專利名稱：一種新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及石英晶體諧振器，特別涉及一種新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧 振器。
背景技術(shù)：
隨著汽車行業(yè)發(fā)展，越來越多的汽車朝向電子化發(fā)展，于是應(yīng)用于汽車的石英晶 體諧振器的可靠性，穩(wěn)定性的要求也隨之升高。如圖1和圖2所示，原來一直采用的彈片 支撐結(jié)構(gòu)普通石英晶體諧振器，已經(jīng)無法滿足需求，在市場競爭激烈的條件下，全金屬結(jié)構(gòu) 封裝石英晶體諧振器單價日趨低廉，只有對產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新，降低成本，才有更好的市場競爭 力。所以針對高可靠性穩(wěn)定性的需求，對諧振器的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改良，新設(shè)計出了這款全金屬 結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振 器，滿足DIP(雙列直插式封裝)與SMD(表面貼著組件)封裝技術(shù)在消費性電子市場與汽 車電子市場的應(yīng)用需求。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝 石英晶體諧振器，包括金屬蓋、金屬基座、芯片、金屬薄膜和導(dǎo)電膠，所述的芯片上覆蓋有所 述的金屬薄膜，所述的金屬基座采用兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)；所述的金屬薄膜的形狀為 雙邊電極形狀；所述的芯片利用導(dǎo)電膠固定在所述的金屬基座的兩個圓柱支撐結(jié)構(gòu)上；所 述的金屬蓋蓋在所述的金屬基座上方。所述的金屬基座上的兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)的中心間距為4. 88mm,圓柱直徑范 圍為 1. Omm 2. 0mm。所述的芯片的體積范圍為3. 0*0. 8*0. 03mm至6. 0*2. 8*0. 42mm。所述的石英晶體諧振器采用雙列直插式封裝技術(shù)，其體積范圍為
11.5*5. 0*15. 08mm至11. 5*5. 0*16. 88mm，或采用表面貼著組件封裝技術(shù)，其體積為范圍為
12.7*4. 8*2. Omm 至 12. 7*4. 8*3. 8mm。有益效果由于采用了上述的技術(shù)方案，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點和積 極效果本實用新型采用兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)改善抗冷熱沖擊與抗高溫老化性能，從 而滿足DIP (雙列直插式封裝)與SMD (表面貼著組件)封裝技術(shù)在消費性電子市場與汽車 電子市場的應(yīng)用需求。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器內(nèi)部結(jié)構(gòu)俯視圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器內(nèi)部結(jié)構(gòu)前視3[0012]圖3是本實用新型的全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器內(nèi)部結(jié)構(gòu)俯視圖；圖4是本實用新型的全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器內(nèi)部結(jié)構(gòu)前視圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例，進(jìn)一步闡述本實用新型。應(yīng)理解，這些實施例僅用于說明本 實用新型而不用于限制本實用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實用新型講授的內(nèi)容 之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本實用新型作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申 請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。本實用新型的實施方式涉及一種新型車載專用玻璃封裝陶瓷石英晶體諧振器，如 圖3和圖4所示，包括金屬蓋1、金屬基座2、芯片3、金屬薄膜4和導(dǎo)電膠5，所述的芯片3 上覆蓋有所述的金屬薄膜4，所述的金屬基座2采用兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)；所述的金 屬薄膜4的形狀為雙邊電極形狀；所述的芯片3利用導(dǎo)電膠5固定在所述的金屬基座2的 兩個圓柱支撐結(jié)構(gòu)上，使芯片3固定于金屬薄膜4和金屬基座2之間；所述的金屬蓋1蓋 在所述的金屬基座2上方。其中，導(dǎo)電膠5可以采用導(dǎo)電性銀膠，所述的金屬蓋1與金屬 基座2可采用金屬沖壓制成。所述的金屬基座上的兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)的中心間距 為4. 88mm，圓柱直徑范圍為1. Omm 2. 0mm。所述的芯片的體積范圍為3. 0*0. 8*0. 03mm 至6. 0*2. 8*0. 42mm。所述的石英晶體諧振器不僅可以采用DIP(雙列直插式)封裝技術(shù)， 還可以采用SMD(表面貼著組件)封裝技術(shù)進(jìn)行封裝。其中，采用DIP封裝的諧振器體積 范圍為11.5*5. 0*15. 08mm至11.5*5. 0*16. 88mm，采用SMD封裝的諧振器體積為范圍為 12. 7*4. 8*2. Omm 至 12. 7*4. 8*3. 8mm。不難發(fā)現(xiàn)，本實用新型是一種抗冷熱沖擊與抗高溫老化性能高的諧振器，由金屬 蓋、金屬基座、芯片、芯片上被覆的金屬薄膜和導(dǎo)電膠組成，為改善抗冷熱沖擊與抗高溫老 化性能將金屬基座由以往的彈片支撐結(jié)構(gòu)改為圓柱支撐結(jié)構(gòu)設(shè)計，由于固定方式的變更也 對芯片上被覆的金屬薄膜的形狀進(jìn)行了新設(shè)計，以符合圓柱支撐結(jié)構(gòu)設(shè)計。本實用新型可 以應(yīng)用DIP(雙列直插式封裝)與SMD(表面貼著組件)封裝技術(shù)，滿足消費性電子市場與 汽車電子市場的應(yīng)用需求。
權(quán)利要求一種新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器，包括金屬蓋(1)、金屬基座(2)、芯片(3)、金屬薄膜(4)和導(dǎo)電膠(5)，所述的芯片(3)上覆蓋有所述的金屬薄膜(4)，其特征在于，所述的金屬基座(2)采用兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)；所述的金屬薄膜(4)的形狀為雙邊電極形狀；所述的芯片(3)利用導(dǎo)電膠(5)固定在所述的金屬基座(2)的兩個圓柱支撐結(jié)構(gòu)上；所述的金屬蓋(1)蓋在所述的金屬基座(2)上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器，其特征在于，所述 的金屬基座(2)上的兩個單體的圓柱支撐結(jié)構(gòu)的中心間距為4. 88mm，圓柱直徑范圍為I.Omm 2. 0mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器，其特征在于，所述的 芯片(3)的體積范圍為 3. 0*0. 8*0. 03mm 至 6. 0*2. 8*0. 42mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器，其特征在于，所 述的石英晶體諧振器采用雙列直插式封裝技術(shù)，其體積范圍為11.5*5. 0*15. 08mm至II.5*5. 0*16. 88mm,或采用表面貼著組件封裝技術(shù)，其體積為范圍為12. 7*4. 8*2. Omm至 12. 7*4. 8*3. 8mm。
專利摘要本實用新型涉及一種新型全金屬結(jié)構(gòu)封石英晶體諧振器，是針對消費性電子與汽車電子上高抗冷熱沖擊與抗高溫老化能力的應(yīng)用，而對基座結(jié)構(gòu)進(jìn)行的改良。新改進(jìn)的設(shè)計包括將彈片支撐結(jié)構(gòu)變更為圓柱支撐架構(gòu)，并對諧振器芯片進(jìn)行框定，基座圓柱支撐架中心間距為4.88mm，圓柱直徑范圍為1.0mm～2.0mm，諧振器芯片體積范圍為3.0*0.8*0.03mm至6.0*2.8*0.42mm。此全金屬結(jié)構(gòu)封裝石英晶體諧振器可以將雙列直插式與表面貼著組件的封裝技術(shù)應(yīng)用于被動電子組件上。
文檔編號H03H9/05GK201656933SQ20102011898
公開日2010年11月24日 申請日期2010年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月25日
發(fā)明者張建聰, 沈俊男 申請人:臺晶(寧波)電子有限公司