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      一體式引線晶體基座組件的制作方法

      文檔序號:7514695閱讀:357來源:國知局
      專利名稱:一體式引線晶體基座組件的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種基座,尤其涉及一種石英晶體元器件的一體式引線 晶體基座組件。
      背景技術(shù)
      石英晶體是信息產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵的頻率電子元器件之一。它廣泛的用于通訊、 計(jì)算機(jī)、家用電器和各種工業(yè)電子設(shè)備中,在軍用電子裝備中同樣占有重要 地位。概括地說,凡是涉及與頻率領(lǐng)域有關(guān)的石英晶體元器件都是必不可少 的,因此使它應(yīng)用領(lǐng)域也越來越廣泛,市場前景也越來越好。石英晶體元器 件等基礎(chǔ)類產(chǎn)品是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。
      新型電子元器件是我國信息產(chǎn)業(yè)"十五"發(fā)展的重點(diǎn),是促進(jìn)我國國民 經(jīng)濟(jì)信息化、以信息化帶動工業(yè)化,增強(qiáng)我國傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭 力的重要基礎(chǔ),有利于促進(jìn)電子技術(shù)和整機(jī)更新?lián)Q代。
      改革開放、國際生產(chǎn)的大轉(zhuǎn)移給我國發(fā)展電子元器件帶來了機(jī)遇,其生 產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟(jì)總量不斷擴(kuò)大。但總體水平不高,尤其是新型元器件產(chǎn)品品種、 數(shù)量、質(zhì)量乃至生產(chǎn)方式等諸方面與世界先進(jìn)水平尚有一定的差距,國產(chǎn)元
      器件國內(nèi)市場滿足率僅在50%左右。
      信息產(chǎn)業(yè)"十五"計(jì)劃綱要中明確提出"以元器件產(chǎn)品升級換代,滿 足提高電子整機(jī)本地化率和擴(kuò)大出口為目標(biāo),發(fā)展片式化、微小型化、多功 能化的新型元器件產(chǎn)品,加強(qiáng)新型元器件和新型顯示器件的開發(fā),以適應(yīng)新一代數(shù)字技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展需要。擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,增加品種,提高產(chǎn)品質(zhì)量, 擴(kuò)大出口,使我國成為世界電子元器件的生產(chǎn)大國和出口大國"。進(jìn)入20世紀(jì)90年代,隨著電子設(shè)備的小型化、微型化,特別是移動通信設(shè)備和計(jì)算機(jī)的小型化發(fā)展,要求電子元器件朝著小型化、片式化、集成 化方向發(fā)展。近幾年,我國石英晶體元器件的小型化、微型化產(chǎn)品比例增幅 較快,但作為為其配套的晶體殼座發(fā)展滯后,國內(nèi)急需的高檔產(chǎn)品需要大量 進(jìn)口,尤其是新型晶體基座,已影響了行業(yè)的發(fā)展。近幾年,東南亞與中國 的石英晶體元器件生產(chǎn)發(fā)展迅速,市場競爭也更加激烈。而世界范圍的石英 晶體元器件生產(chǎn)一直保持較高的增長幅度,世界范圍內(nèi)的信息產(chǎn)業(yè)裝處于大 發(fā)展時期,通訊設(shè)備、汽車電子、計(jì)算機(jī)、家用電器和辦公自動化設(shè)備的不 斷更新?lián)Q代與產(chǎn)量增加,將大大促進(jìn)世界石英晶體元器件生產(chǎn)進(jìn)入一個高速 發(fā)展的時期。為了適應(yīng)這種新形式,電子元器件生產(chǎn)國日本、韓國、臺灣在 本土和中國建立了許多子公司和工廠。目前,日本的六、七個集團(tuán)公司的生產(chǎn)量就占了總產(chǎn)量的40%左右,產(chǎn)品也向高頻化、高穩(wěn)定度、微小型轉(zhuǎn)化。 工藝也越來越精細(xì)化和產(chǎn)品無污染綠色化發(fā)展。而我國的石英晶體元器件技 術(shù)發(fā)展比較滯后,大部分廠家的產(chǎn)品仍舊是普通型的元器件,低頻率、穩(wěn)定 性不好、產(chǎn)品有污染,這一現(xiàn)象影響了整個行業(yè)的整體發(fā)展。 實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題本實(shí)用新型提供一種一體式引線晶體基座組件,目 的是提高頻率、抗電磁干擾性,抗跌落能力。為達(dá)上述目的一體式引線晶體基座組件,包括基座、引線、玻璃珠,設(shè) 置石英晶片部分的引線形狀為波形。所述在設(shè)置石英晶片部分的引線設(shè)有波形孔。所述的引線的下引線外層為無鉛錫合金。所述的基座下部設(shè)有一道環(huán)形筋。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)效果可以調(diào)節(jié)高頻,抗電磁干擾性能好,提高頻率, 增加抗震性能。

      圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1中放大部分的側(cè)視圖。 圖3是本實(shí)用新型的俯視圖。圖中K基座;2、引線;3、玻璃珠;4、波形孔;5、環(huán)形筋。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。參照附圖本實(shí)用新型一體式引線晶體基座組件,包括基座l、引線2、 玻璃珠3,設(shè)置石英晶片部分的上引線形狀為波形。在設(shè)置石英晶片部分的 引線設(shè)有波形孔4。所述的引線2的下引線外層為無鉛錫合金,且上引線與 下引線一體加工成型。所述的基座1底部設(shè)有一道環(huán)形筋5。
      權(quán)利要求1、 一體式引線晶體基座組件,包括基座、引線、玻璃珠,其特征在于 所述的設(shè)置石英晶片部分的引線形狀為波形。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式引線晶體基座組件,其特征在于在設(shè) 置石英晶片部分的引線設(shè)有波形孔。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式引線晶體基座組件,其特征在于所述 的引線外層為無鉛錫合金。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式引線晶體基座組件,其特征在于所述 的基座底部設(shè)有一道環(huán)形筋。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及一種基座,尤其涉及一種石英晶體元器件的一體式引線晶體基座組件。一體式引線晶體基座組件,包括基座、引線、玻璃珠,設(shè)置石英晶片部分的引線形狀為波形。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)效果可以調(diào)節(jié)高頻,抗電磁干擾性能好,提高頻率,增加抗震性能。
      文檔編號H03H9/05GK201156722SQ20082001134
      公開日2008年11月26日 申請日期2008年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
      發(fā)明者倪永貴 申請人:倪永貴
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