專(zhuān)利名稱(chēng)：陶瓷封裝件、集合基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在由1個(gè)或多個(gè)陶瓷層構(gòu)成的陶瓷封裝件上搭載彈性表面波濾波元件等電子部件，再由蓋體密封了的，例如像天線共用器那樣的電子設(shè)備裝置中使用的陶瓷封裝件，以及用連接部把應(yīng)該作為上述陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板。
背景技術(shù)：
(現(xiàn)有例1)具有現(xiàn)有例1的陶瓷封裝件的天線共用器具有由圖14所示的多個(gè)陶瓷層11、12、13、14層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8、搭接線9和蓋體2。
陶瓷封裝件1具有由第1陶瓷層11的內(nèi)壁109和第2陶瓷層12的上面121形成的模穴120。彈性表面波濾波元件8通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑7而與設(shè)在第2陶瓷層12上的上面121上的GND電極115粘接固定。彈性表面波濾波元件8的多個(gè)輸入輸出電極(未圖示)和多個(gè)GND電極(未圖示)通過(guò)搭接線9而與配設(shè)在第1陶瓷層11上的上面108上的線搭接用焊盤(pán)101連接。
在陶瓷層13、14的表面上形成了電感器、電容器等的內(nèi)部電極111，通過(guò)填充了導(dǎo)電材料的通路孔(Viaホ一ル)112而與上述線搭接用焊盤(pán)101連接。內(nèi)部電極111中的幾個(gè)延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側(cè)面110上形成了的側(cè)面電極114相連，還與設(shè)在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于把天線共用器通過(guò)釬料等安裝在母基板上。
在蓋體2的開(kāi)口面21上預(yù)設(shè)有銀-錫諾膜莫合金(銀-スズ)等密封部件3。在使蓋體2的開(kāi)口面21，即密封部件3與設(shè)在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102上以規(guī)定負(fù)荷接觸了的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜帷だ鋮s，從而由密封部件3使開(kāi)口面21和密封用電極102熔接固定，完成密封。另外，密封用電極102與GND用的內(nèi)部電極、側(cè)面電極和底面電極連接。還有，陶瓷封裝件1上的電極、線搭接用焊盤(pán)101和通路孔112例如由銀、銀-鈀等導(dǎo)電材料形成。
(現(xiàn)有例2)例如天線共用器的現(xiàn)有例2具有由如圖15所示多個(gè)陶瓷層11、12、13層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8和金屬制蓋體2。另外，對(duì)于與現(xiàn)有例1同樣的部件·部分付以與現(xiàn)有例1同樣的參照符號(hào)。
與現(xiàn)有例1的主要不同點(diǎn)在于，不是用線搭接，而是通過(guò)倒裝芯片安裝來(lái)進(jìn)行彈性表面波濾波元件8和陶瓷封裝件1的電連接，并且陶瓷封裝件1沒(méi)有模穴。
彈性表面波濾波元件8在設(shè)在其底面上的多個(gè)輸入輸出電極(未圖示)和多個(gè)GND電極(未圖示)上預(yù)設(shè)有金焊盤(pán)81，在設(shè)在第1陶瓷層11的上面108上的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116上進(jìn)行倒裝芯片安裝。
在陶瓷層12、13的表面上形成了電感器、電容器等的內(nèi)部電極111，通過(guò)填充了導(dǎo)電材料的通路孔112而與上述倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116連接。內(nèi)部電極111中的幾個(gè)延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側(cè)面110上形成了的側(cè)面電極114相連，還與設(shè)在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于由釬料等把天線共用器安裝在母基板上。
在蓋體2的開(kāi)口面21上預(yù)設(shè)有銀-錫諾膜莫合金等密封部件3。在使蓋體2的開(kāi)口面21，即密封部件3與設(shè)在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102之上以規(guī)定負(fù)荷接觸了的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜帷だ鋮s，從而由密封部件3使開(kāi)口面21和密封用電極102熔接固定，完成密封。另外，密封用電極102與GND用的內(nèi)部電極、側(cè)面電極和底面電極連接。還有，陶瓷封裝件1上的電極、倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116和通路孔112例如由銀、銀-鈀等導(dǎo)電材料形成(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)平10-335964號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容對(duì)于手機(jī)等移動(dòng)體通訊終端，來(lái)自市場(chǎng)的小型輕量化的要求很強(qiáng)烈，移動(dòng)體通訊終端所使用的天線共用器等電子設(shè)備裝置也正在謀求小型輕量化。
對(duì)于現(xiàn)有例1的天線共用器，為了對(duì)應(yīng)小型輕量化，就要減小陶瓷封裝件1的寬度和進(jìn)深尺寸，因而就要減薄第1陶瓷層11的內(nèi)壁109和側(cè)面110的壁厚，密封用電極102就會(huì)與線搭接用焊盤(pán)101接近。圖16(a)表示使蓋體與陶瓷封裝件壓接后的蓋體密封前的密封部局部，同圖(b)表示蓋體密封后的密封部局部。從同圖(a)可知，密封用電極102接近了設(shè)在第1陶瓷層11的上面108上的線搭接用焊盤(pán)101。因此，如同圖(b)所示，密封時(shí)溢出的密封部件3就會(huì)流動(dòng)，到達(dá)輸入輸出電極用的線搭接用焊盤(pán)101，造成短路不良的可能性變大。
還有，對(duì)于現(xiàn)有例2的天線共用器也同樣，為了對(duì)應(yīng)小型輕量化，就要減小陶瓷封裝件1的寬度和進(jìn)深尺寸，因而就要減小第1陶瓷層11的側(cè)面110和彈性表面波濾波元件8的側(cè)面的間隔，密封用電極102就會(huì)與倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116接近。圖17(a)表示使蓋體與陶瓷封裝件壓接后的蓋體密封前的密封部局部，同圖(b)表示蓋體密封后的密封部局部。從同圖(a)可知，密封用電極102接近了設(shè)在第1陶瓷層11的上面的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116。因此，如同圖(b)所示，密封時(shí)溢出的密封部件3就會(huì)流動(dòng)，到達(dá)輸入輸出電極用的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116，造成短路不良的可能性變大。
對(duì)此，本發(fā)明的目的在于提供一種即使向小型輕量化發(fā)展，也能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率的陶瓷封裝件及其制造方法。再有，本發(fā)明另一目的在于提供一種即使向小型輕量化發(fā)展，也能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率的陶瓷封裝件集合基板及其制造方法。
第1發(fā)明是一種陶瓷封裝件，包括1個(gè)或多個(gè)陶瓷層，可在其表面上粘接電子部件和蓋體，其中，設(shè)有與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的焊盤(pán)的陶瓷層的表面以用于阻止密封部件流動(dòng)的臺(tái)階側(cè)壁為邊界，分成配設(shè)了焊盤(pán)的內(nèi)側(cè)部和外側(cè)部，外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出。
可以在外側(cè)部設(shè)置用于通過(guò)密封部件而與蓋體接合的密封用電極。
還有，焊盤(pán)可以作為通過(guò)搭接線而與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的線搭接用焊盤(pán)，或與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極進(jìn)行倒裝芯片安裝的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)。
第2發(fā)明是一種陶瓷封裝件集合基板，其特征在于，由連接部對(duì)應(yīng)該作為第1發(fā)明的陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進(jìn)行2維連接而成。
第3發(fā)明是一種陶瓷封裝件的制造方法，是在陶瓷層的表面上以臺(tái)階側(cè)壁為邊界，設(shè)置外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部，外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出的陶瓷封裝件的制造方法，準(zhǔn)備好具有與外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的應(yīng)該使之突出的部分對(duì)應(yīng)的凹部、凹部的底面為大致平面狀的臺(tái)階形成用掩膜，在把1個(gè)或多個(gè)坯片進(jìn)行定位而成的未沖壓體上定位固定臺(tái)階形成用掩膜，接著進(jìn)行真空包裝而得到真空包裝體之后，對(duì)真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
在第4發(fā)明是一種陶瓷封裝件集合基板的制造方法，是把應(yīng)該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進(jìn)行2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板的制造方法，上述陶瓷封裝件是在陶瓷層的表面上以臺(tái)階側(cè)壁為邊界，設(shè)置外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部，外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出的陶瓷封裝件，準(zhǔn)備好具有與外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的應(yīng)該使之突出的部分對(duì)應(yīng)的凹部、凹部的底面為大致平面狀的臺(tái)階形成用掩膜，在把1個(gè)或多個(gè)坯片進(jìn)行定位而成的未沖壓體上定位固定臺(tái)階形成用掩膜，接著進(jìn)行真空包裝而得到真空包裝體之后，對(duì)真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
按照第1發(fā)明，能得到以下效果。在使設(shè)在陶瓷封裝件的陶瓷層上的密封用電極向上，在夾具上固定陶瓷封裝件，使蓋體的開(kāi)口面，即密封部件對(duì)著密封用電極而放置蓋體，以規(guī)定負(fù)荷向密封用電極壓接了蓋體的場(chǎng)合，在向密封用電極壓接了蓋體的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜岬脑挘诮饬说拿芊獠考捎诩釉谏w體上的負(fù)荷而從陶瓷封裝件的密封用電極和蓋部件的開(kāi)口面之間溢出，流向焊盤(pán)方向。但是，因?yàn)楹副P(pán)相對(duì)于密封用電極是凸出設(shè)置的，所以臺(tái)階側(cè)壁能阻止密封部件的流動(dòng)。冷卻后密封部件凝固而不會(huì)到達(dá)焊盤(pán)。
反過(guò)來(lái)，在使蓋體的開(kāi)口面上具有的密封部件向上，在夾具上固定蓋體，使設(shè)在陶瓷封裝件的陶瓷層上的密封用電極對(duì)著密封部件而放置陶瓷封裝件，以規(guī)定負(fù)荷向密封部件壓接了陶瓷封裝件的場(chǎng)合，在向密封部件壓接了陶瓷封裝件的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜岬脑挘诮饬说拿芊獠考捎诩釉谔沾煞庋b件上的負(fù)荷而從陶瓷封裝件的密封用電極和蓋部件的開(kāi)口面之間溢出，流向焊盤(pán)方向。但是，因?yàn)楹副P(pán)相對(duì)于密封用電極處在高的位置，所以臺(tái)階側(cè)壁能阻止密封部件的流動(dòng)。冷卻后密封部件凝固而不會(huì)到達(dá)焊盤(pán)。
因此，不論在哪種場(chǎng)合都能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用的焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率。
對(duì)于具有通過(guò)搭接線來(lái)連接電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極的線搭接用焊盤(pán)，或與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極進(jìn)行倒裝芯片安裝的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)等的陶瓷封裝件，能夠?qū)嵤┑?發(fā)明。
按照第2發(fā)明，能得到以下效果。陶瓷封裝件集合基板由連接部2維連接應(yīng)該作為第1發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部而成。因此，能享受上述第1發(fā)明的效果。
還有，在后邊的工序中，如果沿著分離槽分?jǐn)嗵沾煞庋b件集合基板，就得到多個(gè)陶瓷封裝件，不過(guò)，在分?jǐn)嘀暗臓顟B(tài)下在陶瓷封裝件集合基板上安裝電子部件及蓋體，此后將其分?jǐn)嗟脑?，與在各個(gè)陶瓷封裝件上安裝上述電子部件及蓋體相比，就能使安裝工序提高效率。因此，可以說(shuō)只從用戶的安裝工序的效率來(lái)看，與第1發(fā)明的陶瓷封裝件相比，第2發(fā)明的陶瓷封裝件集合基板具有優(yōu)勢(shì)。
按照第3和第4發(fā)明，把具有與外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的應(yīng)該使之突出的部分對(duì)應(yīng)的凹部、上述凹部的底面為大致平面狀的臺(tái)階形成用掩膜定位固定在把1個(gè)或多個(gè)坯片進(jìn)行定位而成的未沖壓體上，進(jìn)行靜水壓沖壓，采用這樣簡(jiǎn)單的方法，就能在陶瓷封裝件和陶瓷封裝件部的表面上容易地設(shè)置希望的形狀。
如果要用現(xiàn)有技術(shù)制造做成了第1發(fā)明的形狀的陶瓷封裝件，只有依賴(lài)于研磨機(jī)械加工，而陶瓷很硬，研磨很費(fèi)時(shí)間，因而增加了工數(shù)，還會(huì)產(chǎn)生缺陷和裂紋，從而導(dǎo)致成品率·可靠性降低。還有如果要用現(xiàn)有技術(shù)制造做成了第2發(fā)明的形狀的陶瓷封裝件集合基板，只有依賴(lài)于研磨機(jī)械加工，除了上述那樣的增加工數(shù)、缺陷和裂紋的問(wèn)題以外，還存在陶瓷封裝件集合基板沿著分離槽斷裂的可能性，從而導(dǎo)致成品率·可靠性進(jìn)一步降低。第3和第4發(fā)明的制造方法不需要研磨，因而與研磨加工相比，能夠獲得減少工數(shù)，改善缺陷、裂紋和斷裂不良等效果。


圖1是具有本發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。
圖2是說(shuō)明蓋體對(duì)本發(fā)明所涉及的第1實(shí)施例的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖3是具有本發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件的另一天線共用器的剖視圖。
圖4是說(shuō)明蓋體對(duì)本發(fā)明所涉及的第2實(shí)施例的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖5是說(shuō)明蓋體對(duì)本發(fā)明所涉及的第3實(shí)施例的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖6是本發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件集合基板的俯視圖、剖視圖和通過(guò)分?jǐn)喽纬傻奶沾煞庋b件的剖視圖。
圖7是對(duì)本發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
圖8是本發(fā)明所涉及臺(tái)階形成用掩膜的俯視圖和剖視圖。
圖9是對(duì)本發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件的制造方法的另一實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
圖10是本發(fā)明所涉及的另一臺(tái)階形成用掩膜的俯視圖和剖視圖。
圖11是本發(fā)明所涉及的又另一臺(tái)階形成用掩膜的剖視圖。
圖12是對(duì)本發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件集合基板的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
圖13是本發(fā)明所涉及的又另一臺(tái)階形成用掩膜的俯視圖和剖視圖。
圖14是具有現(xiàn)有例1的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。
圖15是具有現(xiàn)有例2的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。
圖16是說(shuō)明蓋體對(duì)現(xiàn)有例1的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖17是說(shuō)明蓋體對(duì)現(xiàn)有例2的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的上述的目的、其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，從參照附圖進(jìn)行的以下實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明就會(huì)更清楚。
(實(shí)施例1)圖1是具有第1發(fā)明所涉及的實(shí)施例1的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。天線共用器具有由圖1所示的4個(gè)陶瓷層11、12、13、14層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8、搭接線9和金屬制蓋體2。
陶瓷封裝件1具有由第1陶瓷層11的內(nèi)壁109和第2陶瓷層12的上面121形成的模穴120。彈性表面波濾波元件8通過(guò)導(dǎo)電性粘接劑7而與設(shè)在第2陶瓷層12的上面121上的GND電極115粘接固定。彈性表面波濾波元件8的多個(gè)輸入輸出電極(未圖示)和多個(gè)GND電極(未圖示)通過(guò)搭接線9而與配設(shè)在第1陶瓷層11的上面108上的多個(gè)線搭接用焊盤(pán)101連接。
在陶瓷層13、14的表面上形成了電感器、電容器等的內(nèi)部電極111，通過(guò)填充了導(dǎo)電材料的通路孔112而與上述線搭接用焊盤(pán)101連接。內(nèi)部電極111中的幾個(gè)延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側(cè)面110上形成了的側(cè)面電極114相連，還與設(shè)在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于把天線共用器通過(guò)釬料等安裝在母基板上。另外，密封用電極102與GND用的內(nèi)部電極、側(cè)面電極和底面電極連接。還有，作為陶瓷封裝件1上的電極、線搭接用焊盤(pán)101和通路孔112所使用的導(dǎo)電材料，采用了銀。
為了說(shuō)明密封部件3的作用，圖2(a)～(c)中給出了第1陶瓷層11的上面108和蓋體2的開(kāi)口面21近旁的切口部分放大圖。
首先，準(zhǔn)備好把彈性表面波濾波元件8粘接固定后完成了線搭接的陶瓷封裝件1、蓋體2。圖2如(a)所示，第1陶瓷層11的上面108具有臺(tái)階，把臺(tái)階側(cè)壁103作為邊界，分成外側(cè)部108a和內(nèi)側(cè)部108b。外側(cè)部108a、內(nèi)側(cè)部108b，其表面都做成大致平面狀，其寬度都是0.3mm。還有，內(nèi)側(cè)部108b相對(duì)于外側(cè)部108a突出了0.06mm，外側(cè)部108a上設(shè)有密封用電極102，內(nèi)側(cè)部108b上設(shè)有線搭接用焊盤(pán)101。在密封用電極102和線搭接用焊盤(pán)101上從其表面?zhèn)绕鹦纬闪隋兘鹉?、鍍鎳膜。還有，在蓋體2的開(kāi)口面21上預(yù)設(shè)有由銀-錫諾膜莫合金構(gòu)成的密封部件3。
其次，如同圖(b)所示，使設(shè)在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102向上，在夾具等(未圖示)上固定陶瓷封裝件1，使蓋體2的開(kāi)口面21，即密封部件3對(duì)著密封用電極102而放置蓋體2，以規(guī)定負(fù)荷向密封用電極102壓接蓋體2。
在向密封用電極102壓接了蓋體2的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜帷だ鋮s，開(kāi)口面21和密封用電極102就由密封部件3熔接固定而完成密封。同圖(c)表示密封后的狀態(tài)。密封部件3由回流爐加熱而融解，不過(guò)，即使由于加在蓋體2上的負(fù)荷而從陶瓷封裝件1的密封用電極102和蓋部件2的開(kāi)口面21之間溢出，流向線搭接用焊盤(pán)101的方向，因?yàn)榫€搭接用焊盤(pán)101相對(duì)于密封用電極102是凸出設(shè)置的，所以臺(tái)階側(cè)壁103也能阻止密封部件3的流動(dòng)。冷卻后密封部件3凝固而不會(huì)到達(dá)線搭接用焊盤(pán)101。因此，能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用的線搭接用焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率。
另外，本實(shí)施例中突出量為0.06mm，不過(guò)，考慮到密封部件3的體積和外側(cè)部108a的寬度，只要以融解了的密封部件不越過(guò)臺(tái)階側(cè)壁的程度來(lái)設(shè)定突出量即可。
(實(shí)施例2)圖3是具有第1發(fā)明所涉及的實(shí)施例2的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。天線共用器具有由圖3所示的3個(gè)陶瓷層11、12、13層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8和金屬制蓋體2。另外，對(duì)于與實(shí)施例1同樣的部件·部分付以與實(shí)施例1同樣的參照符號(hào)。
與實(shí)施例1的主要不同點(diǎn)在于，不是用線搭接，而是通過(guò)倒裝芯片安裝來(lái)進(jìn)行彈性表面波濾波元件8和陶瓷封裝件1的電連接，并且陶瓷封裝件1沒(méi)有模穴。彈性表面波濾波元件8在設(shè)在其底面上的多個(gè)輸入輸出電極(未圖示)和多個(gè)GND電極(未圖示)上預(yù)設(shè)有金焊盤(pán)81，在第1陶瓷層11上的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116上進(jìn)行倒裝芯片安裝。
在陶瓷層12、13的表面上形成了電感器、電容器等的內(nèi)部電極111，通過(guò)填充了導(dǎo)電材料的通路孔112而與上述倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116連接。內(nèi)部電極111中的幾個(gè)延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側(cè)面110上形成了的側(cè)面電極114相連，還與設(shè)在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于把天線共用器通過(guò)釬料等安裝在母基板上。另外，密封用電極102與GND用的內(nèi)部電極、側(cè)面電極和底面電極連接。還有，作為陶瓷封裝件1上的電極、倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116和通路孔112所使用的導(dǎo)電材料，采用了銀。
為了說(shuō)明密封部件3的作用，圖4(a)～(c)中給出了第1陶瓷層11的上面108和蓋體2的開(kāi)口面21近旁的切口部分放大圖。
首先，準(zhǔn)備好把彈性表面波濾波元件8進(jìn)行倒裝芯片安裝而成陶瓷封裝件1、蓋體2。如圖4(a)所示，第1陶瓷層11的上面108具有臺(tái)階，把臺(tái)階側(cè)壁103作為邊界，分成外側(cè)部108a和內(nèi)側(cè)部108b。外側(cè)部108a、內(nèi)側(cè)部108b，其表面都做成大致平面狀，外側(cè)部108a的寬度是0.3mm。臺(tái)階側(cè)壁103和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116的距離是0.3mm。還有，內(nèi)側(cè)部108b相對(duì)于外側(cè)部108a突出了0.06mm，外側(cè)部108a上設(shè)有密封用電極102，內(nèi)側(cè)部108b上設(shè)有倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116。在密封用電極102和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116上從其表面?zhèn)绕鹦纬闪隋兘鹉?、鍍鎳膜。還有，在蓋體2的開(kāi)口面21上預(yù)設(shè)有由銀-錫諾膜莫合金構(gòu)成的密封部件3。
其次，如同圖(b)所示，使設(shè)在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102向上，在夾具等(未圖示)上固定陶瓷封裝件1，使蓋體2的開(kāi)口面21，即密封部件3對(duì)著密封用電極102而放置蓋體2，以規(guī)定負(fù)荷向密封用電極102壓接蓋體2。
在向密封用電極102壓接了蓋體2的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜帷だ鋮s，開(kāi)口面21和密封用電極102就由密封部件3熔接固定而完成密封。同圖(c)表示密封后的狀態(tài)。密封部件3由回流爐加熱而融解，不過(guò)，即使由于加在蓋體2上的負(fù)荷而從陶瓷封裝件1的密封用電極102和蓋部件2的開(kāi)口面21之間溢出，流向倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116的方向，因?yàn)榈寡b芯片安裝用焊盤(pán)116相對(duì)于密封用電極102是凸出設(shè)置的，所以臺(tái)階側(cè)壁103也能阻止密封部件3的流動(dòng)。冷卻后密封部件3凝固而不會(huì)到達(dá)倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116。因此，能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率。
(實(shí)施例3)以下說(shuō)明第1發(fā)明的實(shí)施例3的陶瓷封裝件。實(shí)施例1、2的陶瓷封裝件1中，相對(duì)于密封用電極102，線搭接用焊盤(pán)101和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116是凸出設(shè)置的。在實(shí)施例3的陶瓷封裝件1中，反過(guò)來(lái)相對(duì)于密封用電極102，倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116是凹入設(shè)置的，此外與實(shí)施例2相同。
以下，為了說(shuō)明密封工序，圖5(a)～(c)中給出了第1陶瓷層11的上面108和蓋體2的開(kāi)口面21近旁的切口部分放大圖。
首先，準(zhǔn)備好把彈性表面波濾波元件8進(jìn)行倒裝芯片安裝而成陶瓷封裝件1、蓋體2。如圖5(a)所示，第1陶瓷層11的上面108具有臺(tái)階，把臺(tái)階側(cè)壁103作為邊界，分成外側(cè)部108a和內(nèi)側(cè)部108b。外側(cè)部108a、內(nèi)側(cè)部108b，其表面都做成大致平面狀，外側(cè)部108a的寬度是0.3mm。臺(tái)階側(cè)壁103和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116的距離是0.3mm。還有，外側(cè)部108a相對(duì)于內(nèi)側(cè)部108b突出了0.06mm，外側(cè)部108a上設(shè)有密封用電極102，內(nèi)側(cè)部108b上設(shè)有倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116。在密封用電極102和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116上從其表面?zhèn)绕鹦纬闪隋兘鹉ぁ㈠冩嚹?。還有，在蓋體2的開(kāi)口面21上預(yù)設(shè)有由銀-錫諾膜莫合金構(gòu)成的密封部件3。
其次，如同圖(b)所示，使蓋體2的開(kāi)口面21上具有的密封部件3向上，在夾具等(未圖示)上固定蓋體2，使設(shè)在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102對(duì)著密封部件3而放置陶瓷封裝件1，以規(guī)定負(fù)荷向密封部件3壓接陶瓷封裝件1。
在向密封部件3壓接了陶瓷封裝件1的狀態(tài)下，通過(guò)回流爐，在氮?dú)夥罩屑訜帷だ鋮s，密封用電極102和開(kāi)口面21就由密封部件3熔接固定而完成密封。同圖(c)表示密封后的狀態(tài)。密封部件3由回流爐加熱而融解，不過(guò)，即使由于加在陶瓷封裝件1上的負(fù)荷而從陶瓷封裝件1的密封用電極102和蓋部件2的開(kāi)口面21之間溢出，流向倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116的方向，因?yàn)榈寡b芯片安裝用焊盤(pán)116相對(duì)于密封用電極102處于高位置，所以臺(tái)階側(cè)壁103也能阻止密封部件3的流動(dòng)。冷卻后密封部件3凝固而不會(huì)到達(dá)倒裝芯片安裝用焊盤(pán)116。因此，能大大降低陶瓷封裝件1的輸入輸出電極用的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率。
另外，不言而喻，對(duì)于以實(shí)施例1那樣的線搭接而與彈性表面波濾波元件8連接的陶瓷封裝件1也是，像本實(shí)施例一樣，具有使第1陶瓷層11的上面108的外側(cè)部108a(配設(shè)了線搭接用焊盤(pán)101)相對(duì)于內(nèi)側(cè)部108b(配設(shè)了密封用電極102)突出的構(gòu)造，就能帶來(lái)同樣的效果。
(實(shí)施例4)以下說(shuō)明第2發(fā)明所涉及的實(shí)施例。實(shí)施例1至3涉及各個(gè)陶瓷封裝件，而該實(shí)施例4涉及不切離各個(gè)陶瓷封裝件，而是把應(yīng)該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進(jìn)行2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板。圖6(a)是4個(gè)陶瓷封裝件部1B連接而成的陶瓷封裝件集合基板1A的俯視圖，同圖(b)是沿著線A-A切斷了上述陶瓷封裝件集合基板1A后的剖視圖。另外，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，只圖示陶瓷封裝件基材，略去了電極等。
從同圖(c)可知，如果沿著分離槽190分?jǐn)嗵沾煞庋b件集合基板1A，就得到4個(gè)實(shí)施例2所示的陶瓷封裝件。即，陶瓷封裝件集合基板1A是用連接部191連接了各個(gè)應(yīng)該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部1B的物件。在分?jǐn)嘀暗臓顟B(tài)下在陶瓷封裝件集合基板1A上安裝電子部件及蓋體，此后將其分?jǐn)?，從而與在各個(gè)陶瓷封裝件上安裝上述電子部件及蓋體相比，就能使安裝工序提高效率。另外，陶瓷封裝件部1B上面的形狀與實(shí)施例2相同，因而略去詳細(xì)說(shuō)明。
(實(shí)施例5)以下說(shuō)明與第3發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件有關(guān)的制造方法的實(shí)施例。通常設(shè)計(jì)成每□50mm～□200mm尺寸的坯片(グリ一ンシ一ト)可得到數(shù)十～數(shù)百單位的陶瓷封裝件，不過(guò)，此處為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，作為設(shè)計(jì)成每坯片只得到1個(gè)陶瓷封裝件的物件來(lái)說(shuō)明。
首先，按規(guī)定張數(shù)準(zhǔn)備好在規(guī)定位置穿了模穴用貫通孔120a、通路孔用貫通孔、側(cè)面電極用貫通孔等的坯片和在規(guī)定位置穿了通路孔用貫通孔、側(cè)面電極用貫通孔等的坯片。接著，采用絲網(wǎng)印刷法在上述穿孔完畢的坯片上涂敷作為導(dǎo)電性材料的銀漿，形成電感器及電容器等的內(nèi)部電極和其它電極，對(duì)通路孔填充銀漿等。把這些印刷完畢的坯片在金屬制層疊夾具5之上依次一邊定位一邊放置，制造未沖壓體16。到此為止的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細(xì)說(shuō)明。
圖7(a)至(e)表示從上述定位放置工序經(jīng)過(guò)第3發(fā)明所涉及的一體化沖壓工序到完成的示意圖。同圖(a)中，由4層坯片構(gòu)成的未沖壓體16由定位銷(xiāo)釘定位固定在層疊夾具5之上。另外，同圖(a)至(e)只記載了與第3發(fā)明具有實(shí)質(zhì)性關(guān)系的要件，此外的物件(例如內(nèi)部電極、定位用的銷(xiāo)釘?shù)?為簡(jiǎn)化說(shuō)明而略去了。
其次，進(jìn)入第3發(fā)明所涉及的一體化沖壓工序。此處，準(zhǔn)備好用于最終在陶瓷封裝件上面形成臺(tái)階的臺(tái)階形成用掩膜4。圖8(a)是上述臺(tái)階形成用掩膜4的俯視圖，同圖(b)是沿著線B-B切斷了上述臺(tái)階形成用掩膜4的剖視圖。在由不銹鋼構(gòu)成的具有彈性的上述臺(tái)階形成用掩膜4上設(shè)有做成了與模穴用貫通孔120a的尺寸大致同樣大小的開(kāi)口部41、底面44為大致平面狀的凹部42和用于使層疊夾具5的定位銷(xiāo)釘插通的定位孔48。凹部42用于形成作為燒成后陶瓷封裝件上面的內(nèi)側(cè)部的部分，關(guān)于其作用以后詳細(xì)說(shuō)明。還有，臺(tái)階形成用掩膜4的全厚為0.2mm，凹部42的深度0.07mm。該臺(tái)階形成用掩膜4采用蝕刻法等就能容易地制造。
如圖7(b)所示，使層疊夾具5的定位銷(xiāo)釘穿過(guò)臺(tái)階形成用掩膜4的定位孔48(未圖示)，從而把臺(tái)階形成用掩膜4定位固定在未沖壓體16的規(guī)定位置。接著，用硅橡膠等彈性部件(用于防止真空包裝的破裂，未圖示)填入，以便掩蓋未沖壓體16、臺(tái)階形成用掩膜4和層疊夾具5，再放入真空包裝用袋(未圖示)中進(jìn)行真空包裝，得到真空包裝體。在規(guī)定的溫水中浸漬上述真空包裝體，通過(guò)溫水加熱使未沖壓體16軟化。其次，在溫水中以規(guī)定的沖壓壓力、時(shí)間進(jìn)行靜水壓沖壓。如同圖(c)所示的箭頭符號(hào)那樣，靜水壓通過(guò)臺(tái)階形成用掩膜4、層疊夾具5和彈性部件而均勻加到未沖壓體上，各個(gè)坯片被壓縮為一體，形成陶瓷層疊體17。
同圖(d)表示冷卻后啟封真空包裝而取出了的陶瓷層疊體17。因?yàn)榕_(tái)階形成用掩膜4接觸的未沖壓體16上面在軟化的狀態(tài)下被加壓，所以一體化沖壓后的陶瓷層疊體17上面的形狀由圖可知，成為與臺(tái)階形成用掩膜4相仿的形狀。
即，由圖8(b)所示的臺(tái)階形成用掩膜4的面43、44、45分別形成了圖7(d)所示的陶瓷層疊體17上面的外側(cè)部108c、內(nèi)側(cè)部108d、臺(tái)階側(cè)壁103a，內(nèi)側(cè)部108d相對(duì)于外側(cè)部108c突出了。
以下的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細(xì)說(shuō)明，該陶瓷層疊體17由剪刀切斷機(jī)(カツタ一刃切斷機(jī))或劃片機(jī)從規(guī)定的切斷位置(虛線)切斷，實(shí)施燒成、鍍敷，同圖(e)所示的陶瓷封裝件1就告完成。由同圖(e)可知，在陶瓷封裝件1的上面形成了與同圖(d)的外側(cè)部108c、內(nèi)側(cè)部108d和臺(tái)階側(cè)壁103a分別對(duì)應(yīng)的外側(cè)部108a、內(nèi)側(cè)部108b和臺(tái)階側(cè)壁103。
(實(shí)施例6)以下說(shuō)明與第3發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件有關(guān)的制造方法的另一實(shí)施例。實(shí)施例6的陶瓷封裝件1由3個(gè)陶瓷層構(gòu)成，是沒(méi)有模穴的平板型，此外是與實(shí)施例5同樣的構(gòu)成。還有，與實(shí)施例5同樣的部件·部分付以與實(shí)施例5同樣的參照符號(hào)。
從對(duì)坯片的穿孔到坯片定位放置，除了按規(guī)定的張數(shù)只準(zhǔn)備好在規(guī)定位置穿了通路孔用貫通孔、側(cè)面電極用貫通孔等的坯片以外，是與實(shí)施例5同樣的次序，因而略去說(shuō)明。
圖9(a)至(e)表示從上述定位放置工序經(jīng)過(guò)第3發(fā)明所涉及的一體化沖壓工序到完成的示意圖。同圖(a)中，由3層坯片構(gòu)成的未沖壓體16由定位銷(xiāo)釘定位固定在層疊夾具5之上。另外，同圖(a)至(e)只記載了與第3發(fā)明具有實(shí)質(zhì)性關(guān)系的要件，此外的物件(例如內(nèi)部電極、定位用的銷(xiāo)釘?shù)?為簡(jiǎn)化說(shuō)明而略去了。
其次，進(jìn)入第3發(fā)明所涉及的一體化沖壓工序。此處，準(zhǔn)備好用于最終在陶瓷封裝件上面形成臺(tái)階的臺(tái)階形成用掩膜4。圖10(a)是上述臺(tái)階形成用掩膜4的俯視圖，同圖(b)是沿著線C-C切斷了上述臺(tái)階形成用掩膜4的剖視圖。在由不銹鋼構(gòu)成的具有彈性的上述臺(tái)階形成用掩膜4上設(shè)有底面44為大致平面狀的凹部42和用于使層疊夾具5的定位銷(xiāo)釘插通的定位孔48。凹部42用于形成作為燒成后陶瓷封裝件上面的內(nèi)側(cè)部的部分，關(guān)于其作用以后詳細(xì)說(shuō)明。還有，臺(tái)階形成用掩膜4的全厚為0.2mm，凹部42的深度0.07mm。
如圖9(b)所示，使層疊夾具5的定位銷(xiāo)釘穿過(guò)臺(tái)階形成用掩膜4的定位孔48(未圖示)，從而把臺(tái)階形成用掩膜4定位固定在未沖壓體16的規(guī)定位置。接著，用硅橡膠等彈性部件(用于防止真空包裝的破裂，未圖示)填入，以便掩蓋未沖壓體16、臺(tái)階形成用掩膜4和層疊夾具5，再放入真空包裝用袋(未圖示)中進(jìn)行真空包裝，得到真空包裝體。在規(guī)定的溫水中浸漬上述真空包裝體，通過(guò)溫水加熱使未沖壓體16軟化。其次，在溫水中以規(guī)定的沖壓壓力、時(shí)間進(jìn)行靜水壓沖壓。如同圖(c)所示的箭頭符號(hào)那樣，靜水壓通過(guò)臺(tái)階形成用掩膜4、層疊夾具5和彈性部件而均勻加到未沖壓體上，各個(gè)坯片被壓縮為一體，形成陶瓷層疊體17。
同圖(d)表示冷卻后啟封真空包裝而取出了的陶瓷層疊體17。因?yàn)榕_(tái)階形成用掩膜4接觸的未沖壓體16上面在軟化的狀態(tài)下被加壓，所以一體化沖壓后的陶瓷層疊體17上面的形狀由圖可知，成為與臺(tái)階形成用掩膜4相仿的形狀。
即，由圖10(b)所示的臺(tái)階形成用掩膜4的面43、44、45分別形成了圖9(d)所示的陶瓷層疊體17上面的外側(cè)部108c、內(nèi)側(cè)部108d、臺(tái)階側(cè)壁103a，內(nèi)側(cè)部108d相對(duì)于外側(cè)部108c突出了。
以下的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細(xì)說(shuō)明，該陶瓷層疊體17由剪刀切斷機(jī)或劃片機(jī)從規(guī)定的切斷位置(虛線)切斷，實(shí)施燒成、鍍敷，同圖(e)所示的陶瓷封裝件1就告完成。由同圖(e)可知，在陶瓷封裝件1的上面形成了與同圖(d)的外側(cè)部108c、內(nèi)側(cè)部108d和臺(tái)階側(cè)壁103a分別對(duì)應(yīng)的外側(cè)部108a、內(nèi)側(cè)部108b和臺(tái)階側(cè)壁103。
還有，在實(shí)施例5、6中，說(shuō)明了內(nèi)側(cè)部相對(duì)于外側(cè)部突出了的陶瓷封裝件用的臺(tái)階形成掩膜的例子，不過(guò)，如果用斷面形狀像圖11(a)和(b)那樣的臺(tái)階形成用掩膜4，就能制造外側(cè)部相對(duì)于內(nèi)側(cè)部突出了的陶瓷封裝件。
(實(shí)施例7)以下對(duì)于第4發(fā)明所涉及的陶瓷封裝件集合基板的制造方法，以實(shí)施例4說(shuō)明了的4個(gè)陶瓷封裝件部2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板為例進(jìn)行說(shuō)明。
從對(duì)坯片的穿孔到坯片定位放置，除了按規(guī)定的張數(shù)只準(zhǔn)備好在規(guī)定位置穿了4個(gè)陶瓷封裝件的量的通路孔用貫通孔、側(cè)面電極用貫通孔等的坯片以外，與實(shí)施例5是同樣的次序，因而略去說(shuō)明。
圖12(a)至(e)表示從上述定位放置工序經(jīng)過(guò)第4發(fā)明所涉及的一體化沖壓工序到完成的示意圖。同圖(a)中，由3層坯片構(gòu)成的未沖壓體16由定位銷(xiāo)釘定位固定在層疊夾具5之上。另外，同圖(a)至(e)只記載了與第4發(fā)明具有實(shí)質(zhì)性關(guān)系的要件，此外的物件(例如內(nèi)部電極、定位用的銷(xiāo)釘?shù)?為簡(jiǎn)化說(shuō)明而略去了。
其次，進(jìn)入第4發(fā)明所涉及的一體化沖壓工序。此處，準(zhǔn)備好用于最終在陶瓷封裝件上面形成臺(tái)階的臺(tái)階形成用掩膜4。圖13(a)是上述臺(tái)階形成用掩膜4的俯視圖，同圖(b)是沿著線D-D切斷了上述臺(tái)階形成用掩膜4的剖視圖。在由不銹鋼構(gòu)成的具有彈性的上述臺(tái)階形成用掩膜4上設(shè)有底面44為大致平面狀的凹部42和用于使層疊夾具5的定位銷(xiāo)釘插通的定位孔48。凹部42用于形成作為燒成后陶瓷封裝件上面的內(nèi)側(cè)部的部分。還有，臺(tái)階形成用掩膜4的全厚為0.2mm，凹部42的深度為0.07mm。
如圖12(b)所示，使層疊夾具5的定位銷(xiāo)釘穿過(guò)臺(tái)階形成用掩膜4的定位孔48(未圖示)，從而把臺(tái)階形成用掩膜4定位固定在未沖壓體16的規(guī)定位置。接著，用硅橡膠等彈性部件(用于防止真空包裝的破裂，未圖示)填入，以便掩蓋未沖壓體16、臺(tái)階形成用掩膜4和層疊夾具5，再放入真空包裝用袋(未圖示)中進(jìn)行真空包裝，得到真空包裝體。在規(guī)定的溫水中浸漬上述真空包裝體，通過(guò)溫水加熱使未沖壓體16軟化。其次，在溫水中以規(guī)定的沖壓壓力、時(shí)間進(jìn)行靜水壓沖壓。如同圖(c)所示的箭頭符號(hào)那樣，靜水壓通過(guò)臺(tái)階形成用掩膜4、層疊夾具5和彈性部件而均勻加到未沖壓體上，各個(gè)坯片被壓縮為一體，形成陶瓷層疊體17。
同圖(d)表示冷卻后啟封真空包裝而取出了的陶瓷層疊體17。因?yàn)榕_(tái)階形成用掩膜4接觸的未沖壓體16上面在軟化的狀態(tài)下被加壓，所以一體化沖壓后的陶瓷層疊體17上面的形狀由圖可知，成為與臺(tái)階形成用掩膜4相仿的形狀。
即，由圖13(b)所示的臺(tái)階形成用掩膜4的面43、44、45分別形成了圖12(d)所示的陶瓷層疊體17的各陶瓷部1B上面的外側(cè)部108c、內(nèi)側(cè)部108d、臺(tái)階側(cè)壁103a，內(nèi)側(cè)部108d相對(duì)于外側(cè)部108c突出了。
以下的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細(xì)說(shuō)明，該陶瓷層疊體17由剪刀切斷機(jī)或劃片機(jī)從規(guī)定的切斷位置(虛線)切斷，形成分離槽190，實(shí)施燒成、鍍敷，同圖(e)所示的陶瓷封裝件集合基板1A就告完成。由同圖(e)可知，在各陶瓷封裝件部1B的上面形成了與同圖(d)的外側(cè)部108c、內(nèi)側(cè)部108d和臺(tái)階側(cè)壁103a分別對(duì)應(yīng)的外側(cè)部108a、內(nèi)側(cè)部108b和臺(tái)階側(cè)壁103。
以上通過(guò)實(shí)施例具體說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，不過(guò)，本發(fā)明并不限于該實(shí)施例。例如，作為實(shí)施例說(shuō)明了在內(nèi)側(cè)部設(shè)有線搭接用焊盤(pán)和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)中的某一個(gè)的物件，不過(guò)，并不限于此，不言而喻，設(shè)有線搭接用焊盤(pán)和倒裝芯片安裝用焊盤(pán)兩者的物件也可適用本發(fā)明。還有，電子部件也不限于彈性表面波濾波元件，例如晶體振蕩器等也有同樣的效果。
再有，蓋體不必具有屏蔽的功能時(shí)就不必使蓋體與GND連接，因而就不必在陶瓷封裝件的外側(cè)部設(shè)置密封用電極，作為密封部件，就能用粘接劑等對(duì)陶瓷封裝件基材直接粘接蓋體來(lái)進(jìn)行密封。即，就能做成不在陶瓷封裝件外側(cè)部設(shè)置由密封用電極那樣的導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極的構(gòu)造。假設(shè)粘接劑流到線搭接部的話，由于手機(jī)等最終產(chǎn)品內(nèi)的溫度變化，粘接劑膨脹·收縮，對(duì)搭接線造成應(yīng)力，搭接線就會(huì)斷裂，有可能從線搭接用焊盤(pán)剝離，而通過(guò)設(shè)置本發(fā)明所涉及的臺(tái)階，就能避免斷裂·剝離。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷封裝件，包括1個(gè)或多個(gè)陶瓷層，可在其表面上粘接電子部件和蓋體，其特征在于，設(shè)有與所述電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的焊盤(pán)的陶瓷層的表面以用于阻止密封部件流動(dòng)的臺(tái)階側(cè)壁為邊界，分成配設(shè)了所述焊盤(pán)的內(nèi)側(cè)部和外側(cè)部，所述外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝件，其特征在于，在所述外側(cè)部設(shè)有用于通過(guò)密封部件而與所述蓋體接合的密封用電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷封裝件，其特征在于，所述焊盤(pán)是通過(guò)搭接線而與所述電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的線搭接用焊盤(pán)，或與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極進(jìn)行倒裝芯片安裝的倒裝芯片安裝用焊盤(pán)。
4.一種陶瓷封裝件集合基板，其特征在于，由連接部對(duì)應(yīng)該作為權(quán)利要求1至3所述的陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進(jìn)行2維連接而成。
5.一種陶瓷封裝件的制造方法，是在陶瓷層的表面上以臺(tái)階側(cè)壁為邊界，設(shè)置外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部，外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出的陶瓷封裝件的制造方法，其特征在于，準(zhǔn)備好具有與外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的應(yīng)該使之突出的部分對(duì)應(yīng)的凹部、所述凹部的底面為大致平面狀的臺(tái)階形成用掩膜，在把1個(gè)或多個(gè)坯片進(jìn)行定位而成的未沖壓體上定位固定所述臺(tái)階形成用掩膜，接著進(jìn)行真空包裝而得到真空包裝體之后，對(duì)所述真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
6.一種陶瓷封裝件集合基板的制造方法，是把應(yīng)該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進(jìn)行2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板的制造方法，所述陶瓷封裝件是在陶瓷層的表面上以臺(tái)階側(cè)壁為邊界，設(shè)置外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部，所述外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出的陶瓷封裝件，所述陶瓷封裝件集合基板的制造方法的特征在于，準(zhǔn)備好具有與外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的應(yīng)該使之突出的部分對(duì)應(yīng)的凹部、所述凹部的底面為大致平面狀的臺(tái)階形成用掩膜，在把1個(gè)或多個(gè)坯片進(jìn)行定位而成的未沖壓體上定位固定所述臺(tái)階形成用掩膜，接著進(jìn)行真空包裝而得到真空包裝體之后，對(duì)所述真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種即使向小型輕量化發(fā)展，也能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用焊盤(pán)和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發(fā)生率的陶瓷封裝件。包括1個(gè)或多個(gè)陶瓷層，可在其表面上粘接電子部件和蓋體，設(shè)有用于通過(guò)密封部件而與蓋體接合的密封用電極和與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的焊盤(pán)的陶瓷層的表面以用于阻止密封部件流動(dòng)的臺(tái)階側(cè)壁為邊界，分成配設(shè)了密封用電極的外側(cè)部和配設(shè)了焊盤(pán)的內(nèi)側(cè)部，外側(cè)部和內(nèi)側(cè)部中的一方相對(duì)于另一方突出。
文檔編號(hào)H03H9/25GK1734935SQ200510081999
公開(kāi)日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2005年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月11日
發(fā)明者長(zhǎng)野奈津代, 小倉(cāng)隆, 本鄉(xiāng)政紀(jì), 福山正美 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社