1.一種射頻開關(guān)電路，包括由M個(gè)晶體管連接組成的晶體管鏈，所述晶體管鏈包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、......、第M-1晶體管和第M晶體管，用于電子電路中控制射頻信號，其特征在于，
所述第一晶體管的襯底和所述第二晶體管的襯底分別通過不同的第一電阻接地；
所述第三晶體管、所述第四晶體管、......、第M-1晶體管和所述第M晶體管的襯底分別通過不同的第一電阻接第一負(fù)偏壓；
其中，M為大于等于4的自然數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第一負(fù)偏壓的數(shù)值是所述射頻開關(guān)電路工作電壓的相反數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述晶體管鏈中，所述第一晶體管的源極與所述第二晶體管的漏極相連；所述第二晶體管的源極與所述第三晶體管的漏極相連......所述第M-1晶體管的源極與所述第M晶體管的漏極相連。
4.如權(quán)利要求3所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第一晶體管的漏極為所述射頻開關(guān)電路輸入端。
5.如權(quán)利要求3所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第M晶體管的源極為所述射頻開關(guān)電路輸出端。
6.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述晶體管鏈上每個(gè)晶體管的漏極和源極通過不同的第二電阻連接。
7.如權(quán)利要求6所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述晶體管鏈中每個(gè)晶體管的柵極都通過不同的第三電阻接第二負(fù)偏壓。
8.如權(quán)利要求7所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述第二電阻和所述第三電阻的阻值至少為50K歐姆。
9.如權(quán)利要求1所述的射頻開關(guān)電路，其特征在于，所述射頻開關(guān)電路中，所述第一電阻的阻值至少為50K歐姆。
10.一種射頻開關(guān)電路，包括由M個(gè)晶體管連接組成的晶體管鏈，所述晶體管鏈包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、......、第M-1晶體管和第M晶體管，用于電子電路中控制射頻信號，其特征在于，
所述第一晶體管的襯底、所述第二晶體管的襯底和所述第三晶體管的襯底分別通過不同的第一電阻接地；
所述所述第四晶體管、第五晶體管、......、第M-1晶體管和所述第M晶體管的襯底分別通過不同的第一電阻接第一負(fù)偏壓；
其中，M為大于等于4的自然數(shù)。