非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器。上述導(dǎo)通控制信號(hào)及上述非導(dǎo)通控制信號(hào)中分別包含上述導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及上述非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖，上述判別器包括第3判別器，后者利用上述掩蔽后的信號(hào)中包含的與上述導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及上述非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖對(duì)應(yīng)的脈沖，判別上述導(dǎo)通指令及上述非導(dǎo)通指令。
本發(fā)明第七方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第四方面至本發(fā)明第六方面的任一方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路還分別包含具有根據(jù)上述判別器的判別結(jié)果控制上述電流通路的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的第2開關(guān)裝置。
本發(fā)明第八方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第七方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路還分別包含設(shè)在上述電流通路和上述第3電位之間的箝位裝置，上述第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路中分別在上述箝位裝置和上述第4電位之間設(shè)有上述第2開關(guān)裝置。
本發(fā)明第九方面的驅(qū)動(dòng)裝置，是在本發(fā)明第七方面的驅(qū)動(dòng)裝置中，上述第2開關(guān)裝置包括模擬開關(guān)，其由并聯(lián)的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，且上述N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基片電位設(shè)定成上述第3電位。


圖1是說明本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。
圖2是說明實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。
圖3是說明實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)裝置的掩蔽電路的圖。
圖4是說明實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖5是說明實(shí)施例2的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。
圖6是說明實(shí)施例2的驅(qū)動(dòng)裝置的掩蔽電路的圖。
圖7是說明實(shí)施例3的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。
圖8是說明實(shí)施例3的驅(qū)動(dòng)裝置的控制信號(hào)發(fā)生器的圖。
圖9是說明實(shí)施例3的驅(qū)動(dòng)裝置的掩蔽電路的圖。
圖10是說明實(shí)施例3的驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。
圖11是說明實(shí)施例3的驅(qū)動(dòng)裝置的變形例的圖。
圖12是說明實(shí)施例4的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。
1高電位側(cè)開關(guān)裝置2低電位側(cè)開關(guān)裝置10～14，13B驅(qū)動(dòng)裝置10H～14H，13HB高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置
10L～12L低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置100，102控制信號(hào)發(fā)生器101控制信號(hào)發(fā)生器(選擇迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器)110迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器114a第1選擇器114b第2選擇器115a開轉(zhuǎn)移脈沖(導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖)發(fā)生器115b關(guān)轉(zhuǎn)移脈沖(非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖)發(fā)生器200～204電平轉(zhuǎn)換裝置201a～204a(第1)電平轉(zhuǎn)換電路203b，204b第2電平轉(zhuǎn)換電路210，220，310電流通路211，221，311高耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(第1開關(guān)裝置)213，223，313NOT電路214，224，314箝位二極管(箝位裝置)215，225，315P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(第2開關(guān)裝置)216，226，316模擬開關(guān)(第2開關(guān)裝置)300～304偽電路400～403掩蔽電路403a第1掩蔽電路403b第2掩蔽電路500判別器501可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器(第1判別器)502RS觸發(fā)器(第2及第3判別器)GND低電位側(cè)主電源電位(第1電位)N0連接結(jié)點(diǎn)S1，S2開關(guān)指令信號(hào)S100控制信號(hào)
S100a開控制信號(hào)(導(dǎo)通控制信號(hào))S100b關(guān)控制信號(hào)(非導(dǎo)通控制信號(hào))S112，S113迭代脈沖信號(hào)S200電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200a電平轉(zhuǎn)換后的開控制信號(hào)(電平轉(zhuǎn)換后的導(dǎo)通控制信號(hào))S200b電平轉(zhuǎn)換后的關(guān)控制信號(hào)(電平轉(zhuǎn)換后的非導(dǎo)通控制信號(hào))S300信號(hào)S400掩蔽后的信號(hào)S400a第1掩蔽后的信號(hào)S400b第2掩蔽后的信號(hào)T周期T1on開指令(導(dǎo)通指令)的期間T1off指令(非導(dǎo)通指令)的期間VB第4電位VS第3電位VH高電位側(cè)主電源電位(第2電位)發(fā)明的實(shí)施例實(shí)施例1首先，參照?qǐng)D1說明本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)裝置的基本結(jié)構(gòu)。
圖1的驅(qū)動(dòng)裝置10驅(qū)動(dòng)并控制在低電位側(cè)主電源電位(或第1電位)GND和高電位側(cè)主電源電位(或第2電位)VH之間按照該順序串聯(lián)的(所謂圖騰柱連接)低電位側(cè)開關(guān)裝置2和高電位側(cè)開關(guān)裝置1。這里，低電位側(cè)主電源電位GND為接地電位，(電位GND)＜(電位VH)。高電位側(cè)開關(guān)裝置1和低電位側(cè)開關(guān)裝置2的接點(diǎn)或連接結(jié)點(diǎn)N0與未圖示的負(fù)載相連(例如馬達(dá)等感性負(fù)載)。
高電位側(cè)開關(guān)裝置1由IGBT(絕緣柵極型雙極晶體管)等的功率裝置1p和單向傳動(dòng)二極管1d反并聯(lián)而成。功率裝置1p以連接結(jié)點(diǎn)N0的電位(或第3電位)VS作為基準(zhǔn)電位，在該電位VS和高電位側(cè)主電源電位VH之間進(jìn)行切換動(dòng)作，也稱為高電位側(cè)功率裝置。同樣，低電位側(cè)開關(guān)裝置2由功率裝置2p和單向傳動(dòng)二極管2d反并聯(lián)而成。功率裝置2p以低電位側(cè)主電源電位GND作為基準(zhǔn)電位，在電位GND、VS之間進(jìn)行切換動(dòng)作，也稱為低電位側(cè)功率裝置。
驅(qū)動(dòng)裝置10大致分為驅(qū)動(dòng)控制高電位側(cè)開關(guān)裝置1的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置10H和驅(qū)動(dòng)控制低電位側(cè)開關(guān)裝置2的低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置10L。
首先，高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置10H由控制信號(hào)發(fā)生器100、電平轉(zhuǎn)換裝置200、偽電路300、掩蔽電路400、判別器500以及高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600構(gòu)成。另外，控制信號(hào)發(fā)生器100連接于接地電位GND和其電位設(shè)定高于該接地電位GND的電位VCC之間并由其供電。電位VCC以接地電位GND為基準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)定，由電源或電源電路4提供。另外，掩蔽電路400、判別器500以及高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600連接于連接結(jié)點(diǎn)N0的電位VS和電位設(shè)定成高于該電位VS的電位(或第4電位)VB之間并由其供電。電位VB以電位VS為基準(zhǔn)電位進(jìn)行設(shè)定，電位VS、VB間的電位差由電源或電源電路3提供。另外，電平轉(zhuǎn)換裝置200及偽電路300連接于電位GND、VB之間并由其供電。
控制信號(hào)發(fā)生器100配置成獲得與使高電位側(cè)開關(guān)裝置1導(dǎo)通的導(dǎo)通指令(以下稱為開指令)及非導(dǎo)通的非導(dǎo)通指令(以下稱為關(guān)指令)相關(guān)的導(dǎo)通/非導(dǎo)通指令信號(hào)(以下稱為開關(guān)指令信號(hào))S1，根據(jù)該開關(guān)指令信號(hào)S1生成控制信號(hào)S100并從輸出端或輸出結(jié)點(diǎn)輸出。另外，這里，單一的開關(guān)指令信號(hào)S1中包含開指令及關(guān)指令兩者的信息，同樣單一的控制信號(hào)S100中也包含兩個(gè)指令的信息。
控制信號(hào)發(fā)生器100的上述輸出端與電平轉(zhuǎn)換裝置200連接。電平轉(zhuǎn)換裝置200配置成具有至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路，通過該至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路對(duì)控制信號(hào)發(fā)生器100輸出的控制信號(hào)S100進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換(這里為升壓電平轉(zhuǎn)換)，生成電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200并輸出。上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路具有輸出電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)200的結(jié)點(diǎn)(或第1結(jié)點(diǎn))，這將在后面進(jìn)行詳述。
偽電路300與電平轉(zhuǎn)換裝置200并聯(lián)于電位GND、VB之間。偽電路300具有與上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路大致相同的結(jié)構(gòu)，例如，具有與上述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的結(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的結(jié)點(diǎn)(或第2結(jié)點(diǎn))，從該結(jié)點(diǎn)輸出信號(hào)S300，這將在后面進(jìn)行詳述。
電平轉(zhuǎn)換裝置200及偽電路300的上述兩個(gè)結(jié)點(diǎn)與掩蔽電路400連接。掩蔽電路400配置成利用從偽電路300的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)S300，掩蔽由電平轉(zhuǎn)換裝置200的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)(如后述，電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200可能疊加有噪聲)，生成掩蔽后的信號(hào)S400并輸出。
判別器500配置成獲得上述掩蔽后的信號(hào)S400，利用該信號(hào)S400判別與高電位側(cè)開關(guān)裝置1相關(guān)的上述導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令，生成與判別結(jié)果相關(guān)的判別結(jié)果信號(hào)S500并輸出。
高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600根據(jù)判別結(jié)果信號(hào)S500，用控制信號(hào)S600控制高電位側(cè)開關(guān)裝置1的導(dǎo)通/非導(dǎo)通。驅(qū)動(dòng)電路600由，例如電位VS、VB間串聯(lián)的兩個(gè)N溝道型MOSFET構(gòu)成，通過使該兩個(gè)N溝道型MOSFET互補(bǔ)地開關(guān)來切換開關(guān)裝置1。
另一方面，低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置10L獲得與使低電位側(cè)開關(guān)裝置2導(dǎo)通的導(dǎo)通指令(開指令)及非導(dǎo)通的非導(dǎo)通指令(關(guān)指令)相關(guān)的導(dǎo)通/非導(dǎo)通指令信號(hào)(開關(guān)指令信號(hào))S2，根據(jù)該開關(guān)指令信號(hào)S2用控制信號(hào)S900控制低電位側(cè)開關(guān)裝置2的導(dǎo)通/非導(dǎo)通。這里，單一的開關(guān)指令信號(hào)S2中包含開指令及關(guān)指令兩者的信息。
接著，用圖2所示實(shí)施例1的驅(qū)動(dòng)裝置11說明驅(qū)動(dòng)裝置10的具體結(jié)構(gòu)例。另外，圖3表示驅(qū)動(dòng)裝置11的掩蔽電路401，圖4表示說明驅(qū)動(dòng)裝置11的動(dòng)作的時(shí)序圖。
比較圖1及圖2可知，驅(qū)動(dòng)裝置11包括與前述的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置10H及低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置10L對(duì)應(yīng)的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11H及低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11L。
首先，高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11H包括作為前述的要素100、200、300、400、500的控制信號(hào)發(fā)生器(或選擇迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器)101、具有電平轉(zhuǎn)換電路201a的電平轉(zhuǎn)換裝置201、偽電路301、掩蔽電路401、判別器(或第1判別器)501，還包括前述的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600。
控制信號(hào)發(fā)生器101由原時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器111以及單觸發(fā)脈沖發(fā)生器112構(gòu)成。另外，原時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器111及單觸發(fā)脈沖發(fā)生器112共同連接于電位GND、VCC之間并由其供電。
原時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器111產(chǎn)生周期T(參照?qǐng)D4)的時(shí)鐘信號(hào)S11。單觸發(fā)脈沖發(fā)生器112配置成與該時(shí)鐘信號(hào)S111同步生成包含有為周期T的迭代脈沖(迭代脈沖波形)的迭代脈沖信號(hào)S112(參照?qǐng)D4)。特別是，單觸發(fā)脈沖發(fā)生器112還獲得高電位側(cè)開關(guān)裝置1相關(guān)的開關(guān)指令信號(hào)S1，只是在開關(guān)指令信號(hào)S1中的開指令期間T1on，有選擇地將上述迭代脈沖信號(hào)S112作為控制信號(hào)S100輸出。從而，控制信號(hào)發(fā)生器101可稱為“選擇迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器101”，只是在開指令的期間T1on，將迭代脈沖信號(hào)S112作為控制信號(hào)S100輸出。
這里，時(shí)鐘信號(hào)S111及其對(duì)應(yīng)的迭代脈沖的周期T設(shè)定成比開關(guān)指令信號(hào)S1的開指令的期間T1on及關(guān)指令的期間T1off中任何一個(gè)都短，例如，設(shè)定在開關(guān)指令的周期(T1on+T1off)的十分之一到數(shù)十分之一的范圍內(nèi)。
另外，驅(qū)動(dòng)裝置11也可配置成使控制信號(hào)發(fā)生器101只是在關(guān)指令的期間T1off將迭代脈沖信號(hào)S112作為控制信號(hào)S100輸出。
電平轉(zhuǎn)換裝置201具有一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路201a，該電平轉(zhuǎn)換電路201a由高耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(或第1開關(guān)裝置)211、電平轉(zhuǎn)換電阻212、NOT電路(逆變電路)213以及箝位二極管(或箝位裝置)214構(gòu)成。這里，作為高耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管211，采用MOSFET(或MISFET)，高耐壓N溝道型MOSFET也稱為“HVNMOS”。
HVNMOS211的源極及漏極分別與接地電位GND及電阻212的一端連接，電阻212的另一端與電位VB連接，從而在電位GND、VB間形成電流通路210。此時(shí)，HVNMOS211的源極-漏極間的通路(或主通路)設(shè)在電流通路210中，用HVNMOS211的柵極(或控制端子)的輸入信號(hào)控制該源極-漏極間的通路的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)，從而控制電流通路210的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)。HVNMOS211的柵極與輸出上述控制信號(hào)S100的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器112的輸出端(對(duì)應(yīng)控制信號(hào)發(fā)生器101的輸出端)連接。另外，HVNMOS211的基片電位設(shè)定為接地電位GND。
而且，HVNMOS211的漏極和電阻212的上述一端之間連接有NOT電路213的輸入端，NOT電路213的輸出端就是輸出電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200的上述結(jié)點(diǎn)(第1結(jié)點(diǎn))。NOT電路213連接于VS、VB并由其供電，圖中省略了詳細(xì)的圖示。
而且，電平轉(zhuǎn)換電路201a的電流通路210和電位VS之間連接有箝位二極管214。詳細(xì)地說，HVNMOS211的漏極、電阻212的上述一端以及NOT電路213的輸入端與箝位二極管214的陰極連接，該二極管214的陽(yáng)極與電位VS連接。從而，即使電流通路210流過電流時(shí)電阻212的電壓降變大，NOT電路213的輸入端的電位(或者說HVNMOS211的漏極及電阻212的上述一端的電位)也被固定在電位VS，防止其低于該電位VS。
根據(jù)這樣的電平轉(zhuǎn)換電路201a，控制信號(hào)S100為高電平(高電位電平)時(shí)，HVNMOS211變成導(dǎo)通狀態(tài)，電流流過電流通路210。由該電流在電阻212處產(chǎn)生電壓降，NOT電路213的輸入端變成低電平(低電位電平)。從而，NOT回路213的輸出端變成高電平，可獲得與控制信號(hào)S100同樣的波形(參照?qǐng)D4)但電位上升的電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200?？刂菩盘?hào)S100為低電平時(shí)，對(duì)控制信號(hào)S100進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，也可獲得電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200。即，例如，電位GND、VCC之間轉(zhuǎn)移的控制信號(hào)S100電平轉(zhuǎn)換成在電位VS、VB之間轉(zhuǎn)移的信號(hào)S200。
偽電路301由HVNMOS(或第1開關(guān)裝置)311、電阻312、NOT電路(逆變電路)313以及箝位二極管(或箝位裝置)314構(gòu)成。特別是，這些要素311～314與電平轉(zhuǎn)換電路201a的要素211～214分別具有大致相同的特性(值)，除了HVNMOS34的柵極與接地電位GND連接以外，其他與要素211～214采用同樣的連接。
詳細(xì)地說，HVNMOS311的源極及漏極分別與接地電位GND及電阻312的一端連接，電阻312的另一端與電位VB連接，從而在電位GND、VB之間形成電流通路310。此時(shí)，HVNMOS311的源極-漏極間的通路(或主通路)設(shè)在電流通路310中。
特別是，與電平轉(zhuǎn)換電路201a不同，偽電路301中，HVNMOS311的柵極(或控制端子)與接地電位GND連接，從而HVNMOS311總是設(shè)定成非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，HVNMOS311的基片電位設(shè)定成接地電位GND。
而且，HVNMOS311的漏極和電阻312的上述一端之間與NOT電路313的輸入端連接，NOT電路313的輸出端是與電平轉(zhuǎn)換電路201經(jīng)由其輸出電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200的上述結(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的結(jié)點(diǎn)(第2結(jié)點(diǎn))。NOT電路313連接于電位VS、VB并由其供電，圖中省略了詳細(xì)的圖示。
而且，偽電路301的電流通路310和電位VS之間連接有箝位二極管314。詳細(xì)地說，HVNMOS311的漏極、電阻312的上述一端以及NOT電路313的輸入端與箝位二極管314的陽(yáng)極連接，該二極管314的陽(yáng)極與電位VS連接。從而，可防止NOT電路313的輸入端的電位低于電位VS。
如圖3所示，掩蔽電路401由NOT電路411和NOR電路412構(gòu)成。具體地說，輸出電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200的上述結(jié)點(diǎn)(即NOT電路213的輸出端)與NOT電路411的輸入端連接，該NOT電路411的輸出端及偽電路301的上述結(jié)點(diǎn)(即NOT電路313的輸出端)與NOR電路412的輸入端連接。NOR電路412的輸出端就是掩蔽電路401的輸出端，輸出掩蔽后的信號(hào)S400。另外，如圖4所示，掩蔽后的信號(hào)S400具有與控制信號(hào)發(fā)生器101輸出的控制信號(hào)S100同樣的波形(但是已電平轉(zhuǎn)換)，即包含迭代脈沖。
判別器(或第1判別器)501由可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器構(gòu)成，從而該判別器501也稱為“可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501”?？稍儆|發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501利用掩蔽后的信號(hào)S400中的多個(gè)脈沖(雖然與控制信號(hào)S100中的迭代脈沖對(duì)應(yīng)，但是如后述，也可能疊加有噪聲)的各脈沖作為觸發(fā)脈沖，對(duì)各個(gè)觸發(fā)脈沖生成脈沖。
特別是，可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501生成的脈沖的寬度設(shè)定成控制信號(hào)發(fā)生器101的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器112生成的迭代脈沖信號(hào)S112(參照?qǐng)D4)的周期T以上，例如，設(shè)定成周期T以上或大致等于周期T。更具體地說，設(shè)定成比上述周期T長(zhǎng)若干(例如，(周期T)+(迭代脈沖的寬度))。從而，如圖4，可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501輸出的判別結(jié)果信號(hào)S500中形成多個(gè)上述脈沖連在一起的一個(gè)脈沖。如上述，由于控制信號(hào)S100中包含迭代脈沖的期間與開指令的期間T1on對(duì)應(yīng)，因而判別結(jié)果信號(hào)S500中多個(gè)脈沖連在一起形成的高電平的一個(gè)脈沖與開指令(的期間T1on)對(duì)應(yīng)，其他低電平的部分與關(guān)指令(的期間T1off)對(duì)應(yīng)。
這樣，可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501利用掩蔽后的信號(hào)S400中包含的多個(gè)脈沖的迭代性對(duì)開指令(的期間T1on)及關(guān)指令(的期間T1off)進(jìn)行判別。
如前述，高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600根據(jù)判別結(jié)果信號(hào)S500，由控制信號(hào)S600對(duì)高電位側(cè)開關(guān)裝置1的導(dǎo)通/非導(dǎo)通進(jìn)行控制。
另一方面，低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11L由共同連接到電位VCC、GND間的同步電路901及低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路900構(gòu)成。具體地說，同步電路901取得原時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器111輸出的時(shí)鐘信號(hào)S111及低電位側(cè)開關(guān)裝置2相關(guān)的開關(guān)指令信號(hào)S2，使開關(guān)指令信號(hào)S2與時(shí)鐘信號(hào)S111同步，生成信號(hào)S901。驅(qū)動(dòng)電路900根據(jù)信號(hào)S901，由控制信號(hào)S900對(duì)低電位側(cè)開關(guān)裝置2的導(dǎo)通/非導(dǎo)通進(jìn)行控制。另外，低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路900與高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600具有相同的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置10、11，即使由開關(guān)裝置1、2的切換引起兩個(gè)開關(guān)裝置1、2間的連接的結(jié)點(diǎn)NO的電位VS變動(dòng)，也可象以下一樣防止誤動(dòng)作。
首先，連接的結(jié)點(diǎn)NO的電位VS若變動(dòng)，則電平轉(zhuǎn)換電路201a及偽電路301的電流通路210、310中分別流過對(duì)HVNMOS211、311的源極-漏極間的寄生靜電電容充電的電流。此時(shí)，電平轉(zhuǎn)換電路201a中，該電流作為噪聲疊加到電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200，從該電路201a的輸出端輸出。
但是，偽電路301的HVNMOS311總是設(shè)定成非導(dǎo)通狀態(tài)，正常動(dòng)作時(shí)偽電路301不生成信號(hào)。從而，上述電流引起的從偽電路301的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)S300只是電位VS的變動(dòng)引起的噪聲。即，偽電路301作為噪聲檢測(cè)器。
根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的掩蔽電路401，當(dāng)信號(hào)S300為低電平即不發(fā)生噪聲時(shí)，將電平轉(zhuǎn)換后的信號(hào)S200原樣作為掩蔽后的信號(hào)S400輸出。相對(duì)地，信號(hào)S300為高電平即發(fā)生噪聲時(shí)，電平轉(zhuǎn)換電路201a輸出的信號(hào)(疊加了噪聲的電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200)除去噪聲后，可作為掩蔽后的信號(hào)S400輸出。這樣，通過利用來自偽電路301的信號(hào)S300，可獲得作為掩蔽后的信號(hào)S400的噪聲被除去的電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200。
其結(jié)果，連接的結(jié)點(diǎn)NO的電位VS即使變動(dòng)，也可防止誤動(dòng)作。
由于電平轉(zhuǎn)換電路201a和偽電路301相互具有同樣的結(jié)構(gòu)，電平轉(zhuǎn)換電路201a的HVNMOS211為非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)若電位VS變動(dòng)，則各電流通路210、310流過的上述電流的大小和定時(shí)變成大致相同。從而，可顯著除去該場(chǎng)合的噪聲。
反之，電流通路210、310流過的電流的定時(shí)若不一致，則即使用偽電路301和掩蔽電路401也難以完全除去噪聲，具有與定時(shí)差對(duì)應(yīng)的脈沖寬度的噪聲脈沖包含在掩蔽后的信號(hào)S400中，從而可能使誤動(dòng)作發(fā)生并持續(xù)。另外，上述電流的定時(shí)偏移的原因有，例如，電平轉(zhuǎn)換電路201a和偽電路301之間的要素的特性存在波動(dòng)的情況，以及高電位側(cè)開關(guān)裝置1切換時(shí)HVNMOS211處于導(dǎo)通狀態(tài)的情況(此時(shí)，HVNMOS211、311間的寄生靜電電容不同)。
但是，根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置10，即使電流通路210、310流過的電流的定時(shí)不一致的情況下，也可以抑制和防止誤動(dòng)作持續(xù)發(fā)生。
具體地說，如上述，控制信號(hào)發(fā)生器101輸出的控制信號(hào)S100包含迭代脈沖，掩蔽后的信號(hào)S400也(若無噪聲)具有與控制信號(hào)S100同樣的波形(參照?qǐng)D4)?？稍儆|發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501產(chǎn)生與掩蔽后的信號(hào)S400中包含的各脈沖同步的脈沖，該脈沖的寬度設(shè)定成例如比控制信號(hào)S100中的迭代脈沖信號(hào)S112(參照?qǐng)D4)的周期T長(zhǎng)若干。從而，即使掩蔽后的信號(hào)S400中包含由上述噪聲引起的脈沖(噪聲脈沖)，與判別結(jié)果信號(hào)S500中包含的上述噪聲脈沖對(duì)應(yīng)的脈沖也是單觸發(fā)的，且僅僅在與上述的脈沖寬度相當(dāng)?shù)钠陂g產(chǎn)生。其結(jié)果，噪聲脈沖引起的誤動(dòng)作僅僅在與可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501發(fā)生的上述脈沖的寬度相當(dāng)?shù)钠陂g發(fā)生，該期間后恢復(fù)為正常動(dòng)作。
即，由于可再觸發(fā)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器501利用掩蔽后的信號(hào)S400中包含的多個(gè)脈沖的迭代性進(jìn)行導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令的判別，因而即使該多個(gè)脈沖中包含噪聲脈沖，也可以限制由該噪聲脈沖引起誤動(dòng)作的期間，恢復(fù)正常的動(dòng)作。
另外，通過將偽電路301的NOT電路313的閾值設(shè)定成大于電平轉(zhuǎn)換電路201a的NOT電路213的閾值，則即使在電流通路210、310流過的電流的定時(shí)不一致的情況下，也可以用掩蔽電路401進(jìn)行更可靠的掩蔽處理。這是因?yàn)?，根?jù)相關(guān)閾值的設(shè)定，電平轉(zhuǎn)換電路201a的整個(gè)高電平期間可以包括在來自偽電路301的信號(hào)S300的高電平期間內(nèi)。
這樣，驅(qū)動(dòng)裝置10、11通過2、3重的對(duì)策，可以更可靠地抑制防止由電位VS的變動(dòng)引起的誤動(dòng)作。
實(shí)施例2
通過圖5、圖6所示實(shí)施例2相關(guān)的驅(qū)動(dòng)裝置12及掩蔽電路402說明驅(qū)動(dòng)裝置10的第2具體結(jié)構(gòu)例。驅(qū)動(dòng)裝置12具有將前述的驅(qū)動(dòng)裝置11中的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11H替換成高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置12H后的結(jié)構(gòu)，該高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置12H具有將前述的驅(qū)動(dòng)裝置11H中的電平轉(zhuǎn)換裝置201、偽電路301以及掩蔽電路401替換成電平轉(zhuǎn)換裝置202、偽電路302以及掩蔽電路402后的結(jié)構(gòu)。
電平轉(zhuǎn)換裝置202具有在前述的電平轉(zhuǎn)換電路201a中除去了二極管214的電平轉(zhuǎn)換電路202a，其中設(shè)置有兩條從電流通路210經(jīng)由兩個(gè)NOT電路213到掩蔽電路402的通路。另外，兩個(gè)NOT電路213都輸出電平轉(zhuǎn)換后的信號(hào)S200。
另外，偽電路302具有從前述的偽電路301除去二極管314后的結(jié)構(gòu)。
如圖6，掩蔽電路402由前述的NOT電路411、NOR電路412以及AND電路413構(gòu)成。具體地說，AND電路413的輸入端與電平轉(zhuǎn)換電路202a的一個(gè)NOT電路213的輸出端及偽電路302的NOT電路313的輸出端連接。另外，NOT電路411的輸入端與電平轉(zhuǎn)換電路202a的另一個(gè)NOT電路213的輸出端連接。NOT電路411及AND電路413的兩個(gè)輸出端與NOR電路412的輸入端連接，NOR電路412的輸出就是掩蔽后的信號(hào)S400。相關(guān)掩蔽電路402中，由AND電路413檢測(cè)噪聲，以監(jiān)視電位VS的變動(dòng)引起的噪聲的同相傳送。
另外，也可以采用這樣的結(jié)構(gòu)，即令電平轉(zhuǎn)換電路202a的NOT電路213為一個(gè)，使來自NOT電路213的電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200同時(shí)輸入NOT電路411和AND電路413。
另外，通過將與AND電路413連接的NOT電路213、313的閾值設(shè)定成大于與NOT電路411連接的NOT電路213的閾值，可以用掩蔽電路402進(jìn)行更可靠的掩蔽處理。
驅(qū)動(dòng)裝置12也可以獲得與前述的驅(qū)動(dòng)裝置10、11同樣的效果。
實(shí)施例3
用圖7所示實(shí)施例3相關(guān)的驅(qū)動(dòng)裝置13說明驅(qū)動(dòng)裝置10的第3具體結(jié)構(gòu)例。另外，圖8及圖9表示驅(qū)動(dòng)裝置13的控制信號(hào)發(fā)生器102及掩蔽電路403，圖10表示說明驅(qū)動(dòng)裝置13的動(dòng)作的時(shí)序圖。驅(qū)動(dòng)裝置13具有將前述的驅(qū)動(dòng)裝置11中的高電位側(cè)及低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11H、11L替換成高電位側(cè)及低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13H、12L后的結(jié)構(gòu)。
首先，高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13H包含作為前述的要素100、200、300、400、500的控制信號(hào)發(fā)生器102、電平轉(zhuǎn)換裝置203、偽電路303、掩蔽電路403以及判別器(或第2及第3判別器)502，還包含前述的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路600。
首先，如圖8，控制信號(hào)發(fā)生器102由迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器110、第1及第2選擇器114a、114b、開轉(zhuǎn)移脈沖(或?qū)ㄞD(zhuǎn)移脈沖)發(fā)生器115a、關(guān)轉(zhuǎn)移脈沖(或非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖)發(fā)生器T115b以及OR電路116a、116b構(gòu)成。
詳細(xì)地說，迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器110包含前述的原時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器111及單觸發(fā)脈沖發(fā)生器113。單觸發(fā)脈沖發(fā)生器113配置成連接于電位VCC、GND之間以獲得供電，獲得時(shí)鐘信號(hào)S111并根據(jù)該時(shí)鐘信號(hào)S111生成包含周期T的迭代脈沖(迭代脈沖波形)的迭代脈沖信號(hào)S113(圖10參照。與圖4的迭代脈沖信號(hào)S112相當(dāng))并輸出。
第1選擇器114a包含具有輸入迭代脈沖信號(hào)S113及開關(guān)指令信號(hào)S1的結(jié)構(gòu)的AND電路114a1，從而，迭代脈沖信號(hào)S113只是在開指令的期間T1on作為第1選擇器114a的輸出信號(hào)S114a被選擇輸出(參照?qǐng)D10)。
另外，開轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器115a包含具有輸入開關(guān)指令信號(hào)S1的結(jié)構(gòu)的單觸發(fā)脈沖發(fā)生器115a1，該單觸發(fā)脈沖發(fā)生器115a1配置成與開關(guān)指令信號(hào)S1的脈沖上升沿(從關(guān)指令到開指令的轉(zhuǎn)移)同步生成開轉(zhuǎn)移脈沖，作為信號(hào)S115a輸出(參照?qǐng)D10)。另外，這里，開轉(zhuǎn)移脈沖的寬度設(shè)定成與單觸發(fā)脈沖發(fā)生器113生成的迭代脈沖的脈沖寬度相同。
第1選擇器T114a的輸出信號(hào)S114a及開轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器115a的輸出信號(hào)S115a輸入OR電路116a，該OR電路116a的運(yùn)算結(jié)果作為開控制信號(hào)(或?qū)刂菩盘?hào))S100a從該OR電路116a的輸出端(或?qū)刂菩盘?hào)輸出端)輸出。此時(shí)，開控制信號(hào)S100a中疊加了信號(hào)S114a中的迭代脈沖及信號(hào)115a中的開轉(zhuǎn)移脈沖(參照?qǐng)D10)。
另一方面，第2選擇器114b配置成包含AND電路114b1及NOT電路114b2，向AND電路114b1輸入迭代脈沖信號(hào)S113以及由NOT電路114b2進(jìn)行了波形反相后的開關(guān)指令信號(hào)S1。從而，迭代脈沖信號(hào)S113只是在關(guān)指令的期間T1off作為第2選擇器114b的輸出信號(hào)S114b被選擇輸出(參照?qǐng)D10)。
關(guān)轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器115b配置成包含單觸發(fā)脈沖發(fā)生器115b1及NOT電路115b2，向單觸發(fā)脈沖發(fā)生器115b1輸入由NOT電路115b2進(jìn)行了波形反相后的開關(guān)指令信號(hào)S1。單觸發(fā)脈沖發(fā)生器115b1配置成與波形反相后的開關(guān)指令信號(hào)S1的脈沖的上升沿(從關(guān)指令到開指令的轉(zhuǎn)移)同步生成開轉(zhuǎn)移脈沖，作為信號(hào)S1415b輸出。另外，這里，開轉(zhuǎn)移脈沖的寬度設(shè)定成與單觸發(fā)脈沖發(fā)生器113生成的迭代脈沖的脈沖寬度相同。
第2選擇器T114b的輸出信號(hào)S114b及關(guān)轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器115b的輸出信號(hào)S115b輸入OR電路116b，該OR電路116b的運(yùn)算結(jié)果作為關(guān)控制信號(hào)(或非導(dǎo)通控制信號(hào))S100b從該OR電路116b的輸出端(或非導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端)輸出。此時(shí)，關(guān)控制信號(hào)S100b中疊加了信號(hào)S114b中的迭代脈沖及信號(hào)115b中的關(guān)轉(zhuǎn)移脈沖(參照?qǐng)D10)。
另外，來自O(shè)R電路116a、116b的控制信號(hào)S100a、S100b的總稱相當(dāng)于來自前述的控制信號(hào)發(fā)生器100的控制信號(hào)S100，OR電路116a，116b的輸出端的總稱相當(dāng)于前述的控制信號(hào)發(fā)生器100的輸出端。
電平轉(zhuǎn)換裝置203包含兩個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路(或第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路)203a、203b。
第1電平轉(zhuǎn)換電路203a基本上具有在圖2的前述的電平轉(zhuǎn)換電路201a中追加了P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(或第2開關(guān)裝置)215的結(jié)構(gòu)。這里，作為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管215，采用MOSFET(或MISFET)，P溝道型MOSFET也稱為“PMOS”。
插入PMOS215，使得其源極-漏極通路設(shè)在電流通路210中。詳細(xì)地說，PMOS215的源極與NOT電路213的輸入端和電阻212的上述一端的連接結(jié)點(diǎn)連接，PMOS215的漏極與二極管214的陰極和HVNMOS211的漏極的連接結(jié)點(diǎn)連接。此時(shí)，PMOS215設(shè)在二極管(或箝位裝置)214和電位VB之間，換言之，電位VS、VB之間。PMOS215的柵極與作為判別器502的RS觸發(fā)器的Q輸出連接。從而，PMOS215根據(jù)判別器502輸出的判別結(jié)果信號(hào)S500，控制電流通路210的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，PMOS215的基片電位設(shè)定成電位VB。
另外，第1電平轉(zhuǎn)換電路203a中，HVNMOS211的柵極與輸出開控制信號(hào)(或?qū)刂菩盘?hào))S100a的控制信號(hào)發(fā)生器102的OR電路116a的輸出端(或?qū)刂菩盘?hào)輸出端)連接，從NOT電路213的輸出端輸出電平轉(zhuǎn)換后的開控制信號(hào)(或電平轉(zhuǎn)換后的導(dǎo)通控制信號(hào))S200a。
第2電平轉(zhuǎn)換電路203b包含與上述第1電平轉(zhuǎn)換電路203a的要素211、212、213、214、215的特性(值)大致相同的HVNMOS221、電平轉(zhuǎn)換電阻222、NOT電路223、箝位二極管224、PMOS225，基本與上述第1電平轉(zhuǎn)換電路203a具有同樣的結(jié)構(gòu)，從而第2電平轉(zhuǎn)換電路203b在電位GND、VB間形成電流通路220。
但是，第2電平轉(zhuǎn)換電路203b中，HVNMOS221的柵極與輸出關(guān)控制信號(hào)(或非導(dǎo)通控制信號(hào))S100b的控制信號(hào)發(fā)生器102的OR電路116b的輸出端(或非導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端)連接，從NOT電路223的輸出端輸出電平轉(zhuǎn)換后的關(guān)控制信號(hào)(或電平轉(zhuǎn)換后的非導(dǎo)通控制信號(hào))S200b。另外，第2電平轉(zhuǎn)換電路203b還包括NOT電路251，NOT電路251的輸入端與作為判別器502的RS觸發(fā)器的Q輸出連接，NOT電路251的輸出端與PMOS225的柵極連接。從而，PMOS225根據(jù)判別器502輸出的判別結(jié)果信號(hào)S500(的反相信號(hào))控制電流通路220的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)。
另外，電平轉(zhuǎn)換裝置203中，電平轉(zhuǎn)換后的開控制信號(hào)S200a及電平轉(zhuǎn)換后的關(guān)控制信號(hào)S200b的總稱與前述的電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)S200相當(dāng)。
偽電路303具有在前述的圖2的偽電路301中追加了PMOS315的結(jié)構(gòu)。PMOS315具有與電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b的PMOS215、225大致相同的特性(值)，與PMOS215、225同樣設(shè)置在電流通路310中。但是，該P(yáng)MOS315的柵極與電位VS連接。另外，偽電路303及電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b的各電路間，對(duì)應(yīng)的要素(例如，HVNMOS211、221、311)相互具有大致相同的特性(值)。
如圖9，掩蔽電路403大致分為第1及第2掩蔽電路403a、403b，比較圖9和圖3可明白各掩蔽電路403a、403b具有與前述的掩蔽電路401同樣的構(gòu)成。
詳細(xì)地說，第1掩蔽電路403a由NOT電路411a及NOR電路412a構(gòu)成，第1電平轉(zhuǎn)換電路203a的上述結(jié)點(diǎn)(其輸出電平轉(zhuǎn)換后的開控制信號(hào)S200a)與NOT電路411a的輸入端連接，該NOT電路411a的輸出端及偽電路303的上述結(jié)點(diǎn)與NOR電路412a的輸入端連接的。從而，與圖3的掩蔽電路401同樣，第1掩蔽電路403a利用偽電路303的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，掩蔽第1電平轉(zhuǎn)換電路203a的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，生成第1掩蔽后的信號(hào)S400a。另外，NOR電路412a的輸出端就是輸出第1掩蔽后的信號(hào)S400a的第1掩蔽電路403a的輸出端。
同樣，第2掩蔽電路403b由NOT電路411b及NOR電路412b構(gòu)成，第2電平轉(zhuǎn)換電路203b的上述結(jié)點(diǎn)(其輸出電平轉(zhuǎn)換后的關(guān)控制信號(hào)S200b)與NOT電路411b的輸入端連接，該NOT電路411b的輸出端及偽電路303的上述結(jié)點(diǎn)與NOR電路412b的輸入端連接。從而，第2掩蔽電路403b利用偽電路303的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，掩蔽第2電平轉(zhuǎn)換電路203b的上述結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，生成第2掩蔽后的信號(hào)S400b。另外，NOR電路412b的輸出端就是輸出第2掩蔽后的信號(hào)S400b的第2掩蔽電路403b的輸出端。
另外，掩蔽后的信號(hào)S400a、S400b的總稱與前述的掩蔽后的信號(hào)S400相當(dāng)。
判別器502由RS觸發(fā)器構(gòu)成，從而該判別器502也稱為“RS觸發(fā)器”。RS觸發(fā)器502中，置位輸入(S輸入)與掩蔽電路403的NOR電路412a的輸出端連接，復(fù)位輸入(R輸入)與掩蔽電路403的NOR電路412b的輸出端連接。
從而，根據(jù)第1掩蔽電路400a輸出的第1掩蔽后的信號(hào)S400a中的脈沖的高電平，RS觸發(fā)器502將來自Q輸出的高電平信號(hào)作為判別結(jié)果信號(hào)S500輸出。相對(duì)地，根據(jù)第2掩蔽電路400b輸出的第2掩蔽后的信號(hào)S400b中的脈沖的高電平，RS觸發(fā)器502將來自Q輸出的低電平信號(hào)作為判別結(jié)果信號(hào)S500輸出。即，判別結(jié)果信號(hào)S500為高電平期間及低電平期間分別與高電位側(cè)開關(guān)裝置1相關(guān)的開指令的期間T1on及關(guān)指令的期間T1off對(duì)應(yīng)。
另外，如上述，判別結(jié)果信號(hào)S500輸入第1電平轉(zhuǎn)換電路203a的PMOS215及第2電平轉(zhuǎn)換電路203b的NOT電路251。
另一方面，低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置121由延遲電路902及前述的低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)電路900構(gòu)成。延遲電路902配置成連接于電位GND、VCC間以獲得供電，獲得低電位側(cè)開關(guān)裝置2相關(guān)的開關(guān)指令信號(hào)S2，延遲該信號(hào)S2并作為信號(hào)S902向驅(qū)動(dòng)電路900輸出。另外，例如，延遲電路902設(shè)置成在低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置12L側(cè)修正從高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13H接收開關(guān)指令信號(hào)S1到高電位側(cè)開關(guān)裝置1實(shí)際進(jìn)行切換動(dòng)作為止的延遲時(shí)間。
根據(jù)具有這樣的結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)裝置13，即使分別用信號(hào)、即開控制信號(hào)(導(dǎo)通控制信號(hào))S100a及關(guān)控制信號(hào)(非導(dǎo)通控制信號(hào))S100b提供與高電位側(cè)開關(guān)裝置1相關(guān)的導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令，也可獲得與前述的驅(qū)動(dòng)裝置10～12同樣的效果。另外，通過將偽電路303的NOT電路313的閾值設(shè)定成大于電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b的NOT電路213、223的閾值，可用掩蔽電路403進(jìn)行更可靠的掩蔽處理。
特別是，開控制信號(hào)S100a中和關(guān)控制信號(hào)S100b中的任何一個(gè)中包含有迭代脈沖，RS觸發(fā)器502利用掩蔽后的信號(hào)S400a、S400b中包含的脈沖進(jìn)行判別。從而，即使掩蔽后的信號(hào)S400a、S400b中包含的噪聲脈沖引起誤動(dòng)作，也可通過該噪聲脈沖的下一次的正常脈沖(形成傳送到開控制信號(hào)S100a或關(guān)控制信號(hào)S100b的迭代脈沖)恢復(fù)正常動(dòng)作。此時(shí)，誤動(dòng)作的期間最大限定在與迭代脈沖的周期T相當(dāng)?shù)钠陂g。
但是，由于驅(qū)動(dòng)裝置11、12中開關(guān)指令信號(hào)S1和迭代脈沖信號(hào)S112不同步，會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令和控制信號(hào)S100之間的延遲時(shí)間td(參照?qǐng)D4)。該延遲時(shí)間td也反映(傳送)導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令發(fā)出到高電位側(cè)開關(guān)裝置1實(shí)際進(jìn)行切換動(dòng)作為止的時(shí)間。對(duì)此，根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置13，由于開控制信號(hào)S100a及關(guān)控制信號(hào)S100b分別包含導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖，且RS觸發(fā)器502還利用掩蔽后的信號(hào)S400a、S400b中包含的導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖所對(duì)應(yīng)的脈沖進(jìn)行判別，因而可減少上述延遲時(shí)間td。
另外，象驅(qū)動(dòng)裝置11、12一樣，上述延遲時(shí)間td依存于開關(guān)指令信號(hào)S1的上升沿/下降沿及迭代脈沖信號(hào)S112的上升沿(或時(shí)鐘信號(hào)S111)時(shí)，為了確保使兩個(gè)開關(guān)裝置1、2中止的期間(空閑時(shí)間)，使低電位側(cè)開關(guān)裝置2相關(guān)的開關(guān)指令信號(hào)S2和時(shí)鐘信號(hào)S111同步。但是，驅(qū)動(dòng)裝置13中，由于上述延遲時(shí)間td不依存于開關(guān)指令信號(hào)S1和迭代脈沖信號(hào)S112的定時(shí)，因而不必使開關(guān)指令信號(hào)S2和時(shí)鐘信號(hào)S111同步。從而，驅(qū)動(dòng)裝置13中不需要同步電路901，因而也不需要圖2的低電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置11L具有的用以連接同步電路901和原時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器111的配線(驅(qū)動(dòng)裝置11H、11L為分立的集成電路時(shí)變長(zhǎng))。
而且，由于電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b具有PMOS215、225，可以削減驅(qū)動(dòng)裝置13的消耗功率。其理由如下。例如，若由RS觸發(fā)器502檢測(cè)出從關(guān)指令到開指令的轉(zhuǎn)移，則隨后從開指令到關(guān)指令的轉(zhuǎn)移為止，RS觸發(fā)器502保持Q輸出。從而，根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置13，若檢測(cè)出從控制信號(hào)S100a、S100b到開指令和關(guān)指令的轉(zhuǎn)移，則可以切換高電位側(cè)開關(guān)裝置1。從而，開指令的持續(xù)期間，為了檢測(cè)出下一次的轉(zhuǎn)移(開指令到關(guān)指令的轉(zhuǎn)移)，也可以僅僅使傳送關(guān)指令的電平轉(zhuǎn)換電路203b動(dòng)作而使傳送開指令的電平轉(zhuǎn)換電路203a中止。具體地說，電平轉(zhuǎn)換電路203a的電流通路210也可以不流過電流，驅(qū)動(dòng)裝置13中，由于PMOS215根據(jù)判別結(jié)果信號(hào)S500控制電流通路210的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)，因而可實(shí)現(xiàn)這樣的中止。通過相關(guān)電平轉(zhuǎn)換電路203a的中止，可削減消耗功率。當(dāng)然在關(guān)指令的持續(xù)期間也同樣。
這里，考慮RS觸發(fā)器502的Q輸出為高電平時(shí)電位VS變動(dòng)的情況。此時(shí)，由于電平轉(zhuǎn)換電路203a的PMOS215為非導(dǎo)通狀態(tài)，因而，電流通路210中流過經(jīng)由二極管211向HVNMOS211的寄生靜電電容充電的電流，該電流引起的噪聲不出現(xiàn)在信號(hào)S200，但是，由于PMOS225、315為導(dǎo)通狀態(tài)，電流通路220、310中有電流經(jīng)由電阻222、312流過，該電流引起的噪聲出現(xiàn)在信號(hào)S200b、S300，可以由掩蔽電路403及RS觸發(fā)器502抑制和去除。同樣，RS觸發(fā)器502的Q輸出為低電平時(shí)電位VS變動(dòng)的情況下，利用來自電平轉(zhuǎn)換電路203a及偽電路303的信號(hào)S200a、S300可以抑制、去除噪聲。即，即使使電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b的其中一個(gè)中止，也可以獲得抑制、去除噪聲的效果。
而且，由于PMOS215、225設(shè)在箝位二極管(箝位裝置)和電位VB(第4電位)之間，流過PMOS215、225的電流由電位VB、VS間的電位差規(guī)定。由于該電位差比電位VB、GND間的電位差低，PMOS215、225中不必采用高耐壓元件(功率裝置)，因而可以降低成本。
如上述，通過削減消耗功率，驅(qū)動(dòng)裝置13可變形成圖11所示驅(qū)動(dòng)裝置13B。以驅(qū)動(dòng)裝置13B作為驅(qū)動(dòng)裝置10的第4具體結(jié)構(gòu)例進(jìn)行說明。圖11所示驅(qū)動(dòng)裝置13B具有將圖7的驅(qū)動(dòng)裝置13中的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13H替換成高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13HB后的結(jié)構(gòu)，高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13HB具有在圖7的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13H上增加了由電容5和限幅二極管6組成的電源電路的結(jié)構(gòu)。具體地說，電容5連接于電位VB、VS間，二極管116的陰極及陽(yáng)極分別與電位VB及電位VCC連接。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可以用一個(gè)電源4使驅(qū)動(dòng)裝置13B動(dòng)作。
實(shí)施例4驅(qū)動(dòng)裝置10的第5具體結(jié)構(gòu)例用圖12所示實(shí)施例4的驅(qū)動(dòng)裝置14進(jìn)行說明。驅(qū)動(dòng)裝置14具有將前述的圖7的驅(qū)動(dòng)裝置13中的高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置13H替換成高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置14H的結(jié)構(gòu)，該高電位側(cè)驅(qū)動(dòng)裝置14H具有將前述的驅(qū)動(dòng)裝置13H中的電平轉(zhuǎn)換裝置203及偽電路303替換成電平轉(zhuǎn)換裝置204及偽電路304后的結(jié)構(gòu)。
電平轉(zhuǎn)換裝置204與圖7的第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b同樣，大致分成第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路204a、204b。
第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路204a、204b具有將圖7的電平轉(zhuǎn)換電路203a、203b中的PMOS215、225分別替換成模擬開關(guān)(或第2開關(guān)裝置)216、226并除去二極管214、224后的結(jié)構(gòu)。另外，電平轉(zhuǎn)換裝置204具有NOT電路252，取代前述的電平轉(zhuǎn)換裝置203的NOT電路251。
這里，模擬開關(guān)216、226由源極和漏極相互連接的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管并聯(lián)而成。另外，這里，作為上述P溝道型及N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用MOSFET，模擬開關(guān)216、226即所謂的C-MOS模擬開關(guān)。另外，模擬開關(guān)216、226相互具有大致相同的特性(值)。
此時(shí)，模擬開關(guān)216、226的主通路分別設(shè)置在電流通路210、220中，與圖7的PMOS215、225的主通路的位置相同。另外，模擬開關(guān)216的P溝道型MOSFET及模擬開關(guān)226的N溝道型MOSFET的兩個(gè)柵極與RS觸發(fā)器S102的Q輸出連接。另一方面，模擬開關(guān)216的N溝道型MOSFET及模擬開關(guān)226的P溝道型MOSFET的兩個(gè)柵極與NOT電路252的輸出端連接，該NOT電路252的輸入端與RS觸發(fā)器502的Q輸出連接。另外，模擬開關(guān)216、226中，兩個(gè)N溝道型MOSFET的基片電位與電位(或第3電位)VS連接。兩個(gè)P溝道型MOSFET的基片電位與電位VB連接。
偽電路304具有將圖7的偽電路303中的PMOS315變更成模擬開關(guān)316并除去二極管314后的結(jié)構(gòu)。模擬開關(guān)316具有與上述的模擬開關(guān)216、226同樣的結(jié)構(gòu)并具有大致相同的特性(值)。模擬開關(guān)316的主通路設(shè)置在電流通路310中，與圖7的PMOS315的主通路的位置相同。這樣，在驅(qū)動(dòng)裝置14H中，偽電路304基本上與電平轉(zhuǎn)換電路204a、204b具有同樣的結(jié)構(gòu)。但是，模擬開關(guān)316中，P溝道型MOSFET的柵極與電位VS連接，N溝道型MOSFET的柵極與電位VB連接。另外，模擬開關(guān)346的N溝道型MOSFET及P溝道型MOSFET的基片電位分別與電位VS及電位VB連接。
驅(qū)動(dòng)裝置14也可獲得與前述的驅(qū)動(dòng)裝置13同樣的效果。特別是，根據(jù)驅(qū)動(dòng)裝置14，模擬開關(guān)216、226、316的N溝道型MOSFET中，基片和源極之間形成的二極管作為箝位二極管工作，不必另外設(shè)置箝位二極管(箝位裝置)。從而，可以減少元件數(shù)，可以比驅(qū)動(dòng)裝置13更進(jìn)一步提高集成度。
變形例另外，也可構(gòu)成這樣的驅(qū)動(dòng)裝置10～14，使得可以處理上述的說明及時(shí)序圖中各信號(hào)的波形反相后的信號(hào)。另外，也可以采用具有以二極管214、224、314取代晶體管的結(jié)構(gòu)的箝位裝置。
根據(jù)本發(fā)明第一方面，隨著兩個(gè)開關(guān)裝置的切換，若第3電位變動(dòng)，則電平轉(zhuǎn)換電路及偽電路的電流通路有電流流過，該電流引起的信號(hào)從至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的第1結(jié)點(diǎn)及偽電路的第2結(jié)點(diǎn)輸出。此時(shí)，由于偽電路的第1開關(guān)裝置總是設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，來自偽電路的上述信號(hào)只能是第3電位的變動(dòng)引起的噪聲。從而，掩蔽電路通過利用來自偽電路的上述信號(hào)，可以去除來自至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的上述信號(hào)中的噪聲。即，可以獲得作為掩蔽后信號(hào)的去除了噪聲且電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)。其結(jié)果，可以防止誤動(dòng)作。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，由于第1判別器進(jìn)行導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令的判別時(shí)利用了掩蔽后的信號(hào)中包含的多個(gè)脈沖的迭代性，該多個(gè)脈沖中即使包含由噪聲引起的脈沖(噪聲脈沖)，也可以限制由該噪聲脈沖引起誤動(dòng)作的期間，并恢復(fù)正常動(dòng)作。
根據(jù)本發(fā)明第三方面，掩蔽后的信號(hào)中即使包含上述噪聲脈沖，該噪聲脈沖引起的誤動(dòng)作僅僅在與單觸發(fā)脈沖發(fā)生器生成的脈沖的脈沖寬度相當(dāng)?shù)钠陂g發(fā)生，在該期間后可恢復(fù)正常動(dòng)作。
根據(jù)本發(fā)明第四方面，高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令分別用信號(hào)(導(dǎo)通控制信號(hào)及非導(dǎo)通控制信號(hào))提供的情況下，也可以獲得本發(fā)明第一方面的上述效果。
根據(jù)本發(fā)明第五方面，導(dǎo)通控制信號(hào)中和非導(dǎo)通控制信號(hào)中的其中一個(gè)包含迭代脈沖，第2判別器利用第1及第2掩蔽后的信號(hào)中包含的脈沖進(jìn)行判別。從而，掩蔽后的信號(hào)中包含的噪聲引起的脈沖(噪聲脈沖)導(dǎo)致的誤動(dòng)作即使發(fā)生，也能夠通過該噪聲脈沖的下一次的正常脈沖(形成迭代脈沖)恢復(fù)正常動(dòng)作。此時(shí)，誤動(dòng)作的期間最大限定在與迭代脈沖的周期相當(dāng)?shù)钠陂g。
根據(jù)本發(fā)明第六方面，由于導(dǎo)通控制信號(hào)及非導(dǎo)通控制信號(hào)分別包含導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖，因而，可以減少導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令和導(dǎo)通控制信號(hào)及非導(dǎo)通控制信號(hào)之間的延遲時(shí)間。由于第3判別器利用掩蔽后的信號(hào)中包含的與導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖對(duì)應(yīng)的脈沖進(jìn)行判別，因而第3判別器可以正確地了解導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令的開始定時(shí)，其結(jié)果，可減少?gòu)膶?dǎo)通指令及非導(dǎo)通指令發(fā)出后到高電位側(cè)開關(guān)裝置實(shí)際動(dòng)作為止的延遲時(shí)間。
根據(jù)本發(fā)明第七方面，例如，在導(dǎo)通指令持續(xù)期間，第1電平轉(zhuǎn)換電路中，通過由第2開關(guān)裝置將電流通路設(shè)定成非導(dǎo)通狀態(tài)，使該電流通路沒有電流流過。從而，可以削減消耗功率。第2電平轉(zhuǎn)換電路也同樣。
根據(jù)本發(fā)明第八方面，由于流過第2開關(guān)裝置的電流由第3及第4電位間的電位差規(guī)定，因而第2開關(guān)裝置中可以不必采用功率裝置。從而，可以削減成本。
根據(jù)本發(fā)明第九方面，模擬開關(guān)的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，由于基片和源極之間形成的二極管作為箝位二極管工作，因而不必另外設(shè)置箝位裝置。從而，可以減少元件數(shù)量，提高驅(qū)動(dòng)裝置的集成度。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)裝置，至少驅(qū)動(dòng)控制第1電位和比所述第1電位高的第2電位之間連接的兩個(gè)開關(guān)裝置中的高電位側(cè)的開關(guān)裝置，它包括控制信號(hào)發(fā)生器，生成使所述高電位側(cè)開關(guān)裝置導(dǎo)通的導(dǎo)通指令及非導(dǎo)通的非導(dǎo)通指令相關(guān)的控制信號(hào)并從輸出端輸出；電平轉(zhuǎn)換裝置，與所述控制信號(hào)發(fā)生器的所述輸出端連接，用至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路對(duì)所述控制信號(hào)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換，生成電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)；以及偽電路，所述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路及所述偽電路分別包括第1開關(guān)裝置，該開關(guān)裝置包括在所述第1電位和以所述兩個(gè)開關(guān)裝置的連接的結(jié)點(diǎn)的第3電位為基準(zhǔn)設(shè)定的比所述第3電位高的第4電位之間設(shè)置的電流通路；所述電流通路中設(shè)置的主通路；以及控制所述主通路的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)的控制端子，所述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路中的所述第1開關(guān)裝置的所述控制端子與所述控制信號(hào)發(fā)生器的所述輸出端連接，另外，所述偽電路中的所述第1開關(guān)裝置總是設(shè)定成所述非導(dǎo)通狀態(tài)，所述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路包含用以輸出所述電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)的第1結(jié)點(diǎn)，同時(shí)，所述偽電路包含與所述第1結(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的第2結(jié)點(diǎn)，所述驅(qū)動(dòng)裝置還包括掩蔽電路，與所述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路的所述第1結(jié)點(diǎn)及所述偽電路的所述第2結(jié)點(diǎn)連接，利用所述第2結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)對(duì)所述第1結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)進(jìn)行掩蔽，生成掩蔽后的信號(hào)；判別器，利用所述掩蔽后的信號(hào)，判別與所述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的所述導(dǎo)通指令及所述非導(dǎo)通指令。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述控制信號(hào)發(fā)生器包括選擇迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器，只選擇在所述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的所述導(dǎo)通指令期間和所述非導(dǎo)通指令期間的其中一個(gè)期間，生成包含有其周期比所述導(dǎo)通指示及所述非導(dǎo)通指示的所述期間短的迭代脈沖的迭代脈沖信號(hào)，作為所述控制信號(hào)。所述判別器包括第1判別器，其利用所述掩蔽后的信號(hào)中包含的多個(gè)脈沖的迭代性判別所述導(dǎo)通指令及所述非導(dǎo)通指令。
3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述第1判別器包括單觸發(fā)脈沖發(fā)生器，后者利用所述掩蔽后的信號(hào)中包含的所述多個(gè)脈沖作為觸發(fā)脈沖，對(duì)各個(gè)觸發(fā)脈沖生成具有不小于所述迭代脈沖的所述周期的脈沖寬度的脈沖。
4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述控制信號(hào)包括與所述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的所述導(dǎo)通指令對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通控制信號(hào)，以及與所述非導(dǎo)通指令對(duì)應(yīng)的非導(dǎo)通控制信號(hào)，同時(shí)，所述電平轉(zhuǎn)換后的控制信號(hào)包括與所述導(dǎo)通控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換后的導(dǎo)通控制信號(hào)以及與所述非導(dǎo)通控制信號(hào)對(duì)應(yīng)的電平轉(zhuǎn)換后的非導(dǎo)通控制信號(hào)，所述控制信號(hào)發(fā)生器的所述輸出端包括輸出所述導(dǎo)通控制信號(hào)的導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端以及輸出所述非導(dǎo)通控制信號(hào)的非導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端，所述至少一個(gè)電平轉(zhuǎn)換電路包括第1電平轉(zhuǎn)換電路，所述第1開關(guān)裝置的所述控制端子與所述控制信號(hào)發(fā)生器的所述導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端連接并從所述第1結(jié)點(diǎn)輸出所述電平轉(zhuǎn)換后的導(dǎo)通控制信號(hào)；第2電平轉(zhuǎn)換電路，所述第1開關(guān)裝置的所述控制端子與所述控制信號(hào)發(fā)生器的所述非導(dǎo)通控制信號(hào)輸出端連接并從所述第1結(jié)點(diǎn)輸出所述電平轉(zhuǎn)換后的非導(dǎo)通控制信號(hào)，所述掩蔽后的信號(hào)包括第1及第2掩蔽后的信號(hào)，所述掩蔽電路包括第1掩蔽電路，與所述第1電平轉(zhuǎn)換電路的所述第1結(jié)點(diǎn)及所述偽電路的所述第2結(jié)點(diǎn)連接，利用所述第2結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)掩蔽所述第1結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，生成所述第1掩蔽后的信號(hào)；第2掩蔽電路，與所述第2電平轉(zhuǎn)換電路的所述第1結(jié)點(diǎn)及所述偽電路的所述第2結(jié)點(diǎn)連接，利用所述第2結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)掩蔽所述第1結(jié)點(diǎn)輸出的信號(hào)，生成所述第2掩蔽后的信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述控制信號(hào)發(fā)生器包括迭代脈沖信號(hào)發(fā)生器，生成包含有其周期比所述高電位側(cè)開關(guān)裝置相關(guān)的所述導(dǎo)通指示期間及所述非導(dǎo)通指示期間短的迭代脈沖的迭代脈沖信號(hào)；第1選擇器，僅僅從所述導(dǎo)通指令的所述期間中選擇輸出所述迭代脈沖信號(hào)；第2選擇器，僅僅從所述非導(dǎo)通指令的所述期間中選擇輸出所述迭代脈沖信號(hào)，所述導(dǎo)通控制信號(hào)及所述非導(dǎo)通控制信號(hào)中分別包含所述第1及第2選擇器輸出的所述迭代脈沖，所述判別器包括第2判別器，后者利用所述第1及第2掩蔽后的信號(hào)中包含的脈沖對(duì)所述導(dǎo)通指令及所述非導(dǎo)通指令進(jìn)行判別。
6.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述控制信號(hào)發(fā)生器包括導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器，與從所述非導(dǎo)通指令到所述導(dǎo)通指令的轉(zhuǎn)移同步生成導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖；非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖發(fā)生器，與從所述導(dǎo)通指令到所述非導(dǎo)通指令的轉(zhuǎn)移同步生成非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖，所述導(dǎo)通控制信號(hào)及所述非導(dǎo)通控制信號(hào)中分別包含所述導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及所述非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖，所述判別器包括第3判別器，后者利用所述掩蔽后的信號(hào)中包含的與所述導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖及所述非導(dǎo)通轉(zhuǎn)移脈沖對(duì)應(yīng)的脈沖，判別所述導(dǎo)通指令及所述非導(dǎo)通指令。
7.如權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路還分別包含具有根據(jù)所述判別器的判別結(jié)果控制所述電流通路的導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)的結(jié)構(gòu)的第2開關(guān)裝置。
8.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路還分別包含設(shè)在所述電流通路和所述第3電位之間的箝位裝置，所述第1及第2電平轉(zhuǎn)換電路中分別在所述箝位裝置和所述第4電位之間設(shè)有所述第2開關(guān)裝置。
9.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，所述第2開關(guān)裝置包括模擬開關(guān)，其由并聯(lián)的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，且所述N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基片電位設(shè)定成所述第3電位。
全文摘要
提供當(dāng)圖騰柱連接的兩個(gè)開關(guān)裝置的連接結(jié)點(diǎn)的電位變動(dòng)時(shí)可防止誤動(dòng)作且能夠削減消耗功率的驅(qū)動(dòng)裝置。偽電路(303)基本與電平轉(zhuǎn)換電路(203a、203b)具有同樣的結(jié)構(gòu)，HVNMOS(311)總是設(shè)定成非導(dǎo)通狀態(tài)。掩蔽電路(403)利用來自偽電路(303)的信號(hào)(S300)，去除來自電平轉(zhuǎn)換電路(203a、203b)的信號(hào)(S200a、S200b)中的噪聲。控制信號(hào)(S100a、S100b)包含迭代脈沖，該迭代脈沖傳送到RS觸發(fā)器(502)的S輸入及R輸入。PMOS(215、225)根據(jù)RS觸發(fā)器(502)的輸出信號(hào)(S500)，令電流通路(210、220)成為非導(dǎo)通狀態(tài)，從而，適當(dāng)?shù)刂兄闺娖睫D(zhuǎn)換電路(203a、203b)的其中一個(gè)。
文檔編號(hào)H03K17/687GK1677856SQ20051007012
公開日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2002年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月9日
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