專利名稱：分布式二極管混頻器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及分布式二極管混頻器電路。
背景技術(shù)：
混頻器電路一般用于根據(jù)本地振蕩器(LO)頻率，將輸入信號從一個頻率轉(zhuǎn)換到另一個頻率。對于降頻轉(zhuǎn)換應(yīng)用，混頻器將高輸入頻率，例如射頻(RF)，變換為低輸出頻率，例如中頻(IF);對于升頻轉(zhuǎn)換應(yīng)用，輸入頻率將是低頻率IF信號，輸出將是高頻率RF信號。本地振蕩器(LO)頻率或信號也被認(rèn)為是參考頻率或信號，高射頻(RF)頻率或信號也被認(rèn)為是數(shù)據(jù)頻率信號。這些頻率轉(zhuǎn)換通過對嵌入在混頻器電路的混頻器內(nèi)核進行非線性操作來實現(xiàn)。連同所需的混頻輸出信號一起，混頻器典型地生成其他互調(diào)產(chǎn)物和端到端泄漏，這些都被很好地抑制了。混頻器設(shè)計能歸為三種拓?fù)渲粏味嘶祛l器、單平衡混頻器和雙平衡混頻器。雙平衡拓?fù)涫褂闷胶獾幕祛l內(nèi)核結(jié)構(gòu)，例如環(huán)、橋或星型，混頻器內(nèi) 核通常由兩個平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器差分驅(qū)動。該平衡差分驅(qū)動對端到端提供高度隔離、偶數(shù)模式諧波和互調(diào)產(chǎn)物的高拒絕以及高功率處理能力(因此，有好的動態(tài)范圍)。因此，通常雙平衡拓?fù)鋵Ω咝阅軕?yīng)用來說是首選的。寬帶混頻內(nèi)核拓?fù)湓谥暗恼撐闹幸呀?jīng)提出并研究過，例如 Fong-Cheng Chang 等的 “A 4-41 GHz Single Balanced DistributedMixer Using GaAs pHEMT Technology”， IEEE Microwave and Wireless ComponentsLetters, Vol. 17, No. 2, 2007 年 2 月，以及 Amin Q. Safarian 等的 “Design and Analysisof an Ultrawide-Band Distributed CMOS Mixer，，，IEEE Trans. On Very Large ScaleIntegration (VLSI) Systems, Vol. 13，No. 5,2005 年 5 月，Pavio 的美國專利，4，125，810，Will的美國專利4，224，572，Seely的美國專利4，355,421，Heydari的美國專利，公開號為 US2005/0064840A1, Ahmed 的美國專利 6，850，575B1, Salib 的美國專利 6，993，312B1,Gamliel的美國專利7，013，122B2。在它們之中，平衡分布式拓?fù)涫亲羁赡塬@得超寬帶寬而無其他混頻性能衰減的方法之一。然而，之前所有雙平衡分布式混頻器不是要求有源偏置電流的有源(或基于Gilbert-cell)的混頻器，就是基于單平衡FET的混頻器。兩種拓?fù)涫芰淤|(zhì)的功率操作性能和低線性所制。另外，有源分布式混頻器有差的噪聲性能。與雙平衡混頻器相比，單平衡分布式FET混頻器受低的端到端隔離度所制?？偠灾?，現(xiàn)有的無源分布式混頻器設(shè)計或者是單平衡的或者是完全無平衡的，這都導(dǎo)致端口間的隔離度不好。有源雙平衡分布式混頻器可以利用平衡拓?fù)涮峁┝己玫母綦x，但受制于差的噪聲性能，這極大地限制了有源混頻器的動態(tài)范圍。一種現(xiàn)有技術(shù)方法，專利號為5，854，974的美國專利在二極管環(huán)的差分參考(LO)節(jié)點之間使用補償電感器，與在參考(LO)頻率處的二極管環(huán)的電容性電抗產(chǎn)生共振。該電感器位于參考(LO)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器的差分輸出兩端，參考(LO)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器與二極管環(huán)平行，電感器將抵消參考(LO)頻率處二極管環(huán)表現(xiàn)出的電容。這樣，以參考(LO)頻率處的減小的三階諧波而提升了線性度。其還公開了使用具有兩個環(huán)形混頻器內(nèi)核的兩個電感器，每個電感器連接在每個環(huán)的參考(LO)差分節(jié)點兩端，以與每個環(huán)的電容在參考(LO)頻率處共振。然而，由于該設(shè)計的共振特性，該方法只工作于窄的參考(LO)頻率帶寬，因此不適合于寬帶設(shè)計。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種改進的分布式二極管混頻器電路。本發(fā)明的另一目的是提供這樣一種改進的分布式二極管混頻器電路，該電路中混頻器內(nèi)核不需要偏置電路，并顯著減少功率需求。本發(fā)明的另一目的是提供這樣一種改進的分布式二極管混頻器電路，該電路提供優(yōu)良的端到端信號隔離、低噪聲、良好的線性度、操作帶寬范圍寬，并且無需終端電阻器，這進一步減少了功率需求。本發(fā)明的另一目的提供這樣一種改進的分布式二極管混頻器電路，該電路具有高達10 I的混合帶寬比。 本發(fā)明由于實現(xiàn)了一種改進的混頻器電路，該電路具有低噪聲、良好的線性度，分布式電抗性高阻抗網(wǎng)絡(luò)的寬帶操作及無偏置電路的二極管網(wǎng)絡(luò)的特點，這些特點是利用平衡連接無偏置二極管的兩個或多個無源二極管混頻器內(nèi)核實現(xiàn)的，所述平衡連接無偏置二極管具有分布式電抗性高阻抗網(wǎng)絡(luò)，每個混頻器內(nèi)核的各節(jié)點之間通過電抗性阻抗連接。然而，在這些實施例中，本主題發(fā)明不需要達到所有的這些目的，相關(guān)的權(quán)利要求不應(yīng)限制于可以達到這些目的的結(jié)構(gòu)或方法。本發(fā)明特征在于一種分布式二極管混頻器電路，包括多個無源二極管混頻器內(nèi)核，至少包括第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核，所述第一和第二元源二極管混頻器內(nèi)核包括對稱平衡配置形式的雙平衡二極管，每個混頻器內(nèi)核具有由參考信號驅(qū)動的差分參考節(jié)點對和由數(shù)據(jù)信號驅(qū)動的差分節(jié)點對；以及電抗性阻抗網(wǎng)絡(luò)，包括連接在所述第一和第二混頻器內(nèi)核每一個的同類節(jié)點之間的一個或多個電抗性部件或傳輸線。優(yōu)選實施例中，可以有第三無源二極管混頻器內(nèi)核和第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)，所述第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)包括連接在所述第三混頻器內(nèi)核與所述第一和第二混頻器內(nèi)核之一的同類節(jié)點之間的電抗性阻抗。每個所述混頻器內(nèi)核包括環(huán)形配置的至少四個二極管，所述環(huán)形的每個分支能夠由一個或多個二極管組成。電抗性阻抗可包括電感。電抗性阻抗可包括高阻抗傳輸線。每個所述混頻器內(nèi)核包括具有四個腳的二極管星形，其中在每個腳中有至少一個二極管?？梢杂刑峁┎罘謪⒖夹盘柕膮⒖计胶?非平衡轉(zhuǎn)換器和提供差分?jǐn)?shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器。一種分布式二極管混頻器電路，包括提供差分參考信號的參考平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器和提供差分?jǐn)?shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器；多個無源二極管混頻器內(nèi)核，包括至少第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核，所述第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核包括對稱平衡配置形式的雙平衡二極管，每個混頻器內(nèi)核具有由所述參考信號驅(qū)動的差分參考節(jié)點對和由所述數(shù)據(jù)信號驅(qū)動的差分節(jié)點對。電抗性阻抗網(wǎng)絡(luò)，包括連接在所述第一和第二混頻器內(nèi)核中的每一個的同類節(jié)點之間的一個或多個電抗性部件或傳輸線。優(yōu)選的實施例中，可以有第三無源二極管混頻器內(nèi)核和第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)，所述第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)包括連接在所述第三混頻器內(nèi)核和所述第一和第二混頻器內(nèi)核之一的同類節(jié)點之間的電抗性阻抗。每個所述混頻器內(nèi)核包括環(huán)形配置的至少四個二極管，所述環(huán)形的每個支路能夠由一個或多個二極管組成。電抗性阻抗可包括電感。電抗性阻抗可包括高阻抗傳輸線。每個所述混頻器內(nèi)核包括具有四個腳的二極管星形，其中在每個腳中有至少一個二極管。


從優(yōu)選實施例和附圖接下來的表述，向本領(lǐng)域技術(shù)人員呈現(xiàn)其他的目的、特征和優(yōu)點，其中圖I是根據(jù)本發(fā)明的參考(LO)和數(shù)據(jù)(RF)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器的分布式二極管混頻器電路的結(jié)構(gòu)圖；圖2是對圖I的電路更詳盡的示意；圖3和4是圖I和2中可使用的可選混頻器內(nèi)核的示意圖；圖5類似圖I，示出了任意數(shù)量混頻器內(nèi)核使用的視圖；圖6類似圖5，示出了高阻抗傳輸線替換分布式網(wǎng)絡(luò)中電感器的視圖；圖7是由本發(fā)明獲得的改進的隔離的曲線圖；圖8是本發(fā)明獲得的改進的三次諧波隔離的曲線圖；圖9是本發(fā)明獲得的改進的收斂增益的曲線圖
具體實施例方式除了優(yōu)選實施例或以下公開的實施例，本發(fā)明可采用其它實施例、并用多種方式實現(xiàn)或執(zhí)行。因此，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明在應(yīng)用方面并不限于在后描述或附圖所示的結(jié)構(gòu)細節(jié)和組件的排列。如果本說明書只記載一個實施例，本權(quán)利要求書并不限于該實施例。此外，其權(quán)利要求不能被嚴(yán)格限定，除非有明確和令人信服的證據(jù)體現(xiàn)一定排斥、限制或否定。本發(fā)明提供了多個相似類型的混頻器內(nèi)核，內(nèi)核以串聯(lián)的方式與具有電感性的高阻抗網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明為混頻器提出了一種解決方案，該混頻器提供多倍頻程的帶寬，并且可以通過使用常見可用的半導(dǎo)體和其他平面處理工藝以緊湊的電路尺寸實現(xiàn)。它可以在超寬帶寬上提供期望的優(yōu)良隔離度和高動態(tài)范圍。使用目前的無源分布式混頻器或者有源分布式混頻器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)無法獲得這些組合的特點。所提到的無源雙平衡混頻器結(jié)合了雙平衡拓?fù)浜蜔o源操作的優(yōu)勢，取得了良好的端對端隔離和高動態(tài)范圍。在從O. 6到6GHz的整個工作頻段上，LO至RF之間的隔離度大于34dB，在公開的具體實施例之中，單邊帶噪聲系數(shù)等于轉(zhuǎn)換損耗，并且輸出端IP3好于18dBm0本發(fā)明的混頻器電路提供了多倍頻程的信號轉(zhuǎn)換帶寬。這里展示的混頻器示例中，一個雙平衡混頻器展示了從O. 6到6GHz低于 Ο-dB的轉(zhuǎn)換損耗，以及I到10的帶寬比。本發(fā)明可以通過分布式耦合線路和集成元件實現(xiàn)。這兩種選擇可以很容易地在大多數(shù)的半導(dǎo)體和其他平面制造工藝中實現(xiàn)。集成元件的方法需要最少的占用面積并展示了在射頻和微波頻率應(yīng)用中最緊湊的電路面積的解決方案。為了克服現(xiàn)有技術(shù)中有源分布式和單平衡分布式場效應(yīng)晶體管混頻器的局限性，本發(fā)明提出了一種基于新的分布式平衡二極管的方法，該方法不僅保留了傳統(tǒng)的雙平衡二極管混頻器的優(yōu)點，還提供由分布式方法帶來的超寬帶。尤其是當(dāng)與混頻器相關(guān)的平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器不是頻率限制因素時，本發(fā)明提出了適合于大多數(shù)寬帶應(yīng)用的更好的寬帶混頻內(nèi)核拓?fù)?。根?jù)本發(fā)明，圖I中所示的混頻器電路10包括由分布式的電抗性高阻抗網(wǎng)絡(luò)16-1互連的兩個或多個混頻器內(nèi)核12-1、12-2。在下文實施例中所公開的參考信號或頻率將被稱為本地振蕩器頻率或信號(LO)，數(shù)據(jù)信號或頻率將被稱為相關(guān)電路的射頻(RF)頻率或信號。LO平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器18可以在LO端口 20在一個方向上接收單端LO輸入，并將其轉(zhuǎn)換為線路22、24上的正負(fù)輸出信號。這些信號分別提供給混頻器內(nèi)核12-1和12-2的正負(fù)LO節(jié)點26、28和30、32。類似的，RF平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器34可以在RF端口 36接收單端輸入，并把它分解成在線路38和40上的差分正負(fù)輸出，分別傳送給混頻器內(nèi)核12-1和12-2的RF正負(fù)節(jié)點42、44、46和48?；祛l輸出(IF)可以從平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器34在IF輸出端口 50上帶出的抽頭上獲得。在本實施例中的分布式電抗性高阻抗網(wǎng)絡(luò)16-1，有但只有兩個混頻器內(nèi)核12-1和12-2，包括四個電抗性阻抗52、54、56和58。在這個具體例子中，這些電抗性阻抗是電感；其他的阻抗可以使用例如高阻抗傳輸線，或者可以是這兩者的組合。注意，每個電抗性阻抗52、54、56、58連接在每個混頻器內(nèi)核12_1和12_2的類似節(jié) 點之間。例如，電抗性阻抗52連接在混頻器12-1的LO正節(jié)點26和混頻器12_2的LO正節(jié)點30之間。電抗性阻抗54連接在混頻器12-1的LO負(fù)節(jié)點28和混頻器12_2的LO負(fù)節(jié)點32之間。電抗性阻抗56連接在混頻器12-1的RF負(fù)節(jié)點44和混頻器12_2的RF負(fù)節(jié)點48之間。電抗性阻抗58連接在混頻器12-1的RF正節(jié)點42與混頻器12_2的RF正節(jié)點46之間。在一個具體實施中，在圖2中，混頻器電路IOa包括混頻器內(nèi)核12_la和12_2a，每個混頻器內(nèi)核由二極管環(huán)形成，二極管環(huán)由四個二極管60、62、64和66形成，陽極連接陰極以形成混頻器12-la的環(huán)68，二極管70、72、74、和76陽極連接陰極以形成混頻器內(nèi)核12-2a的環(huán)78。LO平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器18a和RF平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器34a可以是典型的單端平衡的平衡-非平衡變壓器。LO平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器18a可以包括主線圈80，主線圈80包括串聯(lián)連接通過AC電容器86接地88的兩個部分82和84。平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器18a還可以包括副線圈90，它包括具有接地的中心抽頭96的兩個部分92和94。副線圈90提供LO正輸出98分別到混頻器內(nèi)核12-la和12_2a的節(jié)點26和30，并在100處提供第二LO負(fù)輸出分別到混頻器內(nèi)核12-la和12-2a的節(jié)點28和32。平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器34a包括主線圈110，主線圈110包括串聯(lián)連接通過AC接地電容器116接地118的兩個部分112和114。副線圈120包括串聯(lián)在一起的兩個部分122和124，以提供一個輸出126RF+分別到混頻器內(nèi)核12-la和12-2a的節(jié)點42和46，以及第二輸出128提供RF-分別到混頻器內(nèi)核12-la和12-2a的節(jié)點44和48?；祛l輸出可以在混頻器內(nèi)核12_la和12_2a的中任一節(jié)點的任何地方獲取，但更常見的是從副線圈120的中心抽頭130處獲取。從那里，其通過高阻抗傳輸線或微帶線132傳送到IF端口 50。電容器134可以被用于信號的IF部分濾波以及作為中心抽頭130的AC接地。盡管目前無源二極管混頻器內(nèi)核已顯示為如圖2中由四個二極管的環(huán)，但這并不是對本發(fā)明的強制限定。例如如圖3中所示，每個腳上有多個二極管。用混頻器內(nèi)核12-lb作為示例，環(huán)的每個腳則可以包括兩個二極管60、60a ;62、62a ；64、64a和66、66a。事實上，每個腳可以使用任意數(shù)量的二極管，其中，典型地，總數(shù)為四的某個整數(shù)倍。本發(fā)明中的無源二極管混頻器內(nèi)核并不限制為環(huán)形結(jié)構(gòu)。例如，可以使用圖4中12-lc顯示的星形結(jié)構(gòu)，其中的二極管連接到一個公共節(jié)點65，LO和RF信號的差分端口可選擇地互連以驅(qū)動該星形混頻內(nèi)核。因此，例如，如果圖2中的無源二極管混頻器內(nèi)核12-la和12-2a由例如圖4中的12_lc的星形結(jié)構(gòu)構(gòu)成，驅(qū)動每個二極管L0+、RF- ;L0+、RF+ ；LO-、RF- ;L0_、RF+的信號將在圖4-1的節(jié)點98、100、126和128處通過耦合線97、99、125和127分裂為L0+、L0-、RF+和RF-信號來獲得。用這樣的方法，第一混頻器內(nèi)核12_lc中的二極管62’由節(jié)點25處的LO+和RF+驅(qū)動，在該情況下，第二混頻器內(nèi)核12_2c中的二極管72’在節(jié)點30’處由經(jīng)過58’組成的高阻抗網(wǎng)絡(luò)的相同LO+和RF+信號驅(qū)動。圖4_1中，混頻輸出信號可以從130和131獲取，并通過傳輸線133和132到達端口 50。緊耦合線對97、99、125和127的長度通常為四分之一波長，以獲得所期望的良好平衡操作以及LO和RF信號端口間的高度隔離。圖I和圖2中的例子示出了只使用兩個混頻器內(nèi)核12-1和12-2的情況，但這不是本發(fā)明的強制限定。如圖5所示，可能有任意數(shù)量的混頻器內(nèi)核12-l、12-2、12-n，并且將有η-I個分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)16-1到16-(n-1)，在每個分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)中的每個電抗性阻抗連接在相鄰混頻器內(nèi)核的類似節(jié)點之間。例如第一網(wǎng)絡(luò)16-1的阻抗52-58連接在混頻器內(nèi)核12-1和12-2之間；分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)16-(η-I)包括電抗性阻抗52-(n_l)、·54-(n-1) >56-(n-1)和58-(n_l)，在混頻器內(nèi)核12_n和前面一個的混頻器內(nèi)核的類似節(jié)點之間延伸。圖5還示出了終端電阻器150、152、154和156，但這些本發(fā)明不作要求，優(yōu)選地，可以并且通常省略以進一步降低功耗。 目前為止，實施例所示的電抗性阻抗為電感52- (n-1) -58- (n-1)，但也可以使用其它類型的阻抗，例如高阻抗傳輸線52’-58’、圖6和52’-(n-1)-58’-(η-I)。參考圖7、8和9可以進一步理解本發(fā)明的效果，圖中示出了根據(jù)本發(fā)明設(shè)計的混頻器測得的性能測試結(jié)果。測量中，LO頻率被設(shè)定在低于RF頻率的100MHz。圖7示出了 LO-RF隔離度160，圖7中，其中400和5900MHz的LO頻率之間的隔離度是至少約35dB以下。圖8中的三次諧波特性162的輸入截點(IIP)表明了三次偽諧波功率電平低于基波信號，再一次，這里25dBm的典型值對應(yīng)于在OdBm輸入射頻功率電平處的三階峰值的50dB抑制。圖9中收斂增益(CG) 164表示有多少RF實際轉(zhuǎn)換為IF，這里可以看到，是從約600MHz到高達6GHz的相當(dāng)大的寬范圍RF頻率。盡管本發(fā)明的特定特征在一些附圖中示出而沒有在其他附圖中示出這僅僅是為了方便，因為每個特征可以與本發(fā)明中的任何或所有其他特征結(jié)合。本文使用的詞“包括”、“包含”、“具有”、“與”具有廣泛而全面的解釋并且不局限于任何物理互連。此外，在本申請公開的任意實施例不作為唯一可能的實施例。此外，對本專利在專利申請過程中提出的任何修改并不放棄任何在申請中提出的可要求的要素本領(lǐng)域技術(shù)人員不能合理預(yù)期起草一個權(quán)利要求，該權(quán)利要求將在字面上包含所有可能的同等物，許多同等物在修訂時不可預(yù)見并超出可讓步的公平的解釋(如果有的話)，修改依據(jù)可能不過是多個等同物的切向關(guān)系，和/或有許多其他原因，申請人不能描述修改的任何權(quán)利要求要素的某些非實質(zhì)的替代物。其它實施例對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說會出現(xiàn)并包括在權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種分布式二極管混頻器電路，包括 多個無源二極管混頻器內(nèi)核，至少包括第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核，所述第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核包括對稱平衡配置形式的雙平衡二極管，每個混頻器內(nèi)核具有由參考信號驅(qū)動的差分參考節(jié)點對和由數(shù)據(jù)信號驅(qū)動的差分節(jié)點對；以及 電抗性阻抗網(wǎng)絡(luò)，包括連接在所述第一和第二混頻器內(nèi)核每一個的同類節(jié)點之間的一個或多個電抗性部件或傳輸線。
2.如權(quán)利要求I所述的分布式二極管混頻器電路，其中有第三無源二極管混頻器內(nèi)核和第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)，所述第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)包括連接在所述第三混頻器內(nèi)核與所述第一和第二混頻器內(nèi)核之一的同類節(jié)點之間的電抗性阻抗。
3.如權(quán)利要求I所述的分布式二極管混頻器電路，其中每個所述混頻器內(nèi)核包括環(huán)形配置的至少四個二極管，所述環(huán)形的每個分支能夠由一個或多個二極管組成。
4.如權(quán)利要求I所述的分布式二極管混頻器電路，其中所述電抗性阻抗包括電感。
5.如權(quán)利要求I所述的分布式二極管混頻器電路，其中所述電抗性阻抗包括高阻抗傳輸線。
6.如權(quán)利要求I所述的分布式二極管混頻器電路，其中每個所述混頻器內(nèi)核包括具有四個腳的二極管星形，其中在每個腳中有至少一個二極管。
7.如權(quán)利要求I所述的分布式二極管混頻器電路，還包括提供所述差分參考信號的參考平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器和提供所述差分?jǐn)?shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器。
8.一種分布式二極管混頻器電路，包括 提供差分參考信號的參考平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器和提供差分?jǐn)?shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)平衡-非平衡轉(zhuǎn)換器； 多個無源二極管混頻器內(nèi)核，包括至少第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核，所述第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核包括對稱平衡配置形式的雙平衡二極管，每個混頻器內(nèi)核具有由所述參考信號驅(qū)動的差分參考節(jié)點對和由所述數(shù)據(jù)信號驅(qū)動的差分節(jié)點對；以及 電抗性阻抗網(wǎng)絡(luò)，包括連接在所述第一和第二混頻器內(nèi)核中的每一個的同類節(jié)點之間的一個或多個電抗性部件或傳輸線。
9.如權(quán)利要求8所述的分布式二極管混頻器電路，其中有第三無源二極管混頻器內(nèi)核和第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)，所述第二分布式高阻抗網(wǎng)絡(luò)包括連接在所述第三混頻器內(nèi)核和所述第一和第二混頻器內(nèi)核之一的同類節(jié)點之間的電抗性阻抗。
10.如權(quán)利要求8所述的分布式二極管混頻器電路，其中每個所述混頻器內(nèi)核包括環(huán)形配置的至少四個二極管，所述環(huán)形的每個支路能夠由一個或多個二極管組成。
11.如權(quán)利要求8所述的分布式二極管混頻器電路，其中所述電抗性阻抗包括電感。
12.如權(quán)利要求8所述的分布式二極管混頻器電路，其中所述電抗性阻抗包括高阻抗傳輸線。
13.如權(quán)利要求8所述的分布式二極管混頻器電路，其中每個所述混頻器內(nèi)核包括具有四個腳的二極管星形，其中在每個腳中有至少一個二極管。
全文摘要
一種分布式二極管混頻器電路，包括多個無源二極管混頻器內(nèi)核，至少包括第一和第二無源二極管混頻器內(nèi)核，所述無源二極管混頻器內(nèi)核包括對稱平衡配置形式的雙平衡二極管，每個混頻器內(nèi)核具有一對由參考信號驅(qū)動的差分參考節(jié)點和一對由數(shù)據(jù)信號驅(qū)動的差分節(jié)點，以及電抗性阻抗網(wǎng)絡(luò)，該電抗性阻抗網(wǎng)絡(luò)包括連接在每個第一和第二混頻器內(nèi)核的同類節(jié)點間的一個或多個電抗性部件或傳輸線。
文檔編號H04B1/26GK102918772SQ201180021415
公開日2013年2月6日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者姜鑫 申請人:赫梯特微波公司