專利名稱：電子電路、調(diào)制方法、信息處理裝置以及信息處理方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子電路、調(diào)制方法、信息處理裝置以及信息處理 方法。更具體的，本發(fā)明涉及電子電路，其中當采用調(diào)幅方式通過含 有諧振電路的天線傳輸數(shù)據(jù)時，減少在接收端通信故障發(fā)生的次數(shù)， 本發(fā)明還涉及其調(diào)制方法，涉及其信息處理裝置以及其信息處理方 法。
背景技術：
采用非接觸通信技術的IC (集成電路)卡系統(tǒng)由便攜IC卡及且 通常被稱作讀卡器/寫入器的裝置(下文中稱作"R/W裝置，，)構(gòu)成. RAV裝置采用非接觸方式讀出存儲在IC卡中的信息并能夠采用非接 觸方式使預定的信息存儲到IC卡中(例如，參考對應于美國專利No, 6，126,077的日本待審專利申請公開No. 10-13312)。更具體的，IC卡系統(tǒng)是能夠以非接觸方式讀出和寫入信息的非 常方便的系統(tǒng)，并且，例如，在最近幾年中，已經(jīng)用作以通勤者通行 證和識別卡為代表的常規(guī)磁卡系統(tǒng)的替代系統(tǒng)。至今，在IC卡系統(tǒng)的RAV裝置中的發(fā)射部分(發(fā)射部分由天線 和在調(diào)制器-解調(diào)器中用于傳送數(shù)字數(shù)據(jù)的部分構(gòu)成)的構(gòu)成，例 如，如圖1所示。在下面，通過假設發(fā)射部分為單個器件而將發(fā)射部 分稱作"發(fā)射器件"。更具體的，如圖1所示，發(fā)射器件l具有輸出預定頻率(例如，13.56 MHz)的載波21的載波輸出部分11，輸出預定頻率(例如， 212 kHz)的對應于要發(fā)射的數(shù)字數(shù)據(jù)(下文中稱作"發(fā)射數(shù)據(jù)")的 信號波(矩形波)22的發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12，通過根據(jù)信號波形22改 變并放大載波21的幅度而產(chǎn)生調(diào)幅波23并輸出調(diào)幅波23的調(diào)制和放大 部分13，以及具有由線團La和電容器Ca構(gòu)成的諧振電路，用于根據(jù) 調(diào)幅波23輸出電磁波24的天線部分14 (例如，發(fā)送電磁波24到IC卡 (未示出))。當從天線部分14看時，調(diào)制和放大部分13還作為天線部分14的 驅(qū)動部分(驅(qū)動)，如稍后所述。因此，在下文中，調(diào)制和放大部分 13也被稱作"天線驅(qū)動部分13"。更具體的，例如，發(fā)射器件1的結(jié)構(gòu)如圖2所示。 即，調(diào)制和放大部分13由用于調(diào)制和放大的晶體管TR1和晶體 管TR2、開關SW、作為晶體管TR1和晶體管TIW的發(fā)射極負栽的電 阻R1和電阻R2、線圏L1、線圈L2、電容器Cl以及變壓器Tr的初級側(cè) 構(gòu)成。栽波輸出部分11連接到晶體管TR1和晶體管TI^的基極。但是， 輸入到晶體管TR1的基極的載波21的反相信號輸入到晶體管TR2的基極。電阻R1的一端連接到晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極，另一 端接地，電阻R2的一端也連接到晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極， 另 一端連接到開關SW。 一端連接到電阻R2的開關SW的另 一端接 地。開關SW根據(jù)從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸入的脈沖信號"的變化進 行開關操作。線圏L1的一端連接到晶體管TR1的集電極，另一端連接到電壓 Vccl，由電容器Cl和變壓器Tr的初級側(cè)線圍構(gòu)成的諧振電路也連接 到晶體管TR1的集電極，以同樣的方式，線圍I^的一端連接到晶體管 TR2的集電極，另一端連接到電壓Vccl，由電容器Cl和變壓器Tr的 初級側(cè)線圏構(gòu)成的諧振電路也連接到晶體管TR2的集電極。天線部分14設計為閉合電路，其中變壓器Tr的次級側(cè)線團La、 電阻Ra和電容器Ca并聯(lián)連接。即，天線部分14以如下方式工作，線 圏La作為回路天線，并作為由線圏La、電阻Ra和電容器Ca構(gòu)成的 LCR諧振電路工作。接下來，介紹圖2的發(fā)射器件的工作。來自載波輸出部分11的13.56 MHz的載波21始終加在晶體管TRl 和晶體管TR2的基極。在該狀態(tài)下，當對應于發(fā)射數(shù)據(jù)的212 KHz的脈沖信號從發(fā)射數(shù) 據(jù)輸出部分12輸出時，開關SW根據(jù)脈沖信號22的變化進行開關操 作。即，當開關SW處于導通狀態(tài)時，由于電阻R2連接到電路中，晶 體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極負載變?yōu)殡娮鑂1和電阻R2的電阻值 的組合。相反，當開關SW處于斷開狀態(tài)時，由于電阻R2與電路分 離，晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極負載變?yōu)殡娮鑂1的電阻值。如此，晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極負栽根據(jù)從發(fā)射數(shù)據(jù)輸 出部分12輸入的脈沖信號22 (發(fā)射數(shù)據(jù))而變化。然后，作為晶體管 TR1和晶體管TR2的發(fā)射極負載變化的結(jié)果，發(fā)射極電流相應變化， 并且集電極電壓Vc的幅度也在兩個電平之間變化。即，集電極電壓 Vc對應于調(diào)幅波23。從天線部分14的線閨La輸出的電磁波24的幅度也根據(jù)集電極電 壓Vc的幅度的變化(調(diào)幅波23)而改變。換句話說，輸入到晶體管TR1和晶體管TR2的基極的載波21根據(jù) 具有兩個電平，即，低電平和高電平，的脈沖信號22 (通過對應于脈 沖信號22的變化的晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極電流的變化)被 調(diào)幅和放大，形成具有兩級幅度的調(diào)幅波23，即，第一級對應于脈沖 信號22的高電平，第二級對應于脈沖信號22的低電平。通過晶體管 TR1和晶體管TR2的基電極將調(diào)幅波23加到天線部分14。天線部分14 根據(jù)所加的調(diào)幅波23輸出電磁波24，即，電磁波24具有對應于笫一和 第二級的兩個幅度級。但是，當根據(jù)上述操作從圖2的發(fā)射器件1的天線部分14發(fā)射的電磁波24 (對應于疊加到載波21上的脈沖信號22的數(shù)字數(shù)據(jù))被具有 用于限制輸入的限幅器的IC卡接收并解調(diào)時，在限幅器的工作范圍 內(nèi)解調(diào)的數(shù)據(jù)是失真的，結(jié)果，出現(xiàn)了經(jīng)常發(fā)生通信故障的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是針對上述情況作出的。本發(fā)明的一個目的是在釆用調(diào) 幅方式通過含有諧振電路的天線傳輸數(shù)字數(shù)據(jù)情況下，減少在接收端 通信故障發(fā)生的次數(shù)。根據(jù)本發(fā)明，提出一種用于對通過包含諧振電路的天線發(fā)射的 數(shù)字數(shù)據(jù)進行幅度調(diào)制的電子電路，所述電子電路包括調(diào)制電路，調(diào)制，形成調(diào)幅波，并將該調(diào)幅波輸出到所迷天線；以及輸入對應于 所述數(shù)字數(shù)據(jù)的矩形波形的第一脈沖信號的信號波產(chǎn)生電路，用于對 應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖信號產(chǎn)生所述信號波，從而使得在所 述第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電平比所述第一信號穩(wěn) 態(tài)時的高電平還高，而在所述笫一輸入脈沖信號的每個脈沖的下降時 間的電平比所述第一信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低，該信號波產(chǎn)生電路并 用于將產(chǎn)生的所述信號波加到所述調(diào)制電路。為了實現(xiàn)上述目的，在一個方面，本發(fā)明提供第一電子電路， 用于對通過含有諧振電路的天線發(fā)射的數(shù)字數(shù)據(jù)調(diào)幅，電子電路包 括具有笫一晶體管的調(diào)制電路，用于根據(jù)加到第一晶體管的發(fā)射極 的信號波對加到第一晶體管的基極的栽波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅 波，并通過第一晶體管的集電極將調(diào)幅波加到天線上；以及以對應于 數(shù)字數(shù)據(jù)的矩形波形輸入第一脈沖信號的信號波產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生 對應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖信號的信號波，從而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電平比第一信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高， 而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比第一脈沖信號 穩(wěn)態(tài)時的低電平還低，并將產(chǎn)生的信號波加到笫一晶體管的發(fā)射極。 信號波產(chǎn)生電路包括作為第一晶體管的發(fā)射極負載的負栽電路；根據(jù)笫一脈沖信號改變負載電路的發(fā)射極負載的負栽改變電路；以及提取第一脈沖信號的高頻分量的提取電路。由此，通過將提取電 路提取出的第一脈沖信號的高頻分量加到負栽電路可以產(chǎn)生對應于第 二脈沖信號的信號波。提取電路可以是微分電路。信號波產(chǎn)生電路還可以包括連接到提取電路的輸入端的緩沖器。負載改變電路包括作為根據(jù)加到其基極的第一脈沖倌號通斷的 開關的第二晶體管，可以當?shù)诙w管關斷時將作為發(fā)射極負栽的一 部分的預定元件從負載電路斷開，并且當?shù)诙w管導通時將斷開的 元件連接到負載電路，從而改變發(fā)射機負栽。信號波產(chǎn)生電路還包括 連接到提取電路的輸入端的反相器電路。反相器電路可以由作為開關的第三晶體管和電阻構(gòu)成。反相器電路包括作為第三晶體管的一組NPN型晶體管和PNP型 晶體管。反相器電路還可以包括連接到每個NPN型晶體管和PNP型晶體 管的基極和集電極之間的肖特基二極管?？梢杂卸鄠€第一晶體管，并且不同于形成負載電路的電阻的發(fā) 射極電阻可以連接到多個笫一晶體管中的一個或多個第一預定晶體管 的發(fā)射極.信號波產(chǎn)生電路可以將對應于整形的笫一脈沖信號波形的 第二脈沖信號的信號波加到多個笫一晶體管中除了發(fā)射極連接到發(fā)射極電阻上的某些晶體管之外的第一晶體管的發(fā)射極.在另一方面，本發(fā)明提供使用對通過含有諧振電路的天線發(fā)射 的數(shù)字數(shù)據(jù)進行幅度調(diào)制的具有晶體管的調(diào)制電路的第一調(diào)制方法， 用于根據(jù)加到晶體管的發(fā)射極的信號波對加到晶體管基極的栽波進行 幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波，并通過晶體管的集電極將調(diào)幅波加到天線 上，調(diào)制方法包括以下步驟輸入對應于數(shù)字數(shù)據(jù)的矩形波形的第一 脈沖信號；產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖信號的信號波，從而 在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電平比笫一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低；并將產(chǎn)生的信號波加到晶 體管的發(fā)射極。在本發(fā)明的笫一電子電路和第一調(diào)制方法中，對應于數(shù)字數(shù)據(jù) 的矩形波形的第一脈沖信號為輸入。然后，產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形 的第二脈沖信號的信號波，從而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上 升時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在第一輸入脈 沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的低電平 還低。當產(chǎn)生的信號波加到晶體管的發(fā)射極時，根據(jù)對應于加到晶體 管的發(fā)射極的笫二脈沖信號的信號波對加到晶體管基極的載波進行幅 度調(diào)制，形成調(diào)幅波。通過晶體管的集電極將調(diào)幅波加到含有諧振電 路的天線上，基于所加調(diào)幅波的電磁波從天線發(fā)射出去。本發(fā)明的第一電子電路可以作為單個器件或作為信息處理裝置 的一部分。即，例如，第一電子電路可以用作發(fā)送和接收數(shù)字數(shù)據(jù)的 信息處理裝置的發(fā)射部分，并且第一電子電路可以用作能夠進行有線 和無線通信的信息處理裝置的無線發(fā)射部分。在另一方面，本發(fā)明提供第二電子電路，用來幅度調(diào)制通過含 有諧振電路的天線發(fā)射的數(shù)字數(shù)據(jù)，電子電路包括具有場效應晶體 管的調(diào)制電路，用于根據(jù)加到場效應晶體管的源極的信號波對加到場 效應晶體管的柵極的栽波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波，并通過場效應 晶體管的漏極將調(diào)幅波加到天線上；以及以對應于數(shù)字數(shù)據(jù)的矩形波 形輸入笫一脈沖信號的信號波產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整 形的第二脈沖信號的信號波，從而在笫一輸入脈沖信號的每個脈沖的 上升時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在笫一輸入 脈沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的低電 平還低，并將產(chǎn)生的信號波加到場效應晶體管的源極。在另一方面，本發(fā)明提供使用對通過含有諧振電路的天線發(fā)射 的數(shù)字數(shù)據(jù)進行幅度調(diào)制的具有場效應晶體管的調(diào)制電路的第二調(diào)制 方法，用于根據(jù)加到場效應晶體管的源極的信號波對加到場效應晶體管柵極的栽波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波，并通過場效應晶體管的漏極將調(diào)幅波加到天線上，調(diào)制方法包括以下步驟輸入對應于數(shù)字數(shù) 據(jù)的矩形波形的第一脈沖信號；產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖 信號的信號波，從而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電 平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在第一輸入脈沖信號的每 個脈沖的下降時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低；并將 產(chǎn)生的信號波加到場效應晶體管的源極。在本發(fā)明的第二電子電路和笫二調(diào)制方法中，對應于數(shù)字數(shù)據(jù) 的矩形波形的第一脈沖信號為輸入。然后，產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形 的第二脈沖信號的信號波，從而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上 升時間的電平比第一信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在笫一輸入脈沖信 號的每個脈沖的下降時間的電平比第一信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低。當 產(chǎn)生的信號波加到場效應晶體管的源極時，根據(jù)對應于加到場效應晶 體管的源極的第二脈沖信號的信號波對加到場效應晶體管柵極的栽波 進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波。通過場效應晶體管的漏極將調(diào)幅波加到 舍有諧振電路的天線上，基于所加調(diào)幅波的電磁波從天線發(fā)射出去，本發(fā)明的第二電子電路可以作為單個器件或作為信息處理裝置 的一部分。即，例如，第二電子電路可以用作發(fā)送和接收數(shù)字數(shù)據(jù)的 信息處理裝置的發(fā)射部分，并且第二電子電路可以用作能夠進行有線 和無線通信的信息處理裝置的無線發(fā)射部分。在另一方面，本發(fā)明提供幅度調(diào)制第一數(shù)字信息并發(fā)送信息的 信息處理裝置，信息處理裝置包括具有晶體管的調(diào)制裝置，用于根 據(jù)加到晶體管的發(fā)射極的對應于第一信息的信號波對加到晶體管基極 的載波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波，并通過晶體管的集電極輸出調(diào)幅 波；輸出加到晶體管基極的載波的第一輸出裝置；輸出對應于第一信 息的矩形波形的第一脈沖信號的第二輸出裝置；用于產(chǎn)生對應于經(jīng)過 波形整形的第二脈沖信號的信號波的信號波產(chǎn)生裝置，從而在第一輸 入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高 電平還高，而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低，并將產(chǎn)生的信號波加到第一晶體管的發(fā)射極；以及具有諧振電路的天線裝置，用于將基于從調(diào)制裝置輸 出的調(diào)幅波的電磁波發(fā)射到另 一個信息處理裝置。信息處理裝置還可包括檢測從其它信息處理裝置發(fā)射出的并被 天線裝置接收到的對應于第二數(shù)字信息的波形的變化分量的檢測裝 置；以及根據(jù)由檢測裝置檢測到的波形的變化分量解調(diào)出對應于第二 數(shù)字信息的信號的解調(diào)裝置。其它信息處理裝置可以是能夠進行非接觸通信的IC卡，并且信 息處理裝置可以是通過天線裝置與IC卡進行非接觸通信從而將第一 信息寫入IC卡和從IC卡讀出第二信息的讀卡器/寫入器裝置。在另一方面，本發(fā)明提供用于信息處理裝置的信息處理方法， 信息處理裝置包括具有晶體管的調(diào)制電路，調(diào)制電路用于根據(jù)加在 晶體管的發(fā)射極的對應于要發(fā)射的數(shù)字信息的信號波對加在晶體管基 極的栽波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波，并通過晶體管的集電極輸出調(diào) 幅波；以及具有諧振電路的天線，用于將基于從調(diào)制電路輸出的調(diào)幅 波的電磁波發(fā)射到另一個信息處理裝置，信息處理方法包括以下步 驟輸出加到晶體管基極的載波；輸出對應于數(shù)字信息的矩形波形的 笫一脈沖信號；產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖信號的信號波的 信號波產(chǎn)生裝置，從而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的 電平比笫一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在第一輸入脈沖信號的 每個脈沖的下降時間的電平比笫一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低；并 將產(chǎn)生的信號波加到第一晶體管的發(fā)射極，在本發(fā)明的信息處理裝置和信息處理方法中，對應于數(shù)字數(shù)據(jù) 的矩形波形的第一脈沖信號為輸入。然后，產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形 的第二脈沖信號的信號波，從而在第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電平比第一脈沖信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在第一輸入脈 沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比第一信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還 低。當產(chǎn)生的信號波加到晶體管的發(fā)射極時，根據(jù)對應于加到晶體管 的發(fā)射極的第二脈沖信號的信號波對加到晶體管基極的栽波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波。通過晶體管的集電極將調(diào)幅波加到含有諧振電路 的天線上，基于所加調(diào)幅波的電磁波從天線發(fā)射出去。信息處理裝置可以是僅發(fā)射數(shù)字數(shù)據(jù)的裝置或者能夠發(fā)射和接 收數(shù)字數(shù)據(jù)的裝置。可以被本發(fā)明的信息處理裝置發(fā)射和接收的數(shù)據(jù) 可以僅是數(shù)字的或者是模擬和數(shù)字的。此外，本發(fā)明的信息處理裝置 可以是僅能進行無線通信的裝置或者是能夠進行有線和無線通信的裝 置。如上所迷，根據(jù)本發(fā)明，可以調(diào)幅要通過含有諧振電路的天線 發(fā)射的數(shù)字數(shù)據(jù)。具體的，可以采用使接收端的通信故障發(fā)生的次數(shù) 降低的方式調(diào)幅數(shù)字數(shù)據(jù)。此外，根據(jù)本發(fā)明，可以釆用幅度調(diào)制通過含有諧振電路的天 線發(fā)射數(shù)字數(shù)據(jù)。具體的，可以實現(xiàn)能夠使接收端的通信故障發(fā)生的 次數(shù)降低的通信。


、圖1示出了常規(guī)發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的例子的框圖； 圖2示出了圖i的常規(guī)發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的特殊例子的框圖； 圖3是圖2的發(fā)射裝置的集電極電壓(調(diào)幅波)的測量圖；圖4是從圖2的發(fā)射裝置的天線部分輸出的磁通量(電磁波)的測量圖；圖5示出了當接收端解調(diào)從圖2的發(fā)射裝置發(fā)出的數(shù)字數(shù)據(jù)時波形的例子；圖6示出了采用本發(fā)明的發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的例子的框圖；圖7示出了圖6的發(fā)射裝置的整形波應用部分的結(jié)構(gòu)的詳細例子的框圖；圖8示出了圖6的發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的特殊例子的電路圖； 圖9示出了圖6的發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的另一個特殊例子的電路圖；圖10示出了圖9的發(fā)射裝置的反相器的結(jié)構(gòu)的特殊例子的電路圖；圖11示出了圖9的發(fā)射裝置的反相器的結(jié)構(gòu)的另一個特殊例子的 電路圖；圖12示出了圖9的發(fā)射裝置的反相器的結(jié)構(gòu)的另一個特殊例子的 電路圖；圖13是圖9的發(fā)射裝置的集電極電壓(調(diào)幅波)的測量圖； 圖14是從圖9的發(fā)射裝置的天線部分輸出的磁通量(電磁波)的測量圖；圖15示出了圖6的發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的另一個特殊例子的電路圖； 圖16示出了圖6的發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的另一個特殊例子的電路圖；以及圖17示出了采用本發(fā)明的R/W裝置的結(jié)構(gòu)的例子的框圖。
具體實施方式
本申請的申請人已經(jīng)分析了上述常規(guī)問題產(chǎn)生的原因，并根據(jù) 分析結(jié)果設計了本發(fā)明。因此，首先，將介紹分析結(jié)果，即，上述常 規(guī)問題產(chǎn)生的原因。通過使用圖2的傳統(tǒng)發(fā)射裝置1，本申請的申請人測量了在從發(fā) 射數(shù)據(jù)輸出部分12實際輸入脈沖信號22的情況下集電極電壓Vc (調(diào) 幅波23)和從天線部分14輸出的磁通量(電磁波)24。在圖3和4中示 出了測量結(jié)杲。即，圖3示出了在圖2的發(fā)射裝置1中脈沖信號22和集 電極電壓V c (調(diào)幅波23)的測量圖，圖4示出了脈沖信號22和從天線 部分14輸出的磁通量(電磁波)24。如圖3所示，驅(qū)動天線部分14的集電極電壓V c (調(diào)幅波23)跟 隨脈沖信號22。例如，如在變化部分23-l所示，在脈沖信號22的脈沖 的上升時間(當從低電平變?yōu)楦唠娖綍r)，集電極電壓Vc(調(diào)幅波 23)的幅度也立即隨著該變化從低電平變?yōu)楦唠娖?。同樣，如在變?部分23-2所示，在脈沖信號22的脈沖的下降時間(當從高電平變?yōu)榈?電平時)，集電極電壓V c (調(diào)幅波23)的幅度也立即隨著該變化從 低電平變?yōu)楦唠娖?。但是，如圖4所示，從天線部分14輸出的磁通量(電磁波)24并 沒有立即隨脈沖信號22而變化，而是相對于脈沖信號22的變化存在延 遲。例如，如在變化部分24-l所示，在脈沖信號22的脈沖的上升時 間，磁通量(電磁波)24并沒有立即隨其改變，并且磁通量(電磁 波)24的幅度從低電平到高電平的變化變?yōu)橐浑A延遲方式的波形。同 樣，如在變化部分24-2所示，在脈沖信號22的脈沖的下降時間，磁通 量(電磁波)24并沒有立即隨其改變，并且磁通量(電磁波)24的幅 度從高電平到低電平的變化變?yōu)橐浑A延遲方式的波形。當磁通量(電磁波)24從天線部分14發(fā)送出去之后，如圖4所 示，當由處于正常狀態(tài)的接收裝置(未示出)接收并檢測該信號時， 檢測到圖5所示的波形25。.雖然未示出，但是檢測到的波形25可以以 更接近于對應于發(fā)射數(shù)據(jù)的脈沖信號22的形式被解調(diào)出來。相反，當接收裝置是，例如，如上所述的具有限制輸入的限幅 器，即處于限幅器工作狀態(tài)的IC卡時(未示出)，檢測到圖5所示的 波形26。如圖5所示，當檢測到的波形26高于比較器的預定電平(在 圖5中的波形26中所畫的虛線)時，檢測到的波形26達到高電平(下 文中也稱作"H，，)，而當?shù)陀陬A定電平(下文中也稱作"L")時，檢 測到的波形26達到低電平，從而解調(diào)出圖5所示的信號27。如圖5所 示，該解調(diào)出的信號27與原始信號(脈沖信號22)具有很大的不同， 結(jié)果，出現(xiàn)通信故障。在上述方式中，出現(xiàn)上述問題的原因在于從圖2的天線部分14輸 出的磁通量(電磁波)24沒有立即跟隨對應于發(fā)射數(shù)據(jù)的脈沖信號22 而變化，而是存在延遲。下面介紹產(chǎn)生磁通量(電磁波)24延遲的機理。當天線部分14的諧振電路處于諧振狀態(tài)時，天線部分14以諧振 電流的形式在其中儲存能量(在下文中，該能量將稱為"諧振能 量")，并且除非由天線驅(qū)動部分13提供能量，否則諧振能量將在有 限的時間段內(nèi)被消耗掉。換句話說，天線驅(qū)動部分13通過為天線部分14提供預定的能量而驅(qū)動天線部分14 (在下文中，該能量將稱作"驅(qū)動能量"，以便與 諧振能量相區(qū)別)。天線部分14的天線的Q因數(shù)(品質(zhì)因數(shù))越高，消耗掉諧振能 量所需的時間越長。因此，如果從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的是預定電平的信號而 不是脈沖信號22，則集電極電壓Vc的幅度變?yōu)楣潭ǖ模瑥亩_到天 線部分14的諧振電流的損耗與驅(qū)動能量彼此相等的穩(wěn)定狀態(tài)，諧振電 流變成固定的，結(jié)果，輸出的磁通量(電磁波)24的幅度也變?yōu)楣潭?的。相反，在上述方式中，由于從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的是脈 沖信號22，所以集電極電壓Vc (調(diào)幅波23)的幅度也是變化的。這 里假設集電極電壓Vc的幅度以隨著脈沖信號22立即變化的方式變 化。在這種情況下，例如，在脈沖信號22的脈沖的上升時間，集電極 電壓Vc的幅度從低電平變?yōu)楦唠娖剑?qū)動能量增加并大于諧振電路 的損耗，諧振電流逐漸增加。隨后，當增加的驅(qū)動能量和損耗達到彼 此相等的穩(wěn)定狀態(tài)時，諧振電流變?yōu)榉€(wěn)定的，結(jié)果，磁通量(電磁 波)24的幅度也在高于變化前的電平(低電平)的預定電平處(高電 平)變?yōu)楣潭ǖ?。但是，由于諧振能量是損耗的Q倍，所以需要固定的時間以達 到穩(wěn)定狀態(tài)(增加的驅(qū)動能量與損耗彼此相等的狀態(tài))。結(jié)果，從天 線部分14輸出的磁通量(電磁波)24相對于對應于發(fā)射數(shù)據(jù)的脈沖信 號22存在延遲。即，對于磁通量(電磁波)M的幅度從低電平到達高 電平，要花費從脈沖信號22的脈沖的上升時間起固定的時間(延 遲)，由于相同的原因，對于磁通量(電磁波)24的幅度從高電平到 達低電平，要花費從脈沖信號22的脈沖的下降時間起固定的時間(延 遲)。由此，作為用來消除磁通量(電磁波)24的這種延遲的技術， 即，作為用來解決上述常規(guī)問題的技術，本申請的申請人發(fā)明了當對應于發(fā)射數(shù)據(jù)的信號是具有類似于脈沖信號22的變化的信號時，用來 加強驅(qū)動能量的變化部分(這一部分對應于脈沖信號22的脈沖的上升 和下降)的技術，并且還發(fā)明了根據(jù)該技術的如圖6所示的發(fā)射裝 置。即，圖6示出了采用本發(fā)明的發(fā)射裝置的結(jié)構(gòu)的例子。在圖6所示的發(fā)射裝置51中，對應于常規(guī)發(fā)射裝置(圖l)的部 件用相同的參考數(shù)字表示，并適當省略了對其的介紹。如圖6所示，當與常規(guī)發(fā)射裝置l相比時，發(fā)射裝置51還包括位 于發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12與調(diào)制和放大部分(天線驅(qū)動部分)13之間的 整形波應用部分61。更具體的，如上所示，通常(在圖l中)從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12 輸出的對應于脈沖信號22本身的信號波加到調(diào)制和放大部分13，結(jié) 果，從調(diào)制和放大部分13輸出調(diào)幅波23。在這種情況下，如上所述， 當對應于調(diào)幅波23的驅(qū)動能量加到天線部分14上時，在從天線部分14 輸出的磁通量(電磁波)24中出現(xiàn)延遲，因此，在圖6的發(fā)射裝置51中，整形波應用部分61輸入從發(fā)射數(shù) 據(jù)輸出部分12輸出的對應于發(fā)射數(shù)據(jù)的矩形波形的第一脈沖信號22; 產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖信號71的信號波，從而在第一輸 入脈沖信號22的每個脈沖的上升時間的電平比第一脈沖信號22處于穩(wěn) 態(tài)時的高電平(H)還高，而在第一輸入脈沖信號22的每個脈沖的下 降時間的電平比第一脈沖信號22處于穩(wěn)態(tài)時的低電平還低；并將產(chǎn)生 的信號波加到調(diào)制和放大部分13。結(jié)果，根據(jù)對應于笫二脈沖信號71的信號波由調(diào)制和放大部分 13幅度調(diào)制并放大從栽波輸出部分11輸出的栽波21，形成幅度變化部 分加強的調(diào)幅波72 (在圖6中，省略了實際的調(diào)制波，只畫出了幅度 變化部分)，對應于調(diào)幅波72的驅(qū)動能量加到天線部分14。結(jié)果，從 天線部分14輸出幅度電平幾乎立即隨脈沖信號22變化的電磁波73 (在 圖6中，省略了實際的調(diào)制波，只畫出了幅度變化部分)。在上述方式中，在圖6中的發(fā)射裝置51中，由于從天線部分"輸 出的電磁波73的變化變得更怏，能夠減少上迷在接收端出現(xiàn)通信故障的次數(shù)。即，可以解決常規(guī)方法中存在的問題。對于整形波應用部分61的結(jié)構(gòu)沒有特殊的限制，只要能夠?qū)?應于第二脈沖信號71的信號波加到調(diào)制和放大部分l3,從而整形第一 脈沖信號22的波形。在本例子中，整形波應用部分61，例如，具有閨 7中所示的結(jié)構(gòu)。更具體的，如圖7所示，整形波應用部分61包括用于提取從發(fā)射 數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的第一脈沖信號22的高頻分量91的高頻分量提取 部分81;以及用于輸出對應于第二脈沖信號71的信號波的應用部分 82,從而由高頻分量提取部分81提取的第一脈沖信號22的高頻分量91 被加到從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的第一脈沖信號22上。更具體的，可以如圖8或9所示構(gòu)成圖6的發(fā)射裝置51.在圖8和9 的發(fā)射裝置51中，對應于圖2中的常規(guī)發(fā)射裝置l的部件用相同的參考 數(shù)字表示，并適當省略其介紹。在圖8中，此外，當與圖2的發(fā)射裝置1比較時，在發(fā)射裝置51 中，在晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極與發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12之間 連接有串聯(lián)連接的電容器C2和緩沖器101的串聯(lián)電路。更具體的，在圖8的例子中，整形波應用部分61由電容器C2、緩 沖器IOI、作為發(fā)射極負載并且還用于常規(guī)的調(diào)制和放大部分13的電 阻R1和電阻R2以及用于改變發(fā)射極負栽的開關SW構(gòu)成。由電容器C2和發(fā)射極負載(由電阻R1和電阻R2形成的可變負 載)形成的微分電路對應于圖7的高頻分量提取部分81。提供緩沖器101是為了跟隨的目的。即，當開關SW為，例如， 晶體管時，由于作為脈沖信號22的信號源的發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12具有 有限的輸出阻抗，如果發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12直接連接到發(fā)射極負栽， 則會出現(xiàn)作為開關的晶體管的變化被延遲的問題。因此，在圖8的例 子中，為了解決該問題，在發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12和電容器C2之間提 供緩沖器IOI。對用于改變發(fā)射極負栽的開關SW沒有特殊的限制，并且可以使 用例如NPN型晶體管。在這種情況下，如圖9所示，電阻R1的一端連接到晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極，另一端接地，電阻R2的一端 也連接到晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極，另 一端連接到晶體管 TRs的集電極。此外，發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12連接到晶體管TRs的基 極，晶體管TRs的發(fā)射極接地。但是，在用NPN型晶體管TRs作為開關的情況下，在加到晶體 管TRs的基極的脈沖信號22達到高電平(H)的時刻(在脈沖的上升 時間)，要求調(diào)制和放大部分13的晶體管TR1和晶體管TR2的電流增 加。這對應于負脈沖分量加到晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極負栽 的情況。這可以通過使用反相器轉(zhuǎn)換從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的脈 沖信號22，并隨后使信號通過高通濾波器實現(xiàn)。更具體的，如圖9所 示，可用反相器111代替圖8的緩沖器101?？梢砸愿鞣N方式實現(xiàn)反相器lll，如圖10到12所示。當然，反相 器111可以采用與圖10到12不同的方式構(gòu)成。在圖10的例子中，反相器lll由作為開關的晶體管TRil、電阻 Ril、電阻Ri2和電阻Ri3形成。電阻Ril的 一端連接到晶體管TRil的基極，另 一端連接到發(fā)射數(shù) 據(jù)輸出部分12，電阻Ri2的一端也連接到晶體管TRil的基極，另一端 接地。晶體管TRil的發(fā)射極接地。形成微分電路的上述電容器C2的 一端連接到晶體管TRil的集電極(另一端連接到晶體管TR1和晶體管 TR2的發(fā)射極，例如，如圖9所示)，電阻Ri3的一端也連接到晶體管 TRil的集電極，另一端加有電壓Vcc2,如此，具有圖10結(jié)構(gòu)的反相器111具有結(jié)構(gòu)簡單的特點。另一方 面，反相器lll還存在問題，就是當晶體管TRil處于導通狀態(tài)時會消 耗功率。因此，當需要解決該問題時，即，當要求反相器lll不消耗 電流時，可以，例如，如圖ll所示構(gòu)成反相器lll。即，在圖ll的例 子中，反相器lll由PNP型晶體管TRi2、 NPN型晶體管TRi3和電阻 Ri4到Ri7形成。電阻Ri4的一端連接到晶體管TRi2的基極，另 一端連接到發(fā)射數(shù) 據(jù)輸出部分12，電阻Ri5的一端也連接到晶體管TRi2的基極，另一端加有電壓Vcc2。電壓Vcc2加到晶體管TRi2的發(fā)射極。形成微分電路 的上述電容器C2的一端連接到晶體管TRi2的集電極(另一端連接到 晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極，例如，如圖9所示)，晶體管 TRi3的集電極也連接到晶體管TRi2的集電極。換句話說，電容器C2的一端連接到晶體管TRi3的集電極，晶體 管TRi2的集電極也連接到晶體管TRi3的集電極。電阻Ri6的一端連接到晶體管TRi3的基極，另 一端連接到發(fā)射數(shù) 據(jù)輸出部分12，電阻Ri7的一端也連接到晶體管TRi3的基極，另一端 接地。晶體管TRi3的發(fā)射極接地。此外，當要求反相器lll的工作速度高時，例如，可以如圖12所 示構(gòu)成反相器lll。即，在圖12所示的例子中，與具有圖ll的結(jié)構(gòu)的反相器lll相 比，在PNP型晶體管TRi2的基極和集電極之間連接肖特基二極管 Dil，在NPN型晶體管TRi3的基極和集電極之間連接肖特基二極管 Di2。在上述方式中，由于如圖12所示構(gòu)成反相器111,當電壓低于預 定電壓時，通過使電流流過肖特基二極管Dil，能夠抑制晶體管TRi2的發(fā)射極電壓相對于基極的下降。同樣，當電壓低于預定電壓時，通 過使電流流過肖特基二極管Di2，能夠抑制晶體管TRi3的發(fā)射極電壓 相對于基極的下降。即，減小了晶體管TRi2和TRi3的存儲時間，增 加晶體管TRi2和TRi3的開關速度。圖10到12中所示的電壓Vcc2可以是與圖9的電壓Vccl來自相同的 電源(未示出)，也可以是來自不周電源(未示出)的電壓。接下來，將介紹發(fā)射裝置51的工作?？梢圆捎蒙鲜龈鞣N方式實 現(xiàn)發(fā)射裝置51。除非有特殊說明，否則所給出的介紹是假設發(fā)射裝置 51是具有圖9所示結(jié)構(gòu)的發(fā)射裝置，此外，發(fā)射裝置51的工作基本上與圖2的常規(guī)發(fā)射裝置1的工作 相同。因此，在這里，適當省略在常規(guī)發(fā)射裝置l中已經(jīng)介紹的工作 的介紹，并且在隨后的介紹中，重點將放在對與常規(guī)發(fā)射裝置l的工作不同的工作的介紹上。更具體的，如圖9所示，當從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出第一脈沖 信號22時，整形波應用部分61以與常規(guī)情況類似的方式根據(jù)第一脈沖 信號22開關晶體管TRs，使得晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極負載 改變(變?yōu)殡娮鑂1的值或者電阻R1和電阻R2的電阻值的組合)，并 且還將通過反相器111由包括電容器C2的微分電路提取的第一脈沖信 號22的高頻分量(圖7的高頻分量91)加到發(fā)射極負栽。整形波應用部分61這樣工作使對應于加到晶體管TR1和晶體 管TR2的發(fā)射極的信號波的發(fā)射極電流對應于第二脈沖信號71變化， 從而對第一脈沖信號22的波形整形。換句話說，整形波應用部分61將 隨第二脈沖信號71變化的發(fā)射極電流(信號波)加到晶體管TR1和晶 體管TR2的發(fā)射極。作為上述操作的結(jié)果，當?shù)谝幻}沖信號22變化時(在每個脈沖 的上升時間和下降時間)，晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極電流 (信號波)立即發(fā)生極大的改變。結(jié)果，出現(xiàn)了變化幅度增強的集電 極電壓Vc(調(diào)幅波72)，如圖13中變化部分72-l和變化部分72-2所 示.然后，對應于產(chǎn)生的集電極電壓Vc (調(diào)幅波72)的驅(qū)動能量加 到天線部分14上，并從天線部分14輸出圖14所示的磁通量(電磁波) 73,相應地，圖13示出了在從圖9的發(fā)射裝置51中的發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部 分12輸出第一脈沖信號22的情況下，實際輸出的集電極電壓Vc (調(diào) 幅波72)的測量圖。圖14示出了在從圖9的發(fā)射裝置51中的發(fā)射數(shù)據(jù) 輸出部分12輸出笫一脈沖信號22的情況下，實際輸出的磁通量(電磁 波)73的測量圖，如圖13所示，集電極電壓Vc (調(diào)幅波72)的幅度以對應于經(jīng)過 波形整形的笫二脈沖信號71 (圖6)的方式變化，從而在第一輸入脈 沖信號22的每個脈沖的上升時間的電平比第一脈沖信號22處于穩(wěn)態(tài)時 的高電平(H)還高，而在第一輸入脈沖信號22的每個脈沖的下降時 間的電平比第一脈沖信號22處于穩(wěn)態(tài)時的低電平還低，即，如在變化部分7tl所示，在第一輸入脈沖信號22的每個脈沖的上升時間的集電 極電壓Vc (調(diào)幅波72)的幅度比第一脈沖信號22處于穩(wěn)態(tài)時的高電 平還高。同樣，如在變化部分72-2所示，在第一輸入脈沖信號22的每 個脈沖的下降時間的集電極電壓Vc (調(diào)幅波72)的幅度比第一脈沖 信號22處于穩(wěn)態(tài)時的低電平還低。結(jié)果，如圖14所示，與上述圖4的常規(guī)磁通量(電磁波)24相 比，從天線部分14輸出的磁通量(電磁波)73幾乎立刻隨著對應于發(fā) 射數(shù)據(jù)的脈沖信號22而變化。例如，如在變化部分73-l所示，在第一 輸入脈沖信號22的每個脈沖的上升時間，磁通量(電磁波)73的幅度 也幾乎立刻隨著所述上升從低電平到高電平變化。同樣，如在變化部 分73-2所示，在第一輸入脈沖信號22的每個脈沖的下降時間，磁通量 (電磁波)73的幅度也幾乎立刻隨著所述下降從高電平到低電平變 化。在上文中，雖然結(jié)合圖8和9介紹了發(fā)射裝置51，但是發(fā)射裝置 51并不限于圖8或9中的例子的結(jié)構(gòu)，并且可以采用各種方式實現(xiàn)，只 要發(fā)射裝置51能夠輸出如圖13所示的集電極電壓Vc (調(diào)幅波72)即可。例如，在圖8和9的例子中，為了降低同相噪聲(in-phase noise)的影響，發(fā)射裝置51設計為這種結(jié)構(gòu)用于調(diào)制和放大的晶 體管TR1和晶體管TR2差分連接?；蛘撸l(fā)射裝置51可以僅由晶體管 TR1和晶體管TR2中的一個形成。此外，在實際中，由于用于調(diào)制和放大的晶體管需要大電流， 所以不是使用如圖8和9所示差分連接的單個晶體管TR1和晶體管 TR2，而是經(jīng)常使用多個晶體管并聯(lián)連接的兩組晶體管，并且這兩組 差分連接。更具體的，例如，發(fā)射裝置51以圖15所示的方式構(gòu)成，用一組 并聯(lián)連接的兩個晶體管TR1和TR2代替圖9的晶體管TR1，用 一組并 聯(lián)連接的兩個晶體管TR1和TR2代替圖9的晶體管TR2，兩組晶體管 差分連接。在這種情況下，對應于通過對與發(fā)射數(shù)據(jù)相應的第一脈沖信號22的波形整形得到的第二脈沖信號71 (圖6)的信號波可以加到晶體 管TR1-1和晶體管TR1-:2的所有發(fā)射極以及晶體管TR2-1和晶體管 TR^:2的發(fā)射極(每組的所有晶體管的發(fā)射極負栽可以變化，并且第 一脈沖信號22的高頻分量可以加到所有的發(fā)射極負栽)，但出現(xiàn)了下 述問題。即，如圖17 (稍后介紹)所示，在發(fā)射裝置51結(jié)合到IC卡系統(tǒng) 的R/W裝置121的情況下，如果作為通信一方的IC卡122離R/W裝置 121太近，則存在發(fā)射裝置51的負載變化的情況。在這種情況下，存 在當圖6的調(diào)幅波72的幅度變化時，由于峰值太強(這部分(對應于 第一脈沖信號22的高頻分量的部分)太強)而使功率發(fā)送中斷的問 題。因此，為了解決該問題，即，為了保證發(fā)射所要求的電功率， 如圖15所示，對應于第二脈沖信號71 (圖6)的信號波可以只加到晶 體管TRl-l和晶體管TRl-2的發(fā)射極，發(fā)射極電阻R3的一端可以連接 到晶體管TRl-2和晶體管TR2-2的發(fā)射極(另一端接地)，而不是上 面的。換句話說，如圖15所示，根據(jù)從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的第 一脈沖信號22而變化發(fā)射極負載(由電阻R1和電阻R2形成的根據(jù)晶 體管TRs的開關而變化的發(fā)射極負栽)和通過反相器lll從包括電容 器C2的差分電路輸出的第一脈沖信號22的高頻分量只加到晶體管 TR1-1和晶體管TR2-1的發(fā)射極，除上述之外的晶體管TRl-2和晶體 管TR2-2的發(fā)射極負載可以是恒定的。此外，發(fā)射裝置51也可以例如如圖16所示構(gòu)成。更具體的，在圖16的例子中，當與圖9的例子相比時，開關晶體 管TRs2的集電極連接到電阻Rl的一端(與此相對的另一端連接到晶 體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射極)。晶體管TRs2的發(fā)射極接地。電阻 R4的一端連接到晶體管TRs2的基極，另一端加有電壓Vcc2。即，晶 體管TRs2—直導通。由一端接地的電阻R5和電容器C2形成的微分電路還連接到晶體管TRs2的基極。即，在圖9的例子中，從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出的 第一脈沖信號的高頻分量直接加到晶體管TR1和晶體管TR2的發(fā)射 極。但是，在圖16的例子中，高頻分量加到晶體管TRs2的基極。晶 體管TRsl與圖9的晶體管TRs相同。此外，發(fā)射裝置51可以是如上述實施例中的單個裝置?；蛘?， 發(fā)射裝置51可以結(jié)合到信息處理裝置中作為信息處理裝置的一部分。例如，如圖17所示，發(fā)射裝置51可以是上述IC卡系統(tǒng)的R/W裝 置的一部分。即，圖17示出了采用本發(fā)明的R/W裝置的結(jié)構(gòu)的例子。如圖17所示，R/W裝置121具有控制整個R/W裝置121的主控制 部分131和數(shù)據(jù)存儲部分132。主控制部分131具有CPU (中央處理單元)141、 ROM (只讀存 儲器)142 (412)和RAM143。 CPU 141根據(jù)存儲在ROM 142中的程 序或者從數(shù)據(jù)存儲部分132等裝載到RAM 143中的程序進行各種處 理。在RAM143中，適當?shù)卮鎯PU141進行各種處理所需的數(shù)據(jù)。主控制部分131還具有載波輸出部分11和發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12,這些與圖6中的相同。R/W裝置121還具有調(diào)制和放大部分13、天線部分14和整形波應用部分61，這些與圖6中的相同。換句話說，在R/W裝置121中，作為發(fā)射部分，所引入的發(fā)射裝 置51具有與圖6中的相同的結(jié)構(gòu)。R/W裝置121還具有檢測部分133、解調(diào)部分134和在主控制部分 131中的數(shù)據(jù)輸入部分144,相對于上述發(fā)射部分(發(fā)射裝置51)構(gòu)成 接收部分。接下來，將簡要介紹R/W裝置121的工作。當將作為R/W裝置121的通信一方的IC卡122放在面對R/W裝置 121的天線部分14的預定距離(通信距離)處時，IC卡122的天線捕 捉從天線部分14輸出的磁通量并彼此諧振，從而達到彼此能夠進行非 接觸通信的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，當預先存儲在數(shù)據(jù)存儲部分132中的第一數(shù)字信息(寫入IC卡1M的數(shù)據(jù)等)作為脈沖信號從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分12輸出 時，根據(jù)與發(fā)射裝置51相同的工作原理，信號疊加到從載波輸出部分 ll輸出的栽波上(調(diào)幅波)，波加到天線部分14，并且波作為電磁波 從天線部分14輸出。從天線部分14輸出的電磁波被IC卡122的天線接收，并且該波被 IC卡122的IC以上述方式檢測并解調(diào)為第一原始信息。當?shù)谝恍畔⑹?要存儲在存儲器(未示出)中的數(shù)據(jù)時，第一信息存儲到IC中的存 儲器中。另一方面，當?shù)谝恍畔⑹亲x出信息的指令時，根據(jù)第一信息 從IC中的存儲器中讀出預定的信息。報告第一信息記錄在存儲器中的響應數(shù)據(jù)或者從IC卡中的存儲 器中讀出的數(shù)據(jù)(第二數(shù)字信息)由IC疊加到栽波上，并且該波通 過IC卡122的天線加到R/W裝置121的天線部分14。更具體的，在本例中，在IC卡22中，在第二信息編碼之后，根 據(jù)信號的邏輯值，IC卡122的天線的等效負栽是變化的。IC卡122的天線的負載變化表現(xiàn)為在R/W裝置121的天線部分14的天線端的負載變化。因此，檢測部分133檢測該負栽變化作為載波的幅度變化分量， 即，ASK (幅移鍵控)調(diào)制信號。即，在本例中，對于從IC卡122到R/W裝置121的數(shù)據(jù)的發(fā)射， 采用負栽調(diào)制方法，在編碼要發(fā)射的數(shù)據(jù)之后，通過根據(jù)信號的邏輯 值改變從天線端向內(nèi)部看的負栽，輻射的電磁波被ASK調(diào)制。解調(diào)部分134從由檢測部分133檢測到的ASK調(diào)制信號(載波的 幅度變化分量)解調(diào)出對應于第二數(shù)字信息的脈沖信號，并將脈沖信 號加到接收數(shù)據(jù)輸入部分144。當對應于來自解調(diào)部分134的脈沖信號的笫二數(shù)字信息是響應數(shù) 據(jù)時，接收數(shù)據(jù)輸入部分144將其送到CPU 141。另一方面，當?shù)诙?數(shù)字信息是要寫入到數(shù)據(jù)存儲部分132的數(shù)據(jù)時，數(shù)據(jù)被寫入(存 儲)到數(shù)據(jù)存儲部分132。當?shù)玫巾憫獢?shù)據(jù)時，CPU 141進行對應于 響應數(shù)據(jù)的處理。如此，R/W裝置121通過天線部分14與IC卡122進行非接觸通 信，將第一數(shù)字信息寫入IC卡122，從IC卡122中讀出第二數(shù)字信 息。在上述方式中，在本發(fā)明的發(fā)射裝置51 (圖6)中，對應于發(fā)射 數(shù)據(jù)的矩形波形的第一脈沖信號22為輸入。產(chǎn)生對應于經(jīng)過波形整形 的第二脈沖信號71的信號波，從而在第一輸入脈沖信號22的每個脈沖 的上升時間的電平比第一脈沖信號22處于穩(wěn)態(tài)時的高電平(H)還 高，而在第 一輸入脈沖信號22的每個脈沖的下降時間的電平比第一脈 沖信號22處于穩(wěn)態(tài)時的低電平還低。所產(chǎn)生的信號波加到調(diào)制和放大 部分13的晶體管(例如，圖9的晶體管TR1和晶體管TR2 )的發(fā)射 極。結(jié)果，根據(jù)對應于加到晶體管的發(fā)射極的第二脈沖信號71的信號 波，加到晶體管的基極的栽波22被幅度調(diào)制成調(diào)幅波72。調(diào)幅波72通 過晶體管的集電極加到天線部分14 (提供驅(qū)動能量)，調(diào)幅波"作為 電磁波73從包括諧振電路的天線部分14發(fā)射出去。由于從天線部分14輸出的電磁波73的幅度以幾乎立刻隨對應于 上述發(fā)射數(shù)據(jù)的第一脈沖信號而變化，所以由接收器接收的電磁波73 可以被接受器幾乎精確的解調(diào)為第一原始脈沖信號22。即，對于本發(fā) 明的發(fā)射裝置51能夠減少在接收端出現(xiàn)通信故障的次數(shù)。此外，例如，如圖9所示，可以通過在常規(guī)發(fā)射裝置l (圖2)中 增加由電容器C2和反相器111構(gòu)成的簡單電路構(gòu)成發(fā)射裝置51，所以 可以以與常規(guī)發(fā)射裝置l大致相同的成本和幾乎相同的硬件資源水平 制造發(fā)射裝置51。換句話說，僅僅通過不需要成本的修改和在常規(guī)發(fā)射裝置l中增 加整形波形應用部分61的簡單工作就可以構(gòu)成發(fā)射裝置51。更具體 的，例如，當具有圖2結(jié)構(gòu)的常規(guī)發(fā)射裝置1改進為具有圖9結(jié)構(gòu)的發(fā) 射裝置51時，進行改進的人可以如圖9所示連接電容器C2和反相器 111。在發(fā)射裝置51的上述實施例中，使用了晶體管?；蛘?，在除圖 12所示的結(jié)構(gòu)以外，可以用場效應晶體管(FET晶體管)代替晶體例如，在具有圖9結(jié)構(gòu)的發(fā)射裝置51中，可以分別用場效應晶體 管FET1和場效應晶體管FET2 (未示出)代替晶體管TR1和晶體管 TR2。但是，在這種情況下，場效應晶體管FET1和場效應晶體管 FET2的連接方式為柵極分別對應于晶體管TR1和晶體管TR2的基 極，源極對應于發(fā)射極，漏極對應于集電極。
權利要求
1. 一種用于對通過包含諧振電路的天線發(fā)射的數(shù)字數(shù)據(jù)進行幅度調(diào)制的電子電路，所述電子電路包括調(diào)制電路，用于根據(jù)加到該調(diào)制電路的信號波對加到該調(diào)制電路的載波進行幅度調(diào)制，形成調(diào)幅波，并將該調(diào)幅波輸出到所述天線；以及輸入對應于所述數(shù)字數(shù)據(jù)的矩形波形的第一脈沖信號的信號波產(chǎn)生電路，用于對應于經(jīng)過波形整形的第二脈沖信號產(chǎn)生所述信號波，從而使得在所述第一輸入脈沖信號的每個脈沖的上升時間的電平比所述第一信號穩(wěn)態(tài)時的高電平還高，而在所述第一輸入脈沖信號的每個脈沖的下降時間的電平比所述第一信號穩(wěn)態(tài)時的低電平還低，該信號波產(chǎn)生電路并用于將產(chǎn)生的所述信號波加到所述調(diào)制電路。
2. 根據(jù)權利要求l的電子電路，其中所述調(diào)制電路具有第一晶 體管，所述信號波產(chǎn)生電路包括作為所述第一晶體管的發(fā)射極負載的負載電路； 根據(jù)所述第一脈沖信號改變所述負載電路的發(fā)射極負載的負載 改變電路；以及提取所述第一脈沖信號的高頻分量的提取電路，其中通過將所述提取電路提取出的所述第一脈沖信號的所述高 頻分量加到所述負栽電路產(chǎn)生對應于所述第二脈沖信號的所述信號 波。
3. 根據(jù)權利要求2的電子電路，其中所述提取電路是微分電路。
4. 根據(jù)權利要求2的電子電路，其中所述信號波產(chǎn)生電路還包 括連接到所述提取電路的輸入端的緩沖器。
5. 根據(jù)權利要求2的電子電路，其中所述負栽改變電路包括作 為根據(jù)加到其基極的所述第一脈沖信號通斷的開關的第二晶體管，其 通過在所述第二晶體管關斷時將作為發(fā)射極負栽的一部分的預定元件從所述負載電路斷開，并在所述第二晶體管導通時通過將所述斷開的 元件連接到所述負載電路，來改變發(fā)射極負載，并且所述信號波產(chǎn)生電路還包括連接到所述提取電路的輸入端的反 相器電路。
6. 根據(jù)權利要求5的電子電路，其中所述反相器電路由作為開 關的第三晶體管和電阻構(gòu)成。
7. 根據(jù)權利要求6的電子電路，其中所述反相器電路包括作為 所述第三晶體管的 一組NPN型晶體管和PNP型晶體管。
8. 根據(jù)權利要求7的電子電路，其中所述反相器電路還包括連 接在每個所述NPN型晶體管和所述PNP型晶體管的基極和集電極之間的肖特基二極管。
9. 根據(jù)權利要求2的電子電路，其中所述調(diào)制電路具有多個所 述第一晶體管，不同于形成所述負載電路的電阻的發(fā)射極電阻連接到所述多個 第一晶體管中的一個或多個第一預定晶體管的發(fā)射極，并且所述信號波產(chǎn)生電路將對應于通過整形所述第一脈沖信號的波 形得到的所述第二脈沖信號的所述信號波加到所述多個第一晶體管中 除了發(fā)射極連接到所述發(fā)射極電阻上的晶體管之外的所述第 一 晶體管 的發(fā)射極。
全文摘要
本申請公開了一種電子電路、調(diào)制方法、信息處理裝置以及信息處理方法。整形波應用部分輸入對應于從發(fā)射數(shù)據(jù)輸出部分輸出的發(fā)射數(shù)據(jù)的第一脈沖信號，并將對應于第二脈沖信號的信號波加到調(diào)制和放大部分，從而整形第一脈沖信號的波形。加到調(diào)制和放大部分的晶體管的基極的脈沖信號被幅度調(diào)制為調(diào)幅波，其中根據(jù)對應于加到其發(fā)射極的第二脈沖信號的信號波增強幅度調(diào)制部分。通過其集電極將調(diào)幅波加到含有諧振電路的天線部分，并作為電磁波從天線部分發(fā)射出去。
文檔編號H03C1/44GK101282106SQ200810099000
公開日2008年10月8日 申請日期2003年10月16日 優(yōu)先權日2002年10月16日
發(fā)明者前田龍男, 山形昭彥 申請人:索尼株式會社