專利名稱：輸出匹配晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般而言涉及射頻(RF)功率晶體管器件的領(lǐng)域，尤其涉及內(nèi)部匹配的射頻功率晶體管。
背景技術(shù)：
通常知道采用射頻功率晶體管器件作為無線通信設(shè)備中的信號放大器。隨著無線通信設(shè)備需求的增加，用于無線網(wǎng)絡(luò)的工作頻率也增加。目前的工作頻率恰好處于千兆赫范圍內(nèi)。
各個晶體管元件中的自然變化使得大批量制造射頻功率晶體管出現(xiàn)問題。晶體管器件隨著輸入電容、增益和相位轉(zhuǎn)移自然地改變。在預(yù)期的工作頻率和電壓的范圍內(nèi)對特定晶體管器件進(jìn)行預(yù)先表征。然后利用相似材料制造器件以試圖使這些器件在該表征的范圍內(nèi)工作。由于晶體管和其他各種元件在同樣工作頻率和電壓上發(fā)生變化，限制了在大規(guī)模制造基礎(chǔ)上成功調(diào)試晶體管器件的能力。
射頻功率晶體管器件通常具有多個在硅管芯(silicon die)上形成的電極，每個電極具有多個交指型晶體管。每個電極的各個晶體管連接到各自的用于每個電極的公共輸入(柵極)和輸出(漏極)引線。如已知的，該管芯通常由在金屬(源極)襯底頂部的共晶管芯連接工藝來進(jìn)行連接。該襯底被設(shè)置在金屬凸緣，該金屬凸緣起散熱片和接地參考的作用。輸入(柵極)和輸出(漏極)引線框被連接到凸緣的側(cè)面。引線框與金屬(源極)襯底電絕緣并且由多條線在硅管芯上分別連接到電極輸入和輸出端(即接合到各自端子和引線框)。
在高工作頻率下，輸入和輸出電極端阻抗與所希望的工作頻率范圍相匹配是非常重要的。在低頻(即＜1GHz)的高功率設(shè)備中，支路匹配元件的所需要的電感可以使線變長和變短來處理工作功率。在某些情況下，解決這個問題的現(xiàn)有方法可以解決輸入的和輸出網(wǎng)絡(luò)之間過量的串音，但引起不穩(wěn)定。
可采用的現(xiàn)有技術(shù)關(guān)于射頻功率晶體管器件的例子在美國專利號6,177,834和美國專利號6,614,308中進(jìn)行了說明，在此引入作為參照。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通常涉及射頻功率晶體管器件領(lǐng)域，更具體而言涉及具有與管芯平面上的第二諧波終結(jié)相匹配的內(nèi)部輸出的射頻功率晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種功率晶體管，該功率晶體管包含半導(dǎo)體，該半導(dǎo)體具有形成在其上的電極，其中該電極包括至少一個包括輸入和輸出端子的晶體管，其中半導(dǎo)體的輸出端子通過承載輸出電感的第一多個輸出導(dǎo)體耦合到輸出匹配網(wǎng)絡(luò)；第一輸出阻塞電容器，其包括通過承載輸出電感的第二多個輸出導(dǎo)體耦合到半導(dǎo)體輸出端子的第一端子以及耦合到地的第二端子；以及第二輸出阻塞電容器，其包括通過承載輸出電感的第三多個輸出導(dǎo)體耦合到第一輸出阻塞電容器第一端子的第一端子以及耦合到地的第二端子。
本發(fā)明的另一方面，提供一種寬帶射頻(射頻)信號放大器，具有連接到具有參考地的基架表面的功率晶體管，其中功率晶體管包括至少一個電連接到射頻輸入和射頻輸出偏置輸入和偏置輸出的晶體管器件，其中至少一個晶體管器件包括柵極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)和雙支路漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)；射頻輸入路徑，電連接到至少一個晶體管器件，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)被配置成以輸入阻抗將輸入信號耦合到晶體管輸入，并且柵極偏置網(wǎng)絡(luò)被配置成將偏置晶體管的輸入偏置到輸入工作點(diǎn)；以及電連接到晶體管輸出的射頻輸出路徑，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)被配置成以輸出阻抗上將各自分量輸出信號耦合到晶體管輸出，并且漏極偏置網(wǎng)絡(luò)被配置成把晶體管輸出偏置到輸出工作點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供一種功率晶體管，具有在其上形成電極的半導(dǎo)體，其中電極包括多個交指型晶體管，每個交指型晶體管具有輸入和輸出端子；第一輸出阻塞電容器，具有電耦合到半導(dǎo)體的交指型晶體管輸出端子的第一端子和電耦合到地的第二端子；以及第二輸出阻塞電容器，具有耦合到第一輸出阻塞電容器第一端子的第一端子和電耦合到地的第二端子。
本發(fā)明的再一方面提供一種用于放大信號的方法，該方法具有下面的步驟在半導(dǎo)體上形成功率晶體管，其中功率晶體管包括多個交指型晶體管；分流來自多個交指型晶體管的輸出信號；以及雙分流來自多個交指型晶體管的輸出信號，其中分流和雙分流在功率晶體管的管芯平面上產(chǎn)生第一和第二諧波終結(jié)。
通過閱讀下面優(yōu)選實(shí)施例的描述，本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。


通過閱讀下面參考相關(guān)附圖的非限定的實(shí)施例描述，可以更好的理解本發(fā)明，其中多個附圖中的各附圖相同元件表述相同的參考標(biāo)記，并且下面簡要的進(jìn)行描述。
圖1是示意性說明本發(fā)明一個實(shí)施例的寬帶放大器放大器部分的物理設(shè)置和接合線連接的俯視圖。
圖2是說明本發(fā)明的LDMOS射頻功率晶體管器件的實(shí)施例的俯視圖。
圖3是圖2所示的范例的LDMOS射頻功率晶體管器件的示意性電路圖。
圖4是說明對于本發(fā)明第一實(shí)施例的第一和第二諧波頻率的曲線圖。
然而，應(yīng)當(dāng)指出附圖僅說明是本發(fā)明某些實(shí)施例的一些方面，并且因此并不構(gòu)成對其范圍的限定，本發(fā)明包括相等有效附加或等同實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明一般而言涉及射頻功率晶體管器件的領(lǐng)域，并且涉及內(nèi)部匹配射頻功率晶體管。
圖1說明根據(jù)本發(fā)明一個方面的放大器部分1。放大器部分1具有印刷電路板(PCB)7和功率晶體管基架(pedestal)11。PCB7具有用于接收射頻輸入信號的射頻功率輸入(未示出)和用于輸出放大的射頻輸出信號的射頻功率輸出(未示出)?；?1具有連接其上的功率晶體管4。功率晶體管4放大射頻輸入信號的相位分量信號從而將來自射頻功率輸入的功率電壓升到如本領(lǐng)域已知的射頻功率輸出。基架11提供對功率晶體管4的電路組件的支承；提供用于傳送公共電流的高電導(dǎo)率；并且提供用于制冷的高熱導(dǎo)率?；?1可以由在放大器部分1的工作頻率上的熱傳導(dǎo)率和電導(dǎo)率為最佳性質(zhì)的銅和銅合金制成。基架11可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的具有相似電和熱特性的任何材料制成。
功率晶體管4具有場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管具有形成在連接基架11的半導(dǎo)體管芯上的輸入(柵極)、輸出(漏極)和公共元件(源極)端子。在一個實(shí)施例中，該晶體管為橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，具有直接形成在管芯的底部上并直接連接到基架11的源極端子。PCB7為多層模塊，如這里用作參照的由Logothetis等人的美國專利號6,099,677所教導(dǎo)的。
圖1說明本發(fā)明射頻功率晶體管4的放大器部分1的物理設(shè)置和接合線連接的俯視圖。放大器部分1包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2、柵極偏置網(wǎng)絡(luò)3、功率晶體管4、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5、和漏極偏置網(wǎng)絡(luò)6。當(dāng)所說明的放大器部分1由六個放大器部分實(shí)現(xiàn)時(shí)，可替換的實(shí)施例可以根據(jù)這里的教導(dǎo)和描述的發(fā)明方面具有兩個或多個放大器部分來實(shí)現(xiàn)。
在放大器部分1中，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2接收射頻功率以形成來自分離器相應(yīng)輸出的標(biāo)明為“RF饋入”的分量輸入信號來激勵功率晶體管4中的晶體管器件10的柵極。柵極偏置網(wǎng)絡(luò)3接收來自輸入偏置源極標(biāo)明為“柵極偏置饋入”的直流偏置電壓，這用于設(shè)置晶體管器件10的工作點(diǎn)。功率晶體管4接收來自輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2的功率射頻輸入分量信號并且接收來自柵極偏置網(wǎng)絡(luò)3的直流偏置。功率晶體管4產(chǎn)生驅(qū)動輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5的高功率射頻輸出分量信號。標(biāo)明為“RF驅(qū)動”的組合器接收來自輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5的高功率射頻輸出分量信號。標(biāo)明為“漏極偏置饋入”用于高功率輸出分量信號的功率源極由漏極偏置網(wǎng)絡(luò)6所提供。
功率晶體管4具有在公共源極結(jié)構(gòu)中耦合到基架11的射頻功率晶體管器件10。晶體管器件10是其上形成有電極的半導(dǎo)體，其中電極具有每個具有輸入和輸出端子的多個交指型晶體管。功率晶體管4具有輸入12、輸出13、柵極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)14、和漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)15。功率晶體管輸入12接收來自輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2的射頻輸入功率來激勵功率晶體管4。由功率晶體管4產(chǎn)生的射頻輸出功率傳送到功率晶體管輸出13的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5。偏置輸入8傳送來自柵極偏置網(wǎng)絡(luò)3的信號到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2。偏置輸出9傳送來自輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5的信號到漏極偏置網(wǎng)絡(luò)6。
用來連接功率晶體管4到PCB7的外部節(jié)點(diǎn)，并用來相互連接基架11上設(shè)置的功率晶體管4元件的接合線，具有在典型工作頻率上不能忽略的自感。多個阻抗變化和調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)有效地耦合來自射頻饋入的射頻功率到晶體管器件10的柵極。相似的阻抗變化和調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)也有效地耦合來自晶體管器件10的漏極的射頻功率到射頻驅(qū)動。柵極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)14補(bǔ)償接合線電感器和與晶體管器件10的柵極相關(guān)的輸入電容，漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)15補(bǔ)償接合線電感器和與晶體管器件10的漏極相關(guān)的電容。
盡管輸入12和輸出13被描述成最小長度的單個導(dǎo)體，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識到每個導(dǎo)體路徑可以以一個或多個接合線來形成。選擇并行使用的接合線數(shù)量和接合線的長度，允許傳導(dǎo)路徑的電感被控制和調(diào)節(jié)到合適的值。圖2說明利用輸入12和輸出13的多個接合線的本發(fā)明的技術(shù)方案。
根據(jù)本方面的實(shí)施例，寬帶射頻信號放大器具有連接到基架11表面的多個功率晶體管器件10。信號放大器也具有射頻輸入路徑，該射頻輸入路徑具有被配置成將射頻輸入信號分離為多個分量輸入信號的分離器。分離器、輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2和柵極偏置網(wǎng)絡(luò)3至少部分地被實(shí)施在印刷電路板上。信號放大器也具有射頻輸出路徑，該射頻輸出路徑具有被配置成將在晶體管輸出上接收的分量輸出信號和射頻輸出信號組合的組合器。組合器、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5和漏極偏置網(wǎng)絡(luò)6至少部分地被實(shí)施在印刷電路板上。其他實(shí)施例中，信號放大器具有射頻輸入和射頻輸出路徑12和13，其具有被實(shí)施在印刷電路板上的各自輸入和輸出參考接地架。根據(jù)具體的應(yīng)用，基架11和印刷電路板被配置成使輸入和輸出參考接地架接近基架表面。
參考圖2，說明了本發(fā)明的LDMOS射頻功率晶體管10的實(shí)施例的俯視圖。功率晶體管4通過輸入(14和相關(guān)的接合線電感)和經(jīng)由(15和相關(guān)接合線電感)位于輸入引線2和輸出引線5之間。在本發(fā)明實(shí)施例中，輸入和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)2和5通過陶瓷襯底17連接但與導(dǎo)體16電隔離。一對晶體管器件(半導(dǎo)體管芯)10連接到導(dǎo)體(地)16。通過超聲擦洗和/或溫度上的熱處理連接晶體管器件10。每個晶體管器件10具有多個交指型電極，其中每個電極具有輸入(柵極)端子和輸出(漏極)端子。
柵極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)14包括“T-網(wǎng)絡(luò)”。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，T-網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換基準(zhǔn)頻率上晶體管輸入端的阻抗“觀察(looking)”到適合匹配晶體管器件的的低阻抗。具有T-網(wǎng)絡(luò)的晶體管器件10的輸入匹配由輸入匹配電容19實(shí)施。通過臨近輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2的導(dǎo)體16定位輸入匹配電容19。輸入匹配電容19具有通過第一組輸入接合線21耦合到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2的第一組端子20。第一組輸入接合線21將一端接合到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)2而將另一端接合到輸入匹配電容19的第一組端子20。輸入匹配電容19具有耦合到導(dǎo)體(地)16的第二端子(未示出)。第二組輸入接合線22耦合輸入匹配電容19的第一組端子20到晶體管器件10的交指型電極的各自輸入端子。特別地，第二組輸入接合線22將一端接合到第一組端子20而將另一端接合到晶體管器件10的各自交指型電極輸入端子。從而通過選擇輸入匹配電容19的所希望電容值以及第一和第二組輸入接合線21和22的電感來實(shí)施晶體管器件10的輸入匹配。
具有漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)15的發(fā)明實(shí)施例包括雙分流網(wǎng)絡(luò)和串聯(lián)電感。串聯(lián)電感是連接晶體管器件10的交指型電極輸出端子的漏極到輸出匹配網(wǎng)絡(luò)5的第一組輸出接合線23的結(jié)果。雙分流網(wǎng)絡(luò)包括耦合到第一輸出匹配電容26的第二組輸出接合線24。第一輸出匹配電容26具有耦合到導(dǎo)體(地)16的第二終端(未示出)。第二組輸出接合線24也耦合到晶體管器件10的交指型電極漏極端。雙分流網(wǎng)絡(luò)也包括耦合到第二輸出匹配電容27的第三組輸出接合線25。第二輸出匹配電容27具有耦合到導(dǎo)體(地)16的第二端子(未示出)。第三組輸出接合線25也耦合到第一輸出匹配電容26。在本發(fā)明某些實(shí)施例中，第一輸出匹配電容26和第二輸出匹配電容27的值是頻率電感的并且對于工作方面的諧波終結(jié)是重要的。第一輸出匹配電容26提供頻率(f)的高阻抗和2f的低阻抗。第二輸出匹配電容27提供f的低阻抗(直流阻塞)。
盡管所說明的功率晶體管10以額定分量值實(shí)施，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解為了得到用于來自功率晶體管10的最佳性能的調(diào)諧，元件19到27的值可以被調(diào)節(jié)。
如上所述，本發(fā)明實(shí)施例具有包括雙分流網(wǎng)絡(luò)的漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)。第二回路允許900MHz裝置來建立足夠數(shù)量的電感來允許在管芯平面上的分流匹配。該方法縮短漏極線到其通常長度的1/2。本發(fā)明的雙分流網(wǎng)絡(luò)也提供管芯平面上的第二諧波終結(jié)。參考圖4，所示的曲線圖說明了由雙分流網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的第一和第二諧波頻率。第一諧波(900MHz)通過第二組輸出接合線24、第三組輸出接合線25、和第二輸出匹配電容27(圖3所示)匹配。第二諧波(2GHz一需要調(diào)節(jié)上限(cap)值)通過第二組輸出接合線24和第一輸出匹配電容26(圖3所示)進(jìn)行匹配。從而，根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，在管芯平面上添加第二諧波終結(jié)(來自使用作為阻塞上限的管芯的接合回路)。在工作頻率上，雙回路調(diào)諧允許調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)中任何耗散的功率在2個回路之間被共享。這有效地加速允許的射頻耗散。
因此，完全可以修改本發(fā)明的技術(shù)方案以實(shí)施并獲得這里所提及的主題和優(yōu)點(diǎn)及其固有的優(yōu)點(diǎn)。而本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)能夠進(jìn)行各種改變，這種改變涵蓋在由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的構(gòu)思范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種輸出匹配晶體管，包括半導(dǎo)體，具有形成在該半導(dǎo)體上的電極，其中所述電極擁有至少一個包含輸入和輸出端子的晶體管，其中半導(dǎo)體的輸出端子通過承載輸出電感的第一多個輸出導(dǎo)體耦合到輸出匹配網(wǎng)絡(luò)；第一輸出阻塞電容器，包括通過承載輸出電感的第二多個輸出導(dǎo)體耦合到半導(dǎo)體輸出端子的第一端子和耦合到地的第二端子；第二輸出阻塞電容器，包括通過承載輸出電感的第三多個輸出導(dǎo)體耦合到第一輸出阻塞電容器第一端子的第一端子和耦合到地的第二端子。
2.如權(quán)利要求1的輸出匹配晶體管，其中半導(dǎo)體是LDMOS晶體管。
3.如權(quán)利要求1的輸出匹配晶體管，其中第一輸出阻塞電容器位于電極和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)之間。
4.如權(quán)利要求1的輸出匹配晶體管，其中第二輸出阻塞電容器位于電極和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)之間。
5.如權(quán)利要求1的輸出匹配晶體管，進(jìn)一步包括輸入匹配電容器，該輸入匹配電容器包括通過承載輸入電感的第一多個輸入導(dǎo)體而耦合到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的第一端子以及耦合到地的第二端子，其中所述第一端子也通過承載輸入電感的第二多個輸入導(dǎo)體耦合到半導(dǎo)體的輸入端子。
6.如權(quán)利要求5的輸出匹配晶體管，其中輸入匹配電容器位于輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和電極之間。
7.一種寬帶射頻信號放大器，包括功率晶體管，連接到基架表面，該基架包括參考地，其中功率晶體管包括至少一個晶體管器件，該至少一個晶體管器件電連接到射頻輸入和射頻輸出、偏置輸入和偏置輸出，其中所述至少一個晶體管器件包括柵極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)和雙分流漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)；射頻輸入路徑，電連接到該至少一個晶體管器件，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)被配置成將輸入信號以輸入阻抗耦合到晶體管輸入，并且柵極偏置網(wǎng)絡(luò)被配置成將偏置晶體管輸入偏置到輸入工作點(diǎn)；及射頻輸出路徑，電連接到晶體管輸出，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)被配置成將各自分量輸出信號以輸出電感耦合到晶體管輸出，并且漏極偏置網(wǎng)絡(luò)被配置成把晶體管輸出偏置到輸出工作點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7的寬帶射頻信號放大器，其中雙分流漏極調(diào)諧網(wǎng)絡(luò)包括第一輸出阻塞電容器，包括通過承載輸出電感的第一多個輸出導(dǎo)體耦合到至少一個晶體管器件的輸出端子的第一端子以及耦合到參考地的第二端子；及第二輸出阻塞電容器，包括通過承載輸出電感的第二多個輸出導(dǎo)體耦合到第一輸出阻塞電容器第一端子的第一端子和耦合到參考地的第二端子。
9.如權(quán)利要求7的寬帶射頻信號放大器，其中多個功率晶體管連接到基架表面。
10.如權(quán)利要求7的寬帶射頻信號放大器，其中射頻輸入路徑包括被配置成將射頻輸入信號分離為多個分量輸入信號的分離器，并且其中分離器、輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和柵極偏置網(wǎng)絡(luò)至少部分被實(shí)施在印刷電路板上。
11.如權(quán)利要求7的寬帶射頻信號放大器，其中所述射頻輸出路徑包括被配置成將在晶體管輸出上所接收的分量輸出信號與射頻輸出信號相組合的組合器，并且其中組合器、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和漏極偏置網(wǎng)絡(luò)被至少部分地實(shí)現(xiàn)在印刷電路板上。
12.如權(quán)利要求7的寬帶射頻信號放大器，其中射頻輸入和射頻輸出路徑分別包括被實(shí)現(xiàn)在印刷電路板上的輸入和輸出參考接地架，并且基架和印刷電路板被布置成使得輸入和輸出參考接地架接近基架表面。
13.一種功率晶體管，包括半導(dǎo)體，具有形成在該半導(dǎo)體上的電極，其中所述電極擁有至少一個包含輸入和輸出端子的晶體管；第一輸出阻塞電容器，包括電耦合到半導(dǎo)體的電極的輸出端子的第一端子和電耦合到地的第二端子；及第二輸出阻塞電容器，包括電耦合到第一輸出阻塞電容器第一端子的第一端子和電耦合到地的第二端子。
14.如權(quán)利要求13的功率晶體管，其中第一輸出阻塞晶體管位于所述電極和第二輸出阻塞電容器之間。
15.如權(quán)利要求13的功率晶體管，其中第一輸出阻塞電容器的第一端子通過承載輸出電感的多個導(dǎo)體電耦合到電極的輸出端子。
16.如權(quán)利要求13的功率晶體管，其中第二輸出阻塞電容器的第一端子通過承載輸出電感的多個導(dǎo)體電耦合到第一輸出阻塞電容器的第一端子。
17.一種用于放大信號的方法，該方法包括在半導(dǎo)體上形成功率晶體管，其中功率晶體管包括多個交指型晶體管；分流來自多個交指型晶體管的輸出信號；以及雙分流來自多個交指型晶體管的輸出信號，其中分流和雙分流在功率晶體管的管芯平面上產(chǎn)生第一和第二諧波終結(jié)。
18.如權(quán)利要求17的用于放大信號的方法，其中分流包括把第一輸出阻塞電容器電連接到多個交指型晶體管的至少一個。
19.如權(quán)利要求18的用于放大信號的方法，其中雙分流包括把第二輸出阻塞電容器電耦合到第一輸出阻塞電容器。
20.如權(quán)利要求17的用于放大信號的方法，進(jìn)一步包括把來自輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入信號與電連接到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的匹配電容器相匹配。
21.一種功率晶體管，包括半導(dǎo)體，在該半導(dǎo)體上形成有電極，其中所述電極擁有至少一個包含輸入和輸出端子的晶體管；第一裝置，用于阻塞電耦合到半導(dǎo)體電極輸出端子和電耦合到地的輸出功率；及第二裝置，用于阻塞電耦合到用于阻塞第一輸出功率的第一裝置和電耦合到地輸出功率。
22.如權(quán)利要求21的功率晶體管，其中用于阻塞輸出功率的第一裝置位于所述電極與用于阻塞輸出功率的第二裝置之間。
23.如權(quán)利要求21的功率晶體管，其中用于阻塞輸出功率的第一和第二裝置在功率晶體管管芯平面上產(chǎn)生第一和第二諧波終結(jié)。
24.如權(quán)利要求21的功率晶體管，進(jìn)一步包括用于匹配電連接到輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入功率的裝置。
全文摘要
一種功率晶體管，具有形成在其上的電極的半導(dǎo)體，其中電極包括至少一個具有輸入和輸出端的晶體管；第一輸出阻塞電容器，具有電耦合到半導(dǎo)體交指型晶體管輸出端子的第一端子和電耦合到地的第二端子；及第二輸出阻塞電容器，包括電耦合到第一輸出阻塞電容器第一端子的第一端子和電耦合到地的第二端子。一種用于放大信號的方法，該方法具有在半導(dǎo)體上形成功率晶體管，其中功率晶體管包括多個交指型晶體管；分流來自多個交指型晶體管的輸出信號；以及雙分流來自多個交指型晶體管的輸出信號，其中分流和雙分流在功率晶體管的管芯平面上產(chǎn)生第一和第二諧波終結(jié)。
文檔編號H03F3/60GK1976023SQ200610136399
公開日2007年6月6日 申請日期2006年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月26日
發(fā)明者C·布萊爾, N·V·迪克西特, T·W·莫勒, T·法姆 申請人:英飛凌科技股份公司