光電耦合器的制造方法
【專利摘要】一種光電耦合器，所述光電耦合器由LED光源、硅光探測器和集成有LSTTL集成電路的處理芯片組成；LED光源的發(fā)光部與硅光探測器的受光部位置相對，硅光探測器的輸出端與處理芯片的輸入端電氣連接；處理芯片的輸出端形成光電耦合器的輸出部，LED光源的輸入端形成光電耦合器的輸入部；光電耦合器的輸出部與輸入部之間設置有上拉電阻。本實用新型的有益技術效果是：可提高光電耦合器的工作電壓，擴展光電耦合器的應用范圍。
【專利說明】光電耦合器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種光電隔離技術，尤其涉及一種光電耦合器。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的光電耦合器，受其工作電壓限制，應用范圍有限。
實用新型內容
[0003]針對【背景技術】中的問題，本實用新型提出了一種光電耦合器，其改進在于:所述光電耦合器由LED光源、硅光探測器和集成有LSTTL集成電路的處理芯片組成；LED光源的發(fā)光部與娃光探測器的受光部位置相對，娃光探測器的輸出端與處理芯片的輸入端電氣連接；處理芯片的輸出端形成光電I禹合器的輸出部，LED光源的輸入端形成光電f禹合器的輸入部；光電稱合器的輸出部與輸入部之間設置有上拉電阻。
[0004]本實用新型的原理是:當輸入部無電流輸入時，發(fā)光部不發(fā)光，受光部反向截止，處理芯片的輸入端無電流輸入，處理芯片的輸出端的三極管(即LSTTL集成電路中的三極管)截止，此時輸出部在上拉電阻的作用下呈現(xiàn)高電平(接近電源電壓)；當輸入部加入一定電流輸入時，發(fā)光部發(fā)光，受光部在光照作用下反向導通，處理芯片的輸入端有電流輸入，處理芯片的輸出端的三極管導通，此時上拉電阻內也有一定的電流流過，由于大部分壓降作用在上拉電阻上，此時輸出部呈現(xiàn)低電平；采用本實用新型的方案后，可使光電耦合器的工作電壓從現(xiàn)在的15V提高至40V。
[0005]本實用新型的有益技術效果是:可提高光電耦合器的工作電壓，擴展光電耦合器的應用范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1、本實用新型的原理示意圖。
【具體實施方式】
[0007]—種光電稱合器，所述光電稱合器由LED光源1、娃光探測器2和集成有LSTTL集成電路的處理芯片3組成；LED光源I的發(fā)光部與硅光探測器2的受光部位置相對，硅光探測器2的輸出端與處理芯片3的輸入端電氣連接；處理芯片3的輸出端形成光電I禹合器的輸出部,LED光源I的輸入端形成光電I禹合器的輸入部；光電I禹合器的輸出部與輸入部之間設置有上拉電阻。
【權利要求】
1.一種光電稱合器，其特征在于:所述光電稱合器由LED光源(I)、娃光探測器(2)和集成有LSTTL集成電路的處理芯片(3)組成；LED光源(I)的發(fā)光部與硅光探測器(2)的受光部位置相對，硅光探測器(2)的輸出端與處理芯片(3)的輸入端電氣連接；處理芯片(3)的輸出端形成光電I禹合器的輸出部，LED光源(I)的輸入端形成光電I禹合器的輸入部；光電耦合器的輸出部與輸入部之間設置有上拉電阻。
【文檔編號】H03K19/14GK203788268SQ201320837770
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權日:2013年12月19日
【發(fā)明者】歐熠, 謝俊聃, 陳春霞, 徐道潤, 李冰, 李祖安, 龔磊, 張佳寧 申請人:中國電子科技集團公司第四十四研究所