本發(fā)明屬于抑制爬銀技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種化銀工藝中爬銀的抑制方法。

背景技術(shù)：

一般來說印制電路板多采用化銀工藝進行金屬化表面處理，但是其存在的缺點是容易產(chǎn)生爬銀從而影響電路板的質(zhì)量和使用壽命。爬銀問題會影響線路線寬線隙，從而影響線路信號傳遞，嚴(yán)重時會導(dǎo)致信號偏移、失真，使其失去原有的功能。目前還沒有一種技術(shù)專用于解決化銀工藝的爬銀(silveroverflow)問題。對于當(dāng)前在化銀工藝中出現(xiàn)的爬銀問題也沒有特別有效的解決方法，現(xiàn)有的方法只能起到改善作用，生產(chǎn)效率低，成本高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決以上現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，提供一種爬銀抑制效果好、生產(chǎn)成本低的化銀工藝中爬銀的抑制方法。

本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，包括步驟a；a.有機醇胺處理：在化銀前對待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板。

進一步的，在步驟a之前，還包括步驟s，s.待化銀的電路板的預(yù)處理：電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板。

進一步的，在步驟a之后，還包括步驟j，j.化銀：將待化銀的電路板進行化銀處理。

進一步的，所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一種或幾種。

進一步的，所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％。

進一步的，所述單乙醇胺的浸潤溫度為40-60℃。

進一步的，所述單乙醇胺的浸潤時間為10-20min。

本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果是：本發(fā)明的化銀工藝中爬銀的抑制方法，采用有機醇胺作為抑制劑，通過將現(xiàn)有的化銀工藝進行改進，即在電路板進行化銀操作時先用有機醇胺進行處理，經(jīng)過本發(fā)明中的實驗測試，優(yōu)選出了單乙醇胺水溶液作為最佳的抑制劑，并在優(yōu)化條件下，實現(xiàn)了最優(yōu)的抑制爬銀的技術(shù)效果，從而，本發(fā)明的方法可以抑制印制電路板在化銀工藝中出現(xiàn)的爬銀品質(zhì)缺陷，并且使用方便，操作簡單，進而采用本發(fā)明后生產(chǎn)效率更高，相對成本更低。

附圖說明

圖1本發(fā)明測試?yán)?未采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖2本發(fā)明測試?yán)?低溫下(20℃-30℃)采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板。

圖3本發(fā)明測試?yán)?高溫下(40℃-60℃)采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板。

圖4本發(fā)明測試?yán)?未采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖5本發(fā)明測試?yán)?采用低濃度單乙醇胺水溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％-10％)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖6本發(fā)明測試?yán)?采用高濃度單乙醇胺水溶液(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖7本發(fā)明測試?yán)?未采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖8本發(fā)明測試?yán)?采用單乙醇胺水溶液短時間內(nèi)(2min-6min)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖9本發(fā)明測試?yán)?采用單乙醇胺水溶液長時間內(nèi)(10min-20min)進行爬銀抑制處理后的印制電路板。

圖10現(xiàn)有技術(shù)未做爬銀抑制處理得到的印制電路板。

圖11采用本發(fā)明的爬銀抑制處理方法得到的印制電路板。

其中，圖1中爬銀寬度l1為27～36μm，圖2中爬銀寬度l2為11～16μm；圖3中沒有爬銀；圖4中爬銀寬度l3為27～29μm；圖5中爬銀寬度l4為13～15μm；圖6中沒有爬銀；圖7中爬銀寬度l5為27～36μm；圖8中爬銀寬度l6為11～12μm；圖9中沒有爬銀；圖10中爬銀寬度l7＞26μm；圖11中沒有爬銀。

具體實施方式

以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細的說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀了本發(fā)明說明書的基礎(chǔ)上能夠充分完整的實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案，并解決本發(fā)明所要解決的現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。應(yīng)當(dāng)說明的是，以下僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些應(yīng)當(dāng)都屬于本發(fā)明的保護范圍。

實施例

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，包括步驟a；a.有機醇胺處理：在化銀前對待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板。

現(xiàn)有的電路板的制作方法主要流程包括除油→水洗→微蝕→水洗→預(yù)浸→化銀→水洗→清潔→水洗→烘干最后得到電路板，而使用該工藝最多的是印制電路板的制備，本發(fā)明以印制電路板為例來說明本發(fā)明的方法的基本原理和效果。

本發(fā)明的印制電路板在化銀工藝前使用本技術(shù)即有機醇胺進行處理，然后再進行化銀工藝制作，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)有機醇胺類物質(zhì)能夠有效的控制印制電路板在制作過程所吸附的活性金屬，使其在化銀工藝中失去活性，從而使銀不能沉積在板料上。其作用原理可能是因為其有機醇胺中含有氨基，氨基與板料吸附上的活性金屬顆粒，如錫等發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)，從而有效阻止其與銀離子發(fā)生置換反應(yīng)，從而達到抑制爬銀的目的。處理前后的印制電路板如圖10和圖11所示。

進一步的，在步驟a之前，還包括步驟s，s.待化銀的電路板的預(yù)處理：電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板。

進一步的，在步驟a之后，還包括步驟j，j.化銀：將待化銀的電路板進行化銀處理。

本發(fā)明的抑制方法操作簡單，在化銀前對待化銀的電路板表面用有機醇胺或有機醇胺稀釋后的溶液進行浸潤處理，在進行相關(guān)的化銀操作即可。為了取得較好的爬銀抑制效果，本發(fā)明對現(xiàn)有的技術(shù)進行改進，在化銀之前，預(yù)浸之后增加上述步驟a，對電路板進行抑制處理，然后在a步驟之后按照現(xiàn)有的方式進行化銀操作從而更好的抑制化銀工藝產(chǎn)生的爬銀問題。

進一步的，所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺中的一種或幾種。

進一步的，所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％。

進一步的，所述單乙醇胺的浸潤溫度為40-60℃。

進一步的，所述單乙醇胺的浸潤時間為10-20min。

經(jīng)過實驗和優(yōu)選，為了在較短的時間內(nèi)和較低的溫度下實現(xiàn)化銀工藝中對爬銀較好的抑制效果，本發(fā)明對步驟a中所使用的有機醇胺的種類，方式以及溫度和浸潤時間進行了研究。實驗證實，在有機醇胺為含有質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％的單乙醇胺的單乙醇胺水溶液、浸潤溫度為40-60℃、浸潤時間為10-20min時，成本最低，時間最短效果最佳。

測試?yán)?溫度對本發(fā)明采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板的質(zhì)量的影響

本測試?yán)窃谄渌鼌?shù)如單乙醇胺水溶液濃度、浸潤溫度和浸潤時間等因素不變的情況下，單獨改變溫度來測試溫度變化對抑制爬銀的影響，即本測試?yán)膯我掖及匪芤褐袉我掖及返馁|(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％和浸潤時間為10-20min。如圖1-3所示，圖1中，采用現(xiàn)有的化銀工藝制成的印制電路板，其存在嚴(yán)重的爬銀現(xiàn)象，其寬度在27-36μm；而在溫度為20～30℃下采用本發(fā)明對現(xiàn)有的工藝流程進行改進的方法，用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后再進行化銀處理得到的印制電路板，其爬銀現(xiàn)象顯著改善，如圖2所示，其寬度為11～16μm；而在溫度為40～60℃下采用本發(fā)明對現(xiàn)有的工藝流程進行改進的方法，用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后再進行化銀處理得到的印制電路板，如圖3所示，爬銀已經(jīng)完全消除，從而本發(fā)明的方法，將溫度控制在40～60℃下用單乙醇胺水溶液處理后，具有最佳的爬銀抑制效果。

測試?yán)?單乙醇胺水溶液的濃度對本發(fā)明采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板的質(zhì)量的影響

本測試?yán)窃谄渌鼌?shù)如單乙醇胺水溶液濃度、浸潤溫度和浸潤時間等因素不變的情況下，單獨改變單乙醇胺水溶液濃度來測試濃度變化對抑制爬銀的影響，即本測試?yán)慕櫆囟葹?0-60℃和浸潤時間為10-20min。如圖4-6所示，圖4中，采用現(xiàn)有的化銀工藝制成的印制電路板，其存在嚴(yán)重的爬銀現(xiàn)象，其寬度在27-29μm；而在單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5％-10％，采用本發(fā)明對現(xiàn)有的工藝流程進行改進的方法，用該單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后再進行化銀處理得到的印制電路板，其爬銀現(xiàn)象顯著改善，如圖5所示，其寬度為13～15μm；而在單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％，采用本發(fā)明對現(xiàn)有的工藝流程進行改進的方法，用該單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后再進行化銀處理得到的印制電路板，如圖6所示，爬銀已經(jīng)完全消除，從而本發(fā)明的方法，將單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)控制在15％-25％，具有最佳的爬銀抑制效果。

測試?yán)?處理時間對本發(fā)明采用單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理后得到的印制電路板的質(zhì)量的影響

本測試?yán)窃谄渌鼌?shù)如單乙醇胺水溶液濃度、浸潤溫度和浸潤時間等因素不變的情況下，單獨改變單乙醇胺水溶液的處理時間來測試處理時間變化對抑制爬銀的影響，即本測試?yán)膯我掖及匪芤褐袉我掖及返馁|(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％-25％和浸潤溫度為40-60℃。如圖7-9所示，圖7中，采用現(xiàn)有的化銀工藝制成的印制電路板，其存在嚴(yán)重的爬銀現(xiàn)象，其寬度在27-36μm；而采用本發(fā)明對現(xiàn)有的工藝流程進行改進的方法，用該單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理2-6分鐘后再進行化銀處理得到的印制電路板，其爬銀現(xiàn)象顯著改善，如圖8所示，其寬度為11～12μm；而采用本發(fā)明對現(xiàn)有的工藝流程進行改進的方法，用該單乙醇胺水溶液進行爬銀抑制處理10-20分鐘后再進行化銀處理得到的印制電路板，如圖9所示，爬銀已經(jīng)完全消除，從而本發(fā)明的方法，將單乙醇胺水溶液的處理時間控制在10-20分鐘，具有最佳的爬銀抑制效果。

實施例1

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理。所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺。

實施例2

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理。所述步驟a中所述有機醇胺為任意體積比混合的單乙醇胺和丙醇胺。

實施例3

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理。所述步驟a中所述有機醇胺為丙醇胺或丁醇胺。

實施例4

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理；所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15％；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤溫度為40℃；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤時間為10min。

實施例5

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理；所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25％；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤溫度為60℃；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤時間為20min。

實施例6

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理；所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20％；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤溫度為50℃；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤時間為15min。

實施例7

一種化銀工藝中爬銀的抑制方法，電路板依次經(jīng)過除油、水洗、微蝕、水洗、預(yù)浸后，得到待化銀的電路板；將待化銀的電路板表面用有機醇胺浸潤，得到抑制處理后的電路板；將待化銀的電路板進行化銀處理；所述步驟a中所述有機醇胺為單乙醇胺水溶液；所述單乙醇胺水溶液中單乙醇胺的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為18％；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤溫度為45℃；所述的化銀工藝中爬銀的抑制方法，所述單乙醇胺的浸潤時間為13min。

根據(jù)本說明書的記載即可較好的實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。