技術(shù)特征：

1.一種考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，包括分布式二堆疊HiFET放大網(wǎng)絡(luò)、偏置電壓、考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線及考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線，所述分布式二堆疊HiFET放大網(wǎng)絡(luò)由k個(gè)二堆疊HiFET結(jié)構(gòu)組成，其中k大于等于3；所述二堆疊HiFET結(jié)構(gòu)由兩個(gè)晶體管按照源極漏極相連堆疊構(gòu)成，

所述二堆疊HiFET結(jié)構(gòu)的最底層的晶體管的源極接地，柵極通過(guò)并聯(lián)的RC穩(wěn)定電路接到所述考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線；

所述二堆疊HiFET結(jié)構(gòu)的最上層的晶體管的柵極通過(guò)饋電電阻連接到所述偏置電壓，同時(shí)，所述柵極連接由柵極補(bǔ)償電容接地組成的補(bǔ)償電路，漏極和源極之間并聯(lián)高頻補(bǔ)償電容，漏極連接到所述考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述補(bǔ)償電路的柵極補(bǔ)償電容還串接一柵極補(bǔ)償電阻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線由柵極吸收負(fù)載、柵極隔直電容、柵極饋電電感、k+1個(gè)柵極傳輸線等效電感和k個(gè)柵極傳輸線等效電容構(gòu)成；

所述考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線由漏極吸收負(fù)載、漏極隔直電容、漏極饋電電感、k+1個(gè)漏極傳輸線等效電感和k個(gè)漏極傳輸線等效電容構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述二堆疊HiFET結(jié)構(gòu)的最上層的晶體管的柵極連接的柵極補(bǔ)償電容為C_ggk：

$C_{ggk}=\frac{(C_{gs}+C_{gd}(1+g_m{R}_{opt}\left)\right)}{g_m{R}_{opt}-1}$

漏極和源極之間并聯(lián)的高頻補(bǔ)償電容為C_ddk：

$C_{ddk}=\frac{C_{gs}}{g_m{R}_{opt}}$

其中，C_gs為晶體管柵源電容，C_gd為晶體管柵漏寄生電容即密勒電容，單位均為pF；g_m為晶體管跨導(dǎo)，單位為mS,Z_opt＝R_opt+jX_opt為晶體管最佳負(fù)載阻抗，單位均為Ω。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線的等效電容為C_intk：

C_intk＝(A²+ω²B²)/(ω²BY₀-(B₀+ω(C_gd+C_ds))Aω)

所述考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線的等效電容為C_outk：

$C_{outk}\≈\frac{(C_{ds}+C_{ddk})C_{ds}}{2C_{ds}+C_{ddk}}$

其中，A＝ω²C_gd²-ω(B₀+ω(C_gd+C_ds))(C_gs+C_gd)，B＝(C_gs+C_gd)Y₀+C_gdg_m

Y_opt＝Y(jié)₀+jB₀＝1/Z_opt，C_gs為晶體管柵源電容，C_gd為晶體管柵漏寄生電容即密勒電容，單位均為pF；g_m為晶體管跨導(dǎo)，單位為mS；Z_opt＝R_opt+jX_opt為晶體管最佳負(fù)載阻抗，單位均為Ω；ω為基波角頻率，單位為rad/s；C_ds為晶體管漏源電容；C_ddk為漏極和源極之間并聯(lián)高頻補(bǔ)償電容。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述二堆疊HiFET結(jié)構(gòu)的最底層的晶體管的柵極連接的并聯(lián)RC穩(wěn)定電路中的輸入耦合電容為C_gk：

$C_{gk}\≈\frac{C_{\mathrm{int}k}{C}_{outk}}{C_{\mathrm{int}k}-C_{outk}}$

其中，C_intk為考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線的柵極傳輸線等效電容，C_outk為考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線的漏極傳輸線等效電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線的等效電感及考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線的等效電感分別為L(zhǎng)_gk和L_dk

$L_{g1}=\frac{1}{2}{L}_{g2}=\frac{1}{2}{L}_{g3}=...=\frac{1}{2}{L}_{gk}=L_{g(k+1)}={Z_0}^2{C}_{outk}$

$L_{d1}=\frac{1}{2}{L}_{d2}=\frac{1}{2}{L}_{d3}=...=\frac{1}{2}{L}_{dk}=L_{d(k+1)}={Z_0}^2{C}_{outk}$

其中，k為整數(shù)，k≥3；Z₀為微帶線的特征阻抗,一般為50Ω；C_outk為考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線的漏極傳輸線等效電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的考慮密勒效應(yīng)的分布式二堆疊結(jié)構(gòu)的功率放大器，其特征在于，所述分布式二堆疊HiFET放大網(wǎng)絡(luò)為有源放大網(wǎng)絡(luò)，考慮密勒效應(yīng)的柵極人工傳輸線及考慮密勒效應(yīng)的漏極人工傳輸線均為無(wú)源網(wǎng)絡(luò)。