本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，特別是涉及一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路。

背景技術(shù)：

與電源電壓無(wú)關(guān)的偏置電流源(supplyindependentbiasing，sib)由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而被廣泛應(yīng)用，但是在sib中一個(gè)重要的問(wèn)題是存在兩個(gè)穩(wěn)定的偏置點(diǎn)，其中一個(gè)是0電流偏置點(diǎn)，提供相應(yīng)的啟動(dòng)電路來(lái)驅(qū)動(dòng)偏置電流源電路的偏置點(diǎn)離開(kāi)0電流偏置點(diǎn)以達(dá)到基準(zhǔn)電流值是十分有必要的，在啟動(dòng)完成后所述偏置電流源電路的基準(zhǔn)電流值達(dá)到穩(wěn)定的預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值。但是，現(xiàn)有技術(shù)中存在啟動(dòng)電路功耗較高的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路，降低其中的啟動(dòng)電路的功耗。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路，所述偏置電流源電路包括：

啟動(dòng)電路和偏置電路，所述偏置電路包括第一偏置點(diǎn)和第二偏置點(diǎn)，其特征在于，所述啟動(dòng)電路包括：短接電路、選擇性連通電路、第一pmos管和第一nmos管；

所述第一nmos管的源極接地，柵極與所述第二偏置點(diǎn)耦接，漏極與控制節(jié)點(diǎn)耦接；

所述第一pmos管的源極與電源耦接，漏極與所述第一nmos管的漏極耦接；

所述短接電路的第一端耦接所述第一偏置點(diǎn)，所述短接電路的第二端耦接所述第二偏置點(diǎn)，所述短接電路的控制端耦接所述控制節(jié)點(diǎn)；

所述選擇性連通電路用于控制所述第一pmos管在上電后導(dǎo)通，以使所述 控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)控制所述短接電路連通所述第一偏置點(diǎn)和所述第二偏置點(diǎn)，使得所述偏置電路的基準(zhǔn)電流上升至預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，并控制所述第一pmos管在所述偏置電路的基準(zhǔn)電流達(dá)到預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值后截止。

可選地，所述選擇性連通電路具有第一端、第二端和控制端，所述選擇性連通電路的第一端耦接所述第一pmos管的柵極，所述選擇性連通電路的第二端耦接所述控制節(jié)點(diǎn)，所述選擇性連通電路的控制端耦接所述第二偏置點(diǎn)；

其中，在上電后，所述第二偏置點(diǎn)的信號(hào)控制所述選擇性連通電路導(dǎo)通，以使所述第一pmos管導(dǎo)通，直至所述控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)被拉高后所述第一pmos管截止，同時(shí)所述第二偏置點(diǎn)的信號(hào)控制所述選擇性連通電路斷開(kāi)以使所述第一pmos管保持截止。

可選地，所述自啟動(dòng)的偏置電流源電路，還包括：

在所述偏置電路的基準(zhǔn)電流達(dá)到預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述第一nmos管導(dǎo)通，所述控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)控制所述短接電路斷開(kāi)所述第一偏置點(diǎn)和所述第二偏置點(diǎn)間的連接。

可選地，所述第一pmos管的等效開(kāi)啟阻抗大于所述第一nmos管的等效開(kāi)啟阻抗。

可選地，所述選擇性連通電路包括：第二pmos管；

所述第二pmos管的柵極作為所述控制端并與所述第二偏置點(diǎn)耦接，所述第二pmos管的源極作為所述選擇性連通電路的第一端并與所述第一pmos管的柵極耦接，所述第二pmos管漏極作為所述選擇性連通電路的第二端并與所述第一pmos管的漏極耦接，所述第二pmos管的襯底耦接電源。

可選地，所述短接電路包括：第二nmos管；

所述第二nmos管的柵極與所述控制節(jié)點(diǎn)耦接，所述第二nmos管的漏極作為所述短接電路的第一端并與所述第一偏置點(diǎn)耦接，所述第二nmos管的源極作為所述短接電路的第二端并與所述第二偏置點(diǎn)耦接，所述第二nmos管的襯底接地。

可選地，所述偏置電路包括第三pmos管、第四pmos管、第三nmos管、 第四nmos管和電阻；

所述第四pmos管的源極耦接電源，所述第四pmos管的柵極與所述第三pmos管的柵極耦接并作為所述第一偏置點(diǎn)，所述第四pmos管的漏極與所述電阻的第一端耦接；

所述第三pmos管的源極耦接電源，所述第三pmos管漏極與所述第三nmos管的漏極耦接，所述第三pmos管的漏極與柵極耦接；

所述第三nmos管的源極接地，柵極與所述電阻的第二端耦接并作為所述第二偏置點(diǎn)；

所述第四nmos管的漏極與所述電阻的第二端耦接，所述第四nmos管的柵極與所述第四pmos管的漏極耦接，所述第四nmos管的源極接地。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案通過(guò)設(shè)置短接電路、選擇性連通電路、第一pmos管和第一nmos管，所述第一nmos管的源極接地，柵極與所述第二偏置點(diǎn)耦接，漏極與控制節(jié)點(diǎn)耦接，所述第一pmos管的源極與電流源耦接，漏極與所述第一nmos管的漏極耦接，所述短接電路的第一端耦接所述第一偏置點(diǎn)，所述短接電路的第二端耦接所述第二偏置點(diǎn)，所述短接電路的控制端耦接所述控制節(jié)點(diǎn)，所述選擇性連通電路用于控制所述第一pmos管在上電后導(dǎo)通，以使所述控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)控制所述短接電路連通所述第一偏置點(diǎn)和所述第二偏置點(diǎn)，使得所述偏置電路的基準(zhǔn)電流離開(kāi)0電流偏置點(diǎn)，趨近至所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，所述第一pmos管由于控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)被拉高而截止，當(dāng)所述偏置電路的基準(zhǔn)電流上升至預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述第二偏置點(diǎn)的信號(hào)控制所述選擇性連通電路斷開(kāi)，使得所述第一pmos管保持截止，從而使得啟動(dòng)電路完成啟動(dòng)所述偏置電路后所述第一pmos管始終保持截止，不再有電流從電源通過(guò)所述第一pmos管再通過(guò)所述第一nmos管至地，相比現(xiàn)有技術(shù)中啟動(dòng)完成后所述第一pmos管仍然保持導(dǎo)通的電路而言，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案節(jié)省了啟動(dòng)電路的功耗。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如前所述，現(xiàn)有技術(shù)中的啟動(dòng)偏置電流源電路的啟動(dòng)電路存在功耗較高的問(wèn)題。本申請(qǐng)的發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中啟動(dòng)電路之所以存在功耗較高的問(wèn)題，是由于在啟動(dòng)完成后即所述偏置電流的基準(zhǔn)電流值達(dá)到穩(wěn)定的預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值后，所述啟動(dòng)電路中的pmos管和nmos管均處于導(dǎo)通的狀態(tài)，然而在啟動(dòng)完成后，并不需要所述啟動(dòng)電路繼續(xù)保持導(dǎo)通，因此所述啟動(dòng)電路的導(dǎo)通造成了功耗的浪費(fèi)。其中，所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值可以根據(jù)實(shí)際偏置電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行計(jì)算獲得。

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案通過(guò)設(shè)置短接電路、選擇性連通電路、第一pmos管和第一nmos管，所述第一nmos管的源極接地，柵極與所述第二偏置點(diǎn)耦接，漏極與控制節(jié)點(diǎn)耦接，所述第一pmos管的源極與電流源耦接，漏極與所述第一nmos管的漏極耦接，所述短接電路的第一端耦接所述第一偏置點(diǎn)，所述短接電路的第二端耦接所述第二偏置點(diǎn)，所述短接電路的控制端耦接所述控制節(jié)點(diǎn)，所述選擇性連通電路用于控制所述第一pmos管在上電后導(dǎo)通，以使所述控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)控制所述短接電路連通所述第一偏置點(diǎn)和所述第二偏置點(diǎn)，使得所述偏置電路的基準(zhǔn)電流離開(kāi)0電流偏置點(diǎn)，趨近至預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，所述第一pmos管由于控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)被拉高而截止，當(dāng)所述偏置電路的基準(zhǔn)電流上升至預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述第二偏置點(diǎn)的信號(hào)控制所述選擇性連通電路斷開(kāi)，使得所述第一pmos管保持截止，從而使得啟動(dòng)電路完成啟動(dòng)所述偏置電路后所述第一pmos管始終保持截止，不再有電流從電源通過(guò)所述第一pmos管再通過(guò)所述第一nmos管至地，相比現(xiàn)有技術(shù)中啟動(dòng)完成后所述第一pmos管仍然保持導(dǎo)通的電路而言，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案節(jié)省了啟動(dòng)電路的功耗。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示的自啟動(dòng)的偏置電流源電路可以包括：?jiǎn)?dòng)電路和偏置電路3，所述偏置電路3包括第一偏置點(diǎn)p1和第二偏置點(diǎn)p2，所述啟動(dòng)電路包括：短接 電路2、選擇性連通電路1、第一pmos管mp1和第一nmos管mn1；

所述第一nmos管mn1的源極接地，柵極與所述第二偏置點(diǎn)耦接，漏極與控制節(jié)點(diǎn)x耦接；

所述第一pmos管mp1的源極耦接電源，漏極與所述第一nmos管mn1的漏極耦接；

所述短接電路2的第一端耦接所述第一偏置點(diǎn)p1，所述短接電路2的第二端耦接所述第二端耦接所述第二偏置點(diǎn)p2，所述短接電路2的控制端耦接所述控制節(jié)點(diǎn)x；

所述選擇性連通電路1用于控制所述第一pmos管mp1在上電后導(dǎo)通，以使所述控制節(jié)點(diǎn)x的信號(hào)控制所述短接電路2連通所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2，使得所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流上升至預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，所述選擇性連通電路1還適于控制所述第一pmos管mp1在所述偏置電路的基準(zhǔn)電流達(dá)到預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值后斷開(kāi)。

在具體實(shí)施中，所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值可以根據(jù)實(shí)際偏置電路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行計(jì)算獲得。

所述偏置電路3可以采用現(xiàn)有技術(shù)中任何適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)，其具有所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2，本實(shí)施例通過(guò)設(shè)置所述選擇性連通電路1，上電后所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流值未達(dá)到所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述選擇性連通電路1控制所述第一pmos管導(dǎo)通，以使所述控制節(jié)點(diǎn)x的信號(hào)控制所述短接電路2連通所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2，使得所述偏置電路3的電流離開(kāi)0電流偏置點(diǎn)，并趨近于所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，進(jìn)而所述偏置電路3啟動(dòng)完成。當(dāng)所述偏置電流3的基準(zhǔn)電流值達(dá)到所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述選擇性連通電路1控制所述第一pmos管mp1在所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流達(dá)到預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值后截止，從而使得所述第一pmos管mp1在啟動(dòng)電路完成啟動(dòng)工作后不再有功耗。相比現(xiàn)有技術(shù)中，啟動(dòng)電路在啟動(dòng)工作完成后仍然保持pmos管打開(kāi)節(jié)省了功耗。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示的自啟動(dòng)的偏置電流源電路可以包括：?jiǎn)?dòng)電路和偏置電路3，所 述偏置電路3包括第一偏置點(diǎn)p1和第二偏置點(diǎn)p2，所述啟動(dòng)電路包括：短接電路2、選擇性連通電路1、第一pmos管mp1和第一nmos管mn1。

在具體實(shí)施中，所述第一pmos管mp1的等效開(kāi)啟阻抗大于所述第一nmos管mn1的等效開(kāi)啟阻抗，在具體實(shí)施中，所述第一pmos管mp1和所述第二pmos管mp2的其他描述可參照?qǐng)D1中的對(duì)應(yīng)說(shuō)明，不再贅述。

在具體實(shí)施中，所述短接電路2和所述偏置電路3的描述可參照?qǐng)D1中的說(shuō)明，不再贅述。

在具體實(shí)施中，所述選擇性連通電路1具有第一端、第二端和控制端，所述選擇性連通電路1的第一端耦接所述第一pmos管mp1的柵極，所述選擇性連通電路1的第二端耦接所述控制節(jié)點(diǎn)x，所述選擇性連通電路1的控制端耦接所述第二偏置點(diǎn)p2；

其中，在上電后，所述第二偏置點(diǎn)p2的信號(hào)控制所述選擇性連通電路1導(dǎo)通，以使所述第一pmos管mp1導(dǎo)通，直至所述控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)被拉高后所述第一pmos管截止，同時(shí)所述第二偏置點(diǎn)p2的信號(hào)控制所述選擇性連通電路1斷開(kāi)以使所述第一pmos管mp1保持截止。

在具體實(shí)施中，所述選擇性連通電路1可以是開(kāi)關(guān)器件。

在具體實(shí)施中，在所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流達(dá)到預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述第一nmos管mn1導(dǎo)通，所述控制節(jié)點(diǎn)x的信號(hào)控制所述短接電路2斷開(kāi)所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2間的連接。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，在所述偏置電路3啟動(dòng)前，當(dāng)所述第一偏置點(diǎn)p1為高電平且所述第二偏置點(diǎn)p2為低電平時(shí)，所述第一nmos管mn1截止，所述第二偏置點(diǎn)p2通過(guò)所述選擇性連通電路1的控制端控制所述選擇性電路1導(dǎo)通，進(jìn)而使所述第一pmos管mp1的柵極與漏極短接，此時(shí)所述控制節(jié)點(diǎn)x的電位和所述選擇性連通電路1的第一端的電位接近高電平，所述第一pmos管mp1截止，所述短接電路2導(dǎo)通從而連通所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2，進(jìn)而使所述第一偏置點(diǎn)p1的電位拉低，所述第二偏置點(diǎn)p2的電位拉高，驅(qū)動(dòng)所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流值達(dá)到所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，也即所述啟動(dòng)電路使得所述偏置電路3啟動(dòng)。啟動(dòng)后所述選擇性連通電路1 的控制端根據(jù)所述第二偏置點(diǎn)p2的信號(hào)斷開(kāi)所述第一pmos管mp1的柵極和漏極，使其柵極保持在較高電平從而所述第一pmos管mp1保持截止?fàn)顟B(tài)，從而使得所述第一pmos管mp1在啟動(dòng)電路完成啟動(dòng)工作后不再有功耗，避免啟動(dòng)后所述第一pmos管mp1仍然保持導(dǎo)通，使電流從電源通過(guò)所述第一pmos管mp1再通過(guò)所述第一nmos管mn1至地而產(chǎn)生功耗。

在具體實(shí)施中，在所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流達(dá)到預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值時(shí)，所述第一nmos管mn1導(dǎo)通，所述控制節(jié)點(diǎn)x的信號(hào)控制所述短接電路2斷開(kāi)所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2間的連接。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的又一種自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖。下面結(jié)合圖2和圖3進(jìn)行說(shuō)明。

所述自啟動(dòng)的偏置電流源電路可以包括：?jiǎn)?dòng)電路和偏置電路3，所述偏置電路3包括第一偏置點(diǎn)p1和第二偏置點(diǎn)p2，所述啟動(dòng)電路可以包括：短接電路2、選擇性連通電路1、第一pmos管mp1和第一nmos管mn1。

在具體實(shí)施中，所述選擇性連通電路1可以是第二pmos管mp2，所述第二pmos管mp2的柵極作為所述控制端并與所述第二偏置點(diǎn)耦接，所述第二pmos管mp2的源極作為所述選擇性連通電路1的第一端并與所述第一pmos管mp1的柵極耦接，所述第二pmos管mp2漏極作為所述選擇性連通電路1的第二端r2并與所述第一pmos管mp1的漏極耦接，所述第二pmos管mp2的襯底耦接電源vdd。

在具體實(shí)施中，所述短接電路2可以是第二nmos管mn2，所述第二nmos管mn2的柵極與所述控制節(jié)點(diǎn)x耦接，所述第二nmos管mn2的漏極作為所述短接電路2的第一端并與所述第一偏置點(diǎn)p1耦接，所述第二nmos管mn2的源極作為所述短接電路2的第二端并與所述第二偏置點(diǎn)p2耦接，所述第二nmos管mn2的襯底接地。

在具體實(shí)施中，所述偏置電路3可以包括第三pmos管mp3、第四pmos管mp4、第三nmos管mn3、第四nmos管mn4和電阻r；

所述第四pmos管mp4的源極耦接電源vdd，所述第四pmos管mp4的柵極與所述第三pmos管mp3的柵極耦接并作為所述第一偏置點(diǎn)p1，所 述第四pmos管mp4的漏極與所述電阻r的第一端耦接；

所述第三pmos管mp3的源極與電源耦接，所述第三pmos管mp3漏極與所述第三nmos管mn3的漏極耦接，所述第三pmos管mp3的漏極與柵極耦接；

所述第三nmos管mn3的源極接地，柵極與所述電阻r的第二端耦接并作為所述第二偏置點(diǎn)p2；

所述第四nmos管mp4的漏極與所述電阻r的第二端耦接，所述第四nmos管mn4的柵極與所述第四pmos管mp4的漏極耦接，所述第四nmos管mn4的源極接地。

在具體實(shí)施中，所述第一nmos管mn1的源極接地，柵極與所述第二偏置點(diǎn)p2耦接，漏極與控制節(jié)點(diǎn)x耦接；所述第一pmos管mp1的源極耦接電源vdd，漏極與所述第一nmos管mn1的漏極耦接。

在具體實(shí)施中，所述第一pmos管mp1的等效開(kāi)啟阻抗大于所述第一nmos管mn1的等效開(kāi)啟阻抗。

下面參照?qǐng)D3中所示的自啟動(dòng)的偏置電流源電路的結(jié)構(gòu)示意圖進(jìn)行分析，在所述偏置電路3啟動(dòng)前，所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流值為0，所述第一nmos管mn1斷開(kāi)，在上電后，當(dāng)所述第一偏置點(diǎn)p1為高電平且所述第二偏置點(diǎn)p2為低電平時(shí)，所述第二偏置點(diǎn)p2控制所述第二pmos管mp2導(dǎo)通，進(jìn)而使所述第一pmos管mp1的柵極和漏極短接，所述第一pmos管mp1處于飽和區(qū)，直至所述控制節(jié)點(diǎn)x的信號(hào)被拉高后所述第一pmos管mp1截止，同時(shí)由于所述控制節(jié)點(diǎn)x拉高使得所述第二nmos管mm2導(dǎo)通進(jìn)而連通所述第一偏置點(diǎn)p1和所述第二偏置點(diǎn)p2，所述偏置電路3開(kāi)始不穩(wěn)定，所述第一偏置點(diǎn)p1的電位拉低，所述第二偏置點(diǎn)p2的電位拉高，驅(qū)動(dòng)所述偏置電路3的基準(zhǔn)電流值趨近至所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值，從而啟動(dòng)電路完成啟動(dòng)工作。啟動(dòng)完成后，由于所述第二偏置點(diǎn)p2的電位拉高所述第二pmos管mp2的柵極信號(hào)被拉高，所述第二pmos管mp2斷開(kāi)，從而隔絕所述第一pmos管mp1的柵極和漏極，使所述第一pmos管mp1的柵極保持在較高電平從而維持截止?fàn)顟B(tài)。同時(shí)，由于所述第二偏置點(diǎn)p2的信號(hào)拉高，所述第一nmos 管mn1導(dǎo)通接地從而拉低所述控制節(jié)點(diǎn)x的信號(hào)，所述第二nmos管關(guān)閉。

從上述的分析可以看出，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置所述第二pmos管，在偏置電路啟動(dòng)前導(dǎo)通所述第一pmos管的柵極和漏極，逐漸拉高所述控制節(jié)點(diǎn)的信號(hào)從而使得所述第一pmos管截止，同時(shí)使得所述第二nmos管導(dǎo)通而驅(qū)動(dòng)所述偏置電路的基準(zhǔn)電流值離開(kāi)0電流偏置點(diǎn)并趨近至所述預(yù)設(shè)基準(zhǔn)電流值進(jìn)而完成啟動(dòng)，在啟動(dòng)后，所述第二pmos管關(guān)斷從而隔絕所述第一pmos管的柵極，防止漏電，使得所述第一pmos管保持截止，從而在啟動(dòng)后所述第一pmos管不再有電流從電源通過(guò)所述第一pmos管再通過(guò)所述第一nmos管至地而產(chǎn)生功耗。相比現(xiàn)有技術(shù)中啟動(dòng)完成后所述第一pmos管仍然保持導(dǎo)通的電路而言，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案節(jié)省了啟動(dòng)電路的功耗。

需要說(shuō)明的是，所述偏置電路3還可以由其他器件組成和連接，并不限于圖3中所示的組成連接方式。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案也可以用于啟動(dòng)其他連接方式下的偏置電路，并節(jié)省功耗。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。