本技術(shù)涉及一種等離子技術(shù)，尤其是涉及一種低電勢等離子噴槍噴嘴。

背景技術(shù)：

1、電子離開原子核，這個過程就叫做"電離"。這時，物質(zhì)就變成了由帶正電的原子核和帶負(fù)電的電子組成的、一團(tuán)均勻的"漿糊"，因此人們戲稱它為離子漿，這些離子漿中正負(fù)電荷總量相等，因此它是近似電中性的。所以等離子體的應(yīng)用非常的廣泛，包括數(shù)碼行業(yè)、電子行業(yè)、汽車行業(yè)及印刷包裝行業(yè)等。

2、市場上現(xiàn)有的常規(guī)等離子噴槍設(shè)備都是由尖端聚集高壓電進(jìn)行工作的，這樣產(chǎn)生的等離子體雖然能量很強(qiáng)，但是會產(chǎn)生較高電壓的靜電，如果需要用等離子體來處理高精度零件或者高精度芯片時，產(chǎn)生的高壓靜電極易將高精度產(chǎn)品損傷損毀，這樣處理過后雖然能將產(chǎn)品表面待處理的有機(jī)物處理干凈，但是損壞損毀的零件也無法正常進(jìn)行使用，這樣的設(shè)備對于此類高精度產(chǎn)品來說未能解決問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題是提供一種低電勢等離子噴槍噴嘴，能夠高效稀釋掉高壓電力等離子時產(chǎn)生的靜電，降低等離子體靜電電壓。

2、本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是：

3、一種低電勢等離子噴槍噴嘴，其中，設(shè)有筒狀的主體，所述主體的上部外側(cè)設(shè)有外螺紋連接部，其內(nèi)部設(shè)有第一氣體通道和輸出通道；

4、所述第一氣體通道由上部開口向下延伸至所述主體內(nèi)部的氣體通道，所述氣體通道底部外側(cè)設(shè)有凸臺部，所述凸臺部周緣于所述主體底面內(nèi)側(cè)設(shè)有減重槽，所述第一氣體通道的側(cè)面朝向所述主體底面靠近邊緣的位置貫穿設(shè)有所述輸出通道；

5、所述輸出通道延伸至所述減重槽的位置設(shè)有緊固筋。

6、如上所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其中，所述第一氣體通道為上大下小的錐形通道，所述第一氣體通道的下端連接有第二氣體通道，所述第二氣體通道的直徑等于所述第一氣體通道下端端口的直徑。

7、如上所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其中，所述凸臺部包括凸臺槽，所述凸臺槽上可拆卸地固定有凸臺槽封堵釘柱。

8、如上所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其中，所述凸臺部相對于所述輸出通道的另一側(cè)，設(shè)有第二緊固筋。

9、如上所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其中，于所述第二緊固筋向內(nèi)開設(shè)有動平衡減重孔。

10、如上所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其中，所述輸出通道的直徑為4mm，所述外螺紋連接部的螺紋螺距為1mm。

11、由以上說明得知，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比較，確實(shí)可達(dá)到如下的功效：

12、本實(shí)用新型的低電勢等離子噴槍噴嘴，可高效稀釋掉高壓電離等離子時產(chǎn)生的靜電，從而有效降低等離子體的靜電電壓；本實(shí)用新型的低電勢等離子噴槍噴嘴，其結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、重量輕、處理時靜電低、處理效果好，可按不同等離子噴槍設(shè)計不同螺牙來適配，能適配絕大多少噴槍。

技術(shù)特征：

1.一種低電勢等離子噴槍噴嘴，其特征在于，設(shè)有筒狀的主體，所述主體的上部外側(cè)設(shè)有外螺紋連接部，其內(nèi)部設(shè)有第一氣體通道和輸出通道；

2.如權(quán)利要求1所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其特征在于，所述第一氣體通道為上大下小的錐形通道，所述第一氣體通道的下端連接有第二氣體通道，所述第二氣體通道的直徑等于所述第一氣體通道下端端口的直徑。

3.如權(quán)利要求1所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其特征在于，所述凸臺部包括凸臺槽，所述凸臺槽上可拆卸地固定有凸臺槽封堵釘柱。

4.如權(quán)利要求1所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其特征在于，所述凸臺部相對于所述輸出通道的另一側(cè)，設(shè)有第二緊固筋。

5.如權(quán)利要求4所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其特征在于，于所述第二緊固筋向內(nèi)開設(shè)有動平衡減重孔。

6.如權(quán)利要求1所述的低電勢等離子噴槍噴嘴，其特征在于，所述輸出通道的直徑為4mm，所述外螺紋連接部的螺紋螺距為1mm。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種低電勢等離子噴槍噴嘴，設(shè)有筒狀的主體，主體的上部外側(cè)設(shè)有外螺紋連接部，其內(nèi)部設(shè)有第一氣體通道和輸出通道；第一氣體通道由上部開口向下延伸至主體內(nèi)部的氣體通道，氣體通道底部外側(cè)設(shè)有凸臺部，凸臺部周緣于主體底面內(nèi)側(cè)設(shè)有減重槽，第一氣體通道的側(cè)面朝向主體底面靠近邊緣的位置貫穿設(shè)有輸出通道；輸出通道延伸至減重槽的位置設(shè)有緊固筋。本技術(shù)的低電勢等離子噴槍噴嘴，可高效稀釋掉高壓電離等離子時產(chǎn)生的靜電，從而有效降低等離子體的靜電電壓；本技術(shù)的低電勢等離子噴槍噴嘴，其結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、重量輕、處理時靜電低、處理效果好，可按不同等離子噴槍設(shè)計不同螺牙來適配，能適配絕大多少噴槍。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡衛(wèi)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市誠峰智造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231231
技術(shù)公布日：2024/11/14