微型晶體諧振器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種微型晶體諧振器，包括基片、外殼、引線、彈簧片、晶片、鍍膜電極和絕緣子，鍍膜電極設(shè)置在晶片上表面，所述鍍膜電極由從上至下依次設(shè)置的上鍍鉻層、鍍銀層和下鍍鉻層組成，所述基片上表面中部設(shè)置有凸臺(tái)，凸臺(tái)上設(shè)置有一絕緣子安置孔，基片邊緣處設(shè)置有與外殼密封連接的凸起。本實(shí)用新型使用方便，基座其上至設(shè)置一個(gè)絕緣子安置孔，將絕緣子、兩引線組裝在一起，使基片尺寸縮小，從而減少其體積，節(jié)約材料；鍍膜電極的上鍍鉻層可增強(qiáng)鍍膜電極和晶片之間的附著力，下鍍鉻層可防止鍍膜電極在后續(xù)加工過程中被空氣氧化，提高了產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。
【專利說明】微型晶體諧振器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種諧振器，特別涉及一種微型晶體諧振器。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子產(chǎn)品【技術(shù)領(lǐng)域】，由于技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品的更新?lián)Q代，對(duì)于晶體諧振器小型化、微型化的要求越加凸顯，而目前電子產(chǎn)品領(lǐng)域內(nèi)普遍使用的晶體諧振器由于基片體積較大，無法實(shí)現(xiàn)其向小型化、微型化方向的轉(zhuǎn)型；且現(xiàn)有的晶體諧振器的性能和質(zhì)量還不能滿足人們的需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的就在于提供一種使用方便，體積較小，節(jié)約材料，有效提高其性能和質(zhì)量的微型晶體諧振器。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是這樣的:本實(shí)用新型的微型晶體諧振器，包括基片、外殼、引線、彈簧片、晶片、鍍膜電極和絕緣子，鍍膜電極設(shè)置在晶片上表面，所述鍍膜電極由從上至下依次設(shè)置的上鍍鉻層、鍍銀層和下鍍鉻層組成，所述基片上表面中部設(shè)置有凸臺(tái)，凸臺(tái)上設(shè)置有一絕緣子安置孔，基片邊緣處設(shè)置有與外殼密封連接的凸起。
[0005]作為優(yōu)選，所述鍍膜電極包括基本電極和與其端部連接的微調(diào)電極。
[0006]作為優(yōu)選，所述絕緣子安置孔為8字形。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型使用方便，在使用時(shí)，將絕緣子、兩引線組裝在一起，經(jīng)高溫爐燒結(jié)成微型晶體諧振器基座，其上至設(shè)置一個(gè)絕緣子安置孔，可使基片尺寸進(jìn)一步縮小，從而減少其體積，節(jié)約材料，鍍膜電極由上鍍鉻層、鍍銀層和下鍍鉻層組成，可增強(qiáng)鍍膜電極和晶片之間的附著力，并防止鍍膜電極在后續(xù)加工過程中被空氣氧化，還能有效避開在標(biāo)稱頻率附近的寄生耦合振動(dòng)模式，極大的提高了產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0010]參見圖1，本實(shí)用新型的微型晶體諧振器，包括基片1、外殼2、引線3、彈簧片4、晶片5、導(dǎo)電膠7、鍍膜電極和絕緣子，鍍膜電極設(shè)置在晶片5上表面，所述鍍膜電極由從上至下依次設(shè)置的上鍍鉻層8、鍍銀層9和下鍍鉻層10組成，所述基片I上表面中部設(shè)置有凸臺(tái)11，凸臺(tái)11上設(shè)置有一絕緣子安置孔6，基片I邊緣處設(shè)置有與外殼2密封連接的凸起12，所述鍍膜電極包括基本電極和與其端部連接的微調(diào)電極，所述絕緣子安置孔6為8字形。[0011]在使用時(shí)，將絕緣子、兩引線3組裝在一起，經(jīng)高溫爐燒結(jié)成微型晶體諧振器基座，其上至設(shè)置一個(gè)絕緣子安置孔6，可使基片I尺寸進(jìn)一步縮小，從而減少其體積，節(jié)約材料，鍍膜電極由上鍍鉻層8、鍍銀層9和下鍍鉻層10組成，可增強(qiáng)鍍膜電極和晶片5之間的附著力，并防止鍍膜電極在后續(xù)加工過程中被空氣氧化，還能有效避開在標(biāo)稱頻率附近的寄生耦合振動(dòng)模式，極大的提高了產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。
【權(quán)利要求】
1.一種微型晶體諧振器，包括基片、外殼、引線、彈簧片、晶片、鍍膜電極和絕緣子，鍍膜電極設(shè)置在晶片上表面，其特征在于:所述鍍膜電極由從上至下依次設(shè)置的上鍍鉻層、鍍銀層和下鍍鉻層組成，所述基片上表面中部設(shè)置有凸臺(tái)，凸臺(tái)上設(shè)置有一絕緣子安置孔，基片邊緣處設(shè)置有與外殼密封連接的凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型晶體諧振器，其特征在于:所述鍍膜電極包括基本電極和與其端部連接的微調(diào)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型晶體諧振器，其特征在于:所述絕緣子安置孔為8字形。
【文檔編號(hào)】H03H9/05GK203445847SQ201320426539
【公開日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月18日
【發(fā)明者】宋剛 申請(qǐng)人:成都精容電子有限公司