一種低功耗晶體振蕩器整形電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低功耗晶體振蕩器整形電路，第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的柵極連接形成信號(hào)輸入端，第一PMOS管、第一NMOS管的漏極與第二PMOS管、第二NMOS管的柵極連接，第二PMOS管、第二NMOS管的漏極與第四PMOS管、第四NMOS管的柵極連接形成信號(hào)輸出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏極與第一POMS管的源極連接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏極與第一NMOS管的源極連接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源極連接形成電源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源極連接形成電源地，第二PMOS管與第二NMOS管形成第一反向器。本實(shí)用新型將正弦波信號(hào)整形為上升沿和下降沿都非常陡的方波信號(hào)，不僅整形電路自身消耗的功率小，而且能夠減小后續(xù)時(shí)鐘信號(hào)使用電路的功耗。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種低功耗晶體振蕩器整形電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種晶體振蕩器整形電路，特別涉及一種低功耗晶體振蕩器整形 電路。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體振蕩器以其頻率穩(wěn)定高被廣泛應(yīng)用于計(jì)時(shí)、時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生等領(lǐng)域，根據(jù)晶體 的類(lèi)型不同，它不僅可以做成單獨(dú)的晶體振蕩器產(chǎn)品應(yīng)用在硬件電路設(shè)計(jì)中用來(lái)得到各種 頻率的時(shí)鐘信號(hào)，也被嵌入在各種集成電路與微處理器中，用于產(chǎn)生該集成電路與微處理 器所需的時(shí)鐘信號(hào)，比如實(shí)時(shí)時(shí)鐘。晶體振蕩器由晶體和其驅(qū)動(dòng)組成，正弦波晶體振蕩器 產(chǎn)生的波形需要一個(gè)整形電路將正弦波整形為方波給后續(xù)電路應(yīng)用，低功耗產(chǎn)品是應(yīng)用的 追求，人們希望時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生電路部分消耗的功耗越小越好，因此不僅要求整形電路自身 消耗的功耗小，而且還要能減小后續(xù)時(shí)鐘使用電路的功耗，甚至要求從時(shí)序的角度考慮以 盡量節(jié)省功耗?；パa(bǔ)CMOS反向器能夠?qū)⒄也ㄐ盘?hào)整形為方波信號(hào)，但在整形過(guò)程中互補(bǔ) CMOS反向器自身消耗的功率大,且給后續(xù)時(shí)鐘使用電路帶來(lái)較大的功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種功耗低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的 晶體振蕩器整形電路。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:一種低功耗晶體振蕩器整形 電路，包括多個(gè)PMOS管與多個(gè)NMOS管，其中第一 PMOS管、第三PMOS管、第一 NOMS管、第三 NOMS管的柵極連接形成信號(hào)輸入端，第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極連接，并且連至第二 PMOS管和第二 NMOS管的柵極，第二 PMOS管與第二 NMOS管的漏極連接，并且連至第四PMOS 管和第四NMOS管的柵極，形成信號(hào)輸出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏極與第一POMS管 的源極連接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏極與第一 NMOS管的源極連接，第二 PMOS管、第 三PMOS管、第四PMOS管的源極連接形成電源端，第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管 的源極連接形成電源地，第二 PMOS管與第二 NMOS管形成第一反向器。
[0005]上述的低功耗晶體振蕩器整形電路中，所述第一反向器為奇數(shù)個(gè)反向器的串聯(lián)。
[0006]上述的低功耗晶體振蕩器整形電路中，所述電源端為供電電源輸入端或?yàn)殡娫崔D(zhuǎn) 換電路輸出端。
[0007]本實(shí)用新型能對(duì)晶體振蕩器產(chǎn)生的正弦波信號(hào)進(jìn)行處理，將正弦波信號(hào)整形為上 升沿和下降沿都非常陡的方波信號(hào)，不僅整形電路自身消耗的功率小，而且能夠減小后續(xù) 時(shí)鐘信號(hào)使用電路的功耗。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型低功耗晶體振蕩器整形電路。
[0009]圖2為本實(shí)用新型低功耗晶體振蕩器整形電路對(duì)應(yīng)的符號(hào)。[0010]圖3為輸入端正弦波電壓曲線(xiàn)Vin與輸出端方波電壓曲線(xiàn)VTOT。
[0011]圖4為本實(shí)用新型中實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0013]如圖1、圖2所示，低功耗晶體振蕩器整形電路包括多個(gè)PMOS管與多個(gè)NMOS管，其中第一 PMOS管1、第三PMOS管5、第一 NOMS管2、第三NOMS管6的柵極連接形成信號(hào)輸入端IN，第一 PMOS管I與第一 NOMS管2的漏極連接，并且連至第二 PMOS管3與第二 NMOS管4的柵極，形成節(jié)點(diǎn)X，第二 PMOS管3與第二 NMOS管4的漏極連接，并且連至第四PMOS管7、第四NMOS管8的柵極，形成信號(hào)輸出端0UT，第三PMOS管5、第四PMOS管7的漏極與第一 POMS管I的源極連接，第三NMOS管6、第四NMOS管8的漏極與第一 NMOS管2的源極連接，第二 PMOS管3、第三PMOS管5、第四PMOS管7的源極連接形成電源輸入端VP，第二NMOS管4、第三NMOS管6、第四NMOS管8的源極連接形成電源地GND，第二 PMOS管3與第二 NMOS管4形成反向器INVl。
[0014]對(duì)圖1所示電路進(jìn)行工作原理分析，圖3所示正弦輸入信號(hào)Vin從輸入端IN進(jìn)入，當(dāng)輸入端IN從O電位開(kāi)始上升時(shí)，第一 PMOS管1、第三POMS管5開(kāi)啟，第一 NMOS管2、第三NMOS管6關(guān)閉，節(jié)點(diǎn)X電位為電源電壓VDD，使第二 PMOS管3關(guān)閉、第二 NMOS管4開(kāi)啟，輸出端OUT電位為0，第四PMOS管7開(kāi)啟、第四NMOS管8關(guān)閉，這里，PMOS管的閾值電壓用Vtp表示，NMOS管的閾值電壓用Vtn表示，輸入端IN電位從O附近上升至Vtn前，這些器件保持該狀態(tài)；輸入端IN電位上升并超過(guò)Vtn時(shí)，使第一 NMOS管2、第三NMOS管6開(kāi)啟，這時(shí)節(jié)點(diǎn)X的電位Vx由(I)式表示。
【權(quán)利要求】
1.一種低功耗晶體振蕩器整形電路，其特征在于:包括多個(gè)PMOS管與多個(gè)NMOS管，其 中第一 PMOS管、第三PMOS管、第一 NOMS管、第三NOMS管的柵極連接形成信號(hào)輸入端，第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極連接，并且連至第二 PMOS管和第二 NMOS管的柵極，第二 PMOS 管與第二 NMOS管的漏極連接，并且連至第四PMOS管和第四NMOS管的柵極，形成信號(hào)輸出 端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏極與第一 POMS管的源極連接，第三NMOS管、第四NMOS 管的漏極與第一 NMOS管的源極連接，第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源極連接 形成電源端，第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源極連接形成電源地，第二 PMOS管 與第二 NMOS管形成第一反向器。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗晶體振蕩器整形電路，其特征在于:所述第一反向 器為奇數(shù)個(gè)反向器的串聯(lián)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗晶體振蕩器整形電路，其特征在于:所述電源端為 供電電源輸入端或?yàn)殡娫崔D(zhuǎn)換電路輸出端。
【文檔編號(hào)】H03B28/00GK203457106SQ201320585908
【公開(kāi)日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】張文杰, 謝亮, 金湘亮 申請(qǐng)人:湘潭芯力特電子科技有限公司