用于有機電致發(fā)光器件的材料的制作方法
【專利說明】用于有機電致發(fā)光器件的材料
[0001] 本發(fā)明設及用于電子器件中、特別是用于有機電致發(fā)光器件中的材料，并且設及 包含該些材料的電子器件。
[000引 例如在 US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和 WO 98/27136 中描述了其中使用 有機半導體作為功能材料的有機電致發(fā)光器件（OLED)的結構。在此處使用的發(fā)光材料越 來越多地是顯示磯光而不是巧光的有機金屬絡合物（M. A. Baldo等，Appl.Phys. Lett.(應 用物理快報）1999, 75, 4-6)。
[0003] 根據現有技術，用于磯光化合物的基質材料和使用的電子傳輸材料經常是雜芳族 化合物，例如=嗦衍生物或苯并咪挫衍生物。用于磯光化合物的合適基質材料還有巧挫衍 生物。已知用于該功能的例如為如在W0 2010/015306和W0 2010/072300中所公開的在 2-位處被=嗦基團取代的螺二巧衍生物。同樣已知的為在4, 4' -位處被兩個=嗦基團取代 的螺二巧衍生物。在巧光0L邸和磯光0L邸兩者的情況中，在用于有機電致發(fā)光器件中時， 特別是在效率、壽命和工作電壓方面，就該些化合物而言，仍需要改進。
[0004] 本發(fā)明的目的是提供適合用于巧光或磯光0L邸、特別是磯光0L邸中的化合物，所 述化合物例如在電子傳輸或空穴阻擋層中用作電子傳輸材料或者在發(fā)光層中用作基質材 料。
[0005] 已經令人驚訝地發(fā)現，下面描述的化合物實現了該目的并導致有機電致發(fā)光器件 特別是在壽命、效率和工作電壓方面的顯著改進。該適用于磯光和巧光電致發(fā)光器件，尤其 當本發(fā)明化合物用作電子傳輸材料或基質材料時情況如此。所述材料通常具有高的熱穩(wěn)定 性，并因此能夠在不分解的情況下并且W無殘余物的方式升華。本發(fā)明因此設及該些材料， 并且設及包含該種類型的化合物的電子器件。
[0006] 本發(fā)明因此設及下式（1)或（2)的化合物，
[0007]
【主權項】
1. 式⑴或⑵的化合物，
其中以下適用于使用的符號和標記： Ar :是具有5至40個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，如果L代表單鍵，則所述雜芳族環(huán)系通 過碳原子鍵合至L，且如果L不等于單鍵，則所述雜芳族環(huán)系通過碳原子或氮原子鍵合至L， 且所述雜芳族環(huán)系可以被一個或多個基團R 1取代；或者如果L代表C( = 0)，Ar為具有6 至40個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，且所述芳族環(huán)系可以被一個或多個基團R1取代； L :是單鍵、C( = 0)或具有5至24個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可以被一 個或多個基團R取代； 尺、1?1:在每次出現時相同或不同地選自11，0，？，(：1，81'，1，〇15丨〇?2) 3，具有1至40個〇 原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或者具有3至40個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、 烷氧基或硫代烷基基團，所述直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或者支鏈或環(huán)狀的烷基、烷 氧基或硫代烷基基團中的每個可被一個或多個基團R 2取代，其中在每種情況下一個或多個 不相鄰的CH2基團可以被Si(R2) 2、C = NR2、P( = 0) 〇?2)、50、502、殿2、0、5或0)殿2代替，且 其中一個或多個H原子可以被D、F、Cl、Br或I代替，具有6至40個C原子的芳族或雜芳族 環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系在每種情況下可被一個或多個基團R 2取代，具有5至60個芳 族環(huán)原子的芳氧基基團，所述芳氧基基團可以被一個或多個基團R2取代，或具有5至60個 芳族環(huán)原子的芳烷基基團，所述芳烷基基團在每種情況下可以被一個或多個基團R 2取代， 其中兩個或更多個相鄰的取代基R或R1可任選地形成可以被一個或多個基團R2取代的單 環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系； R2:選自H，D，F，具有1至20個C原子的脂族烴基團或具有5至30個C原子的芳族或 雜芳族環(huán)系，其中一個或多個H原子可以被D或F代替，其中兩個或更多個相鄰的取代基R2 可以相互形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系； s為0、1或2 ; m在每次出現時相同或不同地為0、1、2、3或4 ; η在每次出現時相同或不同地為0、1、2或3。
2. 根據權利要求1所述的化合物，所述化合物選自式（Ia)和式（2a)的化合物，
其中使用的符號具有權利要求1中給出的含義。
3. 根據權利要求1或2所述的化合物，所述化合物選自式（Ib)和（2b)的化合物，
其中使用的符號具有權利要求1中給出的含義。
4. 根據權利要求1-3中的一項或多項所述的化合物，其特征在于L選自單鍵、C( = 0) 或具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可以被一個或多個基團R取代。
5. 根據權利要求1-4中的一項或多項所述的化合物，其特征在于L選自單鍵或者鄰 位-、間位-或對位-連接的亞苯基基團，所述亞苯基基團可以被一個或多個基團R取代，但 優(yōu)選不被取代。
6. 根據權利要求1-5中的一項或多項所述的化合物，其特征在于Ar表示具有5至24 個芳族環(huán)原子、特別是具有5至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述雜芳族環(huán)系在每種情 況下可以被一個或多個基團R 1取代；或者特征在于如果L代表C( = 0)，Ar表示具有6至 24個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，且所述芳族環(huán)系可以被一個或多個基團R1取代。
7. 根據權利要求1-6中的一項或多項所述的化合物，其特征在于Ar選自三嗪、嘧啶、 吡嗪、噠嗪、吡啶、吡唑、咪唑、嗯唑、嗯二唑、噻唑、苯并咪唑、苯并呋喃、苯并噻吩、剛噪、二 苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、茚并咔唑和吲哚并咔唑，其中這些基團可各自被一個或多個 基團R 1取代；或者特征在于如果L代表C ( = 0)，Ar選自苯基，聯苯基，鄰位-、間位-或對 位-三聯苯基，鄰位-、間位-、對位-或支鏈的四聯苯基，1-、2-、3_或4-芴基或者1-、2_、 3-或4-螺二芴基，其中的每個可以被一個或多個基團R 1取代。
8. 根據權利要求1-7中的一項或多項所述的化合物，其特征在于Ar選自式（Ar-I)至 (Ar-24)的結構，
其中的虛線鍵表示與L鍵合的鍵，且R1具有權利要求1中給出的含義。
9.根據權利要求1-8中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R和R1在每次出現時 相同或不同地選自H，D，F，CN，具有1至10個C原子的直鏈烷基或烷氧基基團或者具有3 至10個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團，所述直鏈烷基或烷氧基基團或者支鏈或 環(huán)狀的烷基或烷氧基基團中的每個可被一個或多個基團R2取代，其中一個或多個非相鄰的 CH2基團可以被O代替，且其中一個或多個H原子可以被F代替，或具有6至24個芳族環(huán)原 子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系在每種情況下可以被一個或多個基團R 2取 代。
10. 根據權利要求1-9中的一項或多項所述的化合物，其特征在于以下適用于使用的 符號： L :是單鍵、C( = 0)或具有6至12個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述芳族環(huán)系可以被一 個或多個基團R取代； Ar :是具有5至13個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，所述雜芳族環(huán)系可以被一個或多個基 團R1取代，其中如果L代表單鍵，則Ar通過碳原子鍵合至L，或者如果L不等于單鍵，則Ar 通過碳或氮原子鍵合至L ;或者如果L代表C( = 0)，Ar是具有6至24個芳族環(huán)原子的芳 族環(huán)系，且所述芳族環(huán)系可以被一個或多個基團R1取代； R、RS在每次出現時相同或不同地選自H，D，F，CN，具有1至10個C原子的直鏈烷基或 烷氧基基團或者具有3至10個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團，所述直鏈烷基或 烷氧基基團或者支鏈或環(huán)狀的烷基或烷氧基基團中的每個可以被一個或多個基團R 2取代， 其中一個或多個非相鄰的CH2基團可以被0代替，且其中一個或多個H原子可以被F代替， 具有6至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述芳族或雜芳族環(huán)系在每種情況下可以 被一個或多個基團R 2取代。
11. 一種用于制備根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物的方法，其特征在 于通過在1-或4-官能化的螺二芴和官能化基團-L-Ar之間的金屬催化偶聯反應引入基 團-L-Ar 0
12. 包含至少一種根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物的制劑，特別是包 含至少一種根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物和至少一種溶劑的溶液、分 散液或微乳液，或者包含至少一種根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物和至 少一種熒光或磷光化合物的混合物。
13. 根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物或者根據權利要求12所述的制 劑在電子器件中、特別是在有機電致發(fā)光器件中的用途。
14. 電子器件，包含至少一種根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物或者至 少一種根據權利要求12所述的制劑，其中所述電子器件優(yōu)選地選自有機電致發(fā)光器件、有 機集成電路、有機場效應晶體管、有機薄膜晶體管、有機發(fā)光晶體管、有機太陽能電池、染料 敏化有機太陽能電池、有機光學檢測器、有機光感受器、有機場猝熄器件、發(fā)光電化學電池、 有機激光二極管和有機等離子體發(fā)射器件。
15. 根據權利要求14所述的電子器件，所述電子器件是有機電致發(fā)光器件，其特征在 于根據權利要求1-10中的一項或多項所述的化合物在電子傳輸或空穴阻擋層中用作電子 傳輸材料或者在發(fā)光層中用作熒光或磷光發(fā)光體的基質材料。
【專利摘要】本發(fā)明涉及根據式(1)或式(2)的化合物，所述化合物適合用于電子器件、更特別是有機電致發(fā)光器件中，并且還涉及包含所述化合物的電子器件。
【IPC分類】C07C13-72, H01L51-00, C07D471-16, H01L51-50, H05B33-20
【公開號】CN104541576
【申請?zhí)枴緾N201380042482
【發(fā)明人】埃爾維拉·蒙特內格羅, 埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 安雅·雅提斯奇, 克里斯托夫·普夫盧姆, 喬納斯·瓦倫丁·克羅巴, 托馬斯·埃伯利
【申請人】默克專利有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2013年7月11日
【公告號】EP2883422A1, US20150243897, WO2014023388A1