本發(fā)明涉及半導體處理裝置，特別是涉及半導體處理裝置的均勻加熱技術領域。

背景技術：

半導體處理裝置在現(xiàn)有技術中是公知的，并廣泛應用于半導體集成電路、平板顯示器，發(fā)光二極管(led)，太陽能電池等的制造工業(yè)內。其中一類等離子體處理裝置是半導體處理裝置中的重要組成部分，在等離子體處理裝置中通常會施加至少一個射頻電源以產生并維持等離子體于反應腔中。其中，有許多不同的方式施加射頻功率，每個不同方式的設計都將導致不同的特性，比如效率、等離子解離、均一性等等。其中，一種設計是電感耦合(icp)等離子腔。

在電感耦合等離子處理腔中，射頻功率源通常經(jīng)由一個線圈狀的天線向反應腔內發(fā)射射頻能量。為了使來自天線的射頻功率耦合到反應腔內，在天線處放置一個絕緣材料窗。反應腔可以處理各種基片，比如硅基片等，基片被固定在夾盤上，等離子在基片上方產生。因此，天線被放置在反應器頂板上方，使得反應腔頂板是由絕緣材料制成或者包括一個絕緣材料窗。

在等離子處理腔中，各種反應氣體被注入到反應腔中，以使得離子和基片之間的化學反應和/或物理作用可被用于在所述基片上形成各種特征結構，比如刻蝕、沉積等等。在許多工藝流程中，一個很重要的指數(shù)是基片內部的加工均一性。也就是，一個作用于基片中心區(qū)域的工藝流程應和作用于基片邊緣區(qū)域的工藝流程相同或者高度相近。因此，例如，當執(zhí)行工藝流程時，基片中心區(qū)域的刻蝕率應與基片邊緣區(qū)域的刻蝕率相同。

圖1示出了一種現(xiàn)有電感耦合等離子體反應腔設計的截面圖。icp反應腔100包括基本呈圓筒狀的金屬側壁105和絕緣頂板107，構成可被抽真空 器125抽真空的氣密空間?；?10支撐夾盤115，所述夾盤115支撐待處理的基片120。來自射頻功率源145的射頻功率被施加到呈線圈狀的天線140。來自氣源150的反應氣體通過管線155被供應到反應腔內，以點燃并維持等離子，并由此對基片120進行加工。在標準電感耦合反應腔中，氣體通過在反應腔周圍的注入器/噴頭130和中間的噴頭135之一或者兩者一同注入來供應到真空容器內的。

為了防止來自外圍噴頭130的氣體尚未到達基片120的中心區(qū)域即被抽出了反應腔，公開號為cn102355792a的中國專利中，公開了一種調節(jié)反應腔內反應氣體及自由基分布的技術方案，通過在外圍噴頭130與基座110之間設置一擋板170，擋板170中心區(qū)域設置開口，擋板可以延長反應氣體在反應腔內的解離路徑，提高反應氣體的解離效率，同時有效調節(jié)了反應腔內自由基的分布，使得自由基的分布能夠實現(xiàn)對基片的均勻處理。

然而，在某些刻蝕工藝中，如博世工藝，刻蝕步驟與沉積步驟交替循環(huán)進行，在沉積步驟中起主要作用的自由基在刻蝕步驟中地位被帶電粒子取代。由于帶電粒子與自由基的分布狀態(tài)不同，在沉積工藝中通過控制自由基分布實現(xiàn)基片均勻沉積的擋板170在刻蝕工藝中可能會對帶電粒子的均勻分布造成不利影響，即擋板170在沉積步驟中有益效果明顯，在刻蝕步驟則效果不明顯。理想情況下，可以在沉積步驟中設置擋板，在刻蝕步驟中移出擋板，但實際工藝中，由于沉積步驟和刻蝕步驟各自持續(xù)時間較短，切換速率要求較高，頻繁的移入移出工藝部件不僅會大大增加設備的操作難度，還會給反應腔內帶來大量的顆粒污染物，被認為是不可取方式。

此外，由于擋板的開口大小對反應腔內等離子體的分布影響不同，考慮到不同基片的刻蝕面積不同，對等離子體的分布要求不同，為了適應不同工藝的基片刻蝕，需要設置不同開口大小的擋板，但，理由同上文所述，不同的擋板移入移出反應腔不僅會增加設計難度，同時會給反應腔帶來污染，降低產品的合格率和效率。

因此，業(yè)內需要一種改進電感耦合反應腔設計，可以根據(jù)不同工藝需要調整對等離子體中的自由基和帶電粒子的分布控制。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種半導體處理裝置，包括：由頂板及反應腔側壁圍成的密封的反應腔；基片支撐裝置，其設置于所述反應腔內的所述絕緣材料窗下方；用于在工藝處理過程中實現(xiàn)對基片的支撐夾持；射頻功率發(fā)射裝置，其設置于所述頂板上方，以發(fā)射射頻能量到所述反應腔內；反應氣體注入器，其用于向所述反應腔內供應反應氣體；載流氣體注入器，其設置于所述反應氣體注入器下方，所述載流氣體注入器連接一氣體控制器，所述氣體控制器控制載流氣體經(jīng)載流氣體注入器注入反應腔的流速。

優(yōu)選的，所述反應氣體注入器包括設置在所述反應腔側壁上的外圍噴頭和/或設置在所述頂板上的中心噴頭。反應氣體可以選擇從外圍噴頭或中心噴頭之一注入反應腔，也可以選擇同時從外圍噴頭或中心噴頭注入反應腔。

優(yōu)選的，所述載流氣體為不參與所述反應氣體反應的非反應氣體。

優(yōu)選的，所述載流氣體注入器設置在所述反應腔體側壁上。所述載流氣體注入器可以為設置在反應腔側壁上的氣體通孔，也可以為貫穿所述反應腔側壁并向反應腔的中心區(qū)域延伸一定長度的氣體噴頭。

優(yōu)選的，所述反應氣體注入器下方設置一帶有中間開口的環(huán)形擋板，所述載流氣體注入器為貫穿所述反應腔體側壁與所述環(huán)形擋板的氣體通孔。

優(yōu)選的，所述載流氣體注入器在所述擋板內部沿著所述環(huán)形擋板的半徑方向呈輻射狀分布。

優(yōu)選的，所述載流氣體注入器至少部分的偏離所述環(huán)形擋板的半徑方向貫穿所述環(huán)形擋板的環(huán)形部分，實現(xiàn)在所述擋板內部不規(guī)則的分布，目的在于在調節(jié)反應氣體在所述圓周方向上不對稱的分布。

優(yōu)選的，所述若干載流氣體注入器的內徑包括一個或一個以上的尺寸。通過設置載流氣體注入器的內徑為相同或不同可以實現(xiàn)對反應氣體在徑向上的均勻分布或不均勻分布。

優(yōu)選的，所述載流氣體注入器通過所述氣體控制器與一載流氣體源相連。所述氣體控制器為氣體流量控制器，所述氣體流量控制器可以控制進入載流氣體注入器的載流氣體的流速大小以及開關通斷。

進一步的，本發(fā)明還公開一種等離子體處理裝置，其中，包括：

反應腔體，包括由頂板及反應腔側壁圍成的密封的反應腔，所述頂板構成絕緣材料窗；

基片支撐裝置，其設置于所述反應腔內的所述絕緣材料窗下方；

射頻功率發(fā)射裝置，其設置于所述絕緣材料窗上方，以發(fā)射射頻能量到所述反應腔內；

反應氣體注入器，其用于向所述反應腔內供應反應氣體；

載流氣體注入器，其設置于所述反應氣體注入器下方，用于向所述反應腔中心方向注入一定流速的載流氣體，具有一定流速的載流氣體在反應腔內形成向反應腔中心方向延伸一定距離的環(huán)形氣幕，所述環(huán)形氣幕限制所述反應氣體在反應腔內的擴散。

所述環(huán)形氣幕向中心方向延伸的距離與所述載流氣體的流速呈正相關函數(shù)。

進一步的，本發(fā)明還公開了一種制造半導體基片的方法，所述方法在上文所述的等離子體反應腔內進行，包括如下步驟：

放置待處理基片于所述基片支撐裝置上；

通過所述反應氣體注入器向所述反應腔內提供反應氣體，同時啟動射頻功率發(fā)射裝置，將所述反應氣體解離為等離子體；

通過所述載流氣體注入器向所述反應腔內注入一定流速的載流氣體；所述載流氣體用以限制所述反應氣體在水平方向的擴散，所述載流氣體流速越高對所述反應氣體形成的約束力越大；

調整所述載流氣體注入器中的載流氣體流速以改變所述反應氣體在反應腔內的分布。

優(yōu)選的，所述基片為硅基片，所述方法包括交替進行的刻蝕步驟和沉積步驟，所述刻蝕步驟中所述載流氣體注入器注入反應腔內的載流氣體流速低于沉積步驟中載流氣體流速。

優(yōu)選的，所述刻蝕步驟中注入反應腔內的載流氣體流速大于等于0。

本發(fā)明的優(yōu)點在于：在反應腔內的反應氣體注入器下方設置一氣體限制裝置，所述氣體限制裝置包括若干載流氣體注入器，用于向反應腔內注入一定流速的載流氣體，通過調節(jié)所述載流氣體的流速大小可以有效改變載流氣體對反應氣體的擴散的約束力大小，相當于改變了氣體限制裝置的開口直徑大小。由于載流氣體的流速是一個比較容易控制的參數(shù)，因此，通過控制載流氣體進入反應腔的流速實現(xiàn)對反應氣體在所述反應腔內分布的控制。解決了現(xiàn)有技術中無法為不同工藝提供不同開口的氣體限制裝置的難題。

附圖說明

附圖作為本發(fā)明說明書的一部分，例證了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起解釋和說明本發(fā)明的原理。附圖用圖解的方式來解釋舉例實施例的主要特征。附圖不是用于描述實際實施例所有特征也不用于說明圖中元素間的相對尺寸，也不是按比例繪出。

圖1是現(xiàn)有技術的電感耦合等離子體反應腔的截面圖；

圖2是本發(fā)明實施例的電感耦合等離子體反應腔的截面圖；

圖3示出載流氣體對豎直方向反應氣體的作用原理示意圖；

圖4示出三種雷諾茲數(shù)對應的反應氣體在x方向上的衰減曲線圖；

圖5是本發(fā)明另一實施例電感耦合等離子體反應腔的截面圖。

具體實施方式

本發(fā)明公開了一種電感耦合等離子體處理裝置及在所述裝置內制造半導體基片的方法。本發(fā)明涉及的技術方案致力于獲得均勻性良好的基片刻蝕結果，適用于刻蝕步驟和沉積步驟交替進行的博世工藝及其他需要在工藝中對等離子體的分布進行調整的工藝。下文將結合具體實施例和附圖對本發(fā)明的裝置和方法進行詳細描述。

技術人員研究發(fā)現(xiàn)，在刻蝕工藝中，決定基片加工均勻性的主要因素是等離子體中帶電粒子和自由基的分布，反應氣體在射頻功率的作用下解離形 成的等離子體是一團成分復雜的物質，既包括未解離的反應氣體，也包括中性的自由基和帶電的粒子等。其中帶電粒子在偏置功率的作用下具有方向性，主要在刻蝕工藝中對基片進行轟擊刻蝕；中性自由基主要通過化學反應在刻蝕工藝中進行刻蝕反應或沉積反應，自由基濃度越高的區(qū)域刻蝕反應或沉積反應速率越快。

在實際工藝中發(fā)現(xiàn)，反應腔內自由基的分布除了受產生等離子體的反應氣體分布影響外還受反應中消耗的自由基影響。在電感耦合等離子體處理裝置內對基片進行等離子體處理時，由于基片邊緣到反應腔側壁之間的區(qū)域無刻蝕工藝，因此，此區(qū)域的等離子體消耗較少，等離子體中的自由基大量堆積，使得接近該區(qū)域的基片邊緣區(qū)域周圍自由基濃度大大高于基片中心區(qū)域的自由基濃度，進而導致基片邊緣區(qū)域的刻蝕速率大大高于基片中心區(qū)域的刻蝕速率。

為了對反應腔內的反應氣體分布進行約束，同時為了實現(xiàn)對基片邊緣區(qū)域的遮擋，在圖1示出的電感耦合反應腔設計中，設置一帶有中心開口的擋板作為氣體限制裝置，所述擋板可以引導經(jīng)外圍噴頭130注入的反應氣體向中心區(qū)域流動，利用設置的中心開口調整反應氣體在到達基片表面前反應氣體的分布。特別是反應氣體中的自由基的分布，同時，通過設置具有開口的擋板，實現(xiàn)對基片邊緣區(qū)域的遮擋，從而降低邊緣區(qū)域的自由基濃度，進而降低基片邊緣區(qū)域的刻蝕速率。

在具體工藝中，擋板的使用至少存在如下問題：在博世法刻蝕硅基片的工藝中，擋板由于能夠對自由基分布進行良好控制可以大大提高沉積步驟中基片加工的均勻性，但在刻蝕步驟中，擋板會對等離子體中的帶電粒子分布產生不良影響，并不利于刻蝕步驟中基片加工處理。除此之外，由于不同基片的刻蝕面積不同，對反應腔內的自由基分布影響不同，具體原理為：當基片刻蝕面積較小時，反應腔內自由基消耗較少，中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的自由基容易在反應腔內保持相對均勻的分布；當基片刻蝕面積較大時，由于中心區(qū)域刻蝕反應需要參與的自由基較多，而邊緣區(qū)域由于刻蝕面積較小消耗的自由基較少導致此處自由基濃度快速升高，為保證基片處理的均勻性，刻蝕面積較大的基片需要開口尺寸較小的擋板以便能對基片邊緣區(qū)域進行較大面 積的遮擋。因此，即便同是在沉積步驟中，不同刻蝕面積的基片也希望能有不同尺寸開口的擋板進行控制。為了解決上述問題，理想情況下，通過設置擋板的開口大小不同，可以實現(xiàn)對具有不同刻蝕面積的基片進行均勻處理或對同一基片的不同加工步驟進行均勻處理。如在博世工藝中，在沉積步驟中放置合適開口尺寸的擋板在反應腔內，在刻蝕步驟中取出該擋板或者替換一開口較大的擋板。然而在實際工作中，由于博世工藝中沉積步驟和刻蝕步驟的交替速度極快，通常以1s甚至小于1s的速度交替循環(huán)，因此不可能實現(xiàn)擋板在反應腔內頻繁的移入移出。另外，為滿足不同基片的刻蝕，需要制作多種不同尺寸開口的擋板，不僅大大提高設備的加工成本，還會延長基片加工時長，降低設備的適用性。因此，通過設置擋板的方式不能滿足不同刻蝕工藝對不同尺寸開口擋板的需求。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明設計一種電感耦合等離子體反應腔(icp反應腔)，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的icp反應腔的截面圖。icp反應腔200包括金屬側壁205和絕緣頂板207，構成一個氣密的真空反應腔體，并且由抽真空泵225抽真空。所述絕緣頂板207僅作為示例，也可以采用其它的頂板樣式，比如穹頂形狀的，帶有絕緣材料窗的金屬頂板等?；?10支撐夾盤215，所述夾盤上放置著待處理的基片220。偏置功率被施加到所述夾盤215上，但是由于與揭露的本發(fā)明實施例無關，在圖2中未示出。所述射頻電源245的射頻功率被施加到天線240，該天線基本是線圈狀的。

反應氣體從反應氣體源250經(jīng)過管線225被供應到反應腔內，在射頻能量的作用下點燃并維持等離子體，從而對基片220進行加工。在本實施例中，反應氣體通過外圍注入器或噴頭230被供應到真空空間中，但是額外的氣體也可以選擇性的從中心噴頭235注入反應腔。如果氣體從注入器230和噴頭235同時供應，每個的氣體流量都可獨立控制。任何這些用于注入反應氣體的設置可稱為反應氣體注入器。在圖2中，擋板270設置于反應腔中以限制和/或引導散發(fā)自氣體噴頭230的氣體流動。根據(jù)附圖標記所示，在上述實施例中擋板基本是中間帶孔或開口的圓盤形。所述擋板位于氣體噴頭下方但是在基片所在位置上方。這樣，氣體在向下流向基片前被限制為進一步流向反應腔中間，如圖中虛線箭頭所示。

通常地，所述擋板270可由金屬材料制成，如陽極化的鋁。用金屬材料來制造擋板能夠有利于限制所述擋板上方的等離子體，因為來自線圈的射頻能量被所述擋板阻擋了傳播。另一方面，所述擋板270也可以是由絕緣材料制成，比如陶瓷或石英。在采用絕緣擋板的實施例中，來自線圈的射頻(rf)能量能夠穿過所述擋板，使得等離子體能夠被維持在所述擋板下方(虛線部分顯示)，其依賴于到達所述擋板下方的氣體量。

本實施例中，反應腔內設置一種能夠對反應氣體的分布進行動態(tài)調整的氣體限制裝置，具體的，通過擋板270及設置在擋板270的內部的若干載流氣體注入器275進行實現(xiàn)。載流氣體注入器275為沿著環(huán)形擋板半徑方向貫穿設置的氣體通孔，其靠近反應腔側壁205的一端通過設置在反應腔側壁內部的氣體通孔與設置在反應腔側壁外的載流氣體源260相連接，載流氣體源260內存儲不參與反應腔內工藝反應的氣體，如ar、n2等。載流氣體注入器275的另一端為設置在擋板開口切面上的開口。載流氣體源260輸出的載流氣體可以經(jīng)一氣體控制裝置如氣體流量控制器(mfc)265進入載流氣體注入器275，氣體流量控制器265可以控制載流氣體源260中的載流氣體以一定流速經(jīng)載流氣體注入器275注入到反應腔內。當載流氣體注入器275輸出的載流氣體具有一定流速時，載流氣體會沿著換形擋板的開口切面形成向反應腔中心方向延伸一定距離的環(huán)形氣幕。所述載流氣體形成的環(huán)形氣幕對經(jīng)其環(huán)形開口向下流動的反應氣體及等離子體形成一定限制約束，限制所述反應氣體及等離子體在所述反應腔內的擴散。所述環(huán)形氣幕向中心方向延伸的距離與所述載流氣體注入反應腔的流速呈正相關關系，載流氣體注入器275輸出口的載流氣體流速越高，環(huán)形氣幕形成的約束開口口徑越小，對反應氣體及等離子體形成的約束力越大，相當于減小了擋板開口的內徑。因此通過控制載流氣體注入反應腔的流速，可以動態(tài)調整擋板開口的大小，以滿足不同工藝的需求。通過調整載流氣體產生的約束力實現(xiàn)對擋板270開口大小的動態(tài)調整。不同于本實施例中載流氣體注入器275沿著擋板270的半徑方向呈福條狀設置，在另外的實施例中，載流氣體注入器275可以設置為偏離半徑方向設置，例如，載流氣體注入器可以在擋板內呈螺旋狀設置，以使得注入反應腔內的載流氣體呈渦流狀分布。載流氣體注入器275也可以 部分的設置為不規(guī)則分布，以實現(xiàn)徑向不均勻的對反應氣體進行調節(jié)。

圖3示出載流氣體對豎直方向反應氣體的作用原理示意圖。在圖2所示的icp反應腔內，經(jīng)外圍噴頭230和中心噴頭235注入反應腔內的反應氣體及等離子體都需要經(jīng)過擋板270上的開口271才能到達基片表面。因此，外圍噴頭和中心噴頭流出的反應氣體會沿著圖3所示的y軸方向向下流動，在向下流動的過程中，由于氣體具有擴散的特性，反應氣體會向四面八方進行擴散。當反應氣體經(jīng)過擋板的開口271向下流動時，擋板270內設置的載流氣體注入器275內的載流氣體沿著圖3所示x軸的反方向以一定流速噴出，對y軸方向上的反應氣體進行沖擊約束。只要載流氣體注入器275在擋板270內部的設置足夠密集，即可以產生類似擋板一樣的效果將y軸方向上的反應氣體在x軸上的分布進行有效限制。具體的，在圖3所示的示意圖中，設置y軸方向上的反應氣體流速為va(x)，設置x軸方向上的載流氣體流速為vb，受x軸方向上的載流氣體沖擊影響，va(x)與vb之間的存在如下關系：

va(x)∝va0*e^(-reb*x/d)

其中，x為反應氣體在x軸方向上的擴散距離，d為載流氣體注入器275的直徑，re代表載流氣體流速的雷諾茲數(shù)，雷諾茲數(shù)越大意味著載流氣體流速vb越大，當x＝0時，va(x)＝va0?；谏鲜鲫P系可知，反應氣體在x方向上的擴散程度主要受施加到載流氣體注入器275內的載流氣體的雷諾茲數(shù)及載流氣體注入器的直徑限制。為了得到均勻的反應氣體分布，可以設置載流氣體注入器275的直徑相同；在某些工藝中需要刻意設置反應氣體徑向不均勻，因此可以設置載流氣體注入器的直徑大小不同。

圖4示例性的列舉了三種雷諾茲數(shù)對應的反應氣體在x方向上的衰減曲線圖。當雷諾茲數(shù)＝1.9時，反應氣體在x軸上的衰減非常緩慢，甚至當x＝150mm處，反應氣體流速只衰減為15％左右，這說明載流氣體對反應氣體的沖擊作用較小，對反應氣體形成約束的開口較大。當雷諾茲數(shù)＝19時，在x＝40mm處，反應氣體的流速幾乎衰減為0，即在雷諾茲數(shù)＝19時，載流氣體相當于形成一個開口直徑為80mm的約束環(huán)。當雷諾茲數(shù)上升為190時，反應氣體流速衰減速度較快，在x＝10mm處即衰減為0，說明雷諾茲數(shù)＝190時，載流氣體對反應氣體形成一個開口直徑為20mm的約束環(huán)。

基于上述關系可知，通過調整載流氣體的流速，擋板270及載流氣體注入器275形成的氣體限制裝置產生的約束區(qū)域可以變大或減小，設置的載流氣體流速越高，載流氣體注入器275出口處的雷諾茲數(shù)越大，氣體限制裝置產生的容許反應氣體通過的限制開口越小。氣體限制裝置可以調節(jié)的限制開口直徑范圍大于零，小于等于擋板270的直徑。當載流氣體的流速為零時，相當于只有擋板的作用，為了提高氣體限制裝置的動態(tài)調節(jié)范圍，本實施例中可以設置擋板270的直徑較大。

為了更大范圍的調節(jié)氣體限制裝置的動態(tài)調節(jié)范圍，圖5示出另一種實施例的icp反應腔結構示意圖。本實施例中反應腔的結構與圖2所示實施例中反應腔結構大致相同，為了描述簡潔，相同的部件采用相同編號體系，只將原來的“2xx”系列調整為“3xx”系列。與上述實施例的不同之處在于，本實施例中不設置擋板，載流氣體注入器372為直接設置在反應腔側壁上的氣體通孔，在另外的實施例中，載流氣體注入器為貫穿所述反應腔側壁并向反應腔的中心區(qū)域延伸一定距離的氣體噴嘴。載流氣體注入器372用于將載流氣體源360中的載流氣體以一定的速度注射到反應腔內，以對自中心噴頭335和外圍噴頭330流出的反應氣體在水平方向上的擴散進行限制。本實施例的載流氣體注入器372對反應氣體進行限制原理和調節(jié)方式與上述實施例相同，此處不再贅述，通過采用本實施例的載流氣體注入器372形成的環(huán)形氣幕，可以形成約束口徑開口直徑范圍大于0小于等于反應腔的半徑，可以滿足更多不同刻蝕工藝的需求。

本發(fā)明公開的利用一定流速載流氣體形成的環(huán)形氣幕除了能對豎直方向上的反應氣體進行限制外，還可以對外圍噴頭注入的反應氣體進行水平方向的引導，通過在反應腔側壁上設置密集的載流氣體注入器，并保持載流氣體注入器內輸出的載流氣體具有一定流速，可以在水平方向形成一環(huán)形氣體屏障，既能實現(xiàn)擋板的引導氣流的作用，也能對其下方的基片邊緣區(qū)域進行遮蓋，因此，本發(fā)明利用載流氣體注入器形成的環(huán)形氣幕既保留了擋板的有益效果，又實現(xiàn)了對限制開口的動態(tài)調節(jié)，從而可以滿足博世工藝中不同步驟對氣體限制開口大小的不同要求，以及不同刻蝕基片對氣體限制開口大小的不同要求。

本發(fā)明的載流氣體注入器372或載流氣體注入器275都可以通過氣體流量控制器365與載流氣體源相連，因此，可以方便的對載流氣體注入反應腔的速率進行調節(jié)。根據(jù)上文描述，載流氣體的流速與載流氣體對反應氣體形成約束的直徑呈負相關關系，因此，通過氣體流量控制器可以精確的控制調整載流氣體注入反應腔內的氣體流速，因而可以精確實現(xiàn)環(huán)形氣幕的約束直徑在各個尺寸的動態(tài)調節(jié)。

此外，本領域技術人員通過對本發(fā)明說明書的理解和對本發(fā)明的實踐，能夠容易地想到其它實現(xiàn)方式。本文所描述的多個實施例中各個方面和/或部件可以被單獨采用或者組合采用。需要強調的是，說明書和實施例僅作為舉例，本發(fā)明實際的范圍和思路通過下面的權利要求來定義。