彈性波裝置及電路基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種SAW裝置(1)，其具有傳播彈性波的壓電基板(3)、配置于壓電基板(3)的第一表面(3a)上的梳狀電極(6)。另外，SAW裝置(1)具有：相對于第一表面(3a)配置且與梳狀電極(6)電連接的柱狀的端子(15)、覆蓋端子(15)的側(cè)面的罩部材(9)。端子(15)在高度方向的第一區(qū)域，第一表面(3a)側(cè)的直徑比第一表面(3a)的相反側(cè)的直徑大。
【專利說明】彈性波裝置及電路基板
[0001] 本申請是申請?zhí)枮?00980147737. 3、申請日為2009年11月24日、發(fā)明名稱為"彈 性波裝置及其制造方法"的申請的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及彈性表面波（SAW :surface acoustic wave)裝置及壓電薄膜諧振器 (FBAR :Film Bulk Acoustic Resonator)等彈性波裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 公知有以小型化等為目的的所謂的晶圓封裝的彈性波裝置。在該彈性波裝置中， 配置于元件基板的表面上的激勵電極收容于振動空間內(nèi)并被樹脂密封。換言之，激勵電極 由罩部件覆蓋。另外，與激勵電極連接的柱狀的端子堅立設(shè)置于元件基板的表面。柱狀的 端子的前端側(cè)部分（元件基板的表面的相反側(cè)的部分）從罩部件露出。而且，彈性波裝置 通過將柱狀端子的露出部分與電路基板的軟釬焊等而安裝于電路基板上。專利文獻1公示 有一種彈性波裝置，其柱狀的端子的前端側(cè)部分的直徑比根側(cè)部分（元件基板的表面?zhèn)鹊?部分）的直徑大的錐狀（倒錐狀）。
[0004] 彈性波裝置有時由于重力及落下沖擊等，而被作用向從電路基板離開的方向的 力。這時，彈性波裝置的端子由于前端側(cè)部分被固定于電路基板，所以能夠施加從罩部件抽 出的方向的力。
[0005] 因此，優(yōu)選提供能夠抑制端子從罩部件抽出的彈性波裝置及其制造方法。
[0006] 專利文獻1 :日本專利特開2007-208665號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明一實施方式的彈性波裝置具有：基板，其傳播彈性波；激勵電極，其配置于 所述基板的表面上；連接用導(dǎo)體，其配置于所述基板的表面上，且與所述激勵電極電連接； 柱狀的端子，其與所述連接用導(dǎo)體電連接且配置于比所述連接用導(dǎo)體靠上方的位置，高度 方向的至少第一區(qū)域的其所述表面?zhèn)鹊慕孛娣e比其所述表面的相反側(cè)的截面積大；罩部 件，其覆蓋所述端子的所述第一區(qū)域的側(cè)面，所述端子具有錐部，該錐部的直徑以所述表面 側(cè)的直徑比與所述表面相反一側(cè)的直徑大的方式平滑地變化。
[0008] 本發(fā)明一實施方式的彈性波裝置的制造方法包括：在傳播彈性波的基板的表面上 配置激勵電極及連接用導(dǎo)體的工序；形成與所述激勵電極及所述連接用導(dǎo)體電連接，配置 于比所述連接用導(dǎo)體靠上方的位置，且高度方向的至少第一區(qū)域的所述表面?zhèn)鹊慕孛娣e比 所述表面的相反側(cè)的截面積大的柱狀的端子的工序，所述端子具有錐部，該錐部的直徑以 所述表面?zhèn)鹊闹睆奖扰c所述表面相反一側(cè)的直徑大的方式平滑地變化；在所述激勵電極上 形成中空的振動空間，并且形成覆蓋所述端子的側(cè)面的罩部件的工序。
[0009] 發(fā)明效果
[0010] 根據(jù)所述的彈性波裝置，能夠抑制彈性波裝置的端子從罩部件抽出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1 (a)及（b)是表示本發(fā)明實施方式的SAW裝置的示意的俯視圖及剖面圖；
[0012] 圖2(a)?⑷是用于說明圖1(a)及圖1(b)的SAW裝置的制造方法的示意的剖 面圖；
[0013] 圖3(a)?（d)是表示圖2(d)的繼續(xù)部分的示意的剖面圖；
[0014] 圖4(a)及（b)是表示圖3(d)的繼續(xù)部分的示意的剖面圖；
[0015] 圖5(a)?（c)是表示本發(fā)明第一?第三變形例的SAW裝置的示意的剖面圖；
[0016] 圖6(a)?（d)是說明本發(fā)明第四變形例的SAW裝置的制造方法的示意的剖面圖；
[0017] 圖7是表示本發(fā)明第五變形例的SAW裝置的示意的剖面圖。
[0018] 符號說明：
[0019] 1. · · SAW裝置（彈性波裝置）、
[0020] 3···壓電基板（基板）、
[0021] 3a. · ·第一表面（表面）、
[0022] 6. · ·梳狀電極（激勵電極）、
[0023] 9···罩部件、
[0024] 15. · ·端子

【具體實施方式】
[0025] 〈SAW裝置的構(gòu)造〉
[0026] 圖1 (a)是表示本發(fā)明實施方式的SAW裝置1的示意的俯視圖。圖1 (b)是圖1 (a) 的Ib-Ib線的示意的剖面圖。另外，圖1 (a)及（b)是為了容易地理解SAW裝置1而示意性 表示SAW裝置1的圖，在實施時，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定SAW裝置1的各部分的大小、數(shù)量、形狀等。
[0027] SAW裝置1具有：壓電基板3、配置于壓電基板3上的SAW元件5、用于保護SAW元 件5的保護層7及罩部件9、用于將SAW元件5與未圖示的電子電路電連接的連接用導(dǎo)體 11、連接強化層13及端子15。
[0028] 壓電基板3為例如鉭酸鋰單晶、鈮酸鋰單晶等具有壓電性的長方體狀的單晶基 板。壓電基板3具有第一表面3a、其背面?zhèn)鹊牡诙砻?b。另外，在圖1(a)及圖1(b)中， 例示了僅在第一表面3a上配置有電極等的情況，但是，也可以在第二表面3b上配置電極 等。
[0029] SAW兀件5具有形成于壓電基板3的第一表面3a的多對梳狀電極（IDT電極）6。 梳狀電極6具有向與壓電基板3的SAW的傳播方向（圖1 (a)及圖1 (b)的紙面左右方向） 正交的方向延伸的多個電極指。一對梳狀電極6以各電極指相互哨合的方式形成。
[0030] 另外，圖1 (a)及圖1 (b)為不意圖，因此，僅表不由具有兩根電極指的梳狀電極6 和具有三根電極指的梳狀電極6構(gòu)成的一對梳狀電極6。實際上，也可以設(shè)置多對具有比上 述多的電極指的梳狀電極。另外，多個SAW元件5也可以以串聯(lián)連接及并聯(lián)連接等方式連 接，構(gòu)成梯型SAW濾波器或雙重模式SAW諧振器濾波器等。在SAW元件5的兩端也可以設(shè) 置具有梳狀電極的反射器（也可以當(dāng)作SAW元件5的一部分。）。SAW元件5例如由Al-Cu 合金等A1合金形成。
[0031] 保護層7覆蓋SAW元件5,有助于防止SAW元件5的氧化等。保護層7例如由具有 絕緣性并且質(zhì)量輕的材料形成為不對SAW的傳播產(chǎn)生影響的程度。例如，保護層7由氧化 硅、氮化硅、硅等構(gòu)成。
[0032] 罩部件9從保護層7的上方覆蓋SAW元件5。但是，罩部件9在SAW元件5上構(gòu)成 容易使SAW伝播的振動空間17。換言之，罩部件9具有構(gòu)成振動空間17的內(nèi)壁19a的壁部 19、構(gòu)成振動空間17的頂部21a的蓋部21。
[0033] 構(gòu)成壁部19的層的厚度（壁部19距第一表面3a的高度）及蓋部21的厚度可以 適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。例如，該厚度為數(shù)ym?30 μπι。壁部19及蓋部21例如形成大致同等的厚 度。
[0034] 壁部19和蓋部21可以由分體的材料形成，也可以由不同的材料形成。壁部19或 蓋部21例如由通過照射紫外線及可見光線等光而固化的光固化性材料形成。換言之，壁部 19及蓋部21由負型光致抗蝕劑形成。光固化性材料為例如通過丙烯酸基或甲基丙烯酸基 等的自由基聚合而固化的樹脂，更具體而言為氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、環(huán)氧丙烯 fe醋系的樹脂。
[0035] 如圖1(b)所示，振動空間17形成為剖面為大致矩形狀，并且，蓋部21側(cè)的角部由 曲面構(gòu)成。換言之，構(gòu)成振動空間17的內(nèi)壁19a隨著從基板3的第一表面3a的離開而向 內(nèi)方傾斜。振動空間17的平面形狀（俯視情況下第一表面3a的形狀）可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。 例如，振動空間17的平面形狀形成為矩形狀。振動空間17的大小可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0036] 連接用導(dǎo)體11用于連接SAW元件5和端子15。連接用導(dǎo)體11例如與SAW元件5 相同，形成于壓電基板3的第一表面3a上。連接用導(dǎo)體11沒有特別圖示，但是，在第一表 面3a上以適當(dāng)?shù)膱D案形成，并與SAW元件5連接。另外，連接用導(dǎo)體11在端子15的配置 位置形成為具有與端子15的第一表面3a側(cè)的端面同等以上的寬度。連接用導(dǎo)體11例如 由與SAW元件5相同的材料形成，并且，形成為與SAW元件5相同的厚度。
[0037] 連接強化層13用于增強較薄地形成的連接用導(dǎo)體11，強化連接用導(dǎo)體11和端子 15的連接。連接強化層13在端子15的配置位置與連接用導(dǎo)體11層疊。另外，連接強化層 13形成為具有與端子15的第一表面3a側(cè)的端面同等以上的寬度。連接強化層13例如由 連接用導(dǎo)體11和連接強化層13以達到與保護層7大致同等的厚度的方式形成，并從保護 層7露出。連接強化層13例如由鉻及鎳形成。
[0038] 端子15設(shè)置于連接強化層13上。因此，端子15經(jīng)由連接強化層13及連接用導(dǎo) 體11與SAW兀件5電連接。另外，端子15形成為柱狀，相對于第一表面3a堅立設(shè)置。而 且，端子15的前端側(cè)部分從罩部件9露出，能夠與未圖示的電路基板等連接。端子15例如 由焊錫、Cu、Au、Ni形成。
[0039] 端子15具有：構(gòu)成柱狀部分的根側(cè)部分且側(cè)面被壁部19覆蓋的第一柱部23、構(gòu) 成柱狀部分的前端側(cè)部分且側(cè)面被蓋部21覆蓋的第二柱部25、從蓋部21露出的凸臺27。
[0040] 第一柱部23及第二柱部25分別形成為第一表面3a側(cè)的直徑比第一表面3a的相 反側(cè)的直徑大的錐狀。換言之，端子15至少在其局部（第一區(qū)域），使第一表面3a側(cè)的截 面積比第一表面3a的相反側(cè)的截面積大。另外，即可將第一柱部23認作第一區(qū)域，也可將 第二柱部25認作第一區(qū)域。第一柱部23的第二柱部25側(cè)的端面的直徑比第二柱部25的 第一柱部23側(cè)的端面的直徑小，在第一柱部23和第二柱部25的邊界形成有第一表面3a 的相反側(cè)的直徑比第一表面3a側(cè)的直徑大的臺階29。
[0041] 第一柱部23及第二柱部25例如形成為大致同一大小及形狀。更具體而言，第一 柱部23及第二柱部25的與第一表面3a相反側(cè)的端面的形狀及直徑彼此大致同樣，另外， 錐面傾斜彼此大致相同。
[0042] 凸臺27的面積例如形成為比第二柱部25的與第一表面3a相反側(cè)的端面大，外周 部層疊于罩部件9上。
[0043] 另外，第一表面3a的俯視情況下的第一柱部23、第二柱部25及凸臺27的形狀可 以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。例如這些形狀為圓形。另外，第一表面3a的俯視情況下的第一柱部23、第 二柱部25及凸臺27的大小與第一表面3a的俯視情況下的振動空間17的大小相比小。作 為一例，第一表面3a在俯視情況下，相對于振動空間17的大小500 μ mX 500 μ m，端子15的 直徑為100 μ m。
[0044] 〈SAW裝置的制造方法〉
[0045] 圖2(a)?圖4(b)是用于說明SAW裝置1的制造方法的示意的剖面圖。
[0046] SAW裝置1的制造方法大致包括：SAW元件5的形成工序（圖2 (a))、罩部件9的 形成工序（圖2(c)?圖3(d))、端子15的形成工序（圖4(a)及圖4(b))。具體如下。
[0047] 如圖2 (a)所示，首先，在壓電基板3的第一表面3a上形成SAW元件5及連接用導(dǎo) 體11。具體而言，首先，利用溉射法、蒸鍍法或CVD(Chemical Vapor Deposition)法等薄膜 形成法，在壓電基板3的第一表面3a上形成金屬層。其次，對于金屬層，通過使用了縮小投 影式曝光機（逐次移動式曝光裝置）和RIE (Reactive Ion Etching)裝置的光刻法等進行 構(gòu)圖。由此，形成SAW元件5及連接用導(dǎo)體11。
[0048] 在形成SAW元件5及連接用導(dǎo)體11后，如圖2 (b)所示，形成保護層7及連接強化 層13。保護層7及連接強化層13哪一個都可以最先形成。例如，首先，以覆蓋SAW元件5 及連接用導(dǎo)體11之上的方式利用CVD法或蒸鍍法等薄膜形成法形成成為保護層7的薄膜。 其次，以連接用導(dǎo)體11中在端子15的配置位置的部分露出的方式，利用光刻法除去薄膜的 一部分。由此，形成保護層7。再次，利用蒸鍍法等在連接用導(dǎo)體11的露出部分及保護層7 上形成金屬層，并且，利用光刻法等除去保護層7上的金屬層。由此，形成連接強化層13。
[0049] 在形成保護層7及連接強化層13時，如圖2(c)?圖3 (a)所示，形成壁部19。
[0050] 具體而言，首先，如圖2(c)所示，在保護層7及連接強化層13上形成構(gòu)成壁部19 的壁部構(gòu)成層31。壁部構(gòu)成層31例如通過粘貼由負型光致抗蝕劑形成的薄膜而形成。
[0051] 其次，如圖2(d)所示，經(jīng)由光掩模33向壁部構(gòu)成層31照射紫外線等光。即，進行 曝光處理。光掩模33例如通過在透明基板35上形成遮光層37而構(gòu)成。遮光層37配置于 與應(yīng)除去壁部構(gòu)成層31的位置對應(yīng)的位置。即，配置于與振動空間17的配置位置及端子 15的配置位置對應(yīng)的位置。另外，曝光即可以是投影式曝光，也可以是接近式曝光，還可以 密接式曝光。
[0052] 之后，如圖3(a)所示，進行顯影處理，使壁部構(gòu)成層31中照射了光的部分殘留，除 去未被照射光的部分。由此，在壁部構(gòu)成層31形成成為振動空間17的開口部39、配置第一 柱部23的第一孔部41。即，形成壁部19。
[0053] 在此，在壁部構(gòu)成層31的被照射光的區(qū)域的緣部，被照射的光向壁部構(gòu)成層31的 未照射光的區(qū)域發(fā)散，因此，光不能充分到達第一表面3a側(cè)。因此，對于壁部構(gòu)成層31的 被照射光的區(qū)域的緣部，第一表面3a側(cè)不能被充分固化而被除去。其結(jié)果，第一孔部41形 成為越靠向第一表面3a側(cè)直徑越大的錐狀（順錐狀）。
[0054] 同樣，開口部39也形成為越靠近第一表面3a側(cè)直徑越大的錐狀（順錐狀）。但 是，開口部39比第一孔部41大，在俯視情況下緣部為直線狀等，因此，形成開口部39的區(qū) 域與形成第一孔部41的區(qū)域相比，光容易發(fā)散。因此，在剖面圖中，第一孔部41的整體成 為錐狀，與之相對，開口部39中，僅與第一表面3a側(cè)相反的一側(cè)的部分成為錐狀。另外，在 剖面圖中，開口部39的錐面成為上下壓縮了第一孔部41的錐面的形狀，由此，與第一孔部 41的錐面相比曲率變大，作為曲面容易被識別。
[0055] 在形成第一孔部41及開口部39后，如圖3(b)?圖3(d)所示，形成蓋部21。
[0056] 具體而言，首先，如圖3(b)所示，在壁部19上形成構(gòu)成蓋部21的蓋部構(gòu)成層43。 蓋部構(gòu)成層43例如通過粘貼由負型光致抗蝕劑形成的薄膜而形成。通過形成蓋部構(gòu)成層 43,壁部19的開口部39(圖3(a))被堵塞，構(gòu)成振動空間17。另外，優(yōu)選壁部構(gòu)成層31和 蓋部構(gòu)成層43通過加熱而接合。
[0057] 其次，如圖3(c)所示，經(jīng)由光掩模45向蓋部構(gòu)成層43照射紫外線等光。S卩，進行 曝光處理。光掩模45與光掩模33相同，通過在透明基板47上形成遮光層49而構(gòu)成。遮 光層49配置于與應(yīng)除去蓋部構(gòu)成層43的位置對應(yīng)的位置。即，配置于與端子15的配置位 置對應(yīng)的位置。光掩模45例如成為在光掩模33中除去了遮光層37中與振動空間17對應(yīng) 的部分的構(gòu)成。另外，曝光也可以是投影式曝光，也可以是接近式曝光，還可以密接式曝光。
[0058] 之后，如圖3(d)所示，進行顯影處理，使蓋部構(gòu)成層43中被照射了光的部分殘留， 除去未被照射光的部分。由此，在蓋部構(gòu)成層43形成配置第二柱部25的第二孔部51。艮P， 形成蓋部21。通過形成蓋部21，由壁部19和蓋部21完成罩部件9。另外，第一孔部41及 第二孔部51連接，構(gòu)成合體孔部53。
[0059] 形成罩部件9后，如圖4(a)及圖4(b)所示，形成端子15。具體而言，首先，如圖 4(a)所示，形成鍍敷用底層55及鍍敷用抗蝕層57。
[0060] 鍍敷用底層55以覆蓋罩部件9的方式形成。另外，鍍敷用底層55也形成在由連 接強化層13構(gòu)成的合體孔部53的底面及由罩部件9構(gòu)成的合體孔部53的內(nèi)周面。鍍敷 用底層55是例如通過閃鍍法用Ti-Cu合金等形成的合適的一例。在利用閃鍍法形成鍍敷 用底層55時，不需要在鍍敷形成部位形成用于流過電流的配線圖案。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)SAW 裝置1的小型化。
[0061] 鍍敷用抗蝕層57形成于鍍敷用底層55上。鍍敷用抗蝕層57例如以旋涂等方法 形成于基板上。在鍍敷用抗蝕層57上，在合體孔部53上形成凸臺用孔部59。凸臺用孔部 59的直徑比合體孔部53的直徑大，另外，深度（鍍敷用抗蝕層57的厚度）為凸臺27的厚 度以上。凸臺用孔部59例如通過光刻形成。
[0062] 接著，如圖4(b)所示，對經(jīng)由凸臺用孔部59露出的鍍敷用底層55實施鍍敷。由 此，向合體孔部53內(nèi)及凸臺用孔部59填充金屬。而且，利用向第一孔部41填充的金屬形成 第一柱部23,利用向第二孔部51填充的金屬形成第二柱部25,利用向凸臺用孔部59填充 的金屬形成凸臺27。另外，在凸臺用孔部59,不需要填充金屬至鍍敷用抗蝕層57的表面， 只要填充金屬至凸臺用孔部59的適當(dāng)?shù)纳疃燃纯伞ｅ兎蠓梢赃m當(dāng)?shù)剡x擇，但是，優(yōu)選電 鍍法。之所以選擇電鍍法，是因為柱狀端子15的高度的自由度高，另外，與鍍敷用底層55 的密接性良好。
[0063] 之后，除去鍍敷用抗蝕層57,并且，除去鍍敷用底層55中未從凸臺用孔部59露出 的部分。由此，如圖1(b)所示，形成SAW裝置1。另外，在圖1(b)中，鍍敷用底層55的殘留 的部分的圖示省略。鍍敷用抗蝕層57例如可通過丙酮、IPA等有機溶劑、二甲基亞砜等堿 性有機溶溶劑除去。鍍敷用底層55的Cu例如可利用氯化亞鐵及磷酸和過氧化氫水的混合 液除去。另外，鍍敷用底層55的Ti例如可用希氟酸或氨和過氧化氫水的混合液除去。
[0064] 另外，上述的工序在所謂的晶片工藝中實現(xiàn)。即，以通過分割而成為壓電基板3的 母基板為對象進行上述的工序，一并形成多個的SAW裝置。
[0065] 根據(jù)以上的實施方式，SAW裝置1具有：傳播彈性波的壓電基板3、配置于壓電基 板3的第一表面3a上的梳狀電極6。另外，SAW裝置1具有：相對于第一表面3a堅立設(shè)置 且與梳狀電極6電連接的柱狀的端子15 ;在梳狀電極6上形成中空的振動空間17,并且覆 蓋端子15的側(cè)面的罩部件9。而且，端子15在堅立設(shè)置方向的至少一部分，第一表面3a側(cè) 的直徑比與第一表面3a相反一側(cè)的直徑大。因此，在對端子15施加將端子15從罩部件9 抽出的方向的力時，端子15與罩部件9卡合，抑制端子15的抽出。即，SAW裝置1的耐久 性提1?。
[0066] 端子15具有第一表面3a側(cè)的直徑比與第一表面3a相反一側(cè)的直徑大的錐部（第 一柱部23及第二柱部25)。因此，在對端子15施加將端子15從罩部件9抽出的方向的力 時，端子15遍及較寬的面積與罩部件9卡合。其結(jié)果能夠抑制在罩部件9施加局部的負荷。 而且，能夠抑制罩部件9的破損及由該破損產(chǎn)生的端子15的抽出。
[0067] 端子15作為錐部具有第一柱部23、和同第一柱部23的與第一表面3a的相反側(cè) 連續(xù)的第二柱部25,第一柱部23的第二柱部25側(cè)的直徑比第二柱部25的第一柱部23側(cè) 的直徑小。因此，對于抽出，可以在發(fā)揮與后述的第二變形例（參照圖5(b))同樣的卡止力 的同時，使與第一表面3a平行的剖面的截面積的在立設(shè)方向的變化比第二變形例小。其結(jié) 果是，能夠減小端子15的最大截面積相對于端子15的最小截面積（對端子15的電阻的影 響）之比，能夠?qū)崿F(xiàn)端子15的小徑化。另外，在對端子15施加押入方向的力時，其力的一 部分向罩部件9傳遞，因此，能夠減輕連接強化層13的負擔(dān)。其結(jié)果是，容易實現(xiàn)提高耐久 性、連接強化層13的薄型化及省略。
[0068] 第一柱部23和第二柱部25的邊界（臺階29)距第一表面3a的位置與振動空間 17的頂部21a距第一表面3a的位置一致。因此，對端子15施加押入方向的力時，能夠抑制 該力自臺階29向蓋部21的傳遞，進而，抑制蓋部21撓曲，頂部21a與振動空間17的底面 (保護層7)接觸。另一方面，從臺階29向壁部19傳遞的押入方向的力施加給壁部19的距 第一表面3a的高度方向的整體，能夠使向壁部19傳遞的力分散于廣闊的范圍內(nèi)。另外，在 由分別不同的工序（不同的層）形成壁部19及蓋部21的情況下，對于各層只要形成單純 的形狀的孔部（第一孔部41及第二孔部51)即可，換言之，不需要在開口方向的中途形成 縮徑的孔部，容易形成合體孔部53。
[0069] 振動空間17的內(nèi)壁19a及頂部21a形成為拱形狀。因此，蓋部21能夠抑制撓曲。 其結(jié)果是，例如能夠減小振動空間17的高度，實現(xiàn)SAW裝置1的小型化。
[0070] SAW裝置1的制造方法具有在傳播彈性波的壓電基板3的第一表面3a上配置梳狀 電極6的工序（圖2 (a))。另外，該制造方法具有與梳狀電極6電連接，相對于第一表面3a 堅立設(shè)置，且在堅立設(shè)置方向的至少一部分形成第一表面3a側(cè)的直徑比與第一表面3a相 反的一側(cè)的直徑大的柱狀的端子15的工序（圖4(a)及圖4(b))。另外，該制造方法具有在 梳狀電極6上形成中空的振動空間17,并且形成覆蓋端子15的側(cè)面的罩部件9的工序（圖 2(c)?圖3(d))。因此，能夠形成抑制端子15的抽出的SAW裝置1。
[0071] 形成罩部件9的工序具有形成成為罩部件9的罩部件構(gòu)成層（壁部構(gòu)成層31及 蓋部構(gòu)成層43)的工序（圖2(c)及圖3(b))。另外，形成罩部件9的工序具有在罩部件構(gòu) 成層形成合體孔部53的工序（圖2 (d)及圖3 (a)，以及圖3 (c)及圖3 (d))。合體孔部53在 端子15的堅立設(shè)置方向的至少一部分，第一表面3a側(cè)的直徑比與第一表面3a相反一側(cè)的 直徑大。而且，在形成端子15的工序（圖4(b))中，向合體孔部53內(nèi)填充導(dǎo)電性材料（金 屬），形成端子15。
[0072] 因此，在立設(shè)方向的至少一部分，容易形成第一表面3a側(cè)的直徑比與第一表面3a 相反一側(cè)的直徑大的端子15。而且，與后述的第四變形例（參照圖6(a)?圖6(d))的形 成方法比較，僅形成端子15的柱部，因此，不需要設(shè)置之后除去的抗蝕層，使制造方法簡單 化。
[0073] 在形成合體孔部53的工序中，通過負型光刻而除去罩部件構(gòu)成層（壁部構(gòu)成層31 及蓋部構(gòu)成層43)的一部分，形成合體孔部53。因此，積極的利用用于曝光的光散射這種本 來不希望出現(xiàn)的現(xiàn)象，在端子15的堅立設(shè)置方向的至少一部分，能夠形成第一表面3a側(cè)的 直徑比與第一表面3a相反側(cè)的直徑大的合體孔部53。其結(jié)果是，不需要追加用于將合體孔 部53的一部分進行擴徑的特別的工序，制造方法簡單化。
[0074] 形成罩部件構(gòu)成層的工序具有：形成構(gòu)成振動空間17的壁部19的壁部構(gòu)成層31 的工序（圖2 (c))、和在壁部構(gòu)成層31上形成構(gòu)成振動空間17的蓋部21的蓋部構(gòu)成層43 的工序（圖3 (b))。形成合體孔部53的工序具有：在形成蓋部構(gòu)成層43的工序之前，通過 負型光刻除去壁部構(gòu)成層31的一部分，而形成成為振動空間17的開口部39、第一孔部41 的工序（圖2(d)及圖3(a))。第一孔部41為成為合體孔部53的表面?zhèn)炔糠智业谝槐砻?3a側(cè)的直徑比第一表面3a的相反側(cè)的直徑大的孔部。另外，形成合體孔部53的工序具有： 在形成蓋部構(gòu)成層43的工序之后，通過負型光刻除去蓋部構(gòu)成層43的一部分而形成第二 孔部51的工序（圖3 (c)及圖3 (d))。第二孔部51為成為合體孔部53的與第一表面3a相 反一側(cè)的部分且第一表面3a側(cè)的直徑比與第一表面3a相反一側(cè)的直徑大，且第一表面3a 側(cè)的直徑比第一孔部41的與第一表面3a的相反側(cè)的直徑大的孔部。
[0075] 因此，如上述，可形成端子15的兩個錐部（第一柱部23及第二柱部25)的合體孔 部53通過單純形狀的第一孔部41及第二孔部51的形成而能夠?qū)崿F(xiàn)。該合體孔部53在開 口方向的一部分縮徑。
[0076] 另外，在以上的實施方式中，SAW裝置1為本發(fā)明的彈性波裝置的一例，壓電基板3 為本發(fā)明的基板的一例，第一表面3a為本發(fā)明的基板的表面的一例。另外，梳狀電極6為 本發(fā)明的激勵電極的一例，第一柱部23為本發(fā)明的第一錐部的一例，第二柱部25為本發(fā)明 的第二錐部的一例。
[0077] 本發(fā)明不限于以上的實施方式，也可以以各種形態(tài)實施。
[0078] 彈性波裝置不限于SAW裝置。例如彈性波裝置也可以是壓電薄膜諧振器。在彈性 波裝置中，保護層（7)及連接強化層（13)也可以省略，相反，也可以形成其它適當(dāng)?shù)膶?。?如，在實施方式中，也可以設(shè)置在壁部19上或蓋部21上層疊且被與基準電位連接的端子15 支承的金屬層（平板）。該情況下，可通過金屬層增強對于蓋部21的撓曲的強度。
[0079] 端子不限于錐狀?？梢酝ㄟ^適當(dāng)?shù)男螤睿趫粤⒃O(shè)置方向的至少一部分，實現(xiàn)表面 側(cè)的直徑比表面的相反側(cè)的直徑大的端子。
[0080] 圖5(a)是表示第一變形例的端子115的示意的剖面圖。端子115具有堅立設(shè)置 于連接強化層13上的第一柱部123、堅立設(shè)置于第一柱部123上的第二柱部125、設(shè)置于第 二柱部125上的凸臺27。第一柱部123及第二柱部125形成圓柱狀。另外，第一柱部123 的直徑比第二柱部125的直徑大。
[0081] 根據(jù)第一變形例，與實施方式同樣，端子115與罩部件109卡合，能夠抑制抽出。 另外，在罩部件109的壁部119及蓋部121，在開口方向只要形成具有均一的直徑的孔部即 可，因此，孔部的形成方法的選擇的自由度提高。
[0082] 另外，在端子具有錐部的情況下，錐部的數(shù)量不限于兩個。錐部的數(shù)量可以是一 個，也可以是三個以上。
[0083] 圖5(b)是表示第二變形例的端子215的示意的剖面圖。端子215具有堅立設(shè)置 于連接強化層13上的柱部223、設(shè)置于柱部223上的凸臺27。柱部223為端子15中的側(cè) 面被罩部件9覆蓋的部分的整體，另外，形成為一個錐狀。另外，要形成這樣的柱部223,例 如，只要以使在壁部221形成的孔部的直徑比在壁部219形成的孔部的直徑小的方式進行 負型光刻即可。
[0084] 根據(jù)第二變形例，與實施方式相同，端子215與罩部件209卡合，抑制抽出。另外， 在被覆端子215及罩部件209的端子215的部分，能夠抑制產(chǎn)生角部，因此，能夠抑制產(chǎn)生 應(yīng)力集中，從而耐久性提高。
[0085] 另外，端子在側(cè)面被罩部件被覆的部分的整體不必形成錐部。
[0086] 圖5(c)是表示第三變形例的端子315的示意的剖面圖。端子315具有堅立設(shè)置 于連接強化層13上的第一柱部23、堅立設(shè)置于第一柱部23上的第二柱部125、設(shè)置于第二 柱部125上的凸臺27。第一柱部23為與實施方式相同，形成為錐狀，第二柱部125與第一 變形例相同，形成為圓柱狀。
[0087] 根據(jù)第三變形例，與實施方式相同，端子315與罩部件309卡合，抑制抽出。另外， 在蓋部121中由于不需要形成錐狀的孔部，因此，孔部的形成方法的選擇的自由度高。其結(jié) 果是，將壁部19的形成材料和蓋部121的形成材料設(shè)定為不同的材料等也變得容易。另外， 與第三變形例相反，第一柱部可以形成為圓柱狀，第二柱部可以形成為錐狀。
[0088] 第一錐部23和第二錐部125的臺階29距表面3a的位置也可以不與振動空間17 的頂部21a距表面3a的位置一致。另外，使臺階的位置和頂部的位置不一致的制造方法也 可以適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，在實施方式中，通過兩層光致抗蝕層31、43構(gòu)成罩部件，但是，也可 以利用比其更多的多層的光致抗蝕層構(gòu)成罩部件，在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬慑F的臺階。
[0089] 在實施方式中，在形成罩部件的工序之后進行形成端子的工序，但是，也可以在形 成端子的工序之后形成罩部件。
[0090] 圖6(a)?圖6(d)為用于說明第四變形例的SAW裝置401的制造方法的示意的剖 面圖。在第四變形例中，在形成端子415后，形成罩部件409(圖6(d))。具體如下。
[0091] 首先，如圖6 (a)所示，在壓電基板3的第一表面3a上，在SAW元件（圖示省略） 上形成構(gòu)成振動空間417的內(nèi)輪廓部419。內(nèi)輪廓部419構(gòu)成罩部件409的內(nèi)側(cè)部分。內(nèi) 輪廓部419例如由感光性樹脂形成。
[0092] 其次，如圖6(b)所示，形成有孔部453的端子用抗蝕層457,向孔部453填充導(dǎo)電 性材料，由此，形成端子415?？撞?53及端子415例如與第二變形例相同，整體形成錐狀。
[0093] 之后，如圖6(c)所示，除去端子用抗蝕層457。由此，露出端子415的側(cè)面。
[0094] 而且，如圖6(d)所示，內(nèi)輪廓部419及端子415被樹脂密封。密封樹脂的上表面 側(cè)部分被研磨直到露出端子415 (直到虛線所示的位置）。利用被研磨的密封樹脂形成構(gòu)成 罩部件409的外側(cè)部分的外輪廓部421。
[0095] 另外，在罩部件之前形成端子的情況下，端子的形成方法不限于在形成于抗蝕層 上的孔部填充導(dǎo)電性材料的方法。例如，也可以通過使用透過孔的直徑彼此不同的多個掩 模進行多次介有掩模的金屬的蒸鍍，在適當(dāng)?shù)奈恢眯纬蓴U徑的端子。
[0096] 在罩部件等形成孔部，在孔部填充導(dǎo)電性材料并形成端子的情況下，孔部的形成 不限于由光刻進行。例如，孔部也可以利用激光的燒蝕加工形成。另外，該情況下，通過例 如將激光的照射角度相對于基板的表面傾斜，可形成錐面。
[0097] 另外，在通過光刻形成填充成為端子的導(dǎo)電性材料的孔部的情況下，錐面的形成 不限于利用負型光刻的光的發(fā)散。例如，在正型或負型光刻中，通過使光相對于基板的表面 傾斜照射，能夠形成錐面。另外，在負型光刻中，通過縮小投影系一邊使光的直徑縮徑一邊 對抗蝕層進行照射，由此，能夠形成表面?zhèn)葦U徑的錐狀的孔部。
[0098] 在實施方式中，對于端子的錐部，表面?zhèn)鹊闹睆奖扰c表面的相反一側(cè)的直徑大。但 是，端子的錐部也可以以與表面相反一側(cè)的直徑比表面?zhèn)鹊闹睆酱蟮姆绞叫纬伞?br> [0099] 圖7是表示第五變形例的SAW裝置501的示意的剖面圖。
[0100] 端子515的第一柱部523及第二柱部525分別形成為與第一表面3a相反一側(cè)的直 徑比第一表面3a側(cè)的直徑大的錐狀。第一柱部523的第二柱部525側(cè)的端面的直徑比第 二柱部525的第一柱部523側(cè)的端面的大，在第一柱部523和第二柱部525的邊界形成有 第一表面3a側(cè)的直徑比與第一表面3a的相反一側(cè)的直徑大的臺階529。換言之，端子515 具有：與第一表面3a相反一側(cè)的截面積比第一表面3a側(cè)的截面積大的第三錐部（第一柱 部523)、與第三錐部連續(xù)且與第一表面3a相反一側(cè)的截面積比第一表面3a側(cè)的截面積大 的第四錐部（第二柱部525)。另外，將第三錐部的第四錐部側(cè)的截面積和第四錐部的第三 錐部側(cè)的截面積進行比較，第三錐部的第四錐部側(cè)的截面積這一方大。另外，第一柱部523 及第二柱部525也可以是彼此相同的大小及形狀，也可以是彼此不同的大小及形狀。
[0101] 由于這樣的構(gòu)成，臺階529從第一表面3a側(cè)對于罩部件509卡合，由此，能夠抑制 端子515的抽出。
[0102] SAW裝置501的制造方法與實施方式的SAW裝置1的制造方法大致相同。但是，在 SAW裝置501的制造方法中，代替負型光刻，通過正型光刻形成壁部519及框架部521。
[0103] 通過正型光刻形成填充成為端子515的金屬的第一孔部541及第二孔部551時， 與實施方式相同，通過光的發(fā)散，第一孔部541及第二孔部551成為錐狀。但是，所謂負型 是光的照射區(qū)域和被照射區(qū)域互逆，因此，第一孔部541及第二孔部551與實施方式的第一 孔部41及第二孔部51向逆方向擴徑。
[0104] 另外，通過正型光刻形成振動空間517,由此，內(nèi)壁519a及頂部521a也與第一實施 方式的內(nèi)壁19a及頂部21a為互逆的形狀，S卩，第一表面3a成為越靠相反側(cè)直徑越大的形 狀。
[0105] 另外，如上述，錐狀的孔部通過傾斜照射光等可形成，因此，通過負型光刻也可以 形成第一孔部541及第二孔部551。
[0106] 振動空間不限于由與壁部分體形成的蓋部堵塞罩部件的壁部的開口部而構(gòu)成。例 如，也可以在基板上形成與振動空間同一形狀的抗蝕劑，在其上形成成為罩部件的罩部件 構(gòu)成層，之后，經(jīng)由設(shè)置于罩部件構(gòu)成層的貫通孔除去抗蝕劑，由此，構(gòu)成振動空間。
[0107] 振動空間也可以不形成為拱形狀。另外，在振動空間形成為拱形狀的情況下，拱形 不限于是通過內(nèi)壁的頂部側(cè)部分倒角為曲面狀而形成。例如，拱形也可以通過內(nèi)壁整體由 平面狀的錐面構(gòu)成來形成。另外，第一錐部和第二錐部的邊界距第一表面3a的位置和振動 空間17的頂部距第一表面3a的位置未必是一致的，兩者的位置也可以錯開。
[0108] 另外，第一錐部和第二錐部的其傾斜角（各錐部與壓電基板的第一表面3a構(gòu)成的 角）也可以相互不同。例如，也可以以第一錐部的傾斜角比第二錐部的傾斜角大的方式形 成第一柱部23和第二柱部25。這樣，通過使第一錐部的傾斜角和第二錐部的傾斜角不同， 在對端子15施加押入方向的力時，能夠使向壁部19傳遞的力分散到更大的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種彈性波裝置，其具備配置有激勵電極的基板和覆蓋所述激勵電極的罩部件， 該罩部件具有孔部，該孔部在內(nèi)部具有與所述激勵電極電連接的端子， 該孔部在剖視觀察下，第一位置處的與所述基板的表面平行的第一寬度比第二位置處 的與所述基板的表面平行的第二寬度大，所述第二位置位于比所述第一位置靠所述基板側(cè) 的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述罩部件具有配置在所述基板上的壁部和配置在該壁部上的蓋部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述壁部由與所述蓋部不同的材料構(gòu)成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述罩部件具有配置在所述基板上的壁部，該壁部由光固化性材料構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的彈性波裝置，其中， 構(gòu)成所述壁部的光固化性材料為氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、環(huán)氧丙烯酸酯系 的樹脂。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 在所述激勵電極上具有覆蓋該激勵電極的保護層， 所述罩部件從所述保護層的上方覆蓋所述激勵電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的彈性波裝置，其中， 所述保護層還覆蓋所述激勵電極的周圍的所述基板的表面，所述罩部件具有配置在覆 蓋所述基板的表面的所述保護層上的壁部和配置在該壁部上的蓋部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述罩部件具有配置在所述基板上的壁部， 所述孔部位于所述壁部內(nèi)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述孔部在剖視觀察下，在所述壁部內(nèi)具有所述第一寬度比所述第二寬度大的第一區(qū) 域。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的彈性波裝置，其中， 所述孔部在剖視觀察下，在所述蓋部內(nèi)具有所述第一寬度比所述第二寬度大的第二區(qū) 域。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 在所述基板與所述罩部件之間還具有位于所述激勵電極上的振動空間， 所述罩部件具有通過所述罩部件的所述振動空間側(cè)的內(nèi)表面在剖視觀察下以面對所 述基板的方式傾斜而成的曲線部分。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的彈性波裝置，其中， 所述罩部件具有配置在所述基板上的壁部和配置在該壁部上的蓋部， 所述壁部具有所述曲線部分。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的彈性波裝置，其中， 所述曲線部分配置在所述壁部的所述蓋部側(cè)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述壁部具有以面對所述蓋部的方式傾斜的部分。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述孔部具有隨著朝向所述基板的相反側(cè)而寬度增大的錐形狀的部分。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的彈性波裝置，其中， 所述孔部具有多個所述錐形狀的部分。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的彈性波裝置，其中， 多個所述錐形狀的部分的相對于所述基板的主面的傾斜角度互不相同。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述孔部在內(nèi)壁面具有階梯差。
19. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述壁部或者所述蓋部是正型或者負型的光刻材料。
20. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述壁部或者所述蓋部的厚度設(shè)定為數(shù)μ m?30 μ m。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述彈性波裝置在所述基板上具有與所述激勵電極電連接的連接用導(dǎo)體，還具有配置 在所述連接用導(dǎo)體上的連接強化層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述激勵電極由梳狀電極或者壓電薄膜諧振器構(gòu)成。
23. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的彈性波裝置，其中， 所述彈性波裝置還具有配置在所述壁部或所述蓋部上的金屬層。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的彈性波裝置，其中， 所述金屬層與基準電位連接。
25. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述罩部件具有配置在所述基板上的壁部和配置在所述壁部上的蓋部， 所述罩部件的所述孔部包括位于所述壁部的第一孔部和位于所述蓋部的第二孔部， 所述第一孔部具有所述第一寬度，并且所述第二孔部具有所述第二寬度。
26. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 所述端子由焊錫、Cu、Au或者Ni形成。
27. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的彈性波裝置，其中， 在所述孔部與所述端子之間形成有鍍敷用底層。
28. -種電路基板，其中， 所述電路基板具有： 權(quán)利要求1所述的彈性波裝置；以及 利用所述端子以及焊錫安裝有該彈性波裝置的第二基板。
【文檔編號】H03H9/02GK104104356SQ201410301667
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2009年11月24日 優(yōu)先權(quán)日:2008年11月28日
【發(fā)明者】深野徹, 西井潤彌 申請人:京瓷株式會社