本發(fā)明涉及一種基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，屬于電力電子技術領域。

背景技術：

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為第三代半導體材料,具有高耐壓、高耐溫等一系列優(yōu)點，得到了功率器件領域的廣泛關注。SiC器件歷經(jīng)了20多年的發(fā)展，到目前為止，只有1200V和1700V SiC MOSFET和SiC JFET已經(jīng)有一些商業(yè)化產品，更高電壓SiC器件還處于實驗室研究階段，由于技術和成本原因，目前還未得到大規(guī)模使用。其中SiC MOSFET具有開關頻率高、導通電阻小、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性能好、無二次擊穿問題等優(yōu)點,但電流反向流動時，其自身寄生二極管的導通壓降大。SiC JFET管具有高溫特性好、放大性能好、噪聲低、結構簡單、制備工藝成熟，可靠性高、價格低廉等優(yōu)點，但其門極閥值常為負電壓，在未加驅動負壓時為常開器件，因此不能被工業(yè)界廣泛接受。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件。

為了達到上述目的，本發(fā)明所采用的技術方案是：

基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，包括MOSFET、N個JFET、N個JFET驅動電路、混合高壓器件的源極、混合高壓器件的柵極以及混合高壓器件的漏極；

MOSFET的源極與混合高壓器件的源極連接，MOSFET的柵極與混合高壓器件的柵極連接，N個JFET依次串聯(lián)，第i個JFET的漏極與其相鄰的第i+1個JFET的源極連接，i為整數(shù)，0<i<N，第1個JFET的源極與MOSFET的漏極連接，第N個JFET的漏極與混合高壓器件的漏極連接；

N個JFET驅動電路依次串聯(lián)，第i個JFET驅動電路的輸出端與其相鄰的第i+1個JFET驅動電路的輸入端連接，第1個JFET驅動電路的輸入端與混合高壓器件的柵極連接，N個JFET驅動電路的輸出端分別與N個JFET的柵極連接。

還包括MOSFET驅動電阻和N個JFET驅動電阻；MOSFET驅動電阻的一端與MOSFET的柵極連接，另一端與混合高壓器件的柵極連接，JFET驅動電阻兩端分別與JFET驅動電路的輸出端以及該JFET驅動電路驅動的JFET柵極連接。

JFET驅動電路包括并聯(lián)的穩(wěn)壓管串、二極管以及電阻電容串聯(lián)回路，穩(wěn)壓管串的陽極、二極管的陽極以及電阻電容串聯(lián)回路的一端連接成第一節(jié)點，第一節(jié)點為JFET驅動電路的輸入端，穩(wěn)壓管串的陰極、二極管的陰極以及電阻電容串聯(lián)回路的另一端連接成第二節(jié)點，第二節(jié)點為JFET驅動電路的輸出端。

穩(wěn)壓管串包括若干個串聯(lián)的穩(wěn)壓管，第一個穩(wěn)壓管的陽極作為穩(wěn)壓管串的陽極，最后一個穩(wěn)壓管的陰極作為穩(wěn)壓管串的陰極，兩個相鄰穩(wěn)壓管的陽極與陰極連接。

N＝5。

本發(fā)明所達到的有益效果：1、本發(fā)明電路功率部分通過碳化硅器件串聯(lián)，并通過穩(wěn)壓管、二極管、電阻、電容等元件實現(xiàn)JFET驅動，最終的混合型高壓器件可實現(xiàn)至少6kV的高耐壓，相對其他高壓器件，本高壓器件成本低，可實現(xiàn)高頻率、高效率和高功率密度，適用中高壓電力電子變換器應用領域；2、本發(fā)明開關頻率較其他高壓器件高很多，因此其組成的換流器功率密度高；3、本發(fā)明僅有一個驅動輸入端口，驅動比較簡單；4、穩(wěn)壓管串鉗位電路僅在靜態(tài)時有效，動態(tài)運行時，功率器件分壓由電阻電容決定，穩(wěn)壓管無需擊穿運行，因此，實際運行的開關損耗較小；5、本發(fā)明導通損耗相對較小，SiC MOSFET的正門極閥值具有很強的抗干擾能力；6、電路中電流反向流動時，通過對電容自動放電，電流僅流過SiC JFET通道，既降低了導通損耗，又節(jié)省了反并聯(lián)二極管；7、利用SiC MOSFET的正電壓驅動，并配置合適的正電壓SiC JFET驅動電路，加速混合型高壓器件的開通過程。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的電路圖。

圖2為混合型高壓器件關斷時各器件電壓圖。

圖3為混合型高壓器件各器件電壓實測圖。

圖4為混合型高壓器件開通時各器件電壓圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。

如圖1所示，基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，包括MOSFET、MOSFET驅動電阻、5個JFET、5個JFET驅動電路、5個JFET驅動電阻、混合高壓器件的源極、混合高壓器件的柵極以及混合高壓器件的漏極。

MOSFET的源極與混合高壓器件的源極連接，MOSFET的柵極通過MOSFET驅動電阻與混合高壓器件的柵極連接，5個JFET依次串聯(lián)，兩個相鄰JFET的漏極與源極連接，第1個JFET的源極與MOSFET的漏極連接，第5個JFET的漏極與混合高壓器件的漏極連接。

5個JFET驅動電路依次串聯(lián)，兩個相鄰JFET驅動電路的輸出端與輸入端連接，第1個JFET驅動電路的輸入端與混合高壓器件的柵極連接，5個JFET驅動電路的輸出端分別通過5個JFET驅動電阻與5個JFET的柵極連接。

JFET驅動電路包括并聯(lián)的穩(wěn)壓管串、二極管以及電阻電容串聯(lián)回路，穩(wěn)壓管串的陽極、二極管的陽極以及電阻電容串聯(lián)回路的一端連接成第一節(jié)點，第一節(jié)點為JFET驅動電路的輸入端，穩(wěn)壓管串的陰極、二極管的陰極以及電阻電容串聯(lián)回路的另一端連接成第二節(jié)點，第二節(jié)點為JFET驅動電路的輸出端。

穩(wěn)壓管串包括若干個串聯(lián)的穩(wěn)壓管，第一個穩(wěn)壓管的陽極作為穩(wěn)壓管串的陽極，最后一個穩(wěn)壓管的陰極作為穩(wěn)壓管串的陰極，相鄰兩個穩(wěn)壓管的陽極與陰極連接。電阻電容串聯(lián)回路包括串聯(lián)的電阻和電容。

上述混合高壓器件的工作原理具體分為靜態(tài)工作、正常關斷過程、正常硬開關開通過程以及正常軟開關開通過程。

為了更好的說明上述工作原理，對圖1中的各符號進行說明：J₁～J₅分別代表5個JFET，M₁代表MOSFET，R₁～R₅分別代表5個電阻電容串聯(lián)回路中的電阻，C₁～C₅分別代表5個電阻電容串聯(lián)回路中的電容，D_Z1～D_Z5分別代表5個JFET驅動電路中的穩(wěn)壓管串，D_F1～D_F5分別代表5個JFET驅動電路中的二極管，MGD1代表MOSFET驅動電阻，JGD1～JGD5代表5個JFET驅動電阻，CJ_S代表混合高壓器件源極，CJ_D代表混合高壓器件漏極，CJ_G代表混合高壓器件柵極，CJ_S1～CJ_S5分別代表J₁～J₅的源極，CJ_G1～CJ_G5分別代表J₁～J₅的驅動節(jié)點，即5個JFET驅動電路的輸出端，PGS代表驅動脈沖信號。

A、靜態(tài)工作(即沒有開關動作)：此時加在CJ_G的驅動電路輸出信號為-5V或0V(0V即驅動電路不工作)，此值小于M₁的門極閾值，因此M₁是關斷態(tài)。當高壓直流電壓接入混合型高壓器件的CJ_D和CJ_S之間時，M₁漏極和源極兩端電壓會逐步上升；此時R₁C₁串聯(lián)回路兩端電壓也隨之上升，而D_Z1和D_F1必然反向截止；雖然M₁漏極和源極兩端電壓以及R₁C₁串聯(lián)回路兩端電壓的上升率不同，但在該模式下，最終的運行狀態(tài)是，當CJ_G1和CJ_G兩端電壓等于D_Z1的數(shù)值時，D_Z1被擊穿，此后M₁漏極和源極以及R₁C₁串聯(lián)回路兩端電壓被D_Z1鉗位到固定數(shù)值，即M₁的耐壓由D_Z1擊穿電壓決定。如果高壓直流電壓很高，D_Z2～D_Z5會陸續(xù)被擊穿，即CJ_G2～CJ_G5也將會繼續(xù)被鉗位，該過程可以保證SiC MOSFET和各SiC JFET的承受耐壓在器件額定值范圍內，不會損壞功率器件。當然，實際電路使用會考慮電壓余量，一般CJ_G5不會被鉗位，即J₅一直為導通狀態(tài)，高壓直流電壓由SiC MOSFET和4個SiC JFET(J₁～J₄)分擔承受。

B、正常關斷過程：此時加在CJ_G的驅動電路輸出信號由正電壓轉為-5V，此值小于M₁的門極閾值，因此M₁進入關斷過程。實際電路關斷過程開始后，混合高壓器件的CJ_D和CJ_S之間必然承受一定高壓直流電壓，因此M₁漏極和源極兩端電壓將會首先上升；此時M₁通道部分電流轉移至J₁的驅動電路流通，R₁C₁串聯(lián)回路兩端電壓必然也隨之上升，而D_Z1和二極管D_F1必然反向截止；由于M1漏極和源極兩端電壓的上升率小于R₁C₁串聯(lián)回路兩端電壓的上升率(M₁漏極和源極的輸出電容值比C₁值大)，因此，此后M₁漏極和源極兩端電壓上升至一定數(shù)值時，R₁C₁串聯(lián)回路兩端電壓被上升至M₁漏極和源極兩端電壓與JFET閾值電壓之和，即J₁柵極和源極兩端電壓差變?yōu)樾∮贘FET的門極閥值電壓，J₁開始關斷過程，隨后J₁漏極和源極兩端電壓開始上升，R₂C₂串聯(lián)回路兩端電壓也同步上升；相同原理，由于J₁漏極和源極兩端電壓的上升率小于R₂C₂串聯(lián)回路兩端電壓的上升率(J₁漏極和源極的輸出電容值比C₂值大)，當J₁漏極和源極兩端電壓上升至一定數(shù)值時，J₂也開始關斷過程；J₃～J₅的關斷過程類似，如圖2所示，各碳化硅器件關斷是個漸進過程。此外，如圖3所示，各個功率器件分擔的電壓都在D_Z1～D_Z5擊穿電壓之下，整個關斷過程無需D_Z1～D_Z5擊穿。因為正常情況下的開關頻率比較高，在每個開關周期很短的時間內，CJ_G1～CJ_G5各節(jié)點的電勢不會變化很大，即正常關斷過程不需要通過D_Z1～D_Z5來維持CJ_G1～CJ_G5各節(jié)點的電勢，此時其電勢由合理設置C₁～C₅數(shù)值來控制的電壓上升率維持。

C、正常硬開關開通過程：

(1)當開通信號剛加到CJ_G時，R₁C₁串聯(lián)回路的C₁還未開始放電，D_F1、D_Z1都是逆向截止，此時所有SiC JFET截止狀態(tài)不受影響；由于M₁的柵極接受驅動正脈沖，因此，M₁的輸出電容開始通過M₁通道放電，M₁漏極和源極兩端電壓開始下降。由于R₁C₁串聯(lián)回路的C₁電容仍未放電，即節(jié)點CJ_G1的相對電勢保持不變，隨著M1漏極和源極兩端電壓下降，即節(jié)點CJ_S1的電勢下降，J₁柵極和源極兩端電壓差變?yōu)榇笥赟iC JFET的門極閥值電壓，J₁開始緩慢導通，即J₁漏極和源極兩端電壓開始下降，此時R₁C₁串聯(lián)回路的C₁電容通過J₁的柵極放電，即相當于輸出J₁驅動脈沖信號。

(2)隨著J₁開通，J₁的輸出電容開始通過J₁通道放電，J₁漏極和源極兩端電壓開始下降。由于R₂C₂串聯(lián)回路的C₂電容仍未放電，即節(jié)點CJ_G2的相對電勢保持不變，隨著J₁漏極和源極兩端電壓下降，即節(jié)點CJ_S2的電勢下降，J₂柵極和源極兩端電壓差變?yōu)榇笥赟iC JFET的門極閥值電壓，J₂開始緩慢導通，此時R₂C₂串聯(lián)回路的C₂電容通過J₂的柵極放電，即相當于輸出J₂驅動脈沖信號。

(3)J3，J4，J5采用完全類似的開通過程，所有器件的整體過程是相關交叉，僅是依次相差一個小的延時(大約20～50ns)，如圖4所示，其依次開通的先后延時由電阻電容串聯(lián)回路的電容控制。

(4)等所有器件都開通后，加到CJ_G的驅動信號通過D_F1～D_F5鉗位各SiC JFET的柵極電壓，保證SiC MOSFET和所有SiC JFET的柵極都處于門極閾值電壓以上，都能完全導通，并以此來減少導通電阻。

D、正常ZVS軟開關開通過程：ZVS軟開關開通過程和硬開關開通過程的區(qū)別在于，此時CJ_G沒有驅動信號，且此時電流的方向相反。具體的原理如下：

(1)此時CJ_G無驅動信號，R₁C₁串聯(lián)回路的C₁電容還未開始放電，D_F1、D_Z1都是逆向截止，此時SiC MOSFET和所有SiC JFET截止狀態(tài)不受影響；由于電流的方向相反，因此，該反向電流對M₁的輸出電容放電，M₁漏極和源極兩端電壓開始下降。由于R₁C₁串聯(lián)回路的C₁電容仍未放電，即節(jié)點CJ_G1的相對電勢保持不變，隨著M₁漏極和源極兩端電壓下降，即節(jié)點CJ_S1的電勢下降，J₁柵極和源極兩端電壓差變?yōu)榇笥赟iC JFET的門極閥值電壓，J₁開始緩慢導通，J₁漏極和源極兩端電壓開始下降，此時R₁C₁串聯(lián)回路的C₁電容通過J₁的柵極放電，即相當于輸出J₁驅動脈沖信號。

(2)隨著J₁開通，J₁的輸出電容開始通過J₁通道放電，同時反向電流也對J₁的輸出電容放電，J₁漏極和源極兩端電壓開始下降。由于R₂C₂串聯(lián)回路的C₂電容仍未放電，即節(jié)點CJ_G2的相對電勢保持不變，隨著J₁漏極和源極兩端電壓下降，即節(jié)點CJ_S2的電勢下降，J₂柵極和源極兩端電壓差變?yōu)榇笥赟iC JFET的門極閥值電壓，J₂開始緩慢導通，此時R₂C₂串聯(lián)回路的C₂電容通過J₂的柵極放電，即相當于輸出J₂驅動脈沖信號。

(3)J₃，J₄，J₅采用完全類似的開通過程，所有器件的整體過程是相關交叉，僅是依次相差一個小的延時，其依次開通的先后延時由電阻電容串聯(lián)回路的電容和反向電流大小控制。

(4)等所有器件都開通后，雖然M₁的柵極沒有驅動信號，但反向電流可以走MOSFET相應的寄生二極管，而所有JFET的柵極都處于“0”電位，因此所有JFET的柵極電壓都在門極閾值電壓以上，都能完全導通，該過程中所有JFET無需相應的并聯(lián)二極管參與導通。如果此過程之后，M₁柵極加驅動信號，即SiC MOSFET實現(xiàn)同步整流模式，反向電流可以由SiC MOSFET寄生二極管轉入SiC MOSFET的通道，以此來減少導通壓降。

上述實施例是取N＝5時的情況，當然N也可為其他正整數(shù)，具體數(shù)字根據(jù)實際的情況而定。

上述混合高壓器件的電路功率部分通過碳化硅器件串聯(lián)，并通過穩(wěn)壓管、二極管、電阻、電容等元件實現(xiàn)JFET驅動，最終的混合型高壓器件可實現(xiàn)至少6kV的高耐壓，相對其他高壓器件，本高壓器件驅動比較簡單，開關損耗較小，導通損耗相對較小，抗干擾能力強，成本低，其組成的換流器功率密度高，可實現(xiàn)高頻率、高效率和高功率密度，適用中高壓電力電子變換器應用領域。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應視為本發(fā)明的保護范圍。