專(zhuān)利名稱(chēng)：具有比較器的振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
以下的申請(qǐng)文件涉及一種包括比較器的振蕩電路，以及一種用于運(yùn)行這種振蕩電路的方法。
背景技術(shù)：
使用比較器的振蕩電路例如是所謂的張弛振蕩器。在這種張弛振蕩器中，典型地通過(guò)電容器在RC組成部分中的充電/放電過(guò)程來(lái)確定振蕩電路的頻率。在例如將這種電容器充電或者放電到預(yù)定程度的時(shí)候，比較器將施加在電容器上的電壓與基準(zhǔn)電壓作比較，該比較器的輸出端子改變其輸出電平，這又引起振蕩器的輸出信號(hào)的電平發(fā)生變化。例如能夠使用這種振蕩器以便在超過(guò)IOOMHz的范圍內(nèi)產(chǎn)生振動(dòng)效果，其中，特別是在幾MHz以下、例如32kHz的范圍內(nèi)使用這種振蕩器，因?yàn)樗鼈冊(cè)谶@個(gè)范圍內(nèi)具有較小的耗電量，該耗 電量隨頻率的下降而減小。這種振蕩電路的頻率精準(zhǔn)度還依賴(lài)于比較器的精準(zhǔn)度。在此，比較器被供給電流，其中，與電源電流較小時(shí)相比，比較器的精準(zhǔn)度通常在電源電流較高時(shí)更高。另一方面，在許多應(yīng)用情況下都希望有較低的電流，從而能夠省電，并且因此例如在移動(dòng)應(yīng)用時(shí)，特別是需要待機(jī)運(yùn)行類(lèi)型的振蕩電路時(shí)，能夠節(jié)約能量，從而延長(zhǎng)蓄電池使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種振蕩電路和一種運(yùn)行這種振蕩電路的方法,利用這種振蕩電流和方法可以在精準(zhǔn)度相對(duì)較高的情況下使耗電量相對(duì)較少。在此提供了根據(jù)權(quán)利要求I所述的振蕩電路以及根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法。從屬權(quán)利要求定義的是其他的實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，例如能夠在振蕩周期的一個(gè)非關(guān)鍵時(shí)段內(nèi)為振蕩電路的比較器輸送小于電源電流的第一電流，而在振蕩周期的關(guān)鍵的第二時(shí)段內(nèi)，例如在比較器進(jìn)行轉(zhuǎn)換的前后時(shí)段內(nèi)，輸送大于電源電流的第二電流。由此能夠在一些實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)的是，在關(guān)鍵范圍內(nèi)精準(zhǔn)度高，然而總耗電量相對(duì)較低。


下面參照附圖詳盡闡述本發(fā)明的實(shí)施例。圖I示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的振蕩電路的框圖。圖2示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的振蕩電路的電路圖。圖3示出了在圖2所示的振蕩電路中的可能的信號(hào)變化過(guò)程的例子。圖4示出了根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的振蕩電路的電路圖。圖5示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面詳盡地闡述本發(fā)明的各種實(shí)施例。這些實(shí)施例并不被列舉出來(lái)作為本發(fā)明的限制性范圍，因?yàn)椴煌谒緦?shí)施例的其他實(shí)現(xiàn)方式也是可以的。只要未特別指出，不同實(shí)施例的特征可以相互組合。此外，對(duì)具有多個(gè)特征的實(shí)施例的描述并不如下地設(shè)計(jì)用于使本發(fā)明的實(shí)施例需要所有這些特征，這是因?yàn)槠渌膶?shí)施例也可能具有較少的特征和/或作為代替的特征。接下來(lái)特別闡述了振蕩電路的和用于運(yùn)行振蕩電路的相應(yīng)方法的實(shí)施例。其中，振蕩電路總體上要理解成用于發(fā)出周期性信號(hào)而設(shè)置的電路，其中該周期性信號(hào)的頻率能被預(yù)設(shè)或者調(diào)節(jié)。圖I中示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的振蕩電路10的示意框圖。其中，圖I中的實(shí)施例特別用于說(shuō)明能夠用在各種實(shí)施例中的幾個(gè)原理。因此，在圖I中未示出振蕩電路10的為此不必要的元件。圖I的振蕩電路10包括比較器12,它將第一比較器輸入端13上的第一信號(hào)與第二比較器輸入端14上的第二信號(hào)作比較，并且在比較器輸出端15上給出比較結(jié)果。第一 信號(hào)和/或第二信號(hào)例如能夠包含一個(gè)參考信號(hào)和/或一個(gè)與電容器的充電狀態(tài)相關(guān)的電平。在圖I的實(shí)施例中，比較器輸出端15與振蕩電路10的輸出端11連接，其中，正如圖I中用虛線(xiàn)表示的那樣，這個(gè)連接也可以是與一個(gè)或者多個(gè)連接在其中的元件的間接連接，這些元件例如是緩沖器、寄存器、觸發(fā)器或者類(lèi)似物。此夕卜，比較器12具有第一供電輸入端16和第二供電輸入端17,比較器12通過(guò)它們被供應(yīng)電源電流Iv。第二供電輸入端17在此與地線(xiàn)或者負(fù)電源電壓(VSS)連接，而第一供電輸入端16與用于產(chǎn)生電流Iv的供電電路18連接。供電電路18在此能夠與正電源電壓、例如VDD連接。在一個(gè)實(shí)施例中，比較器12的精準(zhǔn)度、也就是第一信號(hào)與第二信號(hào)進(jìn)行比較的精準(zhǔn)度，與電流Iv大小相關(guān)，其中，(在允許的范圍內(nèi))較高的電流相應(yīng)于較高的精準(zhǔn)度。在圖I所述的實(shí)施例中，供電電路18被設(shè)置用于改變電流Iv并且特別是在振蕩電路10的振蕩周期的第一時(shí)段內(nèi)、也就是說(shuō)在振蕩電路10的輸出信號(hào)的周期的第一時(shí)段內(nèi)輸送第一電流，并且在振蕩周期的第二時(shí)段內(nèi)輸送第二種電流，其中，第二電流比第一種電流大。第一電流在此也可以等于O。不言而喻地，也可以預(yù)設(shè)振蕩周期的其他時(shí)段，在這些時(shí)段內(nèi)，電流還可以有其他的值。于是，比較器12的精準(zhǔn)度在振蕩器周期內(nèi)發(fā)生變化。特別是在第二時(shí)段內(nèi)有一個(gè)關(guān)鍵范圍，其中例如在比較器輸出端15上的輸出信號(hào)在兩個(gè)值之間轉(zhuǎn)換，使得在這個(gè)關(guān)鍵范圍內(nèi)達(dá)到更高的精準(zhǔn)度，而否則就通過(guò)減小電流Iv來(lái)減少振蕩電路10的耗電量。正如已經(jīng)提及的那樣，第一電流在此也可以是0，也就是說(shuō)，在一些實(shí)施例中，在每個(gè)振蕩周期的部分時(shí)段內(nèi)，不向比較器12輸送電流。在其他的實(shí)施例中，在整個(gè)振蕩周期期間都輸送電流，從而讓比較器12的輸出信號(hào)達(dá)到定義的電平，例如保持現(xiàn)有的電平穩(wěn)定。比較器、如比較器12例如可以用在所謂的張弛振蕩器中。在圖2中示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的張弛振蕩器。圖2所示的振蕩電路包括第一比較器組塊21和第二比較器組塊26，其中，正如下面詳盡闡述的那樣，在給定的時(shí)間點(diǎn)中總是只有其中一個(gè)比較器組塊是運(yùn)行的。正如后面會(huì)詳盡闡述的那樣，在第一比較器組塊21中，將在第一電容器219處下降的電壓VCl與基準(zhǔn)電壓VREF進(jìn)行比較，并且在第二比較器組塊26中，將在第二電容器221處下降的電壓VC2與基準(zhǔn)電壓VREF進(jìn)行比較。第一電容器219在此通過(guò)產(chǎn)生參考電流IREF的電源216充電，并且第二電容器221通過(guò)同樣產(chǎn)生參考電流IREF的電源215充電。第一電容器219是通過(guò)第一 NMOS晶體管220實(shí)現(xiàn)放電的，并且第二電容器221通過(guò)第二 NMOS晶體管222實(shí)現(xiàn)放電的。第一比較器組塊21的輸出端與觸發(fā)器212的置位輸入端相連，并且第二比較器組塊26的輸出端與觸發(fā)器212的復(fù)位輸入端相連。觸發(fā)器212的輸出端通過(guò)緩沖器213與振蕩電路20的輸出端相連,從而給出一個(gè)輸出信號(hào)F0UT,并且此外還與第一 NMOS晶體管220的柵極輸入端相連。在其他的實(shí)施例中，也可以省去緩沖器213。觸發(fā)器212的反相輸出端與第二 NMOS晶體管222的柵極輸入端相連，使得第一 NMOS晶體管220和第二 NMOS晶體管222交替導(dǎo)電地接通。 在圖2所示的實(shí)施例中，借助產(chǎn)生電流IREF的電源214和作為分壓器起作用的電阻R在節(jié)點(diǎn)217上產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓VREF。在圖2所示的實(shí)施例中，作為分壓器起作用的電阻R在此具有多個(gè)電阻組件，從而能夠額外地獲取小于基準(zhǔn)電壓VREF的另一個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF_PRE。要注意的是，電源214-216也能夠產(chǎn)生不同的電流，并且也部分地?zé)o須設(shè)計(jì)成明確的元件。例如能夠通過(guò)電阻218簡(jiǎn)單地在地線(xiàn)和正供電電壓VDD之間實(shí)現(xiàn)分壓，而不必將明確的電源設(shè)計(jì)為獨(dú)立的元件。接下來(lái)詳盡闡述比較器組塊21，26的工作方式。第一比較器組塊21具有比較器23，其中，將基準(zhǔn)電壓VREF與在第一電容器219處下降的電壓VCl進(jìn)行比較。在一次循環(huán)的開(kāi)始，例如在一次振蕩周期的開(kāi)始，第一電容器219放電。然后由于通過(guò)電源216充電，第一電容器219處的電壓VCl上升，直至達(dá)到基準(zhǔn)電壓VREF，并且因此使比較器73轉(zhuǎn)換。這又通過(guò)觸發(fā)器212改變輸出信號(hào)F0UT，并且此外還將第一 NMOS晶體管220轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)，并且將第二個(gè)NMOS晶體管222轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)，然后使第一電容器219放電,并且通過(guò)電源215為第一電容器221充電。然后,第二比較器組塊26的比較器28將第二電容器221上持續(xù)上升的電壓VC2與基準(zhǔn)電壓VREF進(jìn)行比較，并且在達(dá)到基準(zhǔn)電壓VREF時(shí)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，這通過(guò)觸發(fā)器212又導(dǎo)致振蕩器的輸出端發(fā)生變化，以及導(dǎo)致NMOS晶體管220，222進(jìn)行“轉(zhuǎn)換”，也就是說(shuō)，NMOS晶體管222然后導(dǎo)電，而NMOS晶體管220不導(dǎo)電，緊接著循環(huán)重新開(kāi)始。輸出信號(hào)的頻率在這里根據(jù)f=l/(2 -R-C+ΔΤ)(其中，f是輸出信號(hào)的頻率，Λ T是由于比較器23、28的不精準(zhǔn)性造成的頻率偏差)，取決于電阻218的電阻值R以及第一電容器219的電容值Cl和第二電容器221的電容值C2，其中，在這里認(rèn)為，電容值Cl，C2相同，并且等于C，并且由電源215和216產(chǎn)生的電流相同。通過(guò)改變電源215，216的電流和/或電容值Cl，C2，特別是可以改變輸出信號(hào)的占空比(TastverhSltnis) (duty cycle)。當(dāng) C1/I1=C2/I2 時(shí)，其中，Il 是由電源 216 提供的電流，12是由電源215提供的電流，在所示實(shí)施例中，占空比是50%。例如當(dāng)C1=C2并且11=12時(shí)，情況就是如此。當(dāng)C1/I1 Φ C2/I2時(shí)，占空比不為50%。
為了保持盡可能小的頻率偏差，最好能向比較器23，28輸送較大的電源電流，因?yàn)檫@能提高比較器的精準(zhǔn)度。另一方面，輸送更高的電流會(huì)導(dǎo)致耗電量更高。為了使耗電量最小化，卻達(dá)到盡可能高的精準(zhǔn)度，第一比較器組塊21和第二比較器組塊26分別具有一個(gè)供電電路。在第一比較器組塊21中，供電電路包括預(yù)比較器22、第一 PMOS晶體管24和電源25。第二比較器組塊26的供電電路包括預(yù)比較器27、第二 PMOS晶體管210和電源211。供電電路的工作方式對(duì)于第一比較器組塊和第二比較器組塊來(lái)說(shuō)都是一樣的，并且因此只對(duì)于第一比較器組塊21進(jìn)行一次詳細(xì)闡述。當(dāng)比較器組塊21工作時(shí)，預(yù)比較器22將接在第一電容器219上的電壓VCl與小于基準(zhǔn)電壓VREF的另一個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF_PRE進(jìn)行比較。只要電壓VCl小于VREF_PRE，預(yù)比較器22就將第一 PMOS晶體管24轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)，使比較器23不被供給來(lái)自電源25的電流，其中，該電流在圖2中被稱(chēng)為IB00ST。預(yù)比較器22在此可以被供給相對(duì)較小的電流，因?yàn)轭A(yù)比較器22的運(yùn)行需要的精準(zhǔn)度不高。在第一 PMOS晶體管24被轉(zhuǎn)換到非導(dǎo)通狀態(tài)期間，比較器23可以被供給較少量電流(未示出)，從而獲得比較器23的限定的輸出電平。 當(dāng)電壓VCl達(dá)到另一個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF_PRE，預(yù)比較器22進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并且因此將第一 PMOS晶體管24轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)，由此使得比較器23被供給來(lái)自電源25的電流。來(lái)自電源25的電流可以是相對(duì)較高的電流，從而使比較器23達(dá)到高精準(zhǔn)度。于是，比較器23對(duì)于在VREF_PRE和VREF之間的電壓VCl具有相對(duì)較高的精準(zhǔn)度，使得能夠以相對(duì)較高的精準(zhǔn)度獲知具體的轉(zhuǎn)換時(shí)間點(diǎn)，也就是在VCl=VREF時(shí)。然而因?yàn)橹粸檎袷幹芷诘拿總€(gè)相對(duì)較短的時(shí)間段、也就是說(shuō)輸出信號(hào)FOUT的每個(gè)周期輸送這種較高的電流，并且否則只輸送較小的電流，所以在圖2所示的實(shí)施例中的總耗電量較低。正如已經(jīng)提及的那樣，供電電路包括預(yù)比較器27、第二 PMOS晶體管和電源211，它的工作方式對(duì)于第二比較器組塊26是相應(yīng)的。要注意的是，在一些實(shí)施例中，也只有比較器組塊21，26其中的一個(gè)具有相應(yīng)的供電電路。為了進(jìn)一步說(shuō)明圖2所示的實(shí)施例的工作方式，圖3示出了對(duì)例如應(yīng)用圖2所示實(shí)施例的模擬。曲線(xiàn)30示出了預(yù)比較器22在這段時(shí)間的輸出電壓。正如能夠看到的那樣，電平落入大約5. 5和6. 2μ s之間，這能導(dǎo)電地接通第一 PMOS晶體管24，并且因此為比較器23供電。比較器23的耗電情況是通過(guò)圖3中的曲線(xiàn)圖31示出的。最后，曲線(xiàn)圖32示出圖2所示振蕩電路20的輸出信號(hào)的電平。能夠看出的是，向?yàn)楸容^器23供給相對(duì)較高的電流的時(shí)間段內(nèi)轉(zhuǎn)換輸出信號(hào)，由此提高轉(zhuǎn)換時(shí)間點(diǎn)(Umschaltzeitpunkts)的精準(zhǔn)度。在圖4中示出了振蕩電路418形式的張弛振蕩器的另一個(gè)實(shí)施例。圖4所示的振蕩電路418具有第一比較器組塊40和第二比較器組塊45。第一比較器組塊40具有預(yù)比較器41、比較器42、第一 PMOS晶體管43和電源44。第二比較器組塊45具有預(yù)比較器46、比較器47、第二 PMOS晶體管48和電源49。第一比較器組塊40和第二個(gè)比較器組塊45的基本工作方式類(lèi)似于參照?qǐng)D2所述的比較器組塊21的工作方式，于是不再次詳細(xì)重復(fù)闡述，并且接下來(lái)特別是要進(jìn)一步探討圖2所示實(shí)施例和圖4所示實(shí)施例之間的區(qū)別。第一比較器組塊40的比較器42的輸出端與觸發(fā)器410的置位輸入端連接，并且第二比較器組塊45的比較器47的輸出端與觸發(fā)器410的復(fù)位輸入端相連。觸發(fā)器410的輸出端通過(guò)緩沖器411給出振蕩電路418的輸出信號(hào)FOUT。此外，觸發(fā)器410的輸出端通過(guò)電阻413與電容器416的第一接口連接，其中，電容器416的第二接口與地線(xiàn)連接。在電容器416和電阻413之間的節(jié)點(diǎn)415上獲取電壓VCAP，其等于電容器的充電量，并且其被輸送給第一比較器組塊40和第二比較器組塊45。此外，通過(guò)分壓器(包括電阻412、電阻414和電阻417)產(chǎn)生第一基準(zhǔn)電壓VREFl，其接近VDD，并且產(chǎn)生第二基準(zhǔn)電壓VREF2，其接近地線(xiàn)。電阻414可以包括多個(gè)子電阻，此夕卜，在電阻414上能夠采集小于第一基準(zhǔn)電壓VREF的另一個(gè)第一基準(zhǔn)電壓VREF_PRE1，和大于第二基準(zhǔn)電壓VREF2、卻小于另一個(gè)第一基準(zhǔn)電壓VREF_PRE1的另一個(gè)第二基準(zhǔn)電壓VREF_PRE30在圖4所示的實(shí)施例中，不是像在圖2所示實(shí)施例中的那樣依次為第一電容器和第二電容器充電，且分別利用一個(gè)比較器組塊評(píng)測(cè)充電情況，而是使用一個(gè)唯一的電容器，其中，通過(guò)第一比較器組塊40評(píng)估電容器416的充電情況，通過(guò)第二比較器組塊45評(píng)測(cè)電 容器416的放電情況。當(dāng)觸發(fā)器410的輸出端處于高電平狀態(tài)，例如等于VDD，那么為電容器416充電，使得電壓VCAP緩慢上升。在達(dá)到電壓VREF_PRE1時(shí)，第一電容器將41將第一 PMOS晶體管43轉(zhuǎn)換至導(dǎo)通狀態(tài)，使得比較器42由電源44供給相對(duì)較高的電流。如果然后電壓VCAP超過(guò)第一基準(zhǔn)電壓VREF1，比較器42從邏輯I轉(zhuǎn)換至邏輯O (例如從VDD轉(zhuǎn)換到地線(xiàn)或者VSS)，然后使得在觸發(fā)器410的置位輸入端上接通邏輯O。與此同時(shí)，因?yàn)閂CAP在這種情況下也大于第二基準(zhǔn)電壓VREF2，所以比較器47的輸出端在精準(zhǔn)度較低時(shí)也是邏輯1，從而在觸發(fā)器410的復(fù)位輸入端上接通邏輯1，并且因此觸發(fā)器410的輸出端被轉(zhuǎn)換至0，例如轉(zhuǎn)換至地線(xiàn)或者VSS。于是，電容器416開(kāi)始放電，并且VCAP下降。如果此時(shí)VCAP降到VREFl以下，比較器42再次轉(zhuǎn)換至邏輯I。如果然后VCAP降到VREF_PRE2以下，預(yù)比較器46就導(dǎo)電地接通第二 PMOS晶體管48，由此為比較器47供給高電流。然后如果VCAP低于第二基準(zhǔn)電壓VREF2，那么比較器47的輸出端被轉(zhuǎn)換至邏輯I，使得觸發(fā)器410再次轉(zhuǎn)換到邏輯I，并且因此重新開(kāi)始這個(gè)循環(huán)。要注意的是，所示的實(shí)施例只能被視作例子，各種各樣的變體都是有可能的。例如能夠通過(guò)兩個(gè)或者多個(gè)單個(gè)的電阻元件或者電容元件實(shí)現(xiàn)電阻、電容器和類(lèi)似物。PMOS晶體管可以用NMOS晶體管代替，并只要使電路邏輯同時(shí)逆轉(zhuǎn)，也可以反向地進(jìn)行替代。此外，例如代替PMOS晶體管24，210，43和48，也可以設(shè)計(jì)其他類(lèi)型的開(kāi)關(guān)，例如以雙極晶體管為基礎(chǔ)的電路。不僅能夠利用分壓器產(chǎn)生所使用的不同的基準(zhǔn)電壓，也可以為此設(shè)計(jì)單獨(dú)的電壓源。在圖5中示出了流程圖，用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例。圖5所示的方法例如可以通過(guò)圖1、2和4所示的振蕩電路執(zhí)行，但是也可以被獨(dú)立使用。在50中提供了具有比較器的振蕩電路，例如具有圖I中所示的比較器12的振蕩電路10、具有圖2中所示的比較器23，28的振蕩電路20或者具有圖4中所示比較器42，47的振蕩電路418。在51中，在振蕩電路的一個(gè)振蕩周期的第一時(shí)段內(nèi)，比較器被供給第一電流，在52中，在一個(gè)振蕩周期的第二時(shí)段內(nèi)，比較器被供給第二電流，其特別是大于第一電流。然后就能夠在振蕩電路的任何振蕩周期內(nèi)重復(fù)方框51和52中的內(nèi)容。
其中，第一時(shí)段特別可以比第二時(shí)段長(zhǎng)，使得只有在一個(gè)振蕩周期的較小部分時(shí) 段內(nèi)輸送較高的第二電流，從而能夠相對(duì)較低地保持整體耗電量。
權(quán)利要求
1.一種振湯電路(10 ；20 ;418)，包括 比較器(12 ；23 ;42)，其中，所述比較器具有第一比較器輸入端(13)、第二比較器輸入端(14)、輸出端(15)和供電輸入端(16,17),和 與所述比較器(12 ；23 ；42)的所述供電輸入端(16，17)連接的供電電路(18 ;22，24，25 ;41，43，44)，所述供電電路設(shè)置用來(lái)在所述振蕩電路(10 ；20 ；418)的振蕩周期的第一時(shí)段內(nèi)給所述比較器(12 ;23 ;42)供給第一電流，并且在所述振蕩周期的第二時(shí)段內(nèi)供給第二電流，其中，所述第二電流大于第一電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的振蕩電路(10；20 ;418)，其中，這樣選擇所述振蕩周期的所述第二時(shí)段，使得所述比較器的轉(zhuǎn)換落入所述第二時(shí)段內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的振蕩電路(10；20 ;418)，其中，所述第一電流等于O。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的振蕩電路(10;20;418)，其中，所述比較器(12 ；23 ；42)的輸出端(15)與所述振蕩電路(10 ；20 ；418)的輸出端(11)連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的振蕩電路(10；20 ;418)，其中，所述振蕩電路(10 ；20 ；418)設(shè)計(jì)為張弛振蕩器。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的振蕩電路(10；20 ;418)，還包括電容器(219 ；416)，其中，所述第一比較器接口(13)與所述電容器(219 ;416)連接，并且所述第二比較器輸入端(14)與基準(zhǔn)電壓連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的振蕩電路(10；20 ;418)，還包括充電電路(216，220，212 ；410，413)，所述充電電路設(shè)置用來(lái)取決于所述比較器(23 ；42)的輸出信號(hào)為所述電容器(219 ；416)充電。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的振蕩電路(20;418)，其中，所述供電電路包括 用于產(chǎn)生所述第二電流的電源(25 ;44)， 開(kāi)關(guān)(24 ;43)，其中，所述電源(25 ；44)通過(guò)所述開(kāi)關(guān)(24 ；43)與所述比較器(23 ；42)的所述供電輸入端連接，以及 另一個(gè)比較器(22 ;41)，其中，所述另一個(gè)比較器(22 ；41)的輸出端與所述開(kāi)關(guān)(24 ；43)的控制輸入端連接，其中，所述另一個(gè)比較器(22 ；41)的第一比較器輸入端與所述電容器(219 ；416)連接，并且其中所述另一個(gè)比較器(22 ；41)的第二比較器輸入端與另一個(gè)基準(zhǔn)電壓連接，其中所述另一個(gè)基準(zhǔn)電壓不同于所述基準(zhǔn)電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項(xiàng)所述的振蕩電路(20;418)，此外還包括 附加的比較器(28 ;42)，其中所述附加的比較器(28 ;42)具有第一比較器輸入端、第二比較器輸入端、輸出端和供電輸入端，和 與所述附加的比較器(28 ；47)的供電輸入端連接的附加的供電電路(27，210，211 ;46，48，49)，所述附加的供電電路設(shè)置用于在所述振蕩電路的振蕩周期的第三時(shí)段內(nèi)為所述附加的比較器(28 ;47)供給第三電流，并且在所述振蕩周期的第四時(shí)段內(nèi)供給第四電流，其中所述第四電流大于所述第三電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的振蕩電路(20;418)，其中，相應(yīng)于所述供電電路設(shè)計(jì)所述附加的供電電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)和權(quán)利要求9或10所述的振蕩電路(20)，此外還包括另一個(gè)電容器(221)，其中，所述附加的比較器(28)的第一比較器輸入端與所述另一個(gè)電容器連接，并且所述附加的比較器(28 )的第二比較器輸入端與所述基準(zhǔn)電壓連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)和權(quán)利要求9或10所述的振蕩電路(418)，其中，所述附加的比 較器(47)的第一比較器輸入端與所述電容器(416)連接，并且所述附加的比較器(47)的第二比較器輸入端與所述第二基準(zhǔn)電壓連接。
13.一種用于運(yùn)行具有比較器(12 ；23 ；42)的振蕩電路(10 ；20 ；418)的方法，包括 在所述振蕩電路(10 ；20 ；418)的振蕩周期的第一時(shí)段內(nèi)給所述比較器(12 ；23 ;42)供給第一電流，并且 在所述振蕩周期的第二時(shí)段內(nèi)給所述比較器(12 ；23 ;42)供給第二電流，其中，所述第二電流大于所述第一電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在所述振蕩周期的所述第二時(shí)段內(nèi)對(duì)所述比較器(12 ；23 ；42)的輸出值進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，還包括借助所述比較器(12；23 ；42)將基準(zhǔn)電壓與施加在電容器上的電壓進(jìn)行比較。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括取決于將施加在所述電容器上的所述電壓與另一個(gè)基準(zhǔn)電壓比較的結(jié)果，在所述第一電流和第二電流之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換，其中，所述另一個(gè)基準(zhǔn)電壓不同于所述基準(zhǔn)電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有比較器(12)的振蕩電路(10)，其中，所述比較器具有供電輸入端(16)。在所述振蕩電路(10)的振蕩周期的第一時(shí)段內(nèi)，供電電路(18)給比較器(12)供給第一電流，在該振蕩周期的第二時(shí)段內(nèi)供給第二電流，該第二電流大于第一電流。
文檔編號(hào)H03K3/023GK102891663SQ20121025470
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月21日
發(fā)明者約瑟夫·尼德?tīng)?申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司