一種熔絲調(diào)節(jié)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種熔絲調(diào)節(jié)電路，包括MOS管（203）、偏置電流（204）、熔絲F1（201）和熔絲F2（202），MOS管（203）的源極連接偏置電流（204），在MOS管（203）的柵極接有兩級(jí)分別由MOS管MP1（207）和MOS管MN1（208）、MOS管MP2（209）和MOS管MN2（210）組成的反相器；在所述MOS管MP1（207）和MOS管MN1（208）組成的反相器之前接有熔絲調(diào)節(jié)MOS管（211），最后熔絲調(diào)節(jié)MOS管（211）的柵極通過(guò)熔絲F1（201）和熔絲F2（202）分別連接至電源和地，熔絲調(diào)節(jié)MOS管（211）的源極接有電流偏置（206）。熔絲調(diào)節(jié)MOS管（211）尺寸小于MOS管（203）。
【專利說(shuō)明】—種熔絲調(diào)節(jié)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及用于模擬集成電路中的一種熔絲調(diào)節(jié)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路的中，為了降低芯片的成本，提高芯片的靈活度和成品率。通常要在芯片的設(shè)計(jì)過(guò)程中設(shè)置有熔絲。在芯片的測(cè)試中，根據(jù)測(cè)試結(jié)果或者芯片設(shè)置的參數(shù)要求，通過(guò)熔絲對(duì)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而可以達(dá)到不重新制造芯片也可以對(duì)芯片的不同設(shè)置的結(jié)果。
[0003]目前，常用的熔絲設(shè)置電路如圖1所示，通過(guò)將熔絲直接設(shè)置在要調(diào)節(jié)的MOS管的柵極上，從而實(shí)現(xiàn)電路的調(diào)節(jié)功能。
[0004]這樣的方案主要存在以下缺陷:
[0005]因?yàn)橐{(diào)節(jié)的MOS管可能是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特別大，因此它的寄生電容電阻特別大，源漏電流很大。如果它的柵極直接通過(guò)熔絲連接電源或地，可能造成功率MOS管的工作狀態(tài)不穩(wěn)定，會(huì)給整個(gè)芯片引入不必要的噪聲。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決傳統(tǒng)熔絲調(diào)節(jié)電路工作狀態(tài)不穩(wěn)定的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種新的熔絲調(diào)節(jié)電路，抗干擾能力強(qiáng)，且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。
[0007]本實(shí)用新型的解決方案如下:
[0008]一種熔絲調(diào)節(jié)電路，包括MOS管(203)、偏置電流(204)、熔絲Fl (201)和熔絲F2(202), MOS管(203)的源極連接偏置電流(204);在MOS管(203)的柵極接有兩級(jí)分別由MOS 管 MPl (207)和 MOS 管 MNl (208)、M0S 管 MP2 (209)和 MOS 管 MN2 (210)組成的反相器；在所述MOS管MPl (207)和MOS管麗I (208)組成的反相器之前接有熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)，最后熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)的柵極通過(guò)熔絲Fl (201)和熔絲F2 (202)分別連接至電源和地，熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)的源極接有電流偏置(206 )。
[0009]熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)尺寸小于MOS管(203)。
[0010]本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0011]熔絲可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管，且基本不會(huì)引入額外的噪聲。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型熔絲調(diào)節(jié)電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]傳統(tǒng)熔絲調(diào)節(jié)電路，功率MOS管MP3的柵極通過(guò)熔絲Fl和F2分別連接至電源和地。功率MOS管MP3的源極接電流偏置Ibias，漏極輸出。通常，因?yàn)橐{(diào)節(jié)的MOS管是功率MOS管。通常功率MOS管尺寸特別大，因此它的寄生電容電阻特別大，源漏電流很大。如果它的柵極直接通過(guò)熔絲連接電源或地，可能造成功率MOS管的工作狀態(tài)不穩(wěn)定，會(huì)給整個(gè)芯片引入不必要的噪聲。
[0014]本實(shí)用新型熔絲調(diào)節(jié)電路如圖2所示，功率MOS管MP3源極接有電流偏置Ibias，MOS管MP3的柵極前接有兩級(jí)分別由麗I和MPl、麗2和MP2組成的反相器。在麗I和MPl組成的反相器之前接有熔絲調(diào)節(jié)MOS管MN，最后熔絲調(diào)節(jié)MOS管MN4的柵極通過(guò)熔絲Fl和F2分別連接至電源和地。熔絲調(diào)節(jié)MOS管MN4的源極接有電流偏置Ibias。
[0015]功率MOS管MP3的尺寸很大，麗I和MPl、麗2和MP2組成的反相器尺寸依次變大，這兩級(jí)反相器作為緩沖對(duì)大尺寸的MP3進(jìn)行控制。而熔絲直接連接的MOS管尺寸相對(duì)于MP3可以做的很小。這樣。熔絲可以很可靠的控制尺寸很大的功率MOS管MP3，而基本不會(huì)引入額外的噪聲。
【權(quán)利要求】
1.一種熔絲調(diào)節(jié)電路，包括MOS管(203)、偏置電流(204)、熔絲Fl (201)和熔絲F2(202),MOS管(203)的源極連接偏置電流(204)，其特征在于:在MOS管(203)的柵極接有兩級(jí)分別由 MOS 管 MPl (207)和 MOS 管 MNl (208),MOS 管 MP2 (209)和 MOS 管 MN2 (210)組成的反相器；在所述MOS管MPl (207)和MOS管MNl (208)組成的反相器之前接有熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)，最后熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)的柵極通過(guò)熔絲Fl (201)和熔絲F2 (202)分別連接至電源和地，熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)的源極接有電流偏置(206 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熔絲調(diào)節(jié)電路，其特征在于:熔絲調(diào)節(jié)MOS管(211)尺寸小于MOS管(203)。
【文檔編號(hào)】H03K19/094GK203761366SQ201320771726
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月30日
【發(fā)明者】高旭 申請(qǐng)人:西安輝盛科技發(fā)展有限責(zé)任公司