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      異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的制造方法

      文檔序號(hào):8301259閱讀:696來(lái)源:國(guó)知局
      異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于模擬或模數(shù)混合的集成電路技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種異步逐次逼近型寄存器的高速異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近些年數(shù)字技術(shù)的飛速發(fā)展導(dǎo)致了各種系統(tǒng)對(duì)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速度要求也越來(lái)越高,其中,逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、面積小、功耗利用率高而廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。然而,傳統(tǒng)的異步逐次逼近型寄存器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,在較高的工作頻率下,由于D觸發(fā)器串聯(lián)工作造成的時(shí)間延遲壓縮了模數(shù)轉(zhuǎn)換器的建立時(shí)間,影響模數(shù)轉(zhuǎn)換器的整體性能,傳統(tǒng)的異步逐次逼近型寄存器在更高的頻率下不能滿足工作需求。
      [0003]目前,傳統(tǒng)的異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的環(huán)路原理圖,如圖1所示,2N個(gè)D觸發(fā)器DFFl,其中,所述D觸發(fā)器DFFl的S端為復(fù)位端,當(dāng)其S端的電壓為高電平時(shí),其輸出端Q為低電平;當(dāng)其S端電壓為低電平時(shí),所述D觸發(fā)器DFFl的時(shí)鐘端在接收到上升沿脈沖時(shí),將其輸入端(即D端)的電平傳輸?shù)絈端;其中,N個(gè)所述D觸發(fā)器DFFl的輸出端Q依次對(duì)應(yīng)連接另外N個(gè)所述D觸發(fā)器DFFl時(shí)鐘端。當(dāng)比較器的使能信號(hào)EN_COMP為低電平時(shí),所述比較器COMP處于工作狀態(tài);當(dāng)所述比較器的使能信號(hào)EN_C0MP為高電平時(shí),所述比較器COMP處于復(fù)位狀態(tài),且所述比較器的輸出端的輸出信號(hào)Outp與Outn均為高電平。
      [0004]如圖2所示,為傳統(tǒng)的異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的整體時(shí)序圖,其中,當(dāng)采集信號(hào)Clks為高電平時(shí),兩個(gè)采樣開(kāi)關(guān)K均導(dǎo)通,第一兩個(gè)電容陣列DAC_P與第二兩個(gè)電容陣列DAC_N分別對(duì)輸入信號(hào)Vinp與輸入信號(hào)Vinn進(jìn)行采樣,此時(shí),第一個(gè)至第N個(gè)D觸發(fā)器DFFl的S端為高電平,則其輸出端依次產(chǎn)生的多個(gè)第一輸出信號(hào)Clki (Clkl至ClkN)均為低電平,由于多個(gè)所述第一輸出信號(hào)Clki依次連接第N+1個(gè)至第2N個(gè)D觸發(fā)器DFFl的時(shí)鐘端,且第N+1至第2N個(gè)D觸發(fā)器DFFl的S端均連接所述脈沖信號(hào)Clks,其輸出端依次輸出多個(gè)第二輸出信號(hào)Di (Dl至DN)均為低電平,第二控制信號(hào)ST也為低電平。當(dāng)脈沖信號(hào)Clks由高電平變?yōu)榈碗娖胶螅蓸咏Y(jié)束后,同時(shí),所有所述D觸發(fā)器DFFl退出復(fù)位狀態(tài),此時(shí)或門(mén)OR的四個(gè)輸入端均為低電平,所以EN_C0MP變?yōu)榈碗娖剑霰容^器COMP開(kāi)始第一次比較,同時(shí),經(jīng)過(guò)延遲模塊DLYl的延遲,第二控制信號(hào)ST由低電平變?yōu)楦唠娖?。所述比較器的第一次比較結(jié)束后,第一控制信號(hào)Valid由低電平變?yōu)楦唠娖?,第一輸出信?hào)Clkl由低電平變?yōu)楦唠娖?,其余所述第一輸出信?hào)Clk2至第一輸出信ClkN仍然保持低電平,第一輸出信號(hào)Clkl的上升沿將輸入端D的比較結(jié)果轉(zhuǎn)換成第二輸出信號(hào)D1,其余所述第二輸出信號(hào)D2到DN仍然保持為低電平。為了保證所述第一輸出信號(hào)Clkl的上升沿來(lái)臨時(shí),所述D觸發(fā)器DFFl能正確讀取所述比較器COMP的輸出結(jié)果,需要在所述第一控制信號(hào)Valid和或門(mén)之間加入一個(gè)時(shí)間延遲模塊DLY,使得第N+1至第2N個(gè)所述D觸發(fā)器DFFl將所述比較器的輸出結(jié)果讀取之后,所述比較器COMP再進(jìn)入復(fù)位狀態(tài),此后,所述第一控制信號(hào)Valid由高電平變?yōu)榈碗娖?。由于延遲模塊DLYl的存在,第二控制信號(hào)ST仍然保持高電平,所述比較器COMP將會(huì)保持在復(fù)位狀態(tài)一段時(shí)間,與此同時(shí),第一電容陣列DAC_P和第二電容陣列DAC_N的電壓V+和V-受多個(gè)所處第二輸出信號(hào)Di (Dl到DN)的控制,根據(jù)所述轉(zhuǎn)換結(jié)果Di調(diào)節(jié)所述電容陣列的電壓大小,當(dāng)V+和V-建立完成后,第二控制信號(hào)ST經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的延遲也變?yōu)榈碗娖?,EN_COMP變?yōu)榈碗娖剑霰容^器COMP開(kāi)始第二次比較。以此規(guī)律進(jìn)行N次比較后,多個(gè)所述第二輸出信號(hào)Dl到DN的值逐次都被刷新且只刷新一次,并保持刷新后的值,本次逐次逼近過(guò)程完成,第一輸出信號(hào)ClkN由低電平變?yōu)楦唠娖?,所述比較器再次進(jìn)入復(fù)位狀態(tài),并一直保持在復(fù)位狀態(tài)。直到下一個(gè)采樣周期開(kāi)始,采樣信號(hào)Clks再次由低電平變?yōu)楦唠娖?,同時(shí)將多個(gè)所處第一輸出信號(hào)ClkUClkl到ClkN)復(fù)位為低電平,同時(shí)將多個(gè)所述第二輸出信號(hào)Di (Dl到DN)復(fù)位為低電平。
      [0005]現(xiàn)在來(lái)分析每個(gè)比較周期中的時(shí)間延遲情況,如圖3所示,將傳統(tǒng)異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的工作時(shí)序放大圖;設(shè)D觸發(fā)器DFFl的延時(shí)間為tDFF,設(shè)延遲模塊DLYl的延時(shí)的時(shí)間為tDLYl,所述比較器每一次比較,經(jīng)過(guò)兩個(gè)觸發(fā)器DFFl的延遲時(shí)間為tdl,經(jīng)過(guò)延遲模塊DLYl延遲的時(shí)間為td2,延遲時(shí)間分別表示為如下:
      [0006]tdl = 2tDFF (I)
      [0007]td2 = tDLYl (2)
      [0008]通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器工作原理的描述和對(duì)兩個(gè)延遲時(shí)間的具體量化,至少存在以下三個(gè)缺點(diǎn):
      [0009]第一,由于比較器每一次比較都會(huì)出現(xiàn)一個(gè)tdl的延遲,一個(gè)采樣周期內(nèi)所述比較器N次比較造成的延遲時(shí)間為N tdl,增大了整個(gè)轉(zhuǎn)換時(shí)間的延遲,降低了整個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速度。
      [0010]第二,在某些比較周期中,當(dāng)所述比較器V+和V-的電壓建立較慢時(shí),所述設(shè)延遲模塊DLYl延遲的時(shí)間較大,會(huì)使得第一控制信號(hào)Valid由高電平變?yōu)榈碗娖胶?,第二控制信?hào)ST可能仍然沒(méi)有由低電平變?yōu)楦唠娖?,造成使能信?hào)EN_COMP本應(yīng)該為高電平的時(shí)候,出現(xiàn)一個(gè)時(shí)間長(zhǎng)度的td的低電平毛刺,如圖4所示,所述使能信號(hào)EN_COMP出現(xiàn)低電平毛刺的時(shí)序圖,從而使比較器工作在復(fù)位狀態(tài),降低整個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換速度。
      [0011]第三,由于圖1中第一控制信號(hào)Valid傳輸路徑上延遲模塊DLY的存在,造成提供給所述比較器COMP的復(fù)位時(shí)間縮短了 tr,如圖5所示,為所述比較器COMP復(fù)位時(shí)間被壓縮的時(shí)序圖,在所述比較器COMP的輸出幅度較大時(shí),可能造成所述比較器的復(fù)位不完全,從而造成所述比較器工作在錯(cuò)誤狀態(tài)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0012]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器,用于解決傳統(tǒng)技術(shù)中異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換速度慢的問(wèn)題。
      [0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種異步逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器,包括:
      [0014]模數(shù)轉(zhuǎn)換器,適于根據(jù)采樣信號(hào)導(dǎo)通采樣開(kāi)關(guān),且當(dāng)采樣開(kāi)關(guān)閉合時(shí),獲取兩個(gè)輸入信號(hào);
      [0015]比較器,適于比較兩個(gè)所述輸入信號(hào)的電壓值,生成相應(yīng)的比較結(jié)果,并將所述比較結(jié)果轉(zhuǎn)化成第一控制信號(hào),其中,所述比較器每比較一次,所述第一控制信號(hào)為上升沿脈沖信號(hào);
      [0016]順序脈沖發(fā)生器,適于根據(jù)所述采樣信號(hào)和所述第一控制信號(hào)產(chǎn)生多個(gè)第一輸出信號(hào),還適于當(dāng)接收到為上升沿脈沖的第一控制信號(hào)時(shí),控制多個(gè)所述第一輸出信號(hào)的電平從高位到低位依次由低電平變?yōu)楦唠娖剑?br>[0017]異步逐次逼近型寄存器,適于當(dāng)所述第一控制信號(hào)為上升沿脈沖信號(hào)時(shí),根據(jù)所述比較結(jié)果與所述第一輸出信號(hào)共同觸發(fā),產(chǎn)生多個(gè)第二輸出信號(hào),并根據(jù)所述第一輸出信號(hào)中的上升沿脈沖依次鎖存被觸發(fā)的第二輸出信號(hào),將所述第二輸出信號(hào)輸出到所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器,根據(jù)所述第二輸出信號(hào)調(diào)節(jié)所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的兩個(gè)所述輸入信號(hào)電壓大??;
      [0018]邏輯開(kāi)關(guān)控制器,包括延遲模塊,所述延遲模塊適用于產(chǎn)生下降沿延遲的第二控制信號(hào),所述邏輯開(kāi)關(guān)控制器還適于將所述第一控制信號(hào)、最低位的第一輸出信號(hào)、所述第二控制信號(hào)與所述采樣信號(hào)進(jìn)行或運(yùn)算后產(chǎn)生使能信號(hào),根據(jù)所述使能信號(hào)控制所述比較器是否處于工作狀態(tài)。
      [0019]優(yōu)選地,所述延遲模塊為下降沿延遲模塊,所述下降沿延遲模塊的輸入端連接所述第一控制信號(hào),所述下降沿延遲模塊的使能端連接所述第一輸出信號(hào),所述下降沿延遲模塊輸出第二控制信號(hào)。
      [0020]優(yōu)選地,所述下降沿延遲模塊包括一個(gè)反相器,N溝道MOS管N0、N1、N2、N3、N4、N5和N6,P溝道MOS管PO、P1、P2、P3、P4、P5和P6,下降沿延遲模塊的輸入端以及輸出端;所述反相器的輸入端連接所述第一輸出信號(hào),所述反相器的輸出端連接所述P溝道MOS管PO的柵極,其源極連接電源VDD,所述P溝道MOS管PO的漏極連接所述P溝道MOS管Pl的源極;所述下降沿延遲模塊的輸入端分別連接所述P溝道MOS管Pl至P5的柵極和所述N溝道MOS管N6的柵極,所述P溝道MOS管P2的源極接電源VDD,所述P溝道MOS管P2至P5的漏極與源極之間依次串聯(lián),所述P溝道MOS管P5的源極分別連接所述P溝道MOS管Pl的漏極和所述N溝道MOS管N6的漏極,且所述N溝道MOS管N6的源極接地;所述P溝道MOS管P6的源極連接電源VDD,所述N溝道MOS管N6的漏極分別連接所述P溝道MOS管P6的柵極與所述N溝道MOS管NI至N5的柵極,所述P溝道MOS管P6的漏極連接所述N溝道MOS管N5的源極,所述N溝道MOS管N2至N5的漏極與源極之間串聯(lián),且所述N溝道MOS管N2的源極接地;所述下降沿延遲模塊的輸出端分別連接所述N溝道MOS管NI的漏極與所述N溝道MOS管N5的漏極,所述N溝道MOS管NI的源極連接所述N溝道MO
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