專利名稱：高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種應(yīng)用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板,屬于石英電子元器件制作的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展，頻率元件的要求而今變得越來越高。作為頻率元件的一種，石英晶體振蕩器也面臨更高的穩(wěn)定性、更寬的上拉范圍、更低的噪聲和更短的開關(guān)時間等要求。在振蕩器生產(chǎn)過程中，通過穩(wěn)定刻蝕的方法在石英表面進行局部處理，可以獲得超聞基頻的水晶片，通過這一技術(shù)生廣的聞基頻InvertMesa晶片，制作成晶體振蕩器產(chǎn)品后，相比于利用水晶片倍頻技術(shù)，或IC倍頻技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品，有更好的相位噪聲，更小的抖動值等。對于常用頻率，如155. 52MHz、166. 6285MHz及125MHz等，采用高基頻InvertMesa晶片制成的晶體振蕩器可以達到這樣的參數(shù)指標相位噪聲彡-135dBilKHz> Rms Jitter ^ I Ps,可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)傳輸、以太網(wǎng)通訊等。由此可見高基頻MESA晶片性能的優(yōu)越性。InvertMesa晶片鍍膜過程需要分幾步完成，在初鍍時需要把晶片的四周全部鍍上金屬保護層(一般為金)，同時晶片中心的InvertMesa區(qū)域(孤島)需暴露在晶片表面，以便于后續(xù)局部腐蝕，因此設(shè)計初鍍夾具的時候就遇到了一個問題必須在晶片的中心設(shè)計一個“孤島”型的掩膜區(qū)域。目前其他廠家的常規(guī)設(shè)計為在鍍膜過程中用小磁片來遮擋“孤島”區(qū)域，晶片先后進行兩次鍍膜，分別對晶片上下兩表面進行鍍膜處理，這樣經(jīng)常會出現(xiàn)晶片兩表面“孤島”區(qū)域的中心不同心、偏差大等問題，從而導(dǎo)致晶體的相位噪聲變大，頻率穩(wěn)定性變差和短穩(wěn)特性變差等問題的出現(xiàn)。而且這種方式僅適用于圓形InvertMesa晶片，因其中心的InvertMesa區(qū)域同樣為圓形,磁片擺放容易，而條形晶片的InvertMesa區(qū)域不對稱，若采用小磁片遮擋將難以控制兩次鍍膜“孤島”中心的一致性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出的是一種用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其目的在于避免高基頻InvertMesa晶片初鍍過程出現(xiàn)晶片兩面InvertMesa “孤島”中心不一致的缺陷而提供的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍過程保持晶片兩面“孤島”中心一致性的鍍膜用掩膜板。本發(fā)明的技術(shù)解決方案其特征是由A、B兩版掩膜板構(gòu)成；其中A版掩膜板完成高基頻InvertMesa晶片初鍍的第一次鍍膜過程，B版掩膜板完成高基頻InvertMesa晶片初鍍的第二次鍍膜過程。本發(fā)明的優(yōu)點A、B兩版掩膜板的設(shè)計彌補了高基頻InvertMesa晶片初鍍過程晶片兩面“孤島”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶體具有更好的頻率穩(wěn)定性，更低的相位噪聲，更短的開關(guān)時間和更寬的拉升范圍等優(yōu)點；同時可以提聞聞基頻InvertMesa晶片初鍍過程晶片兩面“孤島”中心一致性的合格率，降低了生產(chǎn)過程中的損耗；此外A、B兩版掩膜板的使用不需要安放輔助掩膜物體，生產(chǎn)方便，初鍍效率得到提升。


圖I是A版掩膜板電極上蓋板示意圖，表明上蓋板電極的分布及形狀；
圖3是A版掩膜板電極下蓋板示意圖，表明下蓋板電極的分布及形狀；
圖2、4是高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜后晶片的外觀圖，分別表征晶片的兩面，陰影部分表示該部分被保護金屬覆蓋；
圖5是A版掩膜板定位板示意圖，表明定位板上限位槽的分布及形狀；
圖6是A版掩膜板限位槽放大圖，表明定位板上限位槽的具體外形；
圖7是B版掩膜板電極上蓋板示意圖，表明上蓋板電極的分布及形狀；
圖9是B版掩膜板電極下蓋板示意圖，表明下蓋板電極的分布及形狀；
圖8、10是高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜后晶片的外觀圖，分別表征晶片的兩面，陰影部分表示該部分被保護金屬覆蓋；
圖11是B版掩膜板定位板示意圖，表明定位板上限位槽的分布及形狀；
圖12是B版掩膜板限位槽放大圖，說明定位板上限位槽的具體外形；
上述圖2、4、8、10中三個陰影部分共同夾出的不規(guī)則多邊形區(qū)域稱為“孤島”;十字形表征高基頻InvertMesa晶片“孤島”的中心。
具體實施例方式對照附圖，其結(jié)構(gòu)是由A、B兩版掩膜板構(gòu)成；其中A版掩膜板完成高高基頻InvertMesa晶片初鍍的第一次鍍膜過程，B版掩膜板完成高基頻InvertMesa晶片初鍍的第二次鍍膜過程。所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在鍍膜過程中放置并穩(wěn)定晶片；一鍍膜電極下底板具有與晶片定位板上限位槽對應(yīng)的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以為晶片下表面提供鍍膜電極；一鍍膜電極上蓋板具有與晶片定位板限位槽和電極下底板上鏤空電極對應(yīng)的鏤空及掩膜部分，以固定晶片并為晶片上表面提供鍍膜電極。所述的B版掩膜板包括一晶片定位板、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板；其作用與A版掩膜板作用相同，對應(yīng)組件由A版掩膜板組件鏡像對稱得到。所述的A版掩膜板作為高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜夾具，完成晶片在A版電極上蓋板和下底板鏤空部分鍍上保護金屬的過程；所述的B版掩膜板作為高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第二次鍍膜夾具,完成晶片在B版電極上蓋板和電極下底板鏤空部分鍍上保護金屬的過程；兩次鍍膜完成后晶片除“孤島”區(qū)域外均被保護金屬覆
至JHL ο兩次鍍膜后，高基頻InvertMesa晶片除“孤島”區(qū)域外均被保護金屬覆蓋，兩次鍍膜過程晶片兩面“孤島”區(qū)域中心保持同心等高。對于高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜，在掩膜板最底層放置對照附圖3的被銀下底板，在其上放置對照附圖5中所示的晶片定位板，將晶片放置在晶片定位板的限位槽中，限位槽外形結(jié)構(gòu)對照圖6，而后將對照附圖一的電極上蓋板蓋在晶片定位板上，安放完畢后放入鍍膜機內(nèi)鍍膜，完成對如附圖二和附圖四所示的鏤空區(qū)域的鍍膜。對于高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第二次鍍膜，在掩膜板最底層放置對照 附圖9的被銀下底板，在其上放置對照附圖11中所示的晶片定位板，將晶片放置在晶片定位板的限位槽中，限位槽外形結(jié)構(gòu)對照圖12，而后將對照附圖7的電極上蓋板蓋在晶片定位板上，安放完畢后放入鍍膜機內(nèi)鍍膜。
權(quán)利要求
1.一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板,其特征是由A、B兩版掩膜板構(gòu)成；其中A版掩膜板完成高基頻InvertMesa晶片初鍍的第一次鍍膜過程，B版鍍膜MASK完成高基頻InvertMesa晶片初鍍的第二次鍍膜過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在鍍膜過程中放置并穩(wěn)定晶片；一鍍膜電極下底板具有與晶片定位板上限位槽對應(yīng)的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以為晶片下表面提供鍍膜電極；一鍍膜電極上蓋板具有與晶片定位板限位槽和電極下底板上鏤空電極對應(yīng)的鏤空及掩膜部分，以固定晶片并為晶片上表面提供鍍膜電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是B版掩膜板包括一晶片定位板、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板；其作用與A版鍍膜MASK作用相同，對應(yīng)組件由A版掩膜板組件鏡像對稱得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是所述的A版掩膜板作為高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜夾具，完成晶片在A版電極上蓋板和下底板鏤空部分鍍上保護金屬的過程；所述的B版掩膜板作為高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第二次鍍膜夾具,完成晶片在B版電極上蓋板和電極下底板鏤空部分鍍上保護金屬的過程；兩次鍍膜完成后晶片除“孤島”區(qū)域外均被保護金屬覆至Jhl o
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是高基頻InvertMesa晶片兩面“孤島”區(qū)域兩次鍍膜中心保持同心等高。
全文摘要
本發(fā)明是一種用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是由A、B兩版掩膜板構(gòu)成；其中A版掩膜板完成高基頻InverMesa晶片初鍍的第一次鍍膜過程，B版掩膜板完成晶片初鍍的第二次鍍膜過程。優(yōu)點A、B兩版掩膜板的設(shè)計彌補了高基頻InvertMesa晶片初鍍過程晶片兩面“孤島”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶體具有更好的頻率穩(wěn)定性，更低的相位噪聲，更短的開關(guān)時間和更寬的拉升范圍等優(yōu)點；同時可以提高高基頻InvertMesa晶片初鍍過程晶片兩面“孤島”中心一致性的合格率，降低了生產(chǎn)過程中的損耗；此外A、B兩版掩膜板的使用不需要安放輔助掩膜物體，生產(chǎn)方便，初鍍效率得到提升。
文檔編號H03H3/02GK102780467SQ20121027327
公開日2012年11月14日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月3日
發(fā)明者李冬強, 李坡, 袁波, 謝科偉, 高志祥 申請人:南京中電熊貓晶體科技有限公司