專利名稱：At切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及水晶電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是一種AT切高基頻復(fù)合壓電水 晶振動(dòng)子。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的水晶振動(dòng)子為單片晶體振動(dòng)子，其厚度經(jīng)一般研磨后達(dá)到研磨工藝極限；
若要得到超薄晶片，往往以高能粒子束一光束或離子束刻蝕的方法來實(shí)現(xiàn)，這樣需要的 刻蝕設(shè)備造價(jià)高，且設(shè)備維護(hù)費(fèi)用昂貴，超薄晶片無法批量生產(chǎn)，高檔的單片超薄晶片的成
本高達(dá)一萬元左右；且一旦刻蝕發(fā)生失誤，晶片容易碎裂，造成極大地浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是研制一種結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、適合大規(guī)模批量生產(chǎn)的AT切高基 頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子。 本發(fā)明AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，包括諧振晶片1、支撐晶片2，諧振晶片 l和支撐晶片2之間以粘接劑相粘合為一個(gè)整體，支撐晶片2中心用超聲波或激光開有鍍膜 孔3。 諧振晶片1為經(jīng)一般研磨的普通單片晶體振動(dòng)子。 支撐晶片2和諧振晶片1的材質(zhì)相同。 支撐晶片2和諧振晶片1的外輪廓一致。 鍍膜孔3的尺寸依據(jù)公式C。 = e /4K Ji XA/T。計(jì)算得出； 其中C。為晶片靜電容，e為水晶的介電常數(shù)，K為靜電常數(shù)，Ji為圓周率，A為鍍 膜面積，T。為晶片厚度； 晶片厚度T。與基頻頻率F。的換算公式為F。 = k /T。， k為壓電常數(shù)。
C。 = 0. 02D2F。為上述公式的圓型晶片的簡化算式；
其中C。為晶片靜電容，D為圓型晶片直徑，F(xiàn)。為基頻頻率。 所述粘接劑為孝昌縣晶鑫電子科技有限公司生產(chǎn)并對外銷售的JXJ-T01型號(hào)的 抗高溫耐腐蝕505型粘接劑，公司地址為湖北孝昌縣城南經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)站前2路全洲工業(yè)園 內(nèi)，郵編為432900。 本發(fā)明AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子的工作原理在于利用支撐晶片2增加諧 振晶片1的研磨厚度和抗磨張力，使之充分研磨至所需頻率，達(dá)到所需要的超薄厚度；鍍膜 孔3則滿足諧振晶片1諧振的電參數(shù)。 本發(fā)明AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子的優(yōu)點(diǎn)是諧振晶片與支撐晶片連成一 體進(jìn)行研磨，有效地解決了研磨中超薄晶片強(qiáng)度不足而無法克服的難題；同時(shí)用平面研磨 替代光刻蝕或離子刻蝕，摒棄昂貴的刻蝕設(shè)備及其維護(hù)費(fèi)用，實(shí)現(xiàn)了超薄晶片的批量生產(chǎn)， 從而生產(chǎn)成本大幅降低至現(xiàn)有方法所耗成本的1% _5%。
產(chǎn)品經(jīng)測試后達(dá)到的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)
附主要技術(shù)指標(biāo)
1、 振動(dòng)頻率范圍50 200MHZ。振動(dòng)模式基頻
2、 切型切角AT35。
(9' 16' )±15"
3、 溫度頻差± (5 30)卯m， -20 +70°C，以25士3。C為基準(zhǔn)
4、 常溫頻差± (5 30)卯m，25士3。C
5、 諧振電阻等效電阻Rr《40 Q
6、 外型尺寸(1.0X1.2) (3. 5X5. 08)mm ;或①(3. 0 8. 9)
7、 適應(yīng)溫度范圍-40 +85°C ;工作溫度范圍-20 +70°C
8、 寄生響應(yīng)衰減5dPmin，寄生波電阻^ 2Rr
9、 機(jī)械性能符合《壓電石英晶體總規(guī)范》-GB12273-9

圖1為AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)圖1所示，一種AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，包括諧振晶片1、支撐晶 片2，諧振晶片1和支撐晶片2之間以粘接劑相粘合為一個(gè)整體，支撐晶片2中心用超聲波 或激光開有鍍膜孔3。 諧振晶片1為經(jīng)一般研磨的普通單片晶體振動(dòng)子。 支撐晶片2和諧振晶片1的材質(zhì)相同。 支撐晶片2和諧振晶片1的外輪廓一致。 鍍膜孔3的尺寸依據(jù)公式C。 = e /4K Ji XA/T。計(jì)算得出； 其中C。為晶片靜電容，e為水晶的介電常數(shù)，K為靜電常數(shù)，Ji為圓周率，A為鍍 膜面積，T。為晶片厚度； 晶片厚度T。與基頻頻率F。的換算公式為F。 = k /T。， k為壓電常數(shù)。
C。 = 0. 02D2F。為上述公式的圓型晶片的簡化算式；
其中C。為晶片靜電容，D為圓型晶片直徑，F(xiàn)。為基頻頻率。 所述粘接劑為孝昌縣晶鑫電子科技有限公司生產(chǎn)并對外銷售的JXJ-T01型號(hào)的 抗高溫耐腐蝕505型粘接劑，公司地址為湖北孝昌縣城南經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)站前2路全洲工業(yè)園 內(nèi)，郵編為432900。
權(quán)利要求
一種AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，包括諧振晶片(1)，諧振晶片(1)為經(jīng)一般研磨的普通單片晶體振動(dòng)子，其特征在于還有支撐晶片(2)，諧振晶片(1)和支撐晶片(2)之間以粘接劑相粘合為一個(gè)整體，支撐晶片(2)中心用超聲波或激光開有鍍膜孔(3)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，其特征在于支撐晶片 (2)和諧振晶片(1)的材質(zhì)相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，其特征在于支撐晶片 (2)和諧振晶片(1)的外輪廓一致。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，其特征在于鍍膜孔(3) 的尺寸依據(jù)公式C。 = e /4K Ji XA/T。計(jì)算得出；其中C。為晶片靜電容，e為水晶的介電常數(shù)，K為靜電常數(shù)，Ji為圓周率，A為鍍膜面 積，T。為晶片厚度；晶片厚度T。與基頻頻率F。的換算公式為F。 = k /T。， k為壓電常數(shù)。
全文摘要
一種AT切高基頻復(fù)合壓電水晶振動(dòng)子，包括諧振晶片(1)、支撐晶片(2)，諧振晶片(1)為經(jīng)一般研磨的普通單片晶體振動(dòng)子，諧振晶片(1)和支撐晶片(2)之間以粘接劑相粘合為一個(gè)整體，支撐晶片(2)中心用超聲波或激光開有鍍膜孔(3)。其優(yōu)點(diǎn)是諧振晶片與支撐晶片一起進(jìn)行研磨，有效地解決了研磨中超薄晶片強(qiáng)度不足而無法克服的難題；同時(shí)用平面研磨替代光刻蝕或離子刻蝕，摒棄昂貴的刻蝕設(shè)備及其維護(hù)費(fèi)用，實(shí)現(xiàn)了超薄晶片的批量生產(chǎn)，從而生產(chǎn)成本大幅降低至現(xiàn)有方法的1％-5％。
文檔編號(hào)H03H9/17GK101795121SQ201010107649
公開日2010年8月4日 申請日期2010年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者彭常青 申請人:孝昌縣晶鑫電子科技有限公司