本發(fā)明屬于屏蔽膜領域，具體涉及一種電磁屏蔽膜。
背景技術：
：近年來，隨著無線電技術的普遍使用，電磁污染越來越普遍，同時電路本身低電壓低功耗的使用，使得電路本身的抗電磁干擾(emi)的能力顯著下降。在產品外殼鍍覆抗emi薄膜，既可以保護本產品不受外界emi影響，又可以降低自身對外界的干擾，歐盟89/336/eec(emc)標準已經明確指出電子產品必須在產品外殼內壁鍍覆抗emi薄膜。目前使用的屏蔽材料主要有導電型、填充型、本征型以及吸波型，制備方法主要是貼金屬箔、濺射鍍、電鍍或化學鍍和涂敷導電涂料等方法。隨著柔性線路板布線線路的越來越密集，對電磁屏蔽膜的要求越來越高，屏蔽效能大于60db的電磁屏蔽膜越來越受到市場的青睞。屏蔽效能與導通有著直接的關系，導通數(shù)值越小，屏蔽效能越高。cn104853577a公開了一種超薄電磁屏蔽膜及制備方法，該發(fā)明提供的超薄電磁屏蔽膜將膠層設置呈網狀，且將導電金屬填充于膠層的網狀孔隙內，置于膠層的網狀孔隙內的導電金屬層構成網狀的電磁屏蔽層，實現(xiàn)電磁屏蔽效果。根據本發(fā)明提供的超薄電磁屏蔽膜，通過將膠層設置呈網狀、將用于實現(xiàn)電磁屏蔽效果的導電金屬層填充于膠層的網狀孔隙內，使得本發(fā)明提供的超薄電磁屏蔽膜在不影響電磁屏蔽效果的前提下厚度能夠達到8μm以下。然而該發(fā)明所述電磁屏蔽膜膠層為網狀，金屬層時在網格的邊角處不能與金屬充分接觸，導致電磁屏蔽膜的導通系數(shù)升高，電磁屏蔽性能受到影響。技術實現(xiàn)要素：針對現(xiàn)有技術中存在的技術問題，本發(fā)明提供一種電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜具有優(yōu)異的電磁屏蔽性能，結構簡單，易于進行工業(yè)化生產。為達到上述目的，本發(fā)明采用以下技術方案：本發(fā)明提供一種電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜包括依次連接的載體膜層、絕緣層、導電膠層、金屬層和離型膜層，其中所述導電膠層含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、4-二甲胺基-苯甲酸乙酯或1-羥基-環(huán)己基-苯基甲酮中任意一種或至少兩種的組合。本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜的導電膠層中含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、4-二甲胺基-苯甲酸乙酯或1-羥基-環(huán)己基-苯基甲酮任意一種或至少兩種的組合，上述物質在電磁波作用下，可產生自由基，之后沿著電磁波傳播方向加速，轟擊金屬層而產生與電磁波方向傳播速度相反的電子流，電子流由于能量高，會與電磁波的能量中和，進而起到屏蔽電磁波的作用。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述載體膜層包括pet薄膜、pen薄膜、pi薄膜、pbt薄膜或pps薄膜中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實例有：pet薄膜和pen薄膜的組合、pi薄膜和pbt薄膜的組合、pet薄膜和pps薄膜的組合、pen薄膜和pbt薄膜的組合或pet薄膜、pbt薄膜和pps薄膜的組合等。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述載體膜層的厚度為10～100μm，如10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm或100μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述絕緣層為油墨絕緣層。優(yōu)選地，所述絕緣層的厚度為15～20μm，如15μm、16μm、17μm、18μm、19μm或20μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述導電膠層的材料包括聚丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂或聚氨酯中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實例有：聚丙烯酸樹脂和環(huán)氧樹脂的組合、環(huán)氧樹脂和聚氨酯的組合、聚丙烯酸樹脂與聚氨酯的組合或聚丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂和聚氨酯的組合等。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述導電膠層的厚度為5～12μm，如5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm或12μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述金屬層的材料包括鋅和/或鐵。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述金屬層的厚度為0.5～1μm，如0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述離型膜層包括pe離型膜、pet離型膜、opp離型膜、pc離型膜、ps隔離膜、pmma離型膜、bopp離型膜、tpx離型膜、pvc剝離膜、ptfe離型膜、單硅離型膜或聚脂離型膜中任意一種或至少兩種的組合，所述組合典型但非限制性實例有：pe離型膜和pet離型膜的組合、opp離型膜和pc離型膜的組合、ps隔離膜和pmma離型膜的組合的組合、bopp離型膜和tpx離型膜的組合、pvc剝離膜和ptfe離型膜的組合、單硅離型膜和聚酯型離型膜的組合或pe離型膜、pet離型膜和pc離型膜的組合等。作為本發(fā)明優(yōu)選的技術方案，所述離型膜層的厚度為10～100μm，如10μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm或100μm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內其他未列舉的數(shù)值同樣適用。與現(xiàn)有技術方案相比，本發(fā)明至少具有以下有益效果：(1)本發(fā)明提供了一種電磁屏蔽膜，所述屏蔽膜的屏蔽效能大于95db，最高可達102db；(2)本發(fā)明提供了一種電磁屏蔽膜，所述屏蔽膜結構簡單，易于進行工業(yè)化生產。附圖說明圖1是本發(fā)明提供的一種電磁屏蔽膜的結構示意圖；圖中：1-載體膜層，2-絕緣層，3-導電膠層，4-金屬層，5-離型膜層。具體實施方式下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發(fā)明的技術方案。為更好地說明本發(fā)明，便于理解本發(fā)明的技術方案，本發(fā)明的典型但非限制性的實施例如下：實施例1一種結構如圖1所示的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜包括依次連接的載體膜層1、絕緣層2、導電膠層3、金屬層4和離型膜層5，其中所述導電膠層含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮。其中，所述載體膜層1為pet膜，厚度為10μm；所述絕緣層2為油墨絕緣層，厚度為15μm；所述導電膠層3的材料為聚丙烯酸樹脂，厚度為5μm；所述金屬層4的材料為鋅，厚度為0.5μm；所述離型膜層5為pe離型膜，厚度為10μm。實施例2一種結構如圖1所示的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜包括依次連接的載體膜層1、絕緣層2、導電膠層3、金屬層4和離型膜層5，其中所述導電膠層含有4-二甲胺基-苯甲酸乙酯。其中，所述載體膜層1為pen膜，厚度為100μm；所述絕緣層2為油墨絕緣層，厚度為20μm；所述導電膠層3的材料為環(huán)氧樹脂，厚度為12μm；所述金屬層4的材料為鐵，厚度為1μm；所述離型膜層5為pet離型膜，厚度為100μm。實施例3一種結構如圖1所示的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜包括依次連接的載體膜層1、絕緣層2、導電膠層3、金屬層4和離型膜層5，其中所述導電膠層含有1-羥基-環(huán)己基-苯基甲酮。其中，所述載體膜層1為pbt膜，厚度為20μm；所述絕緣層2為油墨絕緣層，厚度為16μm；所述導電膠層3的材料為聚丙烯酸樹脂，厚度為8μm；所述金屬層4的材料為鋅，厚度為0.6μm；所述離型膜層5為pet離型膜，厚度為20μm。實施例4一種結構如圖1所示的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜包括依次連接的載體膜層1、絕緣層2、導電膠層3、金屬層4和離型膜層5，其中所述導電膠層含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮和1-羥基-環(huán)己基-苯基甲酮(摩爾比1:1)。其中，所述載體膜層1為pet膜，厚度為80μm；所述絕緣層2為油墨絕緣層，厚度為18μm；所述導電膠層3的材料為聚氨酯，厚度為11μm；所述金屬層4的材料為鐵，厚度為0.5μm；所述離型膜層5為pe離型膜，厚度為80μm。實施例5一種結構如圖1所示的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜包括依次連接的載體膜層1、絕緣層2、導電膠層3、金屬層4和離型膜層5，其中所述導電膠層含有2-羥基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮和4-二甲胺基-苯甲酸乙酯(摩爾比2:1)。其中，所述載體膜層1為pbt膜，厚度為50μm；所述絕緣層2為油墨絕緣層，厚度為17μm；所述導電膠層3的材料為聚丙烯酸樹脂，厚度為9μm；所述金屬層4的材料為鋅，厚度為0.6μm；所述離型膜層5為pet離型膜，厚度為50μm。實施例6一種電磁屏蔽膜，除了所述導電膠層3的厚度為3μm外，其他條件均與實施例3相同。實施例7一種電磁屏蔽膜，除了所述導電膠層3的厚度為20μm外，其他條件均與實施例3相同。對比例1一種電磁屏蔽膜，除了導電膠層3中不含有1-羥基-環(huán)己基-苯基甲酮外，其他條件均與實施例3相同。對實施例1-5以及對比例1和2的電磁屏蔽性能進行測試，結果如表1所示。表1項目屏蔽效能/db實施例196實施例2102實施例3101實施例499實施例597實施例683實施例780對比例123從表1可以看出實施例1-5的屏蔽效能均在95db以上，最高可達102db，而實施例6與實施例3相比由于導電膠層過薄僅為3μm，屏蔽效能僅為83db，實施例7與實施例3相比由于導電膠層過厚為20μm，屏蔽效能僅為80db，而對比例1中導電膠層3中不含有1-羥基-環(huán)己基-苯基甲酮，因此屏蔽效能僅為23db。申請人聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細結構特征，但本發(fā)明并不局限于上述詳細結構特征，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細結構特征才能實施。所屬
技術領域：
的技術人員應該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明所選用部件的等效替換以及輔助部件的增加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內。以上詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術構思范圍內，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護范圍。另外需要說明的是，在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合，為了避免不必要的重復，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應當視為本發(fā)明所公開的內容。當前第1頁12