專利名稱：小型化石英晶體諧振器鍍膜電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子元器件領(lǐng)域，尤其涉及一種石英晶體諧振器鍍膜電極。
背景技術(shù)：
石英晶體諧振器以其良好的頻率特性廣泛應(yīng)用到各類電子產(chǎn)品之中，同時各類設(shè)備終端設(shè)備的輕、薄的趨勢也對石英晶體諧振器本身的小型化提出了要求，現(xiàn)有技術(shù)采用SMD型的石英晶體諧振器，由于材料、以及加工設(shè)備普遍價格較高的原因，在成本方面競爭力不足；而現(xiàn)有小型化電極無法與小型化的引線型基座有效裝配和連接。

實用新型內(nèi)容為解決上述問題，本實用新型旨在提供一種小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，用于滿足插件型石英晶體諧振器的小型化要求。為達(dá)到上述目的，本實用新型是采用以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，包括分別附著在石英晶體晶片底面和頂面的下電極、上電極；所述下電極、上電極分別位于晶片的左、右兩端并且具有相同的結(jié)構(gòu)，所述上電極包括位于晶片中間區(qū)域的主電極區(qū)、位于晶片邊緣的付電極區(qū)、連接主電極區(qū)和付電極區(qū)的連接區(qū)，所述連接區(qū)的寬度小于主電極區(qū)、付電極區(qū)的寬度；付電極區(qū)用于連接石英晶體諧振器的插接引線。優(yōu)選的，所述上電極的長度不大于3mm、寬度不大于2mm。進(jìn)一步的，所述上電極包括從晶片依次向外的內(nèi)輔助鍍層、鍍銀層，所述內(nèi)輔助鍍層可以是鍍絡(luò)層，也可以是鍍鎳層；所述內(nèi)輔助鍍層可增加鍍膜電極和石英晶體晶片的附著力。進(jìn)一步的，所述上電極包括從晶片依次向外的內(nèi)輔助鍍層、鍍銀層、外輔助鍍層，所述內(nèi)輔助鍍層、外輔助鍍層可以是鍍絡(luò)層，也可以是鍍鎳層，或者是二者的組合；所述外輔助鍍層可防止鍍膜電極氧化。優(yōu)選的，所述主電極區(qū)、付電極區(qū)的形狀可以是矩形、矩形圓角、橢圓形、邊數(shù)大于4的多邊形中的任何一種或者是它們的組合。本實用新型能解決傳統(tǒng)小型化電極結(jié)構(gòu)無法與小型化的引線型基座有效裝配和連接的問題，滿足插件型石英晶體諧振器的小型化要求，相比于SMD型小型化石英晶體諧振器的生產(chǎn)，投入設(shè)備費用少、生產(chǎn)成本低，具有良好的經(jīng)濟(jì)效益。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型的剖面示意圖。圖中:1-晶片、2-下電極、3-上電極、4-主電極區(qū)、5-付電極區(qū)、6-連接區(qū)、31-內(nèi)輔助鍍層、32-鍍銀層、33-外輔助鍍層。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖1所示，本實用新型公開的小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，包括分別附著在石英晶體晶片I底面和頂面的下電極2、上電極3 ;下電極2、上電極3分別位于晶片I的左、右兩端并且具有相同的結(jié)構(gòu)，上電極3包括位于晶片I中間區(qū)域的主電極區(qū)4、位于晶片I邊緣的付電極區(qū)5、連接主電極區(qū)4和付電極區(qū)5的連接區(qū)6，連接區(qū)6的寬度小于主電極區(qū)4、付電極區(qū)5的寬度。優(yōu)選的，上電極3的長度不大于3mm、寬度不大于2mm。如圖2所示，進(jìn)一步的，上電極3包括從晶片I依次向外的內(nèi)輔助鍍層31、鍍銀層32，內(nèi)輔助鍍層31可以是鍍絡(luò)層，也可以是鍍鎳層。進(jìn)一步的，上電極3包括從晶片(I)依次向外的內(nèi)輔助鍍層31、鍍銀層32、外輔助鍍層33，內(nèi)輔助鍍層31、外輔助鍍層32可以是鍍絡(luò)層，也可以是鍍鎳層，或者是二者的組
八
口 ο優(yōu)選的，主電極區(qū)4、付電極區(qū)5的形狀可以是矩形、矩形圓角、橢圓形、邊數(shù)大于4的多邊形中的任何一種或者是它們的組合。當(dāng)然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本實用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1、一種小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，包括分別附著在石英晶體晶片(I)底面和頂面的下電極(2)、上電極(3);其特征在于，所述下電極(2)、上電極(3)分別位于晶片(I)的左、右兩端并且具有相同的結(jié)構(gòu)，所述上電極(3)包括位于晶片(I)中間區(qū)域的主電極區(qū)(4)、位于晶片(I)邊緣的付電極區(qū)(5)、連接主電極區(qū)(4)和付電極區(qū)(5)的連接區(qū)(6)，所述連接區(qū)(6)的寬度小于主電極區(qū)(4)、付電極區(qū)(5)的寬度。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于:所述上電極(3)的長度不大于3mm、寬度不大于2mm。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于:所述上電極(3)包括從晶片(I)依次向外的內(nèi)輔助鍍層(31)、鍍銀層(32)，所述內(nèi)輔助鍍層(31)可以是鍍絡(luò)層，也可以是鍍鎳層。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于:所述上電極(3)包括從晶片(I)依次向外的內(nèi)輔助鍍層(31)、鍍銀層(32)、外輔助鍍層(33)，所述內(nèi)輔助鍍層(31)、外輔助鍍層(33)可以是鍍絡(luò)層，也可以是鍍鎳層，或者是二者的組合。
5、根據(jù)權(quán)利要求1-4所述的任意一種小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，其特征在于:所述主電極區(qū)(4)、付電極區(qū)(5)的形狀可以是矩形、矩形圓角、橢圓形、邊數(shù)大于4的多邊形中的任何一種。
專利摘要本實用新型公開一種小型化石英晶體諧振器鍍膜電極，包括分別附著在石英晶體晶片底面和頂面的下電極、上電極；下電極、上電極分別位于晶片的左、右兩端并且具有相同的結(jié)構(gòu)，上電極包括位于晶片中間區(qū)域的主電極區(qū)、位于晶片邊緣的付電極區(qū)、連接主電極區(qū)和付電極區(qū)的連接區(qū)，連接區(qū)的寬度小于主電極區(qū)、付電極區(qū)的寬度。本實用新型可滿足石英晶體諧振器小型化的要求。
文檔編號H03H9/125GK202978855SQ20122056410
公開日2013年6月5日 申請日期2012年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月31日
發(fā)明者劉青彥, 梁羽杉, 楊清明, 黃建友 申請人:成都晶寶時頻技術(shù)股份有限公司