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      2.7?3.5GHz、2W的GaN單片功率放大器的制作方法

      文檔序號:12193244閱讀:來源:國知局
      技術(shù)總結(jié)
      本實(shí)用新型公開了一種2.7?3.5GHz、2W的GaN單片功率放大器,它包括輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、級間匹配網(wǎng)絡(luò)、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)及pHEMT管芯,信號由輸入匹配網(wǎng)絡(luò)輸入,輸出匹配網(wǎng)絡(luò)輸出,輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的通過pHEMT晶體管與級間匹配網(wǎng)絡(luò)相連,級間匹配網(wǎng)絡(luò)的通過pHEMT晶體管與輸出匹配網(wǎng)絡(luò)相連,柵極偏置電源分別與輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和級間匹配網(wǎng)絡(luò)相連,級間匹配柵偏置電源分別與級間匹配網(wǎng)絡(luò)和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)相連。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了輸入、輸出和級間匹配網(wǎng)絡(luò)的電路原理圖。

      技術(shù)研發(fā)人員:許歡
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:成都泰格微電子研究所有限責(zé)任公司
      文檔號碼:201620697838
      技術(shù)研發(fā)日:2016.07.05
      技術(shù)公布日:2017.03.08

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