專利名稱：可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型soi基片薄膜體聲波諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種薄膜體聲諧振器，特別涉及一種頻率可調(diào)諧的薄膜體聲波諧振器。
背景技術(shù)：
薄膜體聲波諧振器(FBAF)是一種利用聲學(xué)諧振實(shí)現(xiàn)電學(xué)選頻的器件，F(xiàn)BAF常見的結(jié)構(gòu)是由若干個(gè)薄膜體聲波諧振器(FBAR)單元經(jīng)過電學(xué)級(jí)聯(lián)構(gòu)成。FBAR的基本工作原理為當(dāng)電信號(hào)加載到FBAR上時(shí)，器件中的壓電薄膜通過逆壓電效應(yīng)將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)槁曅盘?hào)，器件特定的聲學(xué)結(jié)構(gòu)對(duì)不同頻率的聲信號(hào)呈現(xiàn)出選擇性，實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)控的功能。快速發(fā)展的無線通訊技術(shù)(如移動(dòng)通訊、無線傳感網(wǎng)絡(luò))和雷達(dá)技術(shù)需要越來越多的高性能集成微波振蕩器和雙工諧振器，它們分別被用于信號(hào)源和射頻前端的收發(fā)器中。 傳統(tǒng)的射頻諧振器主要有介質(zhì)諧振器和聲表面諧振器。介質(zhì)諧振器雖具有插入損耗低，功率容量大的優(yōu)點(diǎn)，但其缺點(diǎn)是體積過大，無法實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)。與介質(zhì)諧振器相比，聲表面諧振器可做得較小，但其受光刻工藝的限制，同時(shí)在高頻率下難以承受高功率，且插損大。 最新發(fā)展起來的薄膜體聲波諧振器技術(shù)可滿足小型化和集成化設(shè)計(jì)的要求，且與傳統(tǒng)諧振器相比，F(xiàn)BAF具有工作頻率高、溫度系數(shù)小、功率容量大、損耗低、體積小、可大批量生產(chǎn)、成本低且與半導(dǎo)體工藝兼容而可被集成于RFIC或MMIC中，被認(rèn)為是最佳的CHz頻率器件解決方案，可工作在500MHz到30GHz的頻段內(nèi)，在通訊和雷達(dá)方面具有很大的應(yīng)用潛力，為將射頻諧振器集成到芯片內(nèi)開辟了新的途徑。FBAR作為FBAF的基本單元，是FBAF性能形成的關(guān)鍵，迄今為止，實(shí)現(xiàn)FBAR有背腔薄膜型、空腔型和聲學(xué)多反射層型諧振器三種，F(xiàn)BAR換能器的主要結(jié)構(gòu)是金屬電極-壓電薄膜-金屬電極構(gòu)成的三明治結(jié)構(gòu)，其中空腔型FBAR已經(jīng)得到商業(yè)應(yīng)用。世界上能生產(chǎn)FBAF及其相關(guān)產(chǎn)品的公司主要集中在美國(guó)和日本等發(fā)達(dá)國(guó)家，其中以美國(guó)Avago公司和日本的Fujitsu公司為典型代表。美國(guó)Avago公司是世界上最早制作出FBAR，也是世界上生產(chǎn)商用FBAF、雙工器等產(chǎn)品技術(shù)最成熟的公司，其專利及其相關(guān)產(chǎn)品中采用的就是空腔型FBAR結(jié)構(gòu)?？涨皇荈BAR性能形成的關(guān)鍵，制作方法相當(dāng)復(fù)雜，其專利(US6060818， US6377137,US20050088257A1)中提到需要經(jīng)過在硅片上淺槽刻蝕、在槽內(nèi)填充犧牲層、CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)拋光犧牲層以及最后犧牲層釋放等關(guān)鍵工序，其關(guān)鍵工序容易存在以下難點(diǎn)(1)犧牲層較厚，厚度有數(shù)個(gè)微米，用鍍膜的方式填充容易在鍍膜過程中形成殘余應(yīng)力，對(duì)下一步犧牲層CMP拋光和犧牲層的釋放造成影響；(2)在整個(gè)硅片表面(特別是大尺寸硅片)CMP拋除幾個(gè)微米的犧牲層工藝非常復(fù)雜，精度也較難控制，對(duì)CMP設(shè)備精度和工藝人員的技術(shù)水平的要求相當(dāng)高；(3)犧牲層的釋放工藝也較復(fù)雜，考慮到犧牲層的體積和尺寸，釋放所需時(shí)間較長(zhǎng)，如果釋放不完全，不能形成一個(gè)完整的空腔，就會(huì)造成器件失效，如果釋放時(shí)間較長(zhǎng)，犧牲層釋放刻蝕液對(duì)換能器又會(huì)造成某種程度上的損傷；(4)在犧牲層釋放過程中，空腔中還可能會(huì)出現(xiàn)粘連現(xiàn)象，直接影響了器件的成品率；(5)其五邊形電極容易在邊角處形成應(yīng)力集中，這在US20080169885A1中已經(jīng)得到證實(shí)。[0005]日本Fujitsu公司生產(chǎn)的FBAF產(chǎn)品結(jié)構(gòu)比較多樣，從其公司申請(qǐng)的相關(guān)專利來看，其FBAR的結(jié)構(gòu)形式大致分兩類背腔薄膜型(US7323953B2，US20080169885A1)和空腔型(US20100060384A1，US20100060385A1, US7345402B2 等)，其中背腔型需要刻穿整個(gè)硅片厚度以形成腔體結(jié)構(gòu)；最近他們提出的空腔型FBAR及其產(chǎn)品(US20100060384A1， US20100060385A1等)，提到一種薄的犧牲層工藝以及在鍍壓電薄膜過程中對(duì)壓電薄膜進(jìn)行應(yīng)力控制技術(shù)，使壓電層及其電極在犧牲層釋放后拱起，從而形成一個(gè)拱形空腔; US20080169885A1中提出一種可調(diào)頻式FBAF，通過在頂電極上放置金屬點(diǎn)陣質(zhì)量塊調(diào)節(jié)單個(gè)FBAR的諧振頻率，達(dá)到調(diào)節(jié)FBAF頻率的目的。Fu jitsu公司生產(chǎn)的FBAF產(chǎn)品存在以下難點(diǎn)(1)背腔型FBAR需要刻穿整個(gè)硅片厚度，對(duì)結(jié)構(gòu)可靠性造成一定的影響；(2)拱形空腔對(duì)鍍膜過程中的應(yīng)力控制技術(shù)要求極高，不容易掌握；(3)在犧牲層釋放過程中，犧牲層四周特別是上下表面全部被電極和硅片包圍，全部釋放出需時(shí)較長(zhǎng)，犧牲層釋放刻蝕液對(duì)換能器會(huì)造成某種程度上的損傷；(4)犧牲層邊緣的臺(tái)階不夠平滑，壓電層及其電極的膜厚在此處發(fā)生畸變，會(huì)造成應(yīng)力集中現(xiàn)象并導(dǎo)致?lián)Q能器的斷裂，并且在臺(tái)階處影響了 AlN (002)統(tǒng)一晶向的形成；(5)其可調(diào)式FBAF需要額外增加點(diǎn)陣質(zhì)量塊，增加了工藝過程。FBAR器件的諧振頻率由其厚度確定，其厚度必須準(zhǔn)確控制，以便具有期望的諧振器響應(yīng)，但在FBAR器件加工過程中，容易出現(xiàn)加工偏差，使得加工后的諧振頻率通常不同于目標(biāo)值，諧振頻率誤差往往可使用激光微調(diào)技術(shù)來校正，在該技術(shù)中將激光朝向諧振器， 并且對(duì)諧振器去除或添加材料，由此將諧振器的諧振頻率“調(diào)諧”到期望目標(biāo)頻率。然而， 由于諧振器大小非常小，所以傳統(tǒng)的激光微調(diào)技術(shù)不是可行的方案。在FBAR電極形狀設(shè)計(jì)方面，美國(guó)Avago公司FBAR (US7561009B2)采用多邊形電極來抑制寄生振動(dòng)模式，但日本Fujitsu公司在專利US20080169885A1中提出五邊形電極容易在邊角處形成應(yīng)力集中；日本Fujitsu公司采用橢圓形(US2008(^84543)或橢圓環(huán)型 (US20080169885A1)型電極來改善FBAR的電性能；在諧振器電極形狀方面，本專利申請(qǐng)人 Yang等(Yang et al, Applied Physics Letters, 2008; Yang et al, IEEE UFFC, 2009; CN101257^7)提出近似橢圓形電極有助于增強(qiáng)諧振器的能陷行為，抑制寄生振動(dòng)，提高器件的Q值。因此急需一種具有調(diào)頻功能，同時(shí)綜合SOI材料所具有的優(yōu)點(diǎn)，能與IC兼容，易于集成，工藝簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)的薄膜體聲波諧振器。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，為了解決上述問題，本實(shí)用新型提出一種具有調(diào)頻功能，同時(shí)綜合SOI 材料所具有的優(yōu)點(diǎn)，能與IC兼容，易于集成，工藝簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)的薄膜體聲波諧振
O本實(shí)用新型的目的是提出一種可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型提供的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，包括預(yù)設(shè)空腔型的SOI基片和設(shè)置在SOI基片上的換能器，所述換能器包括底電極、頂電極和設(shè)置在底電極與頂電極之間的壓電薄膜，所述底電極與SOI基片相結(jié)合，所述底電極、頂電極和壓電薄膜的疊加區(qū)域與預(yù)設(shè)空腔相對(duì)，所述底電極靠預(yù)設(shè)空腔一側(cè)設(shè)置有SOI調(diào)諧層。[0013]進(jìn)一步，所述SOI基片設(shè)置有襯底硅和頂層硅，所述襯底硅上設(shè)置有與頂層硅形成預(yù)設(shè)空腔的溝槽，所述溝槽深度為0. 5微米到200微米，所述SOI調(diào)諧層的厚度小于頂層硅的厚度。進(jìn)一步，所述SOI基片設(shè)置有襯底硅和頂層硅，所述襯底硅和頂層硅之間設(shè)置第一二氧化硅層，所述第一二氧化硅層上設(shè)有溝槽，所述溝槽與頂層硅形成預(yù)設(shè)空腔。進(jìn)一步，所述換能器上設(shè)置有使腐蝕液或腐蝕氣體注入預(yù)設(shè)空腔的刻蝕窗口。進(jìn)一步，所述頂電極為近似橢圓形電極。進(jìn)一步，所述壓電薄膜為AlN或ZnO材質(zhì)的壓電薄膜，厚度介于0. 01微米至10微米，所述底電極或頂電極為高聲阻抗材質(zhì)的電極，所述底電極和頂電極厚度分別為0.01微米至2. 5微米。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于本實(shí)用新型采用一種帶空腔SOI (絕緣體硅)基片，所述帶空腔SOI基片采用鍵合減薄法工藝制作，SOI基片中的襯底硅片表面設(shè)置溝槽，鍵合后與頂層硅(器件硅層)形成封閉的空腔結(jié)構(gòu)，頂層硅上表面為一光滑平面，無臺(tái)階，因此上部壓電薄膜以及鍍?cè)趬弘姳∧ど舷卤砻娴谋‰姌O構(gòu)成的換能器可以采用平面工藝制作，不會(huì)出現(xiàn)如現(xiàn)有工藝中出現(xiàn)的由犧牲層臺(tái)階造成換能器在臺(tái)階處應(yīng)力集中并造成斷裂的情況；采用在帶空腔SOI基片中有預(yù)設(shè)的溝槽構(gòu)成空腔，無需犧牲層技術(shù)，因此無需現(xiàn)有工藝中的填充犧牲層、犧牲層CMP拋光以及犧牲層釋放等工藝，在簡(jiǎn)化工藝步驟的同時(shí)，避免了犧牲層 CMP拋光、犧牲層釋放時(shí)間長(zhǎng)、犧牲層臺(tái)階的不平滑造成的應(yīng)力集中現(xiàn)象以及犧牲層釋放時(shí)間對(duì)換能器造成的損害等問題；另外，由于本實(shí)用新型采用SOI基片，由此制作出的FBAR綜合了 SOI材料所具有的源、漏寄生電容小和低電壓低功耗等優(yōu)點(diǎn)，能與IC兼容，且易于集成。本實(shí)用新型的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征在某種程度上將在隨后的說明書中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，或者可以從本實(shí)用新型的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本實(shí)用新型的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，其中圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1的切面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2的切面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型的制作方法工藝步驟示意圖。圖中標(biāo)號(hào)所代表的名稱為1為第二二氧化硅層，2為襯底硅，3為第一二氧化硅層，4為溝槽，5為頂層硅，6為第三二氧化硅層，7為無溝槽SOI基片，8為預(yù)設(shè)空腔，9為底電極，10為壓電薄膜，11為頂電極，12為刻蝕窗口，13為SOI調(diào)諧層。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述；應(yīng)當(dāng)理解，優(yōu)選實(shí)施例僅為了說明本實(shí)用新型，而不是為了限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。[0026]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1的切面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，本實(shí)用新型提供的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，包括預(yù)設(shè)空腔型8的SOI基片和設(shè)置在SOI基片上的換能器，所述換能器包括底電極9、頂電極11和設(shè)置在底電極9與頂電極11之間的壓電薄膜10，所述底電極9與SOI基片相結(jié)合，所述底電極9、頂電極11和壓電薄膜10的疊加區(qū)域與預(yù)設(shè)空腔8相對(duì)，所述底電極9靠預(yù)設(shè)空腔8 一側(cè)設(shè)置有SOI調(diào)諧層13。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述SOI基片設(shè)置有襯底硅2和頂層硅5，所述襯底硅2上設(shè)置有與頂層硅5形成預(yù)設(shè)空腔8的溝槽4，所述溝槽4深度為0. 5微米到200微米，所述SOI調(diào)諧層13的厚度小于頂層硅5的厚度。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2的切面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，與圖1的區(qū)別僅在于 所述襯底硅2和頂層硅5之間設(shè)置需要通過熱氧化形成的第一二氧化硅層3，所述第一二氧化硅層3上設(shè)有溝槽，所述溝槽與頂層硅5形成預(yù)設(shè)空腔8，該第一二氧化硅層3厚度是數(shù)個(gè)微米的二氧化硅，因此不需要在襯底硅的上進(jìn)行刻蝕溝槽。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述SOI基片設(shè)置有襯底硅2和頂層硅5，所述襯底硅2和頂層硅5之間設(shè)置第一二氧化硅層3，所述第一二氧化硅層3上設(shè)有溝槽4，所述溝槽4與頂層硅5形成預(yù)設(shè)空腔8，所述襯底硅2與第一二氧化硅層3的對(duì)應(yīng)面還可設(shè)置有第二二氧化硅層1，所述頂層硅5與底電極之間還可設(shè)置有第三二氧化硅層6。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述換能器上設(shè)置有使腐蝕液或腐蝕氣體注入預(yù)設(shè)空腔8的刻蝕窗口 12。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述頂電極11為近似橢圓形電極。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述壓電薄膜10為AlN或ZnO材質(zhì)的壓電薄膜， 厚度介于0. 01微米至10微米，所述底電極9或頂電極11為高聲阻抗材質(zhì)的電極，所述底電極9和頂電極11厚度分別為0. 01微米至2. 5微米。圖3為本實(shí)用新型的制作方法工藝步驟示意圖；3(a)、3(b)、3(C)、3(d)、3(e)、 3(f),3(g),3(h)為本實(shí)用新型中可調(diào)諧的諧振器制作方法過程；如圖所示，本實(shí)用新型提供的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器的制作方法，包括以下步驟(a)在襯底硅的上下表面覆蓋二氧化硅層，并以二氧化硅層為掩模板在襯底硅的上表面刻蝕出溝槽；(b)通過鍵合工藝形成一片無溝槽SOI基片7 ；(c)將(a)中的襯底硅帶溝槽的一側(cè)與(b)中無溝槽SOI基片的頂層硅鍵合，形成預(yù)設(shè)空腔；(d)將無溝槽SOI基片進(jìn)行初步機(jī)械減薄，然后通過化學(xué)腐蝕將無溝槽絕緣體硅層全部除去，完成頂層硅由無溝槽SOI基片向有溝槽SOI基片的轉(zhuǎn)移；(e)鍍上底電極并對(duì)底電極進(jìn)行刻蝕；(f)在底電極上依次鍍上壓電薄膜和頂電極，并進(jìn)行刻蝕；(g)在空腔上方的換能器上刻蝕出腐蝕窗口，使腐蝕液或腐蝕氣體能進(jìn)入空腔內(nèi)；(h)將腐蝕液或腐蝕氣體經(jīng)腐蝕窗口注入空腔中，通過控制腐蝕時(shí)間來控制殘留的空腔上部的頂層硅厚度，形成一個(gè)空腔結(jié)構(gòu)，腐蝕液經(jīng)腐蝕窗口進(jìn)入空腔中，通過控制腐蝕時(shí)間將空腔上部的頂層硅減薄或全部去除，也可以選擇干法刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕方式腐蝕空腔上部的頂層硅，由于薄膜體聲波諧振器FBAR的諧振頻率與其換能器厚度有關(guān)，因此改變預(yù)設(shè)空腔上部的頂層硅的厚度可以調(diào)整薄膜體聲波諧振器FBAR的諧振頻率。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟(a)包括以下步驟(al)將襯底硅片經(jīng)熱氧化在表面形成一層二氧化硅SW2膜，在二氧化硅SW2膜上刻蝕出圓形、橢圓形、方形或多邊形的圖案作為襯底硅片掩模板，圖案尺寸在幾十微米到數(shù)百微米之間；(a2)在襯底硅片上刻蝕溝槽。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟(h)中的腐蝕液采用HF-HNO3溶液、KOH 溶液或TMAH四甲基氫氧化銨溶液，若采用干法刻蝕，腐蝕氣體采用XeF2氣體。作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟(a)至(h)中的SOI基片上的頂層硅可用水晶或熔融石英材料代替。以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本實(shí)用新型，顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，其特征在于包括預(yù)設(shè)空腔型(8) 的SOI基片和設(shè)置在SOI基片上的換能器，所述換能器包括底電極(9)、頂電極(11)和設(shè)置在底電極(9)與頂電極(11)之間的壓電薄膜(10)，所述底電極(9)與SOI基片相結(jié)合，所述底電極(9)、頂電極(11)和壓電薄膜(10)的疊加區(qū)域與預(yù)設(shè)空腔(8)相對(duì)，所述底電極 (9)靠預(yù)設(shè)空腔(8) 一側(cè)設(shè)置有SOI調(diào)諧層(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，其特征在于所述SOI基片設(shè)置有襯底硅( 和頂層硅(5)，所述襯底硅( 上設(shè)置有與頂層硅(5) 形成預(yù)設(shè)空腔⑶的溝槽，所述溝槽⑷深度為0. 5微米到200微米，所述SOI調(diào)諧層 (13)的厚度小于頂層硅(5)的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，其特征在于所述襯底硅( 和頂層硅( 之間設(shè)置第一二氧化硅層(3)，所述第一二氧化硅層(3) 上設(shè)有溝槽G)，所述溝槽(4)與頂層硅( 形成預(yù)設(shè)空腔(8)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，其特征在于所述換能器上設(shè)置有使腐蝕液或腐蝕氣體注入預(yù)設(shè)空腔(8)的刻蝕窗口 (12)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，其特征在于所述頂電極(11)為近似橢圓形電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，其特征在于所述壓電薄膜(10)為AlN或ZnO材質(zhì)的壓電薄膜，厚度介于0. 01微米至10微米，所述底電極(9)或頂電極(11)為高聲阻抗材質(zhì)的電極，所述底電極(9)和頂電極(11)厚度分別為0.01微米至2. 5微米。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種可調(diào)諧的預(yù)設(shè)空腔型SOI基片薄膜體聲波諧振器，涉及一種頻率可調(diào)諧的諧振器，包括帶空腔SOI基片和設(shè)置其上的壓電薄膜換能器，諧振器包括壓電薄膜、底電極和頂電極，底電極靠預(yù)設(shè)空腔一側(cè)設(shè)置有SOI調(diào)諧層，通過控制腐蝕時(shí)間控制SOI調(diào)諧層的厚度，帶空腔SOI基片中的襯底硅片表面設(shè)置溝槽，鍵合后襯底硅片與頂層硅形成封閉的空腔結(jié)構(gòu)；由于采用預(yù)設(shè)的空腔結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型無犧牲層，無需國(guó)外專利及其產(chǎn)品中處理犧牲層采用的化學(xué)機(jī)械拋光工藝和犧牲層釋放工藝，同時(shí)本實(shí)用新型綜合了SOI材料所具有的源、漏寄生電容小和低電壓低功耗等優(yōu)點(diǎn)，本實(shí)用新型能與IC兼容，易于集成，工藝簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H03H3/02GK202019344SQ20112006924
公開日2011年10月26日 申請(qǐng)日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月1日
發(fā)明者傅金橋, 冷俊林, 周勇, 張龍, 楊增濤, 楊正兵, 趙建華, 陳小兵, 陳運(yùn)祥, 馬晉毅 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所