多層基板的制造方法、多層絕緣膜及多層基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種在多層基板中形成絕緣層的多層基板的制造方法。本發(fā)明涉及一 種例如可以優(yōu)選用于在多層基板中形成絕緣層的多層絕緣膜。另外，本發(fā)明涉及一種使用 了上述多層絕緣膜的多層基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，在疊層板及印刷布線板等電子部件中，可使用各種樹脂組合物來形成絕緣 層。例如，在多層印刷布線板中，為了形成用于使內(nèi)部的層間絕緣的絕緣層或形成位于表層 部分的絕緣層，可使用樹脂組合物。在上述絕緣層的表面形成有通常為金屬層的電路圖案。
[0003] 另外，就半導(dǎo)體封裝的制造中的電路形成而言，形成如何高精度地形成電路（鍍 Cu等）圖案很重要。作為形成電路圖案的一個方法，有在絕緣層上形成圖案狀的槽，在該槽 內(nèi)填充金屬而在槽內(nèi)形成電路圖案的方法。該方法被稱為溝槽技術(shù)（卜 >>千工法）。通 過溝槽技術(shù)形成槽的方法例如公開在下述的專利文獻(xiàn)1中。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2005-51053號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的問題
[0008] 在上述溝槽技術(shù)中，可以某一程度地控制溝槽（trench)的深度并形成圖案狀的 溝槽。但是，在以激光直接成像等形成槽的情況下，難以高精度地控制槽的深度。
[0009] 另外，已知有半添加技術(shù)（SAP)等所代表的圖案形成方法。就SAP而言，電路（鍍 Cu等）圖案凸?fàn)畹匦纬捎诮^緣層的表面上。接著，在絕緣層上及電路圖案上疊層其它的絕 緣層。此時，在對其它的絕緣層進(jìn)行疊層時，存在容易在電路圖案間形成空隙（void)這樣 的問題。進(jìn)而，在疊層其它的絕緣層后，存在其它的絕緣層的表面的平滑性降低這樣的問 題。另外，重復(fù)該電路圖案的形成和絕緣層的疊層，若增多疊層數(shù)，則上層的絕緣層的表面 的平滑性容易更進(jìn)一步降低。
[0010] 在通過上述溝槽技術(shù)形成電路圖案的情況下，不會產(chǎn)生通過SAP形成電路圖案時 的上述的問題。因此，利用溝槽技術(shù)進(jìn)行電路圖案的形成具有很多優(yōu)點。
[0011] 但是，如上所述，就溝槽技術(shù)而言，難以高精度地控制絕緣層上形成的槽的深度。 因此，也難以高精度地控制槽內(nèi)形成的電路圖案的形狀。
[0012] 本發(fā)明的目的在于，提供一種可高精度地形成指定深度的槽的多層基板的制造方 法。另外，本發(fā)明的目的在于，提供一種可高精度地形成指定深度的槽的多層絕緣膜、以及 使用了該多層絕緣膜的多層基板。
[0013] 用于解決問題的技術(shù)方案
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的較寬的方面，提供一種多層基板的制造方法，其使用多層絕緣膜，該 多層絕緣膜具有第1絕緣層和疊層于所述第1絕緣層的一個表面上的第2絕緣層，所述第 2絕緣層如下構(gòu)成：在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠?qū)⑺龅?絕緣層和所述第2 絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性地除去，從而在得到的絕緣層上形成深度為所述第2 絕緣層厚度的槽，
[0015] 所述制造方法包括如下工序：
[0016] 在電路基板的表面上疊層所述多層絕緣膜；
[0017] 將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層的局部選擇性地除 去，在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽；
[0018] 在形成于所述絕緣層的所述槽內(nèi)形成金屬布線。
[0019] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面，在將所述第2絕緣層的局部除 去時，對所述第2絕緣層進(jìn)行切削或溶解。
[0020] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面，在將所述第2絕緣層的局部除 去時，使所述第1絕緣層比所述第2絕緣層更硬。
[0021] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面中，所述多層絕緣膜是如下的多 層絕緣膜：在從所述第2絕緣層側(cè)進(jìn)行激光直接圖案化時，能夠?qū)⑺龅?絕緣層和所述第 2絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性地除去，
[0022] 通過從所述第2絕緣層側(cè)對所述多層絕緣膜進(jìn)行激光直接圖案化，將所述第1絕 緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層的局部選擇性地除去，在得到的絕緣層上形 成深度為所述第2絕緣層厚度的槽。
[0023] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面中，在將所述第2絕緣層的局部 除去時，使所述第1絕緣層中樹脂成分的交聯(lián)度高于所述第2絕緣層中樹脂成分的交聯(lián)度， 或者，
[0024] 使所述第1絕緣層中無機填充材的含量多于所述第2絕緣層中無機填充材的含 量。
[0025] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面中，使用多層絕緣膜，其中的所 述第2絕緣層如下構(gòu)成：在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠使所述第1絕緣層和所述 第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層溶解從而選擇性地除去，在得到的絕緣層上形成深度為 所述第2絕緣層厚度的槽，
[0026] 在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽的工序，將所述第1絕緣 層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性地溶解，而將所述第2絕緣層的局部除 去，
[0027] 能夠在多層絕緣膜的狀態(tài)下僅使所述第1絕緣層和所述第2絕緣層之一固化，或 者在曝光后的顯影中所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層能夠局部地 溶解于顯影液中，或者能夠通過照射激光將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述 第2絕緣層溶解而除去。
[0028] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定的方面，所述多層絕緣膜能夠在多層 絕緣膜的狀態(tài)下僅使所述第1絕緣層和所述第2絕緣層之一固化。
[0029] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面，在曝光后的顯影中，所述第1 絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層能夠局部地溶解于顯影液中。
[0030] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法的某一特定方面中，在將所述第2絕緣層的局部 除去時，能夠通過照射激光將所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層溶 解而除去。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的較寬的方面，提供一種多層絕緣膜，其用于形成具有槽的絕緣層，所 述多層絕緣膜具有第1絕緣層和疊層于所述第1絕緣層的一個表面上的第2絕緣層，
[0032] 所述第2絕緣層如下構(gòu)成：在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠?qū)⑺龅?絕 緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層選擇性除去，從而在得到的絕緣層上形成深 度為所述第2絕緣層厚度的槽。
[0033] 在本發(fā)明的多層絕緣膜的某一特定方面中，在將所述第2絕緣層的局部除去時， 可以對所述第2絕緣層進(jìn)行切削或溶解。
[0034] 在本發(fā)明的多層絕緣膜的某一特定方面中，所述第1絕緣層比所述第2絕緣層硬。
[0035] 在本發(fā)明的多層絕緣膜的某一特定方面中，所述第1絕緣層中樹脂成分的交聯(lián)度 高于所述第2絕緣層中樹脂成分的交聯(lián)度，或者所述第1絕緣層中無機填充材料的含量多 于所述第2絕緣層中無機填充材料的含量。
[0036] 在本發(fā)明的多層絕緣膜可優(yōu)選用于在多層基板中的電路基板上形成絕緣層。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的較寬方面，提供一種多層基板，其包括：
[0038] 電路基板、
[0039] 配置于所述電路基板上且具有槽的絕緣層、
[0040] 形成于所述槽內(nèi)的金屬布線，
[0041] 所述絕緣層使用上述的多層絕緣膜形成。
[0042] 發(fā)明的效果
[0043] 在本發(fā)明的多層基板的制造方法中，使用多層絕緣膜，該多層絕緣膜具有第1絕 緣層和疊層于所述第1絕緣層的一個表面上的第2絕緣層，所述第2絕緣層如下構(gòu)成：在將 所述第2絕緣層的局部除去時，能夠?qū)⑺龅?絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2 絕緣層選擇性地除去，從而在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽。所述 制造方法包括如下工序：在電路基板的表面上疊層所述多層絕緣膜；將所述第1絕緣層和 所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層的局部選擇性地除去，在得到的絕緣層上形成深度 為所述第2絕緣層厚度的槽；在形成于所述絕緣層的所述槽內(nèi)形成金屬布線，因此，可以得 到多層基板，其高精度地在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽，且高精 度地在該槽內(nèi)形成槽形狀的金屬布線。
[0044] 就本發(fā)明的多層絕緣膜而言，疊層于所述第1絕緣層的一個表面上的第2絕緣層 具有如下構(gòu)成，因此，可在所得到的絕緣層上高精度地形成深度為所述第2絕緣層厚度的 槽：在將所述第2絕緣層的局部除去時，能夠?qū)⑺龅?絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所 述第2絕緣層選擇性除去，從而在得到的絕緣層上形成深度為所述第2絕緣層厚度的槽。
【附圖說明】
[0045] 圖1是示意地示出本發(fā)明的一個實施方式的多層絕緣膜的剖面圖；
[0046] 圖2是示意地示出本發(fā)明的一個實施方式的使用了多層絕緣膜的多層基板的剖 面圖；
[0047] 圖3(a)~（d)是用于說明本發(fā)明的一個實施方式的使用了多層絕緣膜的多層基 板的制造方法中各工序的示意性的剖面圖；
[0048] 圖4是用于說明多層基板的制造方法的變形例的示意性的剖面圖；
[0049] 圖5是用于說明多層基板的制造方法的變形例的示意性的剖面圖。
[0050] 標(biāo)記說明
[0051] 1…多層絕緣膜
[0052] la…貫穿孔
[0053] 2…第1絕緣層
[0054] 3…第2絕緣層
[0055] 3A…進(jìn)行了固化的第2絕緣層部分
[0056] 3B…未固化的第2絕緣層部分
[0057] 11…多層基板
[0058] 12…電路基板
[0059] 12A…金屬布線
[0060] 13、14…絕緣層
[0061] 13A、14A …槽
[0062] 13a、14a...貫穿孔
[0063] 15、16…金屬布線
[0064] 15A金屬層
【具體實施方式】
[0065] 下面，對本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明。
[0066] (多層絕緣膜）
[0067] 本發(fā)明的多層絕緣膜可用于形成具有槽的絕緣層。本發(fā)明的多層絕緣膜可優(yōu)選用 于在多層基板中形成絕緣層。
[0068] 在圖1中以剖面圖示意性地示出本發(fā)明的一實施方式的多層絕緣膜。
[0069] 圖1所示的多層絕緣膜1具有第1絕緣層2和疊層在第1絕緣層2的一個表面的 第2絕緣層3。第2絕緣層3如下構(gòu)成：在將第2絕緣層3的局部除去時，能夠?qū)⒌?絕緣 層2和第2絕緣層3中的僅第2絕緣層3選擇性地除去，從而在得到的絕緣層上形成深度 為第2絕緣層3厚度的槽。
[0070] 下述構(gòu)成方法沒有特備限定：在將第2絕緣層3的局部除去時，能夠?qū)⒌?絕緣層 2和第2絕緣層3中的僅第2絕緣層3選擇性地除去，從而在得到的絕緣層上形成深度為 第2絕緣層3厚度的槽。作為該方法，可以舉出：使上述第1絕緣層比上述第2絕緣層更硬 的方法、使用能夠在多層絕緣膜的狀態(tài)下使上述第1絕緣層和上述第2絕緣層中的僅上述 第1絕緣層固化的多層絕緣膜的方法、使用可在曝光后的顯影中使上述第1絕緣層和上述 第2絕緣層中的僅上述第2絕緣層部分地溶解于顯影液中的多層絕緣膜的方法、以及能夠 通過激光的照射溶解上述第1絕緣層和上述第2絕緣層中的僅上述第2絕緣層并除去的方 法等。
[0071] 如上所述，在溝槽技術(shù)中，難以高精度地控制絕緣層上形成的槽的深度。因此，也 難以高精度地控制槽內(nèi)所形成的電路圖案的形狀。這是指無法高精度地保持多層電路間的 絕緣距離。即，在槽的深度存在離差的情況下，相對于指定的所需要的絕緣距離，深度挖掘 的槽中形成的電路相對于下層電路絕緣距離變短，較淺的槽中形成的電路相對于下層電路 的絕緣距離變長。因此，槽的深度的離差對絕緣可靠性造成較大的影響。
[0072] 在今后預(yù)想的封裝基板的薄型化進(jìn)行的情況中，越發(fā)要求將該絕緣距離控制為所 設(shè)計的固定值。
[0073] 在本發(fā)明中，可以得到在絕緣層上高精度地形成深度為上述第2絕緣層厚度的 槽、且在該槽內(nèi)高精度地形成槽形狀的金屬布線的多層基板。
[0074] 根據(jù)上述的效果，可保持多層基板中層間絕緣距離固定。即，在所得到的絕緣層 中，通過槽的底部與第1絕緣層和第2絕緣層的界面對奇，可保持該槽內(nèi)形成的圖案與處于 下面一層的圖案之間的絕緣距離保持固定。因此，可通過提供對第1絕緣層和第2絕緣層 的各自的厚度進(jìn)行調(diào)整而成的多層絕緣膜而高精度地實現(xiàn)所期望的絕緣距離。
[0075] 從在得到的絕緣層更進(jìn)一步高精度地形成指定深度的槽的觀點考慮，在將上述絕 緣膜的所述第2絕緣層的局部除去時，優(yōu)選能夠?qū)λ龅?絕緣層進(jìn)行切削或溶解。在將 所述第2絕緣層的局部除去時，優(yōu)選對所述第2絕緣層進(jìn)行切削或溶解。在將所述第2絕 緣層的局部除去時，優(yōu)選能夠?qū)λ龅?絕緣層進(jìn)行切削，也優(yōu)選將其溶解。
[0076] 能夠在多層絕緣膜的狀態(tài)下僅使所述第1絕緣層和所述第2絕緣層之一固化，或 者能能夠在曝光后的顯影中所述第1絕緣層和所述第2絕緣層中的僅所述第2絕緣層能夠 局部地溶解于顯影液中，或者