專利名稱：一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體諧振器的生產(chǎn)方法，具體涉及一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn) 方法。
背景技術(shù)：
隨著微波通訊、衛(wèi)星、航天、雷達(dá)等技術(shù)的發(fā)展，高基頻石英晶體越來越廣泛地被 商業(yè)和軍事所應(yīng)用。由于是基音石英晶體，相比于高次泛音晶體(如3次泛音或5次泛音)， 同一頻率的晶體，其厚度是后者的1/3或1/5，且由于頻率很高，因此其晶片本身的質(zhì)量很 小?，F(xiàn)有的高基頻晶體諧振器大都采用密度很小的(約為銀的1/4)鋁作為電極材料，但鋁很 易氧化，使用化學(xué)方法進(jìn)行微調(diào)頻率，易產(chǎn)生化學(xué)污染，頻率控制精度低，不便于批量生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法，可有效防止鋁電極的氧 化及提高頻率控制精度，操作簡(jiǎn)單易行，且適于批量生產(chǎn)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案 一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法，包括如下步驟
步驟A，選取石英晶片進(jìn)行加工，使石英晶片頻率為152. 6MHz士 120kHz ；步驟B，在真空 條件下，先在石英晶片上蒸鍍鋁層，使石英晶片頻率值降低到149. 67MHz士 120kHz，再在鋁 層表面蒸鍍銀層，使石英晶片頻率降低到149. OMHz士 120kHz ；
步驟C，在真空設(shè)備中，用離子刻蝕方法轟擊銀層，使石英晶片的頻率的中心值回升至 150MHz 士 5kHz。
進(jìn)一步，所述步驟A中，石英晶片的厚度約為0. 011mm。進(jìn)一步，所述步驟C中，采用氬離子轟擊銀層。本發(fā)明的有益效果為
本發(fā)明用銀膜覆蓋鋁電極，防止鋁電極的氧化，便于后續(xù)的離子刻蝕；將以前化學(xué)腐蝕 的方法改變?yōu)殡x子刻蝕的工藝調(diào)整高基頻晶體諧振器頻率達(dá)到或趨近標(biāo)稱頻率，用離子刻 蝕的方法調(diào)頻，可以有效控制污染，提高頻率精度；使用該方法生產(chǎn)的高基頻晶體諧振器電 性能穩(wěn)定，頻率穩(wěn)定度高。本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進(jìn)行闡述，并 且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可 以從本發(fā)明的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。
具體實(shí)施例方式以生產(chǎn)頻率為150MHz的高基頻晶體諧振器為例
步驟A，選取石英晶片進(jìn)行加工，使石英晶片頻率的中心值為152. 6MHz ；
由于高基頻晶體諧振器的頻率高達(dá)150MHz，故石英晶片的厚度依據(jù)標(biāo)稱頻率計(jì)算，只k lJ64mm MHz
有150搬 =0-01W，猶，鄉(xiāng)摘曰曰曰腦軸Φ心it為152.6MHz。步驟B，在真空條件下，先蒸鍍鋁層(即鋁電極)，使頻率降低到149. 67MHz，然后馬 上在鋁層表面再蒸鍍銀層，即在鋁電極上蒸鍍銀層，使頻率降低到149. OMHz (使頻率略低于 標(biāo)稱頻率)；這樣在晶片取出真空室時(shí)，就可以避免鋁層(即鋁電極)的氧化。步驟C，用離子刻蝕的方法校頻，即在真空設(shè)備中，用氬離子轟擊銀層，轟擊掉部分 銀層，使頻率逐步回升到標(biāo)稱頻率(150MHZ 士 5kHz)。采用物理方法即離子刻蝕的方法進(jìn)行頻率微調(diào)，該方法是在離子刻蝕設(shè)備上進(jìn) 行，其優(yōu)點(diǎn)是頻率控制精度高，易于批量生產(chǎn)。高基音晶體諧振器，因其石英晶片很薄，大約只有0.01mm厚，石英晶片的質(zhì)量很 小，故在石英晶片上做電極時(shí)，一般采用密度較小的鋁(Al)做電極。用鋁做電極，在頻率校 準(zhǔn)時(shí)都是采用化學(xué)腐蝕的技術(shù)，將多余的鋁層腐蝕下來，以使頻率達(dá)到或接近要求的標(biāo)稱 頻率，但這種校頻方法只適宜于開發(fā)研制階段——不需要大型設(shè)備、配置一些化學(xué)藥劑即 可開展試制。且由于是用化學(xué)制劑，存在以下缺點(diǎn)腐蝕藥劑不易清洗干凈，極容易殘留腐 蝕性藥劑；在晶體元件中，即使殘留有微量的腐蝕性物質(zhì)，也會(huì)使晶體產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)逐步降 低；用化學(xué)腐蝕的方法校驗(yàn)頻率目前只能逐個(gè)進(jìn)行，再多次檢測(cè)、驗(yàn)證，生產(chǎn)效率低，無法實(shí) 施批量生產(chǎn)。鋁電極易氧化，由于有氧化層的保護(hù)，不便利用于真空離子或激光刻蝕的技 術(shù)。最后說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案所做的其他修改或者等同替換，只要不脫離本發(fā)明技術(shù)方案 的精神和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法，其特征在于包括如下步驟步驟A，選取石英晶片進(jìn)行加工，使石英晶片頻率的中心值為152. 6MHz士 120kHz ； 步驟B，在真空條件下，先在石英晶片上蒸鍍鋁層，使石英晶片頻率的中心值降 低到149. 67MHz士 120kHz，再在鋁層表面蒸鍍銀層，使石英晶片頻率的中心值降低到 149. OMHz士120kHz ；步驟C，在真空設(shè)備中，用離子刻蝕方法轟擊銀層，使石英晶片的頻率的中心值回升至 150MHz 士 5kHz。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟A 中，石英晶片的厚度為0. 011mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟C 中，采用氬離子轟擊銀層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高基頻晶體諧振器的生產(chǎn)方法，包括如下步驟步驟A，選取石英晶片進(jìn)行加工，使石英晶片頻率為152.6MHz±120kHz；步驟B，在真空條件下，先在石英晶片上蒸鍍鋁層，使石英晶片頻率降低到149.67MHz±120kHz，再在鋁層表面蒸鍍銀層，使石英晶片頻率降低到149.0MHz±120kHz；步驟C，在真空設(shè)備中，用離子刻蝕方法轟擊銀層，使石英晶片的頻率回升至150MHz±5kHz。本發(fā)明可有效防止鋁電極的氧化及提高頻率控制精度，操作簡(jiǎn)單易行，且適于批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H03H3/02GK102088274SQ20101057896
公開日2011年6月8日 申請(qǐng)日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者劉尊偉, 鄒飛 申請(qǐng)人:鄭州原創(chuàng)電子科技有限公司