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      一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐返闹谱鞣椒?

      文檔序號:7542988閱讀:294來源:國知局
      一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐返闹谱鞣椒?br> 【專利摘要】一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,提供了一種動態(tài)誤差由通過一個與跟蹤和保持電路串聯(lián)耦合的開關(guān)的壓降引起。在這種電路中,電容應(yīng)該提供與耦合開關(guān)信號相同的電壓,而不是開關(guān)壓降。這個開關(guān)可以是,例如,一個MOS管或更特別地是一個CMOS器件。動態(tài)誤差補償用于測量通過開關(guān)的壓降,然后有效地給由電容提供的電壓增加一個測量的壓降。
      【專利說明】一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?br> 【技術(shù)領(lǐng)域】:
      [0001]本發(fā)明跟蹤和保持電路。更特別地,本發(fā)明涉及的電路和方法用來補償跟蹤和保持電路中的動態(tài)誤差。一個跟蹤和保持電路(有時也被稱作采樣保持電路),通常以兩種模式工作,一種是跟蹤模式(例如跟蹤)一個輸入信號,一種是保持模式,隨著輸入信號接收之前進入保持模式,通常地產(chǎn)生和跟蹤一個具有相同電壓的輸出信號。一個跟蹤和保持電路通常包括一個與電容串聯(lián)耦合的開關(guān)。在跟蹤模式時,開關(guān)通常是閉合的(例如導(dǎo)電),在保持模式是打開的(例如不導(dǎo)電)。在跟蹤模式時,電容充電到輸入信號電壓水平。在保持狀態(tài),電容通常遠離任何負載并且提供一個固定的輸出電壓信號。
      【背景技術(shù)】:
      [0002]跟蹤和保持電路通常使用在離散時間系統(tǒng)的前端,例如,模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(A/D)。在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換期,如此轉(zhuǎn)換器需要一個相對連續(xù)的輸入信號。如果模擬輸入信號連續(xù)改變,這可能是難以獲得的,例如,當(dāng)模擬輸入信號是一個正弦波。一個跟蹤和保持電路可能提供一個擁有表明跟蹤的模擬信號的連續(xù)的輸入信號的A/D轉(zhuǎn)換器。A/D可能測量和轉(zhuǎn)換這些連續(xù)的信號來占用N位數(shù)字信號。
      [0003]跟蹤和保持電路的開關(guān)通常包括一個MOS (金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),特別是包括一個CMOS (或M0S)器件。一個CMOS器件包括一個PMOS (P型MOS) FET和一個NMOS (N型MOS)FET。MOS選為開關(guān),由于他們的偏壓通常是零。
      [0004]理想情況下,通過一個跟蹤和保持電路閉合的開關(guān)的壓降應(yīng)該為零。如果壓降不為零,電容電壓不等于輸入信號電壓。這個可能輸出電壓信號電壓誤差,這可能會導(dǎo)致A/D轉(zhuǎn)換中的錯誤。
      [0005]MOS在高頻輸入信號中可以出現(xiàn)壓降。由于MOS開關(guān)中線性電阻值和電容值的存在,這些壓降會出現(xiàn)。在一個跟蹤和保持電路(具有一個MOS開關(guān))的輸出信號中,會有類似的錯誤,例如,一個20MHz的I伏AC輸入信號的電壓大約為0.5伏。如此一個輸出信號錯誤可能引起A/D轉(zhuǎn)換錯誤。此外,一個MOS開關(guān)的線性電阻值和電容值的存在隨輸入電壓幅度而改變。因此,誤差的數(shù)量通常是動態(tài)的,誤差的補償是困難的。
      [0006]鑒于上述,宜提供電路和方法來彌補電路例如跟蹤和保持電路中由壓降引起的動態(tài)誤差。

      【發(fā)明內(nèi)容】
      :
      [0007]本發(fā)明的一個目的是提供電路和方法用來補償通過電路例如一個跟蹤和保持電路的壓降的動態(tài)誤差。
      [0008]本發(fā)明的技術(shù)解決方案:
      [0009]根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明原則,提供電路和方法用來補償通過電路,特別是一個跟蹤和保持電路的壓降的動態(tài)誤差。在這些電路中,一個電壓V被應(yīng)用到與電容串聯(lián)耦合的開關(guān)上。電容應(yīng)該給電壓V充電,但減去通過閉合(例如導(dǎo)電)開關(guān)的壓降。在本發(fā)明的一個具體體現(xiàn)中,通過閉合開關(guān)的壓降被測量并且增加到由電容提供的電壓上。電壓實質(zhì)上等于應(yīng)用到開關(guān)的電壓。跟蹤和保持電路的結(jié)果是輸出信號電壓,即電容提供,實質(zhì)上等于輸入信號電壓。在另一個體現(xiàn)中,通過閉合開關(guān)的壓降不斷被測量,然后,在一個給定的時間,測量的電壓和輸入信號被采樣。被采樣的壓降然后被增加到由電容提供的電壓上。并且,跟蹤和保持電路中的結(jié)果是輸出信號電壓實質(zhì)上等于采樣輸入信號電壓。
      [0010]對比專利文獻:CN202385060U誤差運算放大器201120566884.9
      【專利附圖】

      【附圖說明】:
      [0011]本發(fā)明上面和其它的目的和優(yōu)勢在詳細考慮下面的描述中將會體現(xiàn),結(jié)合圖紙,參考字符指零器件:
      [0012]圖1是一個典型的跟蹤和保持電路的線路圖;
      [0013]圖2A和2B是一個CMOS開關(guān)和它的等效電阻的電路圖以及電容電路;
      [0014]圖3A和3B是圖2B CMOS開關(guān)等效電路的非線性電阻和電容波形的一般插圖;
      [0015]圖4是一個說明對通過開關(guān)的壓降的電容電壓的影響的線路圖;
      [0016]圖5是通過本發(fā)明與一部分電路一起使用的動態(tài)補償電路的第一示例性實施例的電路框圖;
      [0017]圖6是通過本發(fā)明與一部分電路一起使用的動態(tài)補償電路的第二示例性實施例的電路框圖;
      [0018]圖7是通過本發(fā)明與一部分電路一起使用的動態(tài)補償電路的第三示例性實施例的電路框圖;
      [0019]圖8是通過本發(fā)明與一部分電路一起使用的動態(tài)補償電路的第四示例性實施例的電路框圖;
      [0020]圖9是通過本發(fā)明的圖8動態(tài)誤差補償電路的一個更進一步的電路框圖;
      [0021]圖10是通過本發(fā)明的圖9動態(tài)誤差補償電路的一個更進一步的電路框圖;
      [0022]圖11是通過本發(fā)明的圖6 —個差分版本的電路框圖;
      [0023]圖12是通過本發(fā)明的圖7 —個差分版本的電路框圖;
      [0024]圖13是通過本發(fā)明的圖8 一個差分版本的電路框圖;
      [0025]圖14是通過本發(fā)明的圖9 一個差分版本的電路框圖;
      [0026]圖15是通過本發(fā)明的圖10 —個差分版本的電路框圖;
      [0027]圖16根據(jù)本發(fā)明的圖15動態(tài)誤差補償跟蹤和保持電路的示例性實施例的電路框圖;
      【具體實施方式】:
      [0028]本發(fā)明提供電路和方法彌補由電路開關(guān)引起的動態(tài)誤差。開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和一個電容之間,理想地提供一個與第一節(jié)點
      [0029]耦合的信號的電壓相等的電壓。本發(fā)明的電路和方法測量通過開關(guān)的壓降,然后通過增加測量電壓給由電容提供的電壓來補償壓降。
      [0030]這些電路和方法最好是用于跟蹤和保持電路,它有時也被稱為取樣保持電路。注意,在這些情況下,取樣保持電路是有別于跟蹤和保持電路,本發(fā)明對兩個電路都適用。[0031]圖1顯示了一個典型的跟蹤保持電路100,其包括一個CMOS開關(guān)104。另外,開關(guān)104可以是一個NMOS或PMOS FET0跟蹤保持電路100也包括電容106,CMOS開關(guān)110,差分放大器108,以及NMOS FET開關(guān)112。NMOS FET開關(guān)112受控制信號SI控制。CMOS開關(guān)104 包括NMOS FET114 和 PMOS FETl 16? NMOS FETl 14 受控制信號 S2 控制,以及 PMOS FETl 16受控制信號 S2’ 控制。CMOS 開關(guān) 110 包括 NMOS FETl 18 和 PMOS FET120。NMOS FETl 18 受信號S2,控制,以及PMOS FET120受信號S2控制。
      [0032]跟蹤保持電路100工作在跟蹤模式和保持模式。在跟蹤模式,CMOS開關(guān)104和開關(guān)112是閉合的(例如,它們導(dǎo)電),而CMOS開關(guān)110是打開的(例如,它們不導(dǎo)電)。理想情況下,電容106使節(jié)點103輸入電壓值為VIN。而在跟蹤模式,電容106的電荷跟隨VIN。輸出電壓Vtm,在輸出節(jié)點115,大約為0伏。 [0033]在保持模式,CMOS開關(guān)104和開關(guān)112是打開的,而CMOS開關(guān)110是閉合的。電容106,在跟蹤和保持電路100進入保持模式,理想情況下充電到Vin,在一個連續(xù)的電壓等于Vin下提供和保持VQUT。差分放大器108緩沖電容106以阻止一個來自放電電容106的負載。
      [0034]如圖2A和2B,一個CMOS開關(guān)可以被表示為一個等效的線性電阻和電容電路200??勺?02的阻值和可變電容204和206是輸入電壓幅度的函數(shù)。由此產(chǎn)生的電阻和電容值的波形在圖3A和3B中顯示。這些可變電阻值使通過開關(guān)的壓降反過來影響電容106的電壓,因此,輸出信號電壓。
      [0035]圖4說明了對通過耦合在一個電容的開關(guān)壓降的電容電壓的影響。電路400包括節(jié)點403,開關(guān)404,和電容406。開關(guān)404可以是一個CMOS器件,一個NMOS或一個PMOSFET,或開關(guān)的其它類型,其存在一個壓降,VERR。這個引起電容406充電,其電壓小于節(jié)點403的電壓(例如,VCAP=V1-VERR)。此外,壓降隨著輸入電壓幅度非線性改變,因此是一個動態(tài)的電壓誤差。因此產(chǎn)生的影響在很多電路應(yīng)用中是不受歡迎的,例如,模擬數(shù)字信號轉(zhuǎn)換,其中Vl是一個輸入電壓,電容406提供一個輸出電壓應(yīng)該等于輸入電壓。
      [0036]圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明原則與一部分電路502—起使用的動態(tài)補償電路的第一示例性實施例的電路框圖。動態(tài)誤差補償電路520包括一個差分電路525,它的一個輸入與節(jié)點503耦合,另一個輸入與節(jié)點505耦合,輸出與節(jié)點507耦合。差分電路525在兩個輸入之間輸出差分(相對地)。因此差分電路525補償通過開關(guān)504由壓降引起的動態(tài)誤差,通過測量壓降和有效地增加測量的電壓給由電容506提供的在節(jié)點505的電壓。因此,在節(jié)點505處由電容506提供的電壓實質(zhì)上等于節(jié)點503的電壓:VCAP=V1-VERR-(-VERR) =Vl
      [0037]圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明原則與一部分電路602—起使用的動態(tài)補償電路的第二示例性實施例的電路框圖。跟蹤和保持電路602與跟蹤保持電路100工作相似,包括輸入節(jié)點603,開關(guān)604,電容606,差分放大器608,開關(guān)610,開關(guān)612,和輸出節(jié)點615。開關(guān)604可以是一個CMOS器件,NMOS或PMOS FET,或開關(guān)任何類型存在一個壓降引起動態(tài)誤差。開關(guān)610和612可以是,例如,CMOS器件或NMOS或PMOS FET0開關(guān)604和612的開和關(guān)的狀態(tài)受控制信號T的控制,而開關(guān)610的開和關(guān)的狀態(tài)受控制信號H的控制,如圖6所示。跟蹤和保持電路602以跟蹤模式工作,當(dāng)開關(guān)604和開關(guān)612是閉合的,開關(guān)610是打開的,當(dāng)開關(guān)604和開關(guān)612是打開的,開關(guān)610是閉合的,工作在保持模式。注意在輸出模式下輸出電壓是不重要的。[0038]動態(tài)誤差補償電路620,根據(jù)本發(fā)明的原理,包括差分電路625,開關(guān)627,電容629,和差分電路633??刂菩盘朤控制開關(guān)627的開和關(guān)狀態(tài)。差分電路625從節(jié)點605電壓減去輸入節(jié)點603的電壓,產(chǎn)生一個表明通過開關(guān)604的壓降的電壓。差分電路625實際上是測量通過開關(guān)604的壓降。在跟蹤模式,開關(guān)627是閉合的。這允許電容629給通過開關(guān)604的被測電壓充電。差分電路625實際上測量通過開關(guān)604的壓降。在跟蹤模式,補償開關(guān)627是閉合的。這允許補償電容629給通過開關(guān)604的被測壓降充電。
      [0039]在保持狀態(tài),開關(guān)627是打開的,允許節(jié)點631的電容電壓,這代表了通過開關(guān)604的壓降,以有效地將差分電路633增加到電容606的電壓上。換句話說,當(dāng)跟蹤和保持電路602進入保持模式,輸入電壓和通過開關(guān)604的壓降被米樣。被米樣的輸入電壓減去米樣開關(guān)604壓降(存儲在電容606),其被增加到采樣開關(guān)604壓降(存儲在電容629)。節(jié)點615的輸出電壓因此等于節(jié)點603的采樣的輸入電壓。因此任何由開關(guān)604造成的動態(tài)錯誤有效地通過動態(tài)誤差補償電路620補償。
      [0040]圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明原則與一部分電路602—起使用的動態(tài)補償電路的第三示例性實施例的電路框圖。動態(tài)誤差補償電路720包括開關(guān)722,724和726 ;差分放大器728 ;以及加法電路730。開關(guān)722和724受控制信號T控制,而開關(guān)726受控制信號H的控制。更好地,放大器608和728的增益恰恰成比例。
      [0041]在跟蹤模式,開關(guān)604,612,722和724是閉合的,而開關(guān)610和726是打開的。差分放大器728的輸出,表明了通過開關(guān)604的壓降,和差分放大器608的輸出加到加法電路730上。節(jié)點607的電壓(通過閉合開關(guān)612從輸出節(jié)點615到電路路徑)實質(zhì)上等于通過開關(guān)604的壓降。因此,通過電容606的電壓實質(zhì)上等于VIN。
      [0042]在保持模式,開關(guān)610和826是閉合的,而開關(guān)604,612,821,822,以及824是打開的。差分放大器828的輸入端因此短路,節(jié)點607的電壓因此會大幅度接近0,并且VOUT實質(zhì)上等于VIN的采樣值(通過閉合的開關(guān)610到節(jié)點605的電容606的電壓)。
      [0043]這個實施例的一個優(yōu)勢是差分放大器608和628的增益可以是不同的,這可以是噪聲原因所需要的。然而,下面的關(guān)系應(yīng)該被保持:
      [0044]差分放大器_*C6(I6*S821 =差分放大器 828*C823*S6(i4
      [0045]差分放大器_和差分放大器828分別是差分放大器608和828的增益,C606和C823分別是電容606和823的容值,S821和S6tl4分別是開關(guān)821和604的寬度。
      [0046]圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明原則與一部分電路602—起使用的動態(tài)補償電路的更進一步示例性實施例的電路框圖。動態(tài)誤差補償電路920包括電阻932和電容934,除了動態(tài)誤差補償電路820的電路部分。電阻932和電容934提供相位延遲給跟蹤保持電路602的主要輸入信號路徑(輸入節(jié)點603到節(jié)點607),為了補償由動態(tài)誤差補償電路920引起的任意相位延遲。
      [0047]圖10顯示了根據(jù)本發(fā)明原則與一部分電路602 —起使用的動態(tài)補償電路的更進一步示例性實施例的電路框圖。動態(tài)誤差補償電路1020包括同相緩沖器1036,除了動態(tài)誤差補償電路920的電路部分。緩沖器1036,可以驅(qū)動開關(guān)821,幫助減少開關(guān)821中由一個電阻源驅(qū)動跟蹤保持電路602的任何動態(tài)誤差的影響。緩沖器1036可以被用在補償電路820 中。
      [0048]盡管動態(tài)誤差補償電路620,720,820,920,以及1020在跟蹤保持電路中被顯示出來,這些技能將會分辨出這些動態(tài)誤差補償電路可以被用在跟蹤保持電路和由通過一個開關(guān)的壓降引起的動態(tài)誤差電路的影響。
      [0049]例如,本發(fā)明的動態(tài)誤差補償電路可以和一個差分跟蹤保持電路一起使用,如圖11-15所示。圖11-15分別是圖6-10單端型電路的差分版本。電路1100,1200,1300,1400,以及1500和對應(yīng)的單端型版本(電路600,700,800,900和1000)工作方式相同,除了提供給電路的一個輸入信號(例如,Vinp和Vinn)的正極和負極,一個補償輸出信號(例如Vottp和Voutn)正極和負極由電路提供。如圖所示,差分放大器1108,1228,1278以及1378每個提供一個差分信號的極性,加法電路1230,1280,1330以及1380每個加三個信號而不是由加法電路730和830提供的兩個。
      [0050]圖16顯示了根據(jù)本發(fā)明原則一個動態(tài)誤差補償跟蹤保持電路1600的一個實施性案列。電路1600是電路1500的一個集成電路實現(xiàn)的例子,差分放大器1108,1328以及1378和加法電路1330以及1380的功能通過差分放大器1688實現(xiàn);電流源1685,1687和1689 ;以及比例差分NMOS FET組1690和1691,1692和1693和1694以及1695。這些技術(shù)將會識別出差分電路1200,1300和1400也可以相似實現(xiàn)。
      [0051]因此我們可以發(fā)現(xiàn)提供的電路和方法用來補償在電路例如一個跟蹤保持電路中由一個開關(guān)引起的動態(tài)誤差。所描述的實施例是為了說明而不是限制目的,并且本發(fā)明也僅由下面的權(quán)利要求限制。
      【權(quán)利要求】
      1.一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?跟蹤和保持電路具有第一節(jié)點,一個開關(guān),一個電容,和一個第二節(jié)點,所述開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和所述電容之間,所述電容串聯(lián)耦合在開關(guān)和第二節(jié)點之間,所述動態(tài)誤差補償電路還包括一個具有第一和第二輸入以及一個輸出的差分電路,所述第一輸入與第一節(jié)點I禹合,所述第二輸入與開關(guān)和電容之間的第三節(jié)點耦合,輸出與第二節(jié)點耦合,其中當(dāng)開關(guān)是閉合時,差分電路輸出端的電壓幅度大致等于通過開關(guān)的壓降幅度,并且所述電路的輸出電壓包括通過電容的電壓。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?開關(guān)包括一個MOS,當(dāng)所述開關(guān)是閉合時,MOS導(dǎo)電,當(dāng)開關(guān)打開時,MOS不導(dǎo)電;開關(guān)包括一個CMOS器件,當(dāng)開關(guān)閉合時,CMOS器件導(dǎo)電,開關(guān)打開時,CMOS器件不導(dǎo)電。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?電路包括一個跟蹤和保持電路,一個采樣保持電路;所述電路具有第一節(jié)點,一個開關(guān),一個電容,以及一個差分放大器,所述差分放大器具有兩個輸入和至少一個輸出,開關(guān)串聯(lián)I禹合在第一節(jié)點和所述電容之間,電容串聯(lián)耦合在開關(guān)和一個差分放大器輸入之間,在第一模式,開關(guān)是閉合的,在第二模式,開關(guān)是打開的;動態(tài)誤差補償電路包括一個第一差分電路,該電路具有一個輸出,第一輸入與第一節(jié)點耦合,第二輸入與開關(guān)和電容之間的第二節(jié)點耦合,第二差分電路包括一個輸出,第一輸入與差分放大器輸出以及第二輸入I禹合,第二開關(guān)串聯(lián)耦合在第一差分電路輸出和第二差分電路第二輸入之間,在第一模式時,第二開關(guān)是閉合的,在第二模式時,開關(guān)是打開的,第二電容耦合在地和第二差分電路第二開關(guān)和第二輸入之間的第三節(jié)點之間;第一模式對應(yīng)于跟蹤模式,第二模式對應(yīng)于保持模式。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?電路還包括一個采樣保持電路,其中開關(guān)包括一個M0S,當(dāng)開關(guān)是閉合的,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,MOS是不導(dǎo)電的;開關(guān)還包括一個CMOS儀器,所述CMOS儀器在開關(guān)閉合時是導(dǎo)電的,在開關(guān)打開時是不導(dǎo)電的;第二開關(guān)還包括一個M0S,當(dāng)?shù)诙_關(guān)是閉合時,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開時,MOS是不導(dǎo)電的;電路具有第一節(jié)點,第一開關(guān),一個電容,第一差分放大器具有一個非反相輸入,一個反相輸入以及至少一個輸出,第一開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和電容之間,電容串聯(lián)稱合在第一開關(guān)和第一差分放大器輸入的一端,第一開關(guān)在第一模式時是閉合的,在第二模式時是打開的;第二差分放大器具有一個反相輸入,一個同相輸入,以及至少一個輸出,第二開關(guān)串聯(lián)I禹合在第二差分放大器同相輸入和處在第一開關(guān)和電容之間的第三節(jié)點之間,第三開關(guān)串聯(lián)耦合在第二差分放大器反相輸入和第一節(jié)點之間,第四開關(guān)串聯(lián)I禹合在第二差分放大器同相和反相輸入之間;一個加法電路具有一個輸入,I禹合在第一放大器輸出端,另一個輸入與第二差分放大器輸出I禹合,以及一個輸出,其中第二和第三開關(guān)在第一模式時是閉合的,在第二模式時是打開的,第四開關(guān)在第一模式時是打開的,在第二模式是閉合的;電容串聯(lián)耦合在第一開關(guān)和第一差分放大器反相輸入之間,第一差分放大器輸出包括一個同相輸出,第二差分放大器輸出包括一個同相輸出,所述加法電路輸入稱合到第一差分放大器同相輸出和稱合到所述的第二差分放大器同相輸出上的另一個加法電路之間。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?電路還包括一個跟蹤和保持電路,第一模式對應(yīng)于跟蹤模式,第二模式對應(yīng)于保持模式;其中第一開關(guān)包括一個M0S,當(dāng)開關(guān)是閉合的,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,MOS是不導(dǎo)電的;第一開關(guān)還包括一個CMOS儀器,所述CMOS儀器在開關(guān)閉合時是導(dǎo)電的,在開關(guān)打開時是不導(dǎo)電的;第二,第三和第四開關(guān)至少一個包括一個M0S,當(dāng)?shù)诙_關(guān)是閉合時,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開時,MOS是不導(dǎo)電的;第一差分放大器和第二差分放大器的增益成比例;電路具有第一節(jié)點,第一開關(guān),一個電容,第一差分放大器具有一個非反相輸入,一個反相輸入以及至少一個輸出,第一開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和電容之間,電容串聯(lián)耦合在第一開關(guān)和第一差分放大器輸入的一端,第一開關(guān)在第一模式時是閉合的,在第二模式時是打開的;第二差分放大器具有一個反相輸入,一個同相輸入,以及至少一個輸出,第二開關(guān)串聯(lián)耦合在第二差分放大器同相輸入和處在第一開關(guān)和電容之間的第三節(jié)點之間,第三開關(guān)串聯(lián)耦合在第二差分放大器反相輸入和第一節(jié)點之間,第四開關(guān)串聯(lián)耦合在第二差分放大器同相和反相輸入之間;一個加法電路具有一個輸入,稱合在第一放大器輸出端,另一個輸入與第二差分放大器輸出耦合,以及一個輸出,其中第二,第三和第四開關(guān)在第一模式時是閉合的,在第二模式時是打開的,第五開關(guān)在第一模式時是打開的,在第二模式時是閉合的;第一電容串聯(lián)I禹合在第一開關(guān)和第一差分放大器反相輸入之間,第一差分放大器輸出包括一個同相輸出,第二差分放大器輸出包括一個同相輸出,所述加法電路輸入I禹合到第一差分放大器同相輸出和耦合到所述的第二差分放大器同相輸出上的另一個加法電路之間。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?電路還包括一個跟蹤和保持電路,第一模式對應(yīng)于跟蹤模式,第二模式對應(yīng)于保持模式;其中第一開關(guān)包括一個M0S,當(dāng)開關(guān)是閉合的,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,MOS是不導(dǎo)電的;第一開關(guān)還包括一個CMOS儀器,所述CMOS儀器在開關(guān)閉合時是導(dǎo)電的,在開關(guān)打開時是不導(dǎo)電的;第二,第三,第四和第五開關(guān)至少一個包括一個M0S,當(dāng)至少一個開關(guān)是閉合時,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)至少一個開關(guān)是打開時,MOS是不導(dǎo)電的;第一差分放大器和第二差分放大器都有增益,第一電容和第二電容都有電容值,第一開關(guān)和第二開關(guān)都有一個寬度,第一差分放大器增益和第一電容值以及第二開關(guān)寬度的乘積等于第二差分放大器增益和第二電容值以及第一開關(guān)寬 度的乘積;一個電阻串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和第一開關(guān)之間,第三電容耦合在地和處在電阻和第一開關(guān)之間的第三節(jié)點之間;緩沖器串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和第二開關(guān)之間,第四開關(guān)串聯(lián)耦合在第二放大器反相輸入和處在緩沖器和第二開關(guān)之間的第三節(jié)點之間;電路還包括第一節(jié)點,一個電容和一個第二節(jié)點,開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和電容之間,電容串聯(lián)耦合在開關(guān)和第二節(jié)點之間,補償由開關(guān)造成的動態(tài)誤差的方法包括測量開關(guān)閉合時通過開關(guān)的壓降,增加電容的被測壓降;測量一個壓降包括通過開關(guān)耦合差分電路的輸入;增加電容的被測壓降包括耦合差分電路的一個輸出到第二節(jié)點上。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?電路還包括一個耦合在電容和第二節(jié)點之間的一個差分放大器,所述的差分放大器具有兩個輸入和至少一個輸出,差分放大器的一個輸入耦合到電容上,差分放大器的輸出耦合到第二節(jié)點;測量一個壓降包括將第二開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和第二差分放大器的反相輸入之間,將第三開關(guān)串聯(lián)耦合在第二差分放大器的同相輸入和處在開關(guān)和電容之間的節(jié)點之間,將第四開關(guān)串聯(lián)耦合在第二差分反相和同相輸入之間,其中當(dāng)開關(guān)是打開時,所述的第二和第三開關(guān)是打開的,當(dāng)開關(guān)是閉合時,它們是閉合的,當(dāng)開關(guān)是打開的,第四開關(guān)是閉合的,當(dāng)開關(guān)是打開的,它是閉合的;將一個加法電路的第一輸入與差分放大器輸出耦合;將加法電路的第二輸入與第二差分放大器的輸出耦合;將加法電路的輸出與第二節(jié)點耦合;還包括測量通過第二開關(guān)鏡像的壓降,測量包括將第二開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間,將第二電容串聯(lián)耦合在第三節(jié)點和地之間,將差分放大器的輸入耦合在第二開關(guān)上,還包括對由測量通過第二開關(guān)鏡像的壓降引起的相位延遲的補償;相位延遲補償包括將一個電阻串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和電容之間,將第二電容串聯(lián)耦合在地和處在第一節(jié)點和電容之間的一個節(jié)點之間。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種動態(tài)誤差補償?shù)母櫤捅3蛛娐?,其特征?由測量一個通過第二開關(guān)的壓降引起的動態(tài)誤差包括將一個緩沖器耦合在第一節(jié)點和第二開關(guān)之間;電路包括一個跟蹤和保持電路;開關(guān)包括一個MOS,當(dāng)開關(guān)是閉合時,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,MOS是不導(dǎo)電的;開關(guān)還包括一個CMOS器件,當(dāng)開關(guān)是閉合的,CMOS器件是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,CMOS器件是不導(dǎo)電的;電路還包括第一節(jié)點,一個電容,一個差分放大器,所述的差分放大器具有一個反相輸入,一個同相輸入,和至少一個輸出,所述開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和電容之間,電容串聯(lián)耦合在開關(guān)和差分放大器的一個輸出之間;當(dāng)開關(guān)是閉合時,測量通過開關(guān)的壓降,采樣測量的壓降,將采樣的測量的壓降增加到代表一個采樣輸入信號的電壓上;將放大電路的第一和第二輸入耦合到開關(guān)上;采樣測量的壓降包括將第二開關(guān)串聯(lián)耦合在差分電路的一個輸出和第二節(jié)點之間,以及將電容耦合在第二節(jié)點和地之間;增加采樣的測量的壓降包括將第二差分電路的第一輸入耦合到差分放大輸出,將第二差分電路的第二輸入耦合到第二節(jié)點,其中第二差分電路的一個輸出提供一個動態(tài)誤差補償信號;電路包括一個跟蹤和保持電路和一個跟蹤采樣電路;開關(guān)包括一個M0S,當(dāng)開關(guān)是閉合時,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開時,MOS是不導(dǎo)電的;開關(guān)還包括一個CMOS器件,當(dāng)開關(guān)是閉合的,CMOS器件是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,CMOS器件是不導(dǎo)電的;在跟蹤和保持電路中,由第一和第二開關(guān)引起的動態(tài)誤差補償中,第一開關(guān)串聯(lián)耦合在第一節(jié)點和第一電容之間,第二開關(guān)串聯(lián)耦合在第二節(jié)點和第二電容之間,電路在第一節(jié)點接收一個正極輸入信號,在第二節(jié)點接收一個負極接收信號,電路提供一個正極輸出信號和一個負極輸出信號,第一電容為正極輸出信號提供一個電壓,第二電容為負極輸出信號提供一個電壓;當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)是閉合時,測量一個通過第一開關(guān)的壓降,當(dāng)?shù)诙_關(guān)是閉合時,測量一個通過第二開關(guān)的壓降,增加第一開關(guān)壓降給由第一電容提供的電壓,增加第二開關(guān)壓降給由第二電容提供的電壓;還包括放大正極和負極輸出信號;第一和第二開關(guān)每個包括一個MOS,當(dāng)開關(guān)是閉合的,MOS是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,MOS是不導(dǎo)電的,還包括一個C MOS器件,當(dāng)開關(guān)是閉合時,CMOS器件是導(dǎo)電的,當(dāng)開關(guān)是打開的,CMOS器件是不導(dǎo)電的。
      【文檔編號】H03F3/45GK103647555SQ201310611475
      【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月26日
      【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州貝克微電子有限公司
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