技術(shù)特征：

1.一種基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置，其特征在于，所述準直系統(tǒng)包括依次同軸布設的第一可調(diào)光闌（5）、第一透鏡（6）、第二透鏡（8）、第二可調(diào)光闌（9）；所述倍頻晶體（7）位于第一透鏡（6）和第二透鏡（8）之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置，其特征在于，所述倍頻晶體（7）采用倍頻效率大于50%的倍頻晶體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置，其特征在于，第一微透鏡陣列（14）和第一相機（15）以及第二微透鏡陣列（16）和第二相機（17）的中間鏈接部分均采用遮光處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置，其特征在于，還包括真空腔體（18），所述等離子體（11）設置于真空腔體（18）內(nèi)部。

6.一種基于激光波前分析的等離子體電子密度測量方法，其特征在于，基于權(quán)利要求1-5任一所述基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量方法，其特征在于，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量方法，其特征在于，同軸的雙波長激光的基頻光束入射第一透鏡陣列（14）與第一相機（15），二次諧波光束入射第二透鏡陣列（16）與第二相機（17）的具體步驟如下：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量方法，其特征在于，根據(jù)焦點光斑陣列圖像得到兩個波長下的焦點光斑陣列質(zhì)心坐標，得到焦點光斑質(zhì)心位置結(jié)果，具體為：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于激光波前分析的等離子體電子密度測量方法，其特征在于，根據(jù)焦點光斑質(zhì)心位置結(jié)果得到等離子體電子密度的分布，具體為：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于等離子體電子密度測量領域，公開了一種基于激光波前分析的等離子體電子密度測量裝置及方法，本裝置采用倍頻晶體將基頻激光束變換為同軸的基頻光束和二次諧波光束，兩個同軸的激光束在通過等離子體會產(chǎn)生不同的波前變化并通過微透鏡陣列轉(zhuǎn)化為焦點光斑質(zhì)心位移的變化；本裝置不同于其他測量方式需要設置探測光和參考光，也無需有無等離子體前后的對比，只需要參考同軸的兩束不同波長的激光光束經(jīng)過等離子體后焦點光斑質(zhì)心的變化差別即可；采用本測量裝置能夠消除實驗過程中中性粒子的干擾并排除有無等離子體兩發(fā)實驗中激光的差別，可以實現(xiàn)同步的補償，有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中設置的參考光路易受到環(huán)境影響，從而導致測量精度受限的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：吳堅,趙一鳴,王威,姜志遠,王振宇,盧元博
受保護的技術(shù)使用者：西安交通大學
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19