本技術涉及顯示設備，尤其涉及一種顯示面板和顯示面板的制備方法。

背景技術：

1、液晶顯示(liquid?crystal?display，lcd)面板、有機發(fā)光二極管顯示(organiclight?emitting?display，oled)面板以及利用發(fā)光二極管(light?emitting?diode，led)器件的顯示面板因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等電子產(chǎn)品中。

2、相關技術中，顯示面板的封裝性能不佳。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術實施例提供了一種顯示面板和顯示面板的制備方法，旨在解決顯示面板封裝性能不佳的技術問題。

2、本技術第一方面的實施例提供一種顯示面板，包括：

3、基板；

4、隔離結構，設置于基板的一側(cè)，隔離結構圍成多個隔離開口；

5、發(fā)光器件層，包括多個發(fā)光單元，發(fā)光單元的至少部分設置于隔離開口內(nèi)；

6、第一封裝層，位于發(fā)光器件層背離基板的一側(cè)，第一封裝層包括封裝子層和支撐層，封裝子層層疊設置在支撐層靠近基板和/或背離基板的一側(cè)。

7、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層包括第一封裝子層，在支撐層靠近基板的一側(cè)。

8、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子層的厚度大于或等于0.5微米，且小于或等于3微米。

9、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝層包括多個間隔設置的封裝單元，封裝單元的至少部分位于隔離開口內(nèi)并覆蓋發(fā)光單元。

10、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子層包括多個間隔設置的第一封裝子部，支撐層包括多個間隔設置的第一支撐部；

11、封裝單元包括第一封裝子部和第一支撐部，同一封裝單元中，第一封裝子部在基板上的正投影與第一支撐部在基板上的正投影交疊。

12、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子部的邊緣位于隔離結構遠離基板的一側(cè)，第一封裝子部的邊緣與隔離結構遠離基板的表面間隔設置。

13、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層包括第二封裝子層，在支撐層遠離基板的一側(cè)。

14、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第二封裝子層的厚度大于或等于0.5微米，且小于或等于3微米。

15、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層包括第一封裝子層和第二封裝子層，第一封裝子層、支撐層和第二封裝子層沿遠離基板的方向依次疊設。

16、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝層的厚度大于或等于0.5微米，且小于或等于3微米。

17、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子層包括多個間隔設置的第一封裝子部，第一封裝子部的至少部分位于隔離開口內(nèi)并覆蓋發(fā)光單元，相鄰兩個第一封裝子部之間設置有第一間隙，

18、支撐層包括多個間隔設置的第一支撐部，相鄰兩個第一支撐部之間設置有第二間隙，第一支撐部在基板上的正投影與第一封裝子部在基板上的正投影交疊，第一間隙在基板上的正投影與第二間隙在基板上的正投影交疊；

19、或者，支撐層在第一間隙連續(xù)設置。

20、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第二封裝子層包括多個間隔設置的第二封裝子部；相鄰兩個第二封裝子部之間設置有第三間隙，第二封裝子部在基板上的正投影與第一封裝子部在基板上的正投影交疊，第一間隙在基板上的正投影與第三間隙在基板上的正投影交疊；

21、或者，第二封裝子層在第一間隙連續(xù)設置。

22、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層和支撐層的材料不同。

23、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層為無機絕緣材料。

24、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層為含硅無機材料層。

25、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的至少一種。

26、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層為導電材料；

27、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層的厚度大于或等于1納米，且小于或等于1000納米。

28、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層為金屬材料層或金屬氧化物材料層；

29、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，金屬材料層包括銀、鎂、鋁、金、鎵、鎳、鉑、銥、銅、鉬、鈦、鈣、鋇中的一種或多種。

30、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，金屬氧化物材料層包括銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鎂、鎘摻雜氧化鋅中的一種或多種。

31、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層為透光材料層。

32、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層包括銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鎂、鎘摻雜氧化鋅中的一種或多種。

33、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層復用為觸控層的至少部分；

34、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，觸控層為自容式觸控層或互容式觸控層。

35、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層為至少兩層，相鄰兩層支撐層之間設置有封裝子層，至少兩層支撐層復用為觸控層的至少部分。

36、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，至少兩層支撐層包括第一支撐層和第二支撐層，第一支撐層和第二支撐層之間設置有封裝子層，第一支撐層包括跨橋，第二支撐層包括多個觸控電極塊，跨橋與至少兩個觸控電極塊電連接；

37、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一支撐層還包括輔助電極，輔助電極通過隔離結構與發(fā)光單元的第一電極電連接；

38、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一支撐層位于基板和第二支撐層之間。

39、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層與隔離結構電連接。

40、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，在顯示面板的邊框區(qū)，支撐層與隔離結構電接觸。

41、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層包括第一封裝子層，在支撐層靠近基板的一側(cè)；第一封裝子層包括間隔設置的多個第一封裝子部，第一封裝子部在基板的正投影與發(fā)光單元在基板的正投影交疊；

42、相鄰兩個第一封裝子部之間設置有第一間隙，支撐層通過第一間隙與隔離結構電連接。

43、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一間隙在基板上的正投影與隔離結構在基板上的正投影交疊。

44、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層包括多個間隔設置的第一支撐部，第一封裝子部在基板上的正投影與第一支撐部在基板上的正投影交疊；相鄰兩個第一支撐部之間設置有第二間隙，第二間隙在基板上的正投影與第一間隙在基板上的正投影交疊。

45、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第二間隙在基板上的正投影位于第一間隙在基板上的正投影內(nèi)；

46、或者，支撐層在第一間隙連續(xù)設置。

47、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子部的邊緣位于隔離結構遠離基板的一側(cè)，第一封裝子部的邊緣與隔離結構遠離基板的表面之間設置有第五間隙，支撐層封堵第五間隙并與隔離結構連接。

48、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層為網(wǎng)格結構，位于支撐層兩側(cè)的封裝子層通過網(wǎng)格結構的網(wǎng)孔連接。

49、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，網(wǎng)孔在基板上的正投影與隔離開口在基板上的正投影交疊。

50、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，多個網(wǎng)孔在基板上的正投影位于同一隔離開口在基板上的正投影內(nèi)；

51、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，沿隔離開口的中心至隔離結構的方向，網(wǎng)孔的密度逐漸減小，和/或，網(wǎng)孔的尺寸逐漸減小。

52、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，顯示面板還包括第二封裝層，第二封裝層設置于第一封裝層背離基板的一側(cè)。

53、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第二封裝層為有機材料層。

54、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，顯示面板還包括第三封裝層，第三封裝層設置于第二封裝層背離基板的一側(cè)。

55、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第三封裝層為無機材料層。

56、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層具有透光開口，透光開口在基板的正投影與發(fā)光單元在基板的正投影至少部分交疊，透光開口在基板上的正投影與隔離開口在基板上的正投影交疊。

57、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，支撐層包括第一支撐部，第一支撐部圍成透光開口，第一支撐部在基板上的正投影與隔離結構在基板上的正投影交疊。

58、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，發(fā)光單元包括沿遠離基板的方向依次層疊設置的第二電極、發(fā)光層和第一電極，第一電極與隔離結構電連接。

59、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一電極經(jīng)隔離結構與支撐層電連接。

60、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，至少兩個發(fā)光單元的第一電極經(jīng)隔離結構與支撐層電連接。

61、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，隔離結構包括層疊設置的第一隔離層和第二隔離層，第一隔離層設置于第二隔離層靠近基板的一側(cè)，第一隔離層在基板上的正投影位于第二隔離層在基板上的正投影內(nèi)。

62、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第二隔離層背離基板的表面在基板上的正投影面積小于第二隔離層靠近基板的表面在基板上的正投影面積。

63、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一隔離層背離基板的表面在基板上的正投影面積小于第二隔離層靠近基板的表面在基板上的正投影面積。

64、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，隔離結構包括：

65、第三隔離層，位于第一隔離層靠近基板的一側(cè)，第一隔離層在基板上的正投影位于第三隔離層在基板上的正投影內(nèi)。

66、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一隔離層包括導電材料，發(fā)光單元的第一電極的邊緣與第一隔離層搭接。

67、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，顯示面板還包括設于基板和隔離結構之間的像素定義層，像素定義層包括像素開口，像素開口與對應的隔離開口連通；發(fā)光單元至少部分設置于像素開口內(nèi)；

68、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，像素開口在基板上的正投影位于隔離開口在基板上的正投影范圍內(nèi)。

69、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，隔離結構設置于像素定義層背離基板的一側(cè)，像素定義層設置有讓位開口，隔離結構位于讓位開口，發(fā)光單元至少部分設置于像素開口內(nèi)。

70、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子層包括多個間隔設置的第一封裝子部，第一封裝子部的至少部分位于隔離開口內(nèi)并覆蓋發(fā)光單元，第一封裝子部的邊緣延伸至隔離結構背離基板的一側(cè)，第一封裝子部在隔離結構朝向隔離開口的側(cè)壁處形成凹槽，

71、支撐層封堵凹槽的槽口，或者，支撐層填充凹槽。

72、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，封裝子層包括第二封裝子層，第一封裝子層、支撐層和第二封裝子層沿遠離基板的方向依次疊設；

73、第二封裝子層的至少部分疊設于支撐層背離隔離結構的一側(cè)。

74、根據(jù)本技術第一方面的實施方式，第一封裝子部在隔離結構朝向隔離開口的側(cè)壁處的厚度小于第一封裝子部遠離隔離結構側(cè)壁處的厚度。

75、本技術第二方面的實施例還提供了一種顯示面板的制備方法，包括：

76、提供基板，在基板的一側(cè)設置隔離結構，隔離結構圍成多個隔離開口；

77、通過隔離開口在基板的一側(cè)設置發(fā)光器件層的至少部分膜層和第一封裝層，發(fā)光器件層包括多個發(fā)光單元，發(fā)光單元的至少部分設置于隔離開口內(nèi)，第一封裝層位于發(fā)光器件層背離基板的一側(cè)，第一封裝層包括封裝子層和支撐層，封裝子層層疊設置在支撐層靠近基板和/或背離基板的一側(cè)。

78、根據(jù)本技術第二方面的實施方式，多個隔離開口包括第一隔離開口和第二隔離開口；通過隔離開口在基板的一側(cè)設置發(fā)光器件層的至少部分膜層和第一封裝層包括：

79、在基板的一側(cè)依次形成發(fā)光材料層、第一電極材料層和第一封裝材料層，第一封裝材料層包括封裝子材料層和支撐材料層，封裝子材料層位于支撐材料層靠近基板和/或背離基板的一側(cè)；

80、在第一隔離開口的第一封裝材料層遠離基板的一側(cè)形成刻蝕保護部；

81、刻蝕第二隔離開口內(nèi)的第一封裝材料層、第一電極材料層和發(fā)光材料層；

82、去除刻蝕保護部，位于第一隔離開口的第一封裝材料層、第一電極材料層、發(fā)光材料層，分別形成與第一隔離開口對應的發(fā)光單元的第一封裝層的至少部分、第一電極和發(fā)光層。

83、根據(jù)本技術第二方面的實施方式，第一封裝層包括第一封裝子層，位于支撐層靠近基板的一側(cè)，第一封裝子層包括間隔設置的多個第一封裝子部，相鄰兩個第一封裝子部之間設置有第一間隙，在第一封裝子層遠離基板的一側(cè)形成支撐層，支撐層在相鄰第一間隙處連續(xù)設置。

84、根據(jù)本技術第二方面的實施方式，第一封裝層包括第一封裝子層，位于支撐層靠近基板的一側(cè)，

85、在第一封裝子層遠離基板的一側(cè)形成支撐層，支撐層在相鄰第一間隙處連續(xù)設置，

86、根據(jù)本技術第二方面的實施方式，支撐層通過第一間隙與隔離結構電連接。

87、在本技術實施例提供的顯示面板和顯示面板的制備方法中，通過設置封裝子層，從而可以通過封裝子層對發(fā)光器件層進行封裝，有利于提高發(fā)光器件層抗水氧的能力；通過在封裝子層的一側(cè)設置支撐層，支撐層中的壓應力可以與封裝子層的張應力相互作用或相互抵消，以避免封裝層與發(fā)光器件層發(fā)生分離，提高顯示面板的封裝性能和壽命。