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      一種校正mems計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法及裝置制造方法

      文檔序號:7546214閱讀:485來源:國知局
      一種校正mems計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法及裝置制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供一種校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法及裝置,該方法包括:獲取當(dāng)前溫度值下MEMS計時時鐘的初始頻率誤差值;計算需要獲得頻率所需要的降頻參數(shù);以初始頻率誤差值為初始值進(jìn)行依次累加,當(dāng)累加值數(shù)值大于等于1時發(fā)生溢出1;當(dāng)數(shù)值小于等于-1時發(fā)生溢出-1;當(dāng)數(shù)值大于-1且小于1時不發(fā)生溢出;采用值為降頻參數(shù)與溢出值之和的降頻比對MEMS計時時鐘的實際輸出頻率進(jìn)行降頻,獲得需要的頻率。本發(fā)明運(yùn)用0/1序列平均化MEMS計時時鐘在某一溫度下的初始頻率誤差值,實現(xiàn)了雙向溢出補(bǔ)償,擴(kuò)展方案簡單易行,具有成本優(yōu)勢。
      【專利說明】一種校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法及裝置

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明屬于校正時鐘【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及一種校正MEMS計時時鐘方法,特別是涉及一 種校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法及裝置。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 任何數(shù)字系統(tǒng)都是按時鐘節(jié)拍走預(yù)定功能時序來工作的,所以時鐘源必不可少。 在電子系統(tǒng)中的S0C芯片上的時鐘源,常用的有石英晶振(Crystal Oscillator)及阻容振 蕩器(RC Oscillator)。隨著 MEMS(Micr〇-Electro_Mechanical Systems,微機(jī)電系統(tǒng))技 術(shù)的成熟,新生的MEMS時鐘(MEMS Oscillator)逐步走進(jìn)市場應(yīng)用。
      [0003] 相對于傳統(tǒng)的石英晶振方式,MEMS時鐘的最大優(yōu)勢在于它的可集成性。由于MEMS 時鐘的生產(chǎn)材料也是基于Si工藝,所以很容易集成于S0C片內(nèi),降低了對外部電路的需求, 如對外部晶體、匹配電容、PIN腳的需求,可進(jìn)一步提升系統(tǒng)應(yīng)用的集成度。此外,MEMS時 鐘還具有結(jié)構(gòu)簡單,功耗低,體積小等優(yōu)點(diǎn)。然而,MEMS時鐘也存在缺陷,就是溫度效應(yīng),即 隨著溫度變化MEMS時鐘的時鐘輸出頻率將發(fā)生偏移。所以對于要求在寬溫度范圍內(nèi)高穩(wěn) 定時鐘的應(yīng)用場合,必須去做相應(yīng)的補(bǔ)償后方可使用,比如用于實時計時的RTC(Real Time Clock,實時時鐘)場合。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種校正MEMS計時時鐘 的溢出補(bǔ)償方法及裝置,用于解決現(xiàn)有MEMS計時時鐘的輸出頻率隨溫度變化發(fā)生偏移的 問題。
      [0005] 為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ) 償方法,所述校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法包括:獲取當(dāng)前溫度值下MEMS計時時鐘 的初始頻率誤差值res,〇< |res|〈l;計算需要獲得頻率

      【權(quán)利要求】
      1. 一種校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法,其特征在于,所述校正MEMS計時時鐘的溢 出補(bǔ)償方法包括: 獲取當(dāng)前溫度值下MEMS計時時鐘的初始頻率誤差值res,0彡| res |〈1 ; 計算需要獲得頻率/:, = C = & (1 + mS')所需要的降頻參數(shù)Μ ;其中,F(xiàn)表示MEMS計時時 r r 鐘在當(dāng)前溫度值下的實際輸出頻率值,匕表示MEMS計時時鐘的標(biāo)準(zhǔn)輸出頻率值;r表示分 頻比,隨著初始頻率誤差值res的變化而變化,故有M-1彡rmin彡r彡rmax彡M+1,Μ為大于 零的正整數(shù); 以res為初始值進(jìn)行依次累加,即sum = sum+res,當(dāng)累加值sum數(shù)值大于等于1時發(fā) 生溢出1,即溢出值〇v = 1 ;當(dāng)sum數(shù)值小于等于-1時發(fā)生溢出-1,即溢出值ov = -1 ;當(dāng) sum數(shù)值大于-1且小于1時不發(fā)生溢出,即溢出值ον = 0 ; 采用降頻比R = M+ov對MEMS計時時鐘的實際輸出頻率F進(jìn)行降頻,獲得需要的頻率 f〇。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法,其特征在于,所述MEMS 計時時鐘的初始頻率誤差值res的獲取過程包括: 測量不同溫度值下的MEMS計時時鐘的實際輸出頻率值; 獲得MEMS計時時鐘在不同溫度值下的初始頻率誤差值; 通過曲線擬合方法獲得MEMS計時時鐘的溫度補(bǔ)償方案;所述溫度補(bǔ)償方案包括補(bǔ)償 公式或補(bǔ)償表格。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法,其特征在于:所述溢出 補(bǔ)償方法對MEMS計時時鐘的分頻校正范圍為[M-N,M+N],其中,分頻跨度N為大于零的正 整數(shù)。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法,其特征在于,所述溢出 補(bǔ)償方法還包括: 通過調(diào)整分頻校正范圍的中間值Μ的取值大小實現(xiàn)校正范圍的移動。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償方法,其特征在于,所述溢出 補(bǔ)償方法還包括: 通過調(diào)整分頻校正范圍的分頻跨度N的大小實現(xiàn)校正范圍的擴(kuò)大或縮小。
      6. -種校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償裝置,其特征在于,所述校正MEMS計時時鐘的溢 出補(bǔ)償裝置包括: 初始頻率誤差值獲取模塊,獲取當(dāng)前溫度值下MEMS計時時鐘的初始頻率誤差值res, 0 ^ I res I <1 ; 降頻參數(shù)計算模塊,與所述初始頻率誤差值獲取模塊相連,計算獲得頻率 /。= f = (1 +概)所需要的降頻參數(shù)Μ ;其中,F(xiàn)表示MEMS計時時鐘在當(dāng)前溫度值下的實 r r 際輸出頻率值,匕表示MEMS計時時鐘的標(biāo)準(zhǔn)輸出頻率值;r表示分頻比,隨著初始頻率誤差 值res的變化而變化,故有M-1彡rmin彡r彡rmax彡M+l,Μ為大于零的正整數(shù); 累加模塊,與所述初始頻率誤差值獲取模塊相連,以res為初始值進(jìn)行依次累加,即 sum = sum+res ;當(dāng)sum數(shù)值大于等于1時發(fā)生溢出1,即溢出值ον = 1 ;當(dāng)sum數(shù)值小于等 于-1時發(fā)生溢出-1,即溢出值ov = -1 ;當(dāng)sum數(shù)值大于-1且小于1時不發(fā)生溢出,即溢 出值OV = 0 ; 補(bǔ)償模塊,與所述累加模塊和降頻參數(shù)計算模塊分別相連,采用降頻比R = M+ov對 MEMS計時時鐘的實際輸出頻率值F進(jìn)行降頻,獲得需要的頻率
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校正MEMS計時時鐘的溢出補(bǔ)償裝置,其特征在于,所述初始 頻率誤差值獲取模塊包括: 實際輸出頻率采集單元,測量不同溫度值下的MEMS計時時鐘的實際輸出頻率值; 初始頻率誤差獲取單元,獲得MEMS計時時鐘在不同溫度值下的初始頻率誤差值; 溫度補(bǔ)償單元,與所述實際輸出頻率采集單元和初始頻率誤差獲取單元分別相連,通 過曲線擬合方法獲得MEMS計時時鐘的溫度補(bǔ)償方案;所述溫度補(bǔ)償方案包括補(bǔ)償公式或 補(bǔ)償表格。
      【文檔編號】H03B5/04GK104143960SQ201410331284
      【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月11日
      【發(fā)明者】張斌陽, 張明雄, 傅有煒, 徐晨曦 申請人:鉅泉光電科技(上海)股份有限公司
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