專利名稱：片式石英晶體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種片式頻率器件的結(jié)構(gòu)， 一種表面安裝用的片式石英晶體元件。
背景技術(shù)：
表面安裝用的片式石英晶體元件.已有的結(jié)構(gòu)是將石英晶體振子安裝在帶金屬環(huán)的氧化鋁基座內(nèi)，再用電阻焊的方法把金屬蓋子封裝上。這種結(jié)構(gòu)制作比較復(fù)雜，而且要依靠專用設(shè)備進(jìn)行裝配，制造成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型旨在提出一種片式石英晶體元件的新型結(jié)構(gòu)，較易制作，所用設(shè)備也較簡(jiǎn)單。
這種片式石英晶體元件包括石英晶體振子、低介電常數(shù)低介質(zhì)損耗的介質(zhì)陶瓷上蓋和低介電常數(shù)低介質(zhì)損耗的介質(zhì)陶瓷基座。介質(zhì)陶覺基座的中部有一矩形的下凹部，此下凹部的兩端各有一臺(tái)階，此臺(tái)階上有金屬化電極，石英晶體振子用導(dǎo)電膠粘貼在上述介質(zhì)陶瓷外殼的下凹部?jī)?nèi)的臺(tái)階上。
這種片式石英晶體元件采用介質(zhì)陶瓷的基座，制作比較簡(jiǎn)單，可以采用制作成基座大片再切割成單個(gè)基座的方法，有利于成批生產(chǎn)。


附圖1為片式石英晶體元件的結(jié)構(gòu)；附圖2為介質(zhì)陶瓷基座的結(jié)構(gòu)；附圖3為介質(zhì)陶瓷基座大片；附圖4為圖3的A—A剖視圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，這種片式石英晶體元件包括石英晶體振子1、介質(zhì)陶瓷上蓋2和介質(zhì)陶瓷基座3。如圖2所示，介質(zhì)陶資基座中部有一矩形的下凹部5，此下凹部的兩端各有一個(gè)臺(tái)階6，此臺(tái)階上有金屬化電極。所迷的石英晶體振子1用導(dǎo)電膠4粘貼在上述介質(zhì)陶瓷基座的下凹部?jī)?nèi)的臺(tái)階上。下凹部?jī)啥说呐_(tái)階使石英晶體有充足的振動(dòng)空間。
這種片式石英晶體元件制作時(shí)，其中的介質(zhì)陶瓷基座可以用二氧化鈦、碳酸4丐、堿式碳酸鎂、氧化鑭等配制的陶瓷M,采用抽芯模具壓制成型的方法，做成圖3和圖4所示的介質(zhì)陶瓷基座大片。經(jīng)成燒、研磨、進(jìn)行電極金屬化處理后切割成圖2所示的單個(gè)基座，再進(jìn)行側(cè)電極金屬化。然后，把石英晶體振子裝入基座的下凹部?jī)?nèi)，用導(dǎo)電膠粘結(jié)住，調(diào)準(zhǔn)頻率后，再蓋上介質(zhì)陶乾上蓋，用環(huán)氧初t脂進(jìn)行密封封裝。也可釆用大片組裝,再切割成單個(gè)元件的工藝。
這種片式石英晶體元件制造過程中的介質(zhì)陶t:基座大片也可用下述方法來制作先壓制燒成平板介質(zhì)陶瓷大片，磨平后貼上沖有空腔形狀的保護(hù)膜，然后用噴砂工藝形成基座的下凹部和臺(tái)階。這種方法可以適用于制造小型的產(chǎn)品和要求更高精度的產(chǎn)品。
這種用介質(zhì)陶瓷作封裝外殼的片式石英晶體元件氣密性好，制造成本低，而且制造方法簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率高，產(chǎn)品尺寸易于系列化。
權(quán)利要求1、一種片式石英晶體元件，包括石英晶體振子(1)、低介電常數(shù)低介質(zhì)損耗的介質(zhì)陶瓷上蓋(2)和低介電常數(shù)低介質(zhì)損耗的介質(zhì)陶瓷基座(3)，其特征是所述的介質(zhì)陶瓷基座的中部有一矩形的下凹部(5)，此下凹部的兩端各有一個(gè)臺(tái)階(6)，此臺(tái)階上有金屬化電極，所述的石英晶體振子用導(dǎo)電膠(4)粘貼在上述介質(zhì)陶瓷外殼的下凹部?jī)?nèi)的臺(tái)階上。
專利摘要一種片式石英晶體元件，包括石英晶體振子(1)、低介電常數(shù)低介質(zhì)損耗的介質(zhì)陶瓷上蓋(2)和低介電常數(shù)低介質(zhì)損耗的介質(zhì)陶瓷基座(3)。介質(zhì)陶瓷基座的中部有一矩形的下凹部(5)，此下凹部的兩端各有一個(gè)臺(tái)階(6)，此臺(tái)階上有金屬化電極，所述的石英晶體振子用導(dǎo)電膠(4)粘貼在上述介質(zhì)陶瓷外殼的下凹部?jī)?nèi)的臺(tái)階上。這種片式石英晶體元件采用介質(zhì)陶瓷的基座，制作比較簡(jiǎn)單，可以采用制作成基座大片再切割成單個(gè)基座的方法，也可采用大片組裝，再切割成單個(gè)元件的工藝，有利于成批生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H03H9/02GK201263137SQ20082016334
公開日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2008年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月25日
發(fā)明者康 王, 王英強(qiáng), 陳宏偉 申請(qǐng)人:浙江嘉康電子股份有限公司