溫度控制電路及帶恒溫槽的晶體振蕩器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制的溫度控制電路及帶恒溫槽的晶體振蕩器。本發(fā)明的帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路是對第一電阻的一端、第二電阻的一端、及加熱器電阻的一端施加電源電壓且使熱敏電阻的另一端、溫度感溫元件的另一端、及晶體管的集電極側(cè)接地共用的電路，且在運算放大器的輸入端子連接溫度感溫元件的一端，且以伴隨著周圍動作溫度的上升而使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度逐漸變高的方式進行控制，通過設(shè)為接地共用型，而縮窄控制溫度幅度，通過使恒溫槽設(shè)定溫度伴隨著周圍動作溫度的上升而逐漸上升，可使用高穩(wěn)定性的雙旋轉(zhuǎn)切割的晶體振子。
【專利說明】 溫度控制電路及帶恒溫槽的晶體振蕩器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路，尤其涉及一種可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制的溫度控制電路及帶恒溫槽的晶體振蕩器。

【背景技術(shù)】
[0002][以往的技術(shù)]
[0003]帶恒溫槽的晶體振蕩器(OvenControlled Crystal Oscillator,0CX0)是具備固定地保持溫度的溫度槽的晶體振蕩器。該帶恒溫槽的晶體振蕩器中，使用AT切割(條形切割，AT-cut)或SC切割(雙旋轉(zhuǎn)切割，SC-cut)的晶體振子，其溫度特性為三次曲線。而且，0CX0中，在溫度最穩(wěn)定的局部部分進行溫度控制。
[0004]一般來說，0CX0的動作溫度為0°C到+70°C左右。此時，由于只有使熱源變暖的機構(gòu)，因此以所謂+80°C的高溫對熱源進行溫度控制。
[0005]然而，雖然也取決于構(gòu)造，但一般來說動作溫度與熱源的溫度差為7V?10°C以上，如果內(nèi)部的控制溫度與動作溫度接近，那么將無法進行控制。
[0006]這樣一來，由于槽內(nèi)的溫度被保持為高溫，所以必須始終考慮作為內(nèi)部零件的電阻、電容器(condenser)、半導(dǎo)體等的可靠性。
[0007]尤其是，溫度越高，長期可靠性(零件壽命)會劣化越快。已知根據(jù)通常所使用的阿倫尼烏斯(Arrhenius)定義，如果溫度上升10°C，那么壽命會變?yōu)槎种弧?br> [0008]另一方面，0CX0中主要使用的SC切割的晶體振子的溫度特性為具有回折點+95°C的三次曲線(cubic curve) ?
[0009]而且，溫度最穩(wěn)定的極點實際上具有10°C左右的偏差(例如，+80°C +/-5°C )。該偏差是對晶體進行切斷加工時的切斷精度所導(dǎo)致的制造偏差。
[0010]而且，回折點越接近極點，也就是說從極點到回折點的溫度差越小，那么偏差變得越大，而在SC切割的晶體振子中，成為良率變差的原因。
[0011]近年來,因市場的需求,而要求大的動作溫度范圍的0CX0。
[0012]由0°C?+70°C的動作溫度范圍要求-40°c?+85°C的動作溫度范圍的傾向增加。這是因為設(shè)想到出于裝置的節(jié)能化等而縮小空冷功能的規(guī)模的情況、或配置在室外的情況。
[0013]因此，如上所述，有恒溫槽的動作點變高的傾向。例如，在將+85°C設(shè)為設(shè)定溫度的情況下為高7°C的+92°C，進而如果加上制造偏差則成為+92°C +/-5°C，如果是低溫側(cè)的+87°C的晶體振子，那么距極點+85°C只有+2°C的溫度差，因此無法進行控制。
[0014]相反，如果是高溫側(cè)的+97°C，那么成為回折點+95°C附近，超過加工精度而無法制造。
[0015]進而，恒溫槽內(nèi)部的溫度本身也變得更高，而成為可靠性劣化的原因。
[0016][晶體振子的溫度特性曲線:圖4(a)、圖4 (b)、圖4 (C)]
[0017]此處，一邊參照圖4 (a)、圖4 (b)、圖4 (C)，一邊對SC切割的晶體振子、IT切割的晶體振子、AT切割的晶體振子的溫度特性的曲線進行說明。圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)是表示SC切割、IT切割、AT切割的晶體振子的溫度特性曲線的圖。
[0018]如圖4(a)所示，SC切割的晶體振子中回折點為+95°C，如圖4(b)所示，IT切割的晶體振子中回折點為+75°C,如圖4(c)所不，AT切割的晶體振子中回折點為+25°C。
[0019]為了滿足動作溫度范圍-40°C?+85°C的要求，尤其是為了對應(yīng)上限溫度+85°C，難以采用所述晶體振子中最穩(wěn)定的SC切割的晶體振子，而不得不使用回折點+75°C的IT切割的晶體振子、及穩(wěn)定性更差的AT切割的晶體振子。
[0020][以往的恒溫槽溫度控制電路:圖5]
[0021]接下來，一邊參照圖5，一邊對以往的恒溫槽溫度控制電路進行說明。圖5是表示以往的恒溫槽溫度控制電路的電路圖。
[0022]如圖5所示，以往的恒溫槽溫度控制電路中，將電源電壓Vcc施加到熱敏電阻(thermistor)(負(fù)溫度系數(shù)，Negative Temperature Coefficient, NTC) TH1、電阻 R11、及加熱器(heater)電阻RHl的一端,另外，也將電源電壓Vcc供給到運算放大器(Operat1nalAmplifier) IC2。
[0023]在熱敏電阻THl的另一端連接電阻RlO的一端，使該電阻RlO的另一端接地，在電阻Rll的另一端連接電阻R12的一端，使該電阻R12的另一端接地。
[0024]將熱敏電阻THi的另一端與電阻RlO的一端連接的線分支并經(jīng)由電阻R13輸入到運算放大器IC2的(-)輸入端子，將電阻Rll的另一端與電阻R12的一端連接的線分支并經(jīng)由電阻R14輸入到運算放大器IC2的(+)輸入端子。
[0025]運算放大器IC2的輸出經(jīng)由電阻R16而輸入到晶體管(transistor)Q2的基極(base)，并且經(jīng)由電阻R15而反饋并輸入到(-)輸入端子。
[0026]此外,運算放大器IC2的接地(groud)端子接地。
[0027]在晶體管Q2的集電極(collector)連接加熱器電阻RHl的另一端，晶體管Q2的發(fā)射極(emitter)接地。
[0028][以往的恒溫槽溫度控制電路的溫度特性:圖6]
[0029]接下來，一邊參照圖6，一邊對以往的恒溫槽溫度控制電路的溫度特性進行說明。圖6是表示以往的恒溫槽溫度控制電路的溫度特性的圖。
[0030]在圖6中表示加熱器電阻的電力、晶體管(功率晶體管(power transistor))的電力、及進而將它們總合所得的總電力。
[0031]如圖6所示，在83°C以上且94°C以下的范圍內(nèi)，溫度控制幅度為7°C?10°C。
[0032][以往的設(shè)定溫度:圖7]
[0033]一邊參照圖7，一邊對以往的設(shè)定溫度進行說明。圖7是表示周圍動作溫度與恒溫槽設(shè)定溫度的圖。
[0034]如圖7所示，以往，當(dāng)周圍動作溫度為例如5°C、25°C、75°C時，恒溫槽的設(shè)定溫度是以在波峰(peak)分別固定為80°C的方式設(shè)定。
[0035][相關(guān)技術(shù)]
[0036]此外，作為相關(guān)的【背景技術(shù)】，有日本專利特開2012-134910號公報《溫度控制電路、恒溫槽型壓電振蕩器、電子機器及溫度控制方法》(精工愛普生(Seiko Epson)股份有限公司)[專利文獻I]、及日本專利特開2013-038765號公報《帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路》(日本電波工業(yè)股份有限公司)[專利文獻2]。
[0037]在專利文獻I中，表示如下內(nèi)容:在溫度控制電路中，使用第一感溫元件、第二感溫元件、及第三感溫元件，控制功率晶體管的發(fā)熱量，尤其是差動放大器當(dāng)?shù)诙袦卦鶛z測的溫度越低時，使控制的比率越大，當(dāng)?shù)谌袦卦鶛z測的溫度越高時，使控制的比率越大。
[0038]在專利文獻2中，表示如下構(gòu)成，即，在帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路中，以金屬的共用圖案將PNP型功率晶體管的集電極側(cè)與熱敏電阻側(cè)連接到接地電平(ground level)。
[0039][【背景技術(shù)】文獻]
[0040][專利文獻]
[0041][專利文獻I]日本專利特開2012-134910號公報
[0042][專利文獻2]日本專利特開2013-038765號公報
[0043][發(fā)明欲解決的課題]
[0044]然而，以往的帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路存在如下問題，即，對于想要擴大OCXO的動作溫度范圍的要求，難以采用高穩(wěn)定性的SC切割的晶體振子。
[0045]此外，專利文獻I中，為了修正溫度特性而使用第一感溫元件、第二感溫元件、及第三感溫元件，專利文獻1、專利文獻2并未達到進行像伴隨著周圍動作溫度的上升而使恒溫槽設(shè)定溫度逐漸變高之類的控制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0046]本發(fā)明是鑒于所述實際情況而完成的，目的在于提供一種可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制的溫度控制電路及帶恒溫槽的晶體振蕩器。
[0047][解決課題的手段]
[0048]用來解決所述以往例子的問題的本發(fā)明是一種帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路:包括運算放大器、及PNP型晶體管，將電源電壓施加到第一電阻的一端、第二電阻的一端、及加熱器電阻的一端，第一電阻的另一端連接在熱敏電阻的一端，并使該熱敏電阻的另一端接地，第二電阻的另一端連接在溫度感溫元件的一端，并使該溫度感溫元件的另一端接地，將第一電阻的另一端與熱敏電阻的一端連接的線分支并經(jīng)由第三電阻輸入到運算放大器的其中一個輸入端子，將第二電阻的另一端與溫度感溫元件的一端連接的線分支并經(jīng)由第四電阻輸入到運算放大器的另一個輸入端子，運算放大器的輸出經(jīng)由第五電阻反饋并輸入到其中一個輸入端子，并且經(jīng)由第六電阻輸入到晶體管的基極，在晶體管的發(fā)射極連接加熱器電阻的另一端，使晶體管的集電極接地，各接地的部分連接在接地共用配線，且溫度感溫元件以伴隨著周圍動作溫度的上升使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度變高的方式進行控制。
[0049]在本發(fā)明的方案中:在所述溫度控制電路中，溫度感溫元件以伴隨著周圍動作溫度的上升使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度階段性地變高的方式進行控制。
[0050]在本發(fā)明的方案中:在所述溫度控制電路中，溫度感溫元件使用線性(linear)正溫度系數(shù)電阻。
[0051]在本發(fā)明的方案中:在所述溫度控制電路中，溫度感溫元件使用熱敏電阻。
[0052]在本發(fā)明的方案中:在所述溫度控制電路中，以銅圖案(pattern)形成接地共用配線。
[0053]在本發(fā)明的方案中:在所述溫度控制電路中，使用場效應(yīng)晶體管代替PNP型晶體管。
[0054]本發(fā)明是一種帶恒溫槽的晶體振蕩器:包括所述溫度控制電路，且使用SC切割的晶體振子作為晶體振子。
[0055][發(fā)明的效果]
[0056]根據(jù)本發(fā)明，由于設(shè)為如下帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路，即，將電源電壓施加到第一電阻的一端、第二電阻的一端、及加熱器電阻的一端，使熱敏電阻的另一端接地，使溫度感溫元件的另一端接地，且使晶體管的集電極接地，各接地的部分連接在接地共用配線，且連接在運算放大器的另一個輸入端子的溫度感溫元件以伴隨著周圍動作溫度的上升使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度變高的方式進行控制，因此，具有如下效果:通過設(shè)為接地共用型，可使控制溫度幅度比以往更窄，進而，通過使恒溫槽設(shè)定溫度伴隨著周圍動作溫度的上升而上升，可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0057]圖1是本發(fā)明的實施方式的恒溫槽溫度控制電路的電路圖。
[0058]圖2是表示本溫度控制電路的溫度特性的圖。
[0059]圖3是表示本溫度控制電路的周圍動作溫度與恒溫槽設(shè)定溫度的圖。
[0060]圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)是表示SC切割、IT切割、AT切割的晶體振子的溫度特性曲線的圖。
[0061 ]圖5是表示以往的恒溫槽溫度控制電路的電路圖。
[0062]圖6是表示以往的恒溫槽溫度控制電路的溫度特性的圖。
[0063]圖7是表示周圍動作溫度與恒溫槽設(shè)定溫度的圖。
[0064][符號的說明]
[0065]IC2:運算放大器
[0066]Q2:晶體管
[0067]R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16:電阻
[0068]RHl:加熱器
[0069]THl:熱敏電阻(NTC)
[0070]Vcc:電源電壓
[0071]ZZ:溫度感溫元件

【具體實施方式】
[0072]一邊參照附圖一邊對本發(fā)明的實施方式進行說明。
[0073][實施方式的概要]
[0074]本發(fā)明的實施方式的溫度控制電路是使熱敏電阻的另一端、溫度感溫元件的另一端、及晶體管的集電極側(cè)接地共用的電路，且在運算放大器的輸入端子連接溫度感溫元件，以伴隨著周圍動作溫度的上升使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度逐漸變高的方式進行控制，通過設(shè)為接地共用型，可使控制溫度幅度比以往更窄，進而，通過使恒溫槽設(shè)定溫度伴隨著周圍動作溫度的上升而逐漸上升，也能使用高穩(wěn)定性的SC切割的晶體振子，從而可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制。
[0075][本溫度控制電路:圖1]
[0076]一邊參照圖1，一邊對本發(fā)明的實施方式的恒溫槽溫度控制電路(本溫度控制電路)進行說明。圖1是本發(fā)明的實施方式的恒溫槽溫度控制電路的電路圖。
[0077]如圖1所示，本溫度控制電路是接地(Groud，GND)共用型的恒溫槽溫度控制電路，將電源電壓Vcc施加到電阻RlO、電阻Rl1、及加熱器電阻RHl的一端，另外，也將電源電壓Vcc供給到運算放大器IC2。
[0078]在電阻RlO的另一端連接熱敏電阻(NTC)THl的一端，并使該熱敏電阻THl的另一端接地，在電阻Rll的另一端連接溫度感溫元件ZZ的一端，并使該溫度感溫元件ZZ的另一端接地。
[0079]將電阻RlO的另一端與熱敏電阻THl的一端連接的線分支并經(jīng)由電阻R13輸入到運算放大器IC2的(_)輸入端子，將電阻Rll的另一端與溫度感溫元件ZZ的一端連接的線分支并經(jīng)由電阻R14輸入到運算放大器IC2的(+)輸入端子。
[0080]運算放大器IC2的輸出經(jīng)由電阻R16而輸入到晶體管Q2的基極，并且經(jīng)由電阻R15反饋并輸入到(_)輸入端子。
[0081]此外，運算放大器IC2的接地端子接地。
[0082]晶體管Q2是PNP型的功率晶體管(也可以是場效應(yīng)晶體管(Field-EffectTransistor),例如金屬氧化物半導(dǎo)場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, M0SFET))，在發(fā)射極連接加熱器電阻RHl的另一端，晶體管Q2的集電極接地。
[0083]在將晶體管Q2設(shè)為MOSFET的情況下，為P通道(P-channel，Pch) MOSFET，基極相當(dāng)于柵極(gate)，集電極相當(dāng)于漏極(drain)，發(fā)射極相當(dāng)于源極(source)。
[0084]圖1的溫度控制電路為熱敏電阻THl的另一端、溫度感溫元件ZZ的另一端、及晶體管Q2的集電極連接在共用的接地線的GND共用型溫度控制電路。
[0085][GND共用型的溫度特性:圖2]
[0086]接下來，一邊參照圖2，一邊對本溫度控制電路的GND共用型的恒溫槽溫度控制電路的溫度特性進行說明。圖2是表示本溫度控制電路的溫度特性的圖。
[0087]在圖2中，表示加熱器電阻的電力、晶體管(功率晶體管)的電力、及進而將它們總合所得的總電力。
[0088]在圖6的以往例中溫度控制幅度為7°C?10°C，相對于此，在圖2的例子中，溫度控制幅度變窄為約2V (1°C?3°C )。
[0089]通過設(shè)為該GND共用型，可使用銅圖案作為GND共用配線，因此使熱電阻變得比以往小，從而熱響應(yīng)性優(yōu)異。
[0090]因此，可使恒溫槽的控制增益變大，且可縮小控制溫度幅度，從而可減小最低控制溫度差。
[0091][溫度感溫元件]
[0092]圖1的溫度感溫元件ZZ形成使用線性正溫度系數(shù)電阻或熱敏電阻的電阻網(wǎng)絡(luò)(network)。尤其理想的是溫度感溫元件ZZ為線性正溫度系數(shù)電阻。
[0093]溫度感溫元件ZZ的安裝位置設(shè)置在接近于外部大氣處，電阻受到外部大氣的影響而變化，并輸入到經(jīng)由電阻R14控制的運算放大器IC2的(+)輸入端子。
[0094]溫度感溫元件ZZ的特性是當(dāng)周圍溫度上升時，溫度感溫元件ZZ的電阻值上升，連接于溫度感溫元件ZZ的電阻R14的一端側(cè)的電壓上升，且輸入到運算放大器IC2的(+)輸入端子的電壓值上升。
[0095]也就是說，以當(dāng)周圍溫度上升時恒溫槽設(shè)定溫度也上升的方式進行動作。因此，即便不將恒溫槽設(shè)定溫度設(shè)為動作溫度的上限、例如+7°C，也可以進行動作。而且，如果周圍溫度上升，那么動作點也會上升，因此控制動作持續(xù)。
[0096][本溫度控制電路的設(shè)定溫度:圖3]
[0097]一邊參照圖3，一邊對本溫度控制電路的設(shè)定溫度進行說明。圖3是表示本溫度控制電路的周圍動作溫度與恒溫槽設(shè)定溫度的圖。
[0098]如圖3所示，本溫度控制電路中，通過設(shè)置溫度感溫元件ZZ，而以周圍動作溫度為例如5°C、25°C、75°C時，恒溫槽的設(shè)定溫度以2°C為單位逐漸(階段性地)分別變高為84 V、86 °C、88 V的方式設(shè)定。
[0099]860C的設(shè)定溫度為波峰的值，但84°C與88°C的設(shè)定溫度成為偏離波峰的控制點?？刂泣c偏離是因為設(shè)置著溫度感溫元件TL。
[0100]即便控制點偏離，由于設(shè)為GND共用型的更加穩(wěn)定的溫度控制電路，所以也能夠使控制溫度以2°C左右(1°C?3°C )的幅度變動，因此問題少。
[0101]這樣一來，雖然使恒溫槽設(shè)定溫度相對于周圍動作溫度逐漸變高的控制會使穩(wěn)定度稍微變差，但可通過設(shè)為熱電阻的值小的GND共用型控制來進行補償。
[0102]作為例子，如果設(shè)為存在動作范圍為O V?+70°C的振蕩器，那么可將設(shè)定溫度設(shè)定為+70°C。如果市場上在+25°C下使用該振蕩器，那么以+70°C控制以往將溫度設(shè)定為80°C左右的振蕩器。
[0103]根據(jù)阿倫尼烏斯的定義，壽命延長到約2倍，從而可實現(xiàn)長期可靠性高的制品。
[0104]可以說該情況在動作溫度上限為+85°C、或更高時也相同。
[0105]在SC切割的晶體振子的情況下，實際上限的動作溫度達到+70°C，但本溫度控制電路中，即便使用SC切割，甚至在+85°C下也能夠使用。
[0106]也就是說，在SC切割的晶體振子的情況下，最穩(wěn)定的極點為80°C +/_5°C，如果使設(shè)定溫度的上限85°C加上溫度控制幅度2°C，那么當(dāng)在87°C下加上制造偏差時，動作溫度就成為 87V +/-5°C。
[0107]由于本溫度控制電路為GND共用型，所以能以2°C的幅度進行溫度控制，且使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度也根據(jù)周圍動作溫度逐漸上升，因此能以87°C +/_5°C的動作溫度進行溫度控制。
[0108]此外，作為晶體振子的特性之一，有稱為“電容比”的參數(shù)(parameter)。如果電容比大，那么電路所致的頻率的變動小，如果電容比小，那么頻率的變動大。
[0109]一般來說，SC切割的晶體振子的電容比大且電路變動的影響少，可實現(xiàn)高穩(wěn)定度的0CX0。相反，IT切割或AT切割的晶體振子的電容比小，因此雖然頻率能夠容易地可變，但穩(wěn)定度比SC切割的晶體振子差。
[0110][實施方式的效果]
[0111]根據(jù)本溫度控制電路，有如下效果:本溫度控制電路為使熱敏電阻THl的另一端、晶體管Q2的集電極側(cè)接地共用的電路，且在運算放大器IC2的輸入端子連接溫度感溫元件ZZ，以伴隨著周圍動作溫度的上升使恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度逐漸變高的方式進行控制，通過設(shè)為接地共用型，可使控制溫度幅度比以往更窄，進而，通過使恒溫槽設(shè)定溫度伴隨著周圍動作溫度的上升而逐漸上升，也能夠使用高穩(wěn)定性的SC切割的晶體振子，從而可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制。
[0112]另外，由于具備本溫度控制電路的帶恒溫槽的晶體振蕩器可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制，因此作為振蕩器也能夠進行高穩(wěn)定性的振蕩動作。
[0113][工業(yè)上的可利用性]
[0114]本發(fā)明適合于可使用高穩(wěn)定性的晶體振子在大的動作溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)溫度控制的溫度控制電路及帶恒溫槽的晶體振蕩器。
【權(quán)利要求】
1.一種溫度控制電路，其是帶恒溫槽的晶體振蕩器的溫度控制電路，所述溫度控制電路的特征在于: 包括運算放大器、及PNP型晶體管， 將電源電壓施加到第一電阻的一端、第二電阻的一端、及加熱器電阻的一端， 所述第一電阻的另一端連接在熱敏電阻的一端，并使該熱敏電阻的另一端接地， 所述第二電阻的另一端連接在溫度感溫元件的一端，并使該溫度感溫元件的另一端接地， 將所述第一電阻的另一端與所述熱敏電阻的一端連接的線分支并經(jīng)由第三電阻輸入到所述運算放大器的其中一個輸入端子， 將所述第二電阻的另一端與所述溫度感溫元件的一端連接的線分支并經(jīng)由第四電阻輸入到所述運算放大器的另一個輸入端子， 所述運算放大器的輸出經(jīng)由第五電阻反饋并輸入到所述其中一個輸入端子，并且經(jīng)由第六電阻輸入到所述晶體管的基極， 在所述晶體管的發(fā)射極連接所述加熱器電阻的另一端， 使所述晶體管的集電極接地， 各所述接地的部分連接在接地共用配線， 其中所述溫度感溫元件以伴隨著周圍動作溫度的上升使所述恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度變高的方式進行控制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度控制電路，其特征在于: 所述溫度感溫元件以伴隨著所述周圍動作溫度的上升使所述恒溫槽內(nèi)的設(shè)定溫度階段性地變高的方式進行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的溫度控制電路，其特征在于: 所述溫度感溫元件使用線性正溫度系數(shù)電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的溫度控制電路，其特征在于: 所述溫度感溫元件使用熱敏電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的溫度控制電路，其特征在于: 以銅圖案形成所述接地共用配線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的溫度控制電路，其特征在于: 使用場效應(yīng)晶體管來代替所述PNP型晶體管。
7.一種帶恒溫槽的晶體振蕩器，其特征在于包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的溫度控制電路，且使用雙旋轉(zhuǎn)切割的晶體振子作為晶體振子。
【文檔編號】H03B5/32GK104516376SQ201410466316
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】新井淳一 申請人:日本電波工業(yè)株式會社