跨導(dǎo)電路和混頻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種跨導(dǎo)電路和混頻器。該跨導(dǎo)電路包括：第一晶體管、第二晶體管、第一阻抗、第二阻抗、第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第二輸入網(wǎng)絡(luò)，其中第一晶體管的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸入端，第一晶體管的漏極連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸出端；第二晶體管的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端，第二晶體管的漏極連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸出端；第一晶體管的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第一阻抗連接到第二晶體管的源極；第二晶體管的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)和第二阻抗連接到第一晶體管的源極。本發(fā)明能夠使得通過跨導(dǎo)電路的電流能夠在第一晶體管與第二晶體管之間復(fù)用，提高了跨導(dǎo)電路的增益效率，從而提高了跨導(dǎo)電路的性能。
【專利說明】跨導(dǎo)電路和混頻器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及通信【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種跨導(dǎo)電路和混頻器。

【背景技術(shù)】
[0002] 在基站和微波通信系統(tǒng)中，通常采用集成芯片代替板上離散的商用器件，這對實(shí) 現(xiàn)低成本、高集成度和智能化的通信產(chǎn)品意義重大，而集成芯片對混頻器等電路的性能要 求很高。
[0003] 混頻器電路能夠?qū)崿F(xiàn)頻率的變換，是收發(fā)芯片的射頻前端非常重要的電路模塊， 其性能決定著整個收發(fā)機(jī)的性能，影響著整個解決方案的架構(gòu)選擇和實(shí)現(xiàn)。有源混頻器的 增益，線性度和噪聲是混頻器的關(guān)鍵指標(biāo)，這些指標(biāo)在設(shè)計中互相制約，限制了整體性能的 提1?。
[0004] 跨導(dǎo)電路是射頻芯片中的核心電路，在混頻器中的作用是將電壓轉(zhuǎn)換為電流。其 位于混頻器的輸入端，是實(shí)現(xiàn)高性能有源混頻器電路的關(guān)鍵部分?？鐚?dǎo)電路是將電壓信號 轉(zhuǎn)換為電流信號的電路，跨導(dǎo)電路的等效跨導(dǎo)表示該跨導(dǎo)電路將電壓信號轉(zhuǎn)換為電流信號 的能力，即表示該跨導(dǎo)電路的效率。而在轉(zhuǎn)換過程中引起的信號失真程度用線性度表示，失 真越小表明該跨導(dǎo)電路的線性越好，應(yīng)用時對系統(tǒng)的性能影響越小。
[0005] 目前，應(yīng)用最廣泛的跨導(dǎo)電路包括共源跨導(dǎo)電路和共柵跨導(dǎo)電路。共源跨導(dǎo)電路 通過電感或電阻退化實(shí)現(xiàn)的負(fù)反饋?zhàn)饔脕硖岣呖鐚?dǎo)的線性度，其線性程度與輸入晶體管的 小信號跨導(dǎo)和退化電感或電阻的關(guān)系相關(guān)。而共柵跨導(dǎo)電路的線性程度與輸入晶體管的小 信號跨導(dǎo)和輸入阻抗的關(guān)系相關(guān)。共源跨導(dǎo)電路的等效跨導(dǎo)主要由退化電感決定，共柵跨 導(dǎo)電路的等效跨導(dǎo)主要由輸入阻抗決定。這兩種跨導(dǎo)電路的線性度提高需要增大輸入晶體 管的小信號跨導(dǎo)，而這需要通過增大功耗實(shí)現(xiàn)；或者需要增大退化電感和輸入阻抗，而這樣 會導(dǎo)致增益效率降低和噪聲增大，同時還會導(dǎo)致輸入阻抗比較難匹配。
[0006] 因此，在設(shè)計跨導(dǎo)電路時，線性度，增益、噪聲或阻抗匹配相互制約，限制了跨導(dǎo)電 路的性能的提1?。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種跨導(dǎo)電路和混頻器，能夠提高跨導(dǎo)電路的性能。
[0008] 第一方面，提供了一種跨導(dǎo)電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第一阻抗、第二 阻抗、第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第二輸入網(wǎng)絡(luò)，其中第一晶體管的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)連接到該 跨導(dǎo)電路的第一輸入端，第一晶體管的漏極連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸出端；第二晶體管 的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端，第二晶體管的漏極連接到該跨 導(dǎo)電路的第二輸出端，所述第一晶體管的源極和所述第二晶體管的源極通過電感或電阻相 連接并且接地；第一晶體管的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第一阻抗連接到第二晶體管的源 極，所述第一輸入網(wǎng)絡(luò)和所述第一阻抗串聯(lián)連接；第二晶體管的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)和 第二阻抗連接到第一晶體管的源極，所述第二輸入網(wǎng)絡(luò)與所述第二阻抗串聯(lián)連接。
[0009] 在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一輸入網(wǎng)絡(luò)包括第一電容和第三電容，第二輸入 網(wǎng)絡(luò)包括第二電容和第四電容，第一晶體管的柵極通過第一電容連接到該跨導(dǎo)電路的第一 輸入端，第一晶體管的漏極連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸出端；第二晶體管的柵極通過第二 電容連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端，第二晶體管的漏極連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸出 端；第一晶體管的柵極通過第一阻抗和第三電容連接到第二晶體管的源極；第二晶體管的 柵極通過第二阻抗和第四電容連接到第一晶體管的源極。
[0010] 結(jié)合第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一晶體管的柵極通 過第一電容連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸入端，第一晶體管的源極通過第二阻抗和第四電容 連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端；第二晶體管的柵極通過第二電容連接到該跨導(dǎo)電路的第 二輸入端，第二晶體管的源極通過第一阻抗和第三電容連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸入端。 [0011] 結(jié)合第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一晶體管的源極通 過第二阻抗、第四電容和第二電容連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端；第二晶體管的源極通 過第一阻抗、第三電容和第一電容連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸入端。
[0012] 結(jié)合第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一晶體管的柵極通 過第一電容和第三電容連接到該跨導(dǎo)電路的第一輸入端，第一晶體管的源極通過第二阻抗 和第二電容連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端；第二晶體管的柵極通過第二電容和第四電容 連接到該跨導(dǎo)電路的第二輸入端，第二晶體管的源極通過第一阻抗和第一電容連接到該跨 導(dǎo)電路的第一輸入端。
[0013] 結(jié)合第一方面或上述任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第 一輸入端和第二輸入端輸入差分射頻信號；或者，第一輸入端和第二輸入端之一連接單端 射頻信號，第一輸入端和第二輸入端中的另一個接地。
[0014] 結(jié)合第一方面或上述任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第 一晶體管的源極通過第一電感接地，第二晶體管的源極通過第二電感接地，或者，第一晶體 管的源極和第二晶體管的源極通過差分電感接地。
[0015] 結(jié)合第一方面或上述任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第 一輸入網(wǎng)絡(luò)還包括：第一電阻器，第二輸入網(wǎng)絡(luò)還包括：第二電阻器，其中第一晶體管的柵 極通過第一電阻器施加有偏置電壓，第二晶體管的柵極通過第二電阻器施加有偏置電壓。
[0016] 結(jié)合第一方面或上述任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第 一晶體管為場效應(yīng)管或三極管，第二晶體管為場效應(yīng)管或三極管。
[0017] 第二方面，提供了一種混頻器，包括：輸入跨導(dǎo)級電路、開關(guān)級電路和負(fù)載級電路， 該輸入跨導(dǎo)級電路通過該開關(guān)級與該負(fù)載級電路相連接，其中該輸入跨導(dǎo)級電路為如上述 第一方面或第一方面的任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式所述的跨導(dǎo)電路。
[0018] 結(jié)合第二方面或上述任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第 二方面的混頻器還包括：電流抽取級電路，連接在該輸入跨導(dǎo)級電路的第一輸出端和第二 輸出端與該開關(guān)級電路之間，用于抽取流過該開關(guān)級電路和該負(fù)載級電路的電流。
[0019] 結(jié)合第二方面或上述任何一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第十種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該 負(fù)載級電路包括：第三電阻和第四電阻構(gòu)成的差分輸出接口電路，或者，該負(fù)載級電路包 括：第三電感、第四電感和N:1的巴倫器件構(gòu)成的輸出接口電路，其中N:1為巴倫器件的線 圈的匝數(shù)比，N為正整數(shù)。
[0020] 本發(fā)明的實(shí)施例可以將跨導(dǎo)電路的第一晶體管的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第一 阻抗連接到第二晶體管的源極，將第二晶體管的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)和第二阻抗連接到 第一晶體管的源極，使得通過跨導(dǎo)電路的電流能夠在第一晶體管與第二晶體管之間復(fù)用， 提高了跨導(dǎo)電路的增益效率，從而提高了跨導(dǎo)電路的性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實(shí)施例中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面所描述的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0022] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的跨導(dǎo)電路的示意性框圖；
[0023] 圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路的示意性框圖；
[0024] 圖3是本發(fā)明的又一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路的示意性框圖；
[0025] 圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路的示意性框圖；
[0026] 圖5是本發(fā)明的又一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路的示意性框圖；
[0027] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的混頻器的示意性框圖；
[0028] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的混頻器的示意性框圖；
[0029] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的混頻器的示意性框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例。基于本發(fā) 明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí) 施例，都應(yīng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031] 針對目前常規(guī)跨導(dǎo)電路的性能較低，并且有源混頻器的增益和線性度較低的問 題，本發(fā)明的實(shí)施例提出了一種高性能的跨導(dǎo)電路，具有較高的線性度，并且能夠?qū)崿F(xiàn)較高 的增益效率。同時，結(jié)合發(fā)明實(shí)施例的高性能的跨導(dǎo)電路，提出了高性能的有源混頻器電 路。
[0032] 應(yīng)注意，以下描述中，在兩個元件"連接"時，這兩個元件可以直接連接，也可以通 過一個或多個中間元件/介質(zhì)間接地連接。兩個元件連接的方式可包括接觸方式或非接觸 方式，或者可包括有線方式或無線方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對以下描述的示例連接方式 進(jìn)行等價替換或修改，這樣的替換或修改均落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0033] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的跨導(dǎo)電路100的示意性框圖?？鐚?dǎo)電路100包 括：第一晶體管Ml、第二晶體管M2、第一阻抗、第二阻抗、第一輸入網(wǎng)絡(luò)110和第二輸入網(wǎng)絡(luò) 120。
[0034] 第一晶體管Ml的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)110連接到該跨導(dǎo)電路100的第一輸入 端，第一晶體管Ml的漏極連接到該跨導(dǎo)電路100的第一輸出端；第二晶體管Ml的柵極通過 第二輸入網(wǎng)絡(luò)110連接到該跨導(dǎo)電路100的第二輸入端，第二晶體管M2的漏極連接到該跨 導(dǎo)電路100的第二輸出端，第一晶體管的源極和第二晶體管的源極通過電感或電阻相連接 并且接地；第一晶體管Ml的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)110和第一阻抗Z1連接到第二晶體管 M2的源極，第一輸入網(wǎng)絡(luò)和所述第一阻抗串聯(lián)連接；第二晶體管M2的柵極通過第二輸入網(wǎng) 絡(luò)120和第二阻抗Z2連接到第一晶體管Ml的源極，第二輸入網(wǎng)絡(luò)與所述第二阻抗串聯(lián)連 接。
[0035] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一晶體管Ml和第二晶體管Ml為有源晶體管差分對，用 于接收跨導(dǎo)電路1〇〇的第一輸入端和第二輸入端輸入的差分電壓信號，例如，正電壓信號 Vip和負(fù)電壓信號Vin?？鐚?dǎo)電路100用于將輸入的差分電壓信號轉(zhuǎn)換成電流信號Ion和 lop，并且分別在第一輸出端和第二輸出端輸出。
[0036] 例如，第一輸入網(wǎng)絡(luò)110可以包括無源器件，例如，電容，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例并 不限于此，例如，第一輸入網(wǎng)絡(luò)110也可以為導(dǎo)線，只要能夠?qū)⑤斎腚妷盒盘柾瑫r施加到第 一晶體管Ml的柵極和第二晶體管M2的源極即可。同理，第二輸入網(wǎng)絡(luò)120也可以為電容 或?qū)Ь€，只要能夠?qū)⑤斎腚妷盒盘柾瑫r施加到第二晶體管M2的柵極和第一晶體管Ml的源 極即可。
[0037] 例如，第一晶體管的源極和第二晶體管的源極可以分別通過第一電感(或電阻）和 第二電感(或電阻）相連接并接地?？蛇x地，第一晶體管的源極和第二晶體管的源極也可以 通過中間帶抽頭的電感或電阻接地，其中第一晶體管的源極連接電感(或電阻）的一端，第 二晶體管的源極連接該電感(或電阻）的另一端，該電感(或是阻）的中間抽頭接地。
[0038] 本發(fā)明的實(shí)施例可以將跨導(dǎo)電路的第一晶體管的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第一 阻抗連接到第二晶體管的源極，將第二晶體管的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)和第二阻抗連接到 第一晶體管的源極，使得通過跨導(dǎo)電路的電流能夠在第一晶體管與第二晶體管之間復(fù)用， 相當(dāng)于同時實(shí)現(xiàn)了共源級跨導(dǎo)和共柵級跨導(dǎo)的效果，提高了跨導(dǎo)電路的增益效率，從而提 高了跨導(dǎo)電路的性能。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一輸入網(wǎng)絡(luò)110包括第一電容和第三電容，第二輸入網(wǎng) 絡(luò)110包括第二電容和第四電容，第一晶體管Ml的柵極通過第一電容連接到該跨導(dǎo)電路 110的第一輸入端，第一晶體管Ml的漏極連接到該跨導(dǎo)電路110的第一輸出端；第二晶體 管M2的柵極通過第二電容連接到該跨導(dǎo)電路110的第二輸入端，第二晶體管M2的漏極連 接到該跨導(dǎo)電路100的第二輸出端；第一晶體管Ml的柵極通過第一阻抗Z1和第三電容連 接到第二晶體管M2的源極；第二晶體管M2的柵極通過第二阻抗Z2和第四電容連接到第一 晶體管Ml的源極。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2、第四電容和第二電 容連接到該跨導(dǎo)電路100的第二輸入端；第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1、第三電容 和第一電容連接到該跨導(dǎo)電路100的第一輸入端。
[0041] 換句話說，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2、第四電容和第二電容串聯(lián)連接 到第二晶體管M2的柵極，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1、第三電容和第一電容串 聯(lián)連接到晶體管Ml的柵極，使得晶體管差分對Ml和M2經(jīng)過阻抗達(dá)到交叉連接和復(fù)用的效 果。
[0042] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一晶體管Ml的柵極通過第一電容連接到該跨導(dǎo)電路 100的第一輸入端，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2和第四電容連接到該跨導(dǎo)電路 100的第二輸入端；第二晶體管M2的柵極通過第二電容連接到該跨導(dǎo)電路100的第二輸入 端，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1和第三電容連接到該跨導(dǎo)電路100的第一輸入 端。
[0043] 換句話說，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2、第四電容和第二電容串聯(lián)連接 到第二晶體管M2的柵極，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1、第三電容和第一電容串 聯(lián)連接到晶體管Ml的柵極，使得晶體管差分對Ml和M2經(jīng)過阻抗達(dá)到交叉連接和復(fù)用的效 果。
[0044] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一晶體管Ml的柵極通過第一電容和第三電容連接到 該跨導(dǎo)電路100的第一輸入端，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2和第二電容連接到 該跨導(dǎo)電路100的第二輸入端；第二晶體管M2的柵極通過第二電容和第四電容連接到該跨 導(dǎo)電路100的第二輸入端，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1和第一電容連接到該跨 導(dǎo)電路100的第一輸入端。
[0045] 換句話說，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2和第四電容串聯(lián)連接到第二晶 體管M2的柵極，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1和第三電容串聯(lián)連接到晶體管Ml 的柵極，使得晶體管差分對Ml和M2經(jīng)過阻抗達(dá)到交叉連接和復(fù)用的效果。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一輸入端和第二輸入端輸入差分射頻信號。
[0047] 例如，差分射頻信號為正的電壓信號和負(fù)的電壓信號。
[0048] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一輸入端和第二輸入端之一連接單端射頻信號，第一 輸入端和第二輸入端中的另一個接地。
[0049] 例如，單端射頻信號可以為正的電壓信號或負(fù)的電壓信號。由于本發(fā)明的實(shí)施例 的晶體管差分Ml和M2可以經(jīng)過阻抗達(dá)到交叉連接和復(fù)用的效果，使得采用單端射信號成 為可能。
[0050] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一晶體管Ml的源極通過第一電感接地，第二晶體管M2的 源極通過第二電感接地，或者，第一晶體管Ml的源極和第二晶體管M2的源極通過差分電感 接地。
[0051] 例如，差分電感為中間帶抽頭的電感，差分電感的一端與第一晶體管Ml的源極相 連接，另一端與第二晶體管M2的源極相連接，差分電感的中間抽頭接地。第一電感、第二電 感以及差分電感可以為退化電感，在跨導(dǎo)電路中通過退化電感的負(fù)反饋?zhàn)饔锰岣呖鐚?dǎo)電路 的線性度。
[0052] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一輸入網(wǎng)絡(luò)110還包括：第一電阻器，第二輸入網(wǎng)絡(luò) 120還包括：第二電阻器，其中第一晶體管Ml的柵極通過第一電阻器施加有偏置電壓，第二 晶體管M2的柵極通過第二電阻器施加有偏置電壓。
[0053] 例如，偏置電壓Vbias可以來自于鏡像電流鏡，用以為跨導(dǎo)電路提供偏置的作用。
[0054] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一晶體管Ml為場效應(yīng)管或三極管，第二晶體管M2為場效 應(yīng)管或三極管。
[0055] 例如，場效應(yīng)管可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，M0SFET)，三極管可以是雙極型 三極管。
[0056] 圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路200的示意性框圖。圖2是圖1的跨導(dǎo)電 路的100的例子。
[0057] 跨導(dǎo)電路200可包括晶體管差分對、第一輸入網(wǎng)絡(luò)210、第二輸入網(wǎng)絡(luò)220、第一阻 抗Z1和第二阻抗Z2,其中上述晶體管差分對由有源器件第一晶體管Ml和第二晶體管M2組 成，第一輸入網(wǎng)絡(luò)210和第二輸入網(wǎng)絡(luò)220分別由無源器件構(gòu)成。例如，第一輸入網(wǎng)絡(luò)210 可以包括第一電容C1、第三電容C3和第一電阻R1。第一輸入網(wǎng)絡(luò)220可以包括第二電容 C2、第四電容C4和第二電阻R2。
[0058] 第一晶體管Ml的柵極通過第一電容C1連接到跨導(dǎo)電路200的第一輸入端，第一 晶體管Ml的柵極通過第三電容耦C3和第一阻抗Z1連接到第二晶體管M2的源極，第一晶 體管Ml的源極通過第二阻抗Z2、第四電容C4和第二電容C2連接到跨導(dǎo)電路200的第二輸 入端，即輸入差分信號的正電壓信號Vip通過第一電容C1施加到第一晶體管Ml的柵極，同 時輸入差分信號的負(fù)電壓信號Vin通過第二電容C2、第四電容C4以及第二阻抗Z2施加到 第一晶體管Ml的源極。
[0059] 第二晶體管M2的柵極通過第二電容C2連接到跨導(dǎo)電路200的第二輸入端，第二 晶體管M2的柵極通過第四電容C4和第二阻抗Z2連接到第一晶體管Ml的源極，第二晶體 管M2的源極通過第一阻抗Z1、第三電容C3和第一電容C1連接到跨導(dǎo)電路的第一輸入端， 即輸入差分信號的負(fù)電壓信號Vin通過第二電容C2施加到第二晶體管M2的柵極，同時輸 入差分信號的正電壓信號Vip通過第一電容C1、第三電容C3以及第一阻抗Z1施加到第二 晶體管M2的源極。
[0060] 第一晶體管Ml的漏極連接到跨導(dǎo)電路200的第一輸出端，以便輸出電流信號Ion 第二晶體管M2的漏極連接到跨導(dǎo)電路200的第二輸出端，以便輸出電流信號lop。
[0061] 另外，第一晶體管Ml的源極和第二晶體管Ml的源極可以通過退化電感L1和退化 電感L2相連接并通過退化電感L1和退化電感L2接地。
[0062] 第一阻抗Z1和第二阻抗Z2的阻抗值相同，并且可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用選擇使用電感 或者電阻，例如，電感可以應(yīng)用在低噪聲場合，而電阻可以應(yīng)用在寬帶輸入匹配場合以及對 器件的面積要求比較苛刻的場合。
[0063] 第一電容C1的電容值等于第二電容C2的電容值，并且第三電容C3的電容值等于 第四電容C4的電容值，這些電容可以為隔直電容，用于隔斷直流信號且通過交流信號的作 用。
[0064] 有源器件第一晶體管Ml和第二晶體管M2以及無源器件第一阻抗Z1、第二阻抗Z2 和退化電感L1和退化電感L2共同參與輸入網(wǎng)路的匹配，其中第一阻抗Z1和第二阻抗Z2 在匹配時起主導(dǎo)作用。本發(fā)明的實(shí)施例可以根據(jù)需要選擇第一阻抗Z1和第二阻抗Z2為電 阻或者電感，以便能夠?qū)崿F(xiàn)較寬的匹配性能。與共源跨導(dǎo)電路相比，本發(fā)明的實(shí)施例的跨導(dǎo) 電路的優(yōu)勢還在于輸入匹配不需要額外的串聯(lián)電感。
[0065] 第一晶體管Ml和第二晶體管M2的柵極分別通過第一電阻R1和第二電阻R2連接 到偏置電壓Vbias上，而偏置電壓Vbias來自于鏡像電流鏡，起到為跨導(dǎo)電路提供偏置電壓 的作用。
[0066] 本發(fā)明的實(shí)施例的跨導(dǎo)電路通過電路上的巧妙連接，相當(dāng)于實(shí)現(xiàn)了第一晶體管Ml 和第二晶體管M2之間對通過跨導(dǎo)電路的電流的復(fù)用，增益效率是常規(guī)共源跨導(dǎo)電路和常 規(guī)共柵跨導(dǎo)電路的總和。
[0067] 以下通過公式推導(dǎo)說明本發(fā)明的實(shí)施例的跨導(dǎo)電路的增益效率。為揭示發(fā)明的實(shí) 施例的跨導(dǎo)電路的本質(zhì)，推導(dǎo)該跨電電路的小信號等效跨導(dǎo)，可以忽略晶體管寄生電容的 影響，等效跨導(dǎo)可以表示為： 1 1 --\--
[0068] Gm =- ~^~- ⑴ gm A L'sn'
[0069] 其中，Gm為跨導(dǎo)電路的等效跨導(dǎo)，gm為輸入晶體管的小信號跨導(dǎo)，U為退化電感， Zi為輸入阻抗，S=j*2 π f是表示頻率的參數(shù)。在一般的射頻和微波應(yīng)用場合和關(guān)心的頻率 范圍，通常gm*Z?l，這里，Z=Z 3，或者Ζ=Ι^。因此，公式（1)可以化簡為：
[0070] Gm (2)
[0071 ] 從公式（2)可以看出，本發(fā)明的提出的跨導(dǎo)電路是共源跨導(dǎo)電路增益效率和共柵 跨導(dǎo)電路增益效率的總和。
[0072] 圖3是本發(fā)明的又一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路300的示意性框圖。圖3是圖1的跨導(dǎo)電 路的100的例子。圖3的跨導(dǎo)電路300與圖2的跨導(dǎo)電路200的區(qū)別在于第一輸入網(wǎng)絡(luò)310 與第二輸入網(wǎng)絡(luò)320不同于第一輸入網(wǎng)絡(luò)310和第二輸入網(wǎng)絡(luò)320,圖3的跨導(dǎo)電路300其 它部分與圖2的跨導(dǎo)電路類似，在此適當(dāng)省略詳細(xì)的描述。
[0073] 跨導(dǎo)電路300可包括晶體管差分對、第一輸入網(wǎng)絡(luò)310、第二輸入網(wǎng)絡(luò)320、第一阻 抗Z1和第一阻抗Z2,其中晶體管差分對由有源器件第一晶體管Ml和第二晶體管M2組成， 第一輸入網(wǎng)絡(luò)310和第二輸入網(wǎng)絡(luò)320分別由無源器件構(gòu)成。例如，第一輸入網(wǎng)絡(luò)310可 以包括第一電容C1、第三電容C3和第一電阻R1。第一輸入網(wǎng)絡(luò)320可以包括第二電容C2、 第四電容C4和第二電阻R2。
[0074] 第一晶體管Ml的柵極通過第一電容C1連接到跨導(dǎo)電路300的第一輸入端，第一 晶體管Ml的柵極通過第一電容C1、第三電容耦C3和第一阻抗Z1連接到第二晶體管M2的 源極，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2、第四電容C4連接到跨導(dǎo)電路300的第二輸入 端，即輸入差分信號的正電壓信號Vip通過第一電容C1施加到第一晶體管Ml的柵極，同時 輸入差分信號的負(fù)電壓信號Vin通過第四電容C4以及第二阻抗Z2施加到第一晶體管Ml 的源極。
[0075] 第二晶體管M2的柵極通過第二電容C2連接到跨導(dǎo)電路200的第二輸入端，第二 晶體管M2的柵極通過第二電容C2、第四電容C4和第二阻抗Z2連接到第一晶體管Ml的源 極，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1、第三電容C3連接到跨導(dǎo)電路300的第一輸入 端，即輸入差分信號的負(fù)電壓信號Vin通過第二電容C2施加到第二晶體管M2的柵極，同時 輸入差分信號的正電壓信號Vip通過第三電容C3以及第一阻抗Z1施加到第二晶體管M2 的源極。
[0076] 圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路400的示意性框圖。圖4是圖1的跨導(dǎo)電 路的100的例子。圖4的跨導(dǎo)電路400與圖2的跨導(dǎo)電路200的區(qū)別在于第一輸入網(wǎng)絡(luò)410 與第二輸入網(wǎng)絡(luò)420不同于第一輸入網(wǎng)絡(luò)210和第二輸入網(wǎng)絡(luò)220,圖4的跨導(dǎo)電路400其 它部分與圖2的跨導(dǎo)電路類似，在此適當(dāng)省略詳細(xì)的描述。
[0077] 跨導(dǎo)電路400可包括晶體管差分對、第一輸入網(wǎng)絡(luò)410、第二輸入網(wǎng)絡(luò)420、第一阻 抗Z1和第一阻抗Z2,其中晶體管差分對由有源器件第一晶體管Ml和第二晶體管M2組成， 第一輸入網(wǎng)絡(luò)410和第二輸入網(wǎng)絡(luò)420分別由無源器件構(gòu)成。例如，第一輸入網(wǎng)絡(luò)410可 以包括第一電容C1、第三電容C3和第一電阻R1。第一輸入網(wǎng)絡(luò)420可以包括第二電容C2、 第四電容C4和第二電阻R2。
[0078] 第一晶體管Ml的柵極通過第三電容和第一電容C1連接到跨導(dǎo)電路400的第一輸 入端，第一晶體管Ml的柵極通過第三電容耦C3和第一阻抗Z1連接到第二晶體管M2的源 極，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗Z2和第二電容C2連接到跨導(dǎo)電路200的第二輸入 端，即輸入差分信號的正電壓信號Vip通過第一電容C1和第三電容C3施加到第一晶體管 Ml的柵極，同時輸入差分信號的負(fù)電壓信號Vin通過第二電容C2以及第二阻抗Z2施加到 第一晶體管Ml的源極。
[0079] 第二晶體管M2的柵極通過第四電容C4和第二電容C2連接到跨導(dǎo)電路200的第 二輸入端，第二晶體管M2的柵極通過第四電容C4和第二阻抗Z2連接到第一晶體管Ml的 源極，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗Z1和第一電容C1連接到跨導(dǎo)電路的第一輸入 端，即輸入差分信號的負(fù)電壓信號Vin通過第二電容C2和第四電容C4施加到第二晶體管 M2的柵極，同時輸入差分信號的正電壓信號Vip通過第一電容C1以及第一阻抗Z1施加到 第二晶體管M2的源極。
[0080] 圖5是本發(fā)明的又一實(shí)施例的跨導(dǎo)電路500的示意性框圖。圖5是圖1的跨導(dǎo)電 路的100的例子。圖5的跨導(dǎo)電路500與圖2的跨導(dǎo)電路200不同的是，跨導(dǎo)電路500的第 一晶體管510的源極通過差分退化電感L相連接并且通過退化電感L接地。雖然圖5中示 出的第一輸入網(wǎng)絡(luò)510和第二輸入網(wǎng)絡(luò)520分別與第一輸入網(wǎng)絡(luò)210和第二輸入網(wǎng)絡(luò)220 相同，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，上述第一輸入網(wǎng)絡(luò)510和第二輸入網(wǎng)絡(luò)520可以分別 被第一輸入網(wǎng)絡(luò)310和第二輸入網(wǎng)絡(luò)310替代，或者分別被第一輸入網(wǎng)絡(luò)410和第二輸入 網(wǎng)絡(luò)420替代。
[0081] 上面描述了本發(fā)明的實(shí)施例的高效率的跨導(dǎo)電路，下面結(jié)合圖6至圖8詳細(xì)描述 本發(fā)明的實(shí)施例的混頻器。
[0082] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的混頻器600的框圖?；祛l器600包括：輸入跨 導(dǎo)級電路610、開關(guān)級電路620和負(fù)載級電路630,輸入跨導(dǎo)級電路610通過開關(guān)級電路620 與負(fù)載級電路630相連接。
[0083] 輸入跨導(dǎo)級電路610包括：第一晶體管Ml、第二晶體管M2、第一阻抗Z1、第二阻抗 Z2、第一輸入網(wǎng)絡(luò)611和第二輸入網(wǎng)絡(luò)612,其中第一晶體管Ml的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò) 611連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第一輸入端，第一晶體管Ml的漏極連接到輸入跨導(dǎo)級電 路610的第一輸出端；第二晶體管M2的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)612連接到輸入跨導(dǎo)級電路 610的第二輸入端，第二晶體管M2的漏極連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第二輸出端；第一 晶體管Ml的柵極通過第一輸入網(wǎng)絡(luò)611和第一阻抗Z1連接到第二晶體管612的源極；第 二晶體管612的柵極通過第二輸入網(wǎng)絡(luò)612和第二阻抗Z2連接到第一晶體管Ml的源極。
[0084] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，輸入跨導(dǎo)級電路610用于將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成電流信 號，開關(guān)級電路620用于通過切換實(shí)現(xiàn)頻率轉(zhuǎn)換，負(fù)載級電路630用于將電流信號轉(zhuǎn)換成電 壓信號輸出。
[0085] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一輸入網(wǎng)絡(luò)611包括第一電容和第三電容，第二輸入網(wǎng) 絡(luò)612包括第二電容和第四電容，其中第一晶體管Ml的柵極通過第一電容連接到輸入跨導(dǎo) 級電路610的第一輸入端，第一晶體管Ml的漏極連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第一輸出 端；第二晶體管M2的柵極通過第二電容連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第二輸入端，第二晶 體管M2的漏極連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第二輸出端，第一晶體管Ml的源極和第二晶 體管M2的源極通過電感或電阻相連接并且接地；第一晶體管Ml的柵極通過第一阻抗和第 三電容連接到第二晶體管M2的源極；第二晶體管M2的柵極通過第二阻抗和第四電容連接 到第一晶體管Ml的源極。
[0086] 本發(fā)明的實(shí)施例可以結(jié)合上述高性能的輸入跨導(dǎo)級電路，輸入跨導(dǎo)級電路的電流 能夠在第一晶體管與第二晶體管之間復(fù)用，提高了輸入跨導(dǎo)級電路的增益效率，從而實(shí)現(xiàn) 了一種高線性高增益的混頻器。
[0087] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗、第四電容和第二電容 連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第二輸入端；第二晶體管M2的源極通過第一阻抗、第三電容 和第一電容連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的第一輸入端。
[0088] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一晶體管Ml的柵極通過第一電容連接到輸入跨導(dǎo)級 電路610的第一輸入端，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗和第四電容連接到輸入跨導(dǎo)級 電路610的第二輸入端；第二晶體管M2的柵極通過第二電容連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的 第二輸入端，第二晶體管M2的源極通過第一阻抗和第三電容連接到輸入跨導(dǎo)級電路610的 第一輸入端。
[0089] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一晶體管Ml的柵極通過第一電容和第三電容連接到 輸入跨導(dǎo)級電路610的第一輸入端，第一晶體管Ml的源極通過第二阻抗和第二電容連接到 輸入跨導(dǎo)級電路的第二輸入端；第二晶體管M2的柵極通過第二電容和第四電容連接到輸 入跨導(dǎo)級電路610的第二輸入端，第二晶體管Ml的源極通過第一阻抗和第一電容連接到輸 入跨導(dǎo)級電路610的第一輸入端。
[0090] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一輸入端和第二輸入端輸入差分射頻信號。
[0091] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一輸入端和第二輸入端之一連接單端射頻信號，第一 輸入端和第二輸入端中的另一個接地。
[0092] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一晶體管Ml的源極通過第一電感接地，第二晶體管M2的 源極通過第二電感接地。
[0093] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一晶體管Ml的源極和第二晶體管M2的源極通過差分 電感接地。
[0094] 可選地，作為另一實(shí)施例，第一輸入網(wǎng)絡(luò)611還包括：第一電阻器，第二輸入網(wǎng)絡(luò) 612還包括：第二電阻器，其中第一晶體管Ml的柵極通過第一電阻器施加有偏置電壓，第二 晶體管M2的柵極通過第二電阻器施加有偏置電壓。
[0095] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一晶體管Ml為場效應(yīng)管或三極管，第二晶體管M2為場效 應(yīng)管或三極管。
[0096] 可選地，作為另一實(shí)施例，還包括：電流抽取級電路640,連接在輸入跨導(dǎo)級電路 610的第一輸出端和第二輸出端與開關(guān)級電路620之間，用于抽取流過開關(guān)級電路620和負(fù) 載級電路630的電流。
[0097] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，負(fù)載級電路630包括：第三電阻和第四電阻構(gòu)成的差分輸 出接口電路。
[0098] 可選地，作為另一實(shí)施例，負(fù)載級電路630包括：第三電感、第四電感和N:1的巴倫 器件構(gòu)成的輸出接口電路，其中N:1為巴倫器件的線圈的匝數(shù)比，N為正整數(shù)。
[0099] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的混頻器700的示意性框圖。圖7的混頻器700 是圖6的混頻器600的例子。
[0100] 混頻器700為有源混頻器，包括：輸入跨導(dǎo)級電路710、電流抽取級電路740、 Gilbert開關(guān)級電路720和片外巴倫器件730。
[0101] 輸入跨導(dǎo)級電路710可以為圖2實(shí)施例的跨導(dǎo)電路200,在此不再贅述。
[0102] 電流抽取級電路740由第三電阻R3和第四電阻R4以及上拉電流源Ictl構(gòu)成。 具體而言，第三電阻R3和第四電阻R4分別串聯(lián)跨接在第一晶體管Ml的漏極和第二晶體管 M2的漏極上，上拉電流源連接到R3和R4的連接點(diǎn)上，通過第三電阻R3、第四電阻R4和上 拉電流源Ictl形成一個電流抽取級電路。通過抽取流過開關(guān)級電路620以及負(fù)載級電路 630的電流，能夠降低開關(guān)級電路的噪聲。
[0103] 開關(guān)級電路620由第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5和第六晶體管 M6構(gòu)成，即由兩對晶體管開關(guān)交叉連接形成吉爾伯特（Gilbert)開關(guān)電路，其中第三晶體 管M3的源極與第四晶體管M4的源極相連接，并且連接到第一晶體管Ml的漏極，第五晶體 管M5的源極和第六晶體管M6的源極連接，并且連接到第二晶體管M2的漏極。第三晶體管 M3漏極與第五晶體管M5的漏極連接，第四晶體管M4與第六晶體管M6的漏極連接。第四晶 體管M4的柵極與第五晶體管的柵極相連接，第三晶體管M3的柵極和第六晶體管的柵級接 收輸入的差分信號Lop和Lop。
[0104] 負(fù)載級電路630由第三電感L3和第四電感L4以及片外器件構(gòu)成。片外器件可以 為N:1的差分轉(zhuǎn)單端巴倫（balun)。采用片外器件主要目的是為開關(guān)級電路的漏極留有足 夠的電壓余量，有利于線性度的提高。這種負(fù)載級電路的配置更適合低電壓的應(yīng)用場合，以 節(jié)省電路的功耗。另外，采用N:1巴倫外接外部50歐姆匹配的器件，可以輸出更高的功率， 提供額外的功率增益。
[0105] 應(yīng)理解，圖7的實(shí)施例是以輸入跨導(dǎo)級電路710為圖2的跨導(dǎo)電路200為例進(jìn)行 了說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，輸入跨導(dǎo)級電路710可以替代為圖3至圖5的跨導(dǎo) 電路。
[0106] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的混頻器800的框圖。混頻器800為高電壓增益 的全集成的有源混頻器電路。與圖7的混頻器700相比，混頻器800沒有采用片外無源器 件，即為全集成的技術(shù)方案。
[0107] 圖8的實(shí)施例與圖7的有源混頻器的不同之處在于負(fù)載阻抗?；祛l器800的負(fù)載 級電路由芯片內(nèi)部的第五電阻R5和第六電阻R6構(gòu)成形成差分的輸出接口，能夠獲得較高 的電壓增益。這種混頻器800的配置適合電路在以差分電壓驅(qū)動為接口的應(yīng)用場合。
[0108] 應(yīng)理解，圖8的實(shí)施例是以輸入跨導(dǎo)級電路810為圖2的輸入跨導(dǎo)級電路200為 例進(jìn)行了說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，輸入跨導(dǎo)級電路810可以替代為圖3至圖5 的跨導(dǎo)電路。
[0109] 本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的高效率跨導(dǎo)電路及有源混頻器，可以廣泛應(yīng)用在基站和微波產(chǎn)品的 高性能芯片中。另外，因?yàn)槠涓咝实奶攸c(diǎn)，可以應(yīng)用在終端芯片中以實(shí)現(xiàn)低功耗和低成 本。
[oho] 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例中描述的各單元， 能夠以電子硬件、固件、計算機(jī)軟件或者至少兩者的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。
[〇111] 盡管通過參考附圖并結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例的方式對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述，但本發(fā)明 并不限于此。在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以對本發(fā)明 的實(shí)施例進(jìn)行各種等效的修改或替換，而這些修改或替換都應(yīng)在本發(fā)明的涵蓋范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種跨導(dǎo)電路，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第一阻抗、第二阻抗、 第一輸入網(wǎng)絡(luò)和第二輸入網(wǎng)絡(luò)， 所述第一晶體管的柵極通過所述第一輸入網(wǎng)絡(luò)連接到所述跨導(dǎo)電路的第一輸入端，所 述第一晶體管的漏極連接到所述跨導(dǎo)電路的第一輸出端； 所述第二晶體管的柵極通過所述第二輸入網(wǎng)絡(luò)連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸入端，所 述第二晶體管的漏極連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸出端，所述第一晶體管的源極和所述第 二晶體管的源極通過電感或電阻相連接并且接地； 所述第一晶體管的柵極通過所述第一輸入網(wǎng)絡(luò)和所述第一阻抗連接到所述第二晶體 管的源極，所述第一輸入網(wǎng)絡(luò)和所述第一阻抗串聯(lián)連接； 所述第二晶體管的柵極通過所述第二輸入網(wǎng)絡(luò)和所述第二阻抗接到所述第一晶體管 的源極，所述第二輸入網(wǎng)絡(luò)與所述第二阻抗串聯(lián)連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于，所述第一輸入網(wǎng)絡(luò)包括第一電容和 第三電容，所述第二輸入網(wǎng)絡(luò)包括第二電容和第四電容，所述第一晶體管的柵極通過所述 第一電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第一輸入端，所述第一晶體管的漏極連接到所述跨導(dǎo)電路 的第一輸出端； 所述第二晶體管的柵極通過所述第二電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸入端，所述第 二晶體管的漏極連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸出端； 所述第一晶體管的柵極通過所述第一阻抗和所述第三電容連接到所述第二晶體管的 源極； 所述第二晶體管的柵極通過所述第二阻抗和所述第四電容連接到所述第一晶體管的 源極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于，所述第一晶體管的源極通過所述第 二阻抗、所述第四電容和所述第二電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸入端； 所述第二晶體管的源極通過所述第一阻抗、所述第三電容和所述第一電容連接到所述 跨導(dǎo)電路的第一輸入端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于，所述第一晶體管的柵極通過所述第 一電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第一輸入端，所述第一晶體管的源極通過所述第二阻抗和所 述第四電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸入端； 所述第二晶體管的柵極通過所述第二電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸入端，所述第 二晶體管的源極通過所述第一阻抗和所述第三電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第一輸入端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于，所述第一晶體管的柵極通過所述第 一電容和所述第三電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第一輸入端，所述第一晶體管的源極通過所 述第二阻抗和所述第二電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第二輸入端； 所述第二晶體管的柵極通過所述第二電容和所述第四電容連接到所述跨導(dǎo)電路的第 二輸入端，所述第二晶體管的源極通過所述第一阻抗和所述第一電容連接到所述跨導(dǎo)電路 的第一輸入端。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2至5中的任一項(xiàng)所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于， 所述第一輸入端和所述第二輸入端輸入差分射頻信號； 或者， 所述第一輸入端和所述第二輸入端之一連接單端射頻信號，所述第一輸入端和所述第 二輸入端中的另一個接地。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2至6中的任一項(xiàng)所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于， 所述第一晶體管的源極通過第一電感接地，所述第二晶體管的源極通過第二電感接 地， 或者， 所述第一晶體管的源極和所述第二晶體管的源極通過差分電感接地。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2至7所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于，所述第一輸入網(wǎng)絡(luò)還包括：第一 電阻器，所述第二輸入網(wǎng)絡(luò)還包括：第二電阻器，其中所述第一晶體管的柵極通過所述第一 電阻器施加有偏置電壓，所述第二晶體管的柵極通過所述第二電阻器施加有偏置電壓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2至8中的任一項(xiàng)所述的跨導(dǎo)電路，其特征在于，所述第一晶體管為場 效應(yīng)管或三極管，所述第二晶體管為場效應(yīng)管或三極管。
10. -種混頻器，其特征在于，包括：輸入跨導(dǎo)級電路、開關(guān)級電路和負(fù)載級電路，所述 輸入跨導(dǎo)級電路通過所述開關(guān)級電路與所述負(fù)載級電路相連接，其中所述輸入跨導(dǎo)級電路 為如權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的跨導(dǎo)電路。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的混頻器，其特征在于，還包括：電流抽取級電路，連接在所 述輸入跨導(dǎo)級電路的第一輸出端和第二輸出端與所述開關(guān)級電路之間，用于抽取流過所述 開關(guān)級電路和所述負(fù)載級電路的電流。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的混頻器，其特征在于， 所述負(fù)載級電路包括：第三電阻和第四電阻構(gòu)成的差分輸出接口電路， 或者， 所述負(fù)載級電路包括：第三電感、第四電感和N:1的巴倫器件構(gòu)成的輸出接口電路，其 中N:1為巴倫器件的線圈的匝數(shù)比，N為正整數(shù)。
【文檔編號】H03F3/45GK104052418SQ201310079274
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月13日
【發(fā)明者】王紅玉 申請人:華為技術(shù)有限公司