當(dāng)單體的此共混物或混合物被等離子體聚合時(shí)，作為式（I)的化合物的單體將與 作為氟代烴的單體和/或其他的作為式（I)的化合物的單體二者反應(yīng)。類(lèi)似地，作為氟代 烴的單體將與作為式（I)的化合物的單體和/或與其他的作為氟代烴的單體二者反應(yīng)。
[0049] 式⑴的化合物與氟代烴的摩爾比是從5:95至50:50,通常從10:90至40:60,優(yōu) 選地從20:80至40:60,更優(yōu)選地從25:75至35:65。式（I)的化合物與氟代烴的特別優(yōu)選 的摩爾比是30:70。
[0050] 式（I)的化合物與氟代烴的摩爾比可以通過(guò)例如修改單體化合物進(jìn)入等離子體 室中的流量來(lái)容易地調(diào)整。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地調(diào)整等離子體聚合過(guò)程，以便實(shí)現(xiàn) 式（I)的化合物與氟代烴的期望的比率。
[0051] 本發(fā)明涉及通過(guò)沉積第一聚合物并且然后沉積第二聚合物來(lái)形成共形涂層，所述 第一聚合物通過(guò)式（I)的化合物和氟代烴的混合物或共混物的等離子體聚合形成，所述第 二聚合物通過(guò)式（I)的化合物的等離子體聚合形成。因此，所得共形涂層將包含兩個(gè)層，優(yōu) 選地，所述兩個(gè)層是離散的。第一層與電組件的表面接觸，并且包含通過(guò)式（I)的化合物和 氟代烴的等離子體聚合形成的聚合物。此共混層是有利的，因?yàn)樗己玫卣掣街粱?。?二層與第一層接觸，并且包含通過(guò)式（I)的化合物的等離子體聚合形成的聚合物。共混的 第一層也良好地粘附至第二層，這是有利的。
[0052] 本發(fā)明的沉積過(guò)程可以按需要經(jīng)常地重復(fù)，以構(gòu)建包含多個(gè)層的共形涂層，優(yōu)選 地，所述多個(gè)層是離散的。
[0053] 在存在通過(guò)式（I)的化合物和氟代烴的等離子體聚合形成的聚合物的兩個(gè)或更 多個(gè)層的情況下，所使用的每種式（I)的化合物和每種氟代烴可以是相同的或不同的，并 且優(yōu)選地是相同的。
[0054] 在存在通過(guò)式（I)的化合物的等離子體聚合形成的聚合物的兩個(gè)或更多個(gè)層的 情況下，所使用的每種式（I)的化合物可以是相同的或不同的，并且優(yōu)選地是相同的。
[0055] 在存在通過(guò)氟代烴的等離子體聚合形成的聚合物的兩個(gè)或更多個(gè)層的情況下，所 使用的每種氟代烴可以是相同的或不同的，并且優(yōu)選地是相同的。
[0056] 通常優(yōu)選的是，最后沉積的聚合物即形成共形涂層的上表面或環(huán)境地暴露的表面 的聚合物通過(guò)氟代烴的等離子體聚合是可獲得的。
[0057] 本發(fā)明的特別優(yōu)選的共形涂層包含四個(gè)層。此共形涂層通過(guò)以下是可獲得的：(a) 使式（I)的化合物和氟代烴進(jìn)行等離子體聚合，其中式（I)的化合物與氟代烴的摩爾比是 從5:95至50:50,并且將所得聚合物沉積至電組件的至少一個(gè)表面上，然后（b)使式（I)的 化合物進(jìn)行等離子體聚合，并且將所得聚合物沉積至在步驟（a)中形成的聚合物上，然后 (c) 使式⑴的化合物和氟代烴進(jìn)行等離子體聚合，其中式⑴的化合物與氟代烴的摩爾比 是從5:95至50:50,并且將所得聚合物沉積至在步驟（b)中形成的聚合物上，以及然后（d) 使式（I)的化合物進(jìn)行等離子體聚合，并且將所得聚合物沉積至在步驟（c)中形成的聚合 物上。任選地，可以通過(guò)使氟代烴進(jìn)行等離子體聚合并且將所得聚合物沉積至在步驟（d) 中形成的聚合物上來(lái)添加第五且最終層。式（I)的化合物和氟代烴優(yōu)選地如下文所定義， 并且更優(yōu)選地是1，4-二甲苯和六氟丙烯（C 3F6)。
[0058] 本發(fā)明的另外特別優(yōu)選的共形涂層包含六個(gè)層。此共形涂層通過(guò)以下是可獲得 的：(a)使式（I)的化合物和氟代烴進(jìn)行等離子體聚合，其中式（I)的化合物與氟代烴的摩 爾比是從5:95至50:50,并且將所得聚合物沉積至電組件的至少一個(gè)表面上，然后（b)使式 (I)的化合物進(jìn)行等離子體聚合并且將所得聚合物沉積至在步驟（a)中形成的聚合物上， 然后（c)使式（I)的化合物和氟代烴進(jìn)行等離子體聚合，其中式（I)的化合物與氟代烴的 摩爾比是從5:95至50:50,并且將所得聚合物沉積至在步驟（b)中形成的聚合物上，然后 (d) 使式（I)的化合物進(jìn)行等離子體聚合并且將所得聚合物沉積至在步驟（c)中形成的聚 合物上，然后（e)使式（I)的化合物和氟代烴進(jìn)行等離子體聚合，其中式（I)的化合物與氟 代烴的摩爾比是從5:95至50:50,并且將所得聚合物沉積至在步驟（d)中形成的聚合物上， 以及然后（f)使式（I)的化合物進(jìn)行等離子體聚合并且將所得聚合物沉積至在步驟（e)中 形成的聚合物上。任選地，可以通過(guò)使氟代烴進(jìn)行等離子體聚合并且將所得聚合物沉積至 在步驟（f)中形成的聚合物上來(lái)添加第七且最終層。式（I)的化合物和氟代烴優(yōu)選地如下 文所定義，并且更優(yōu)選地是1，4-二甲苯和六氟丙烯（C 3F6)。
[0059] 本發(fā)明的共形涂層的厚度將取決于被沉積的每種聚合物的層的數(shù)目。
[0060] 通過(guò)式（I)的化合物和氟代烴的等離子體聚合可獲得的層通常具有IOnm至 100nm、優(yōu)選地20nm至50nm、例如約30nm的平均厚度。
[0061] 通過(guò)式（I)的化合物的等離子體聚合可獲得的層通常具有250nm至400nm、優(yōu)選地 300nm至350nm、例如約325nm或約330nm的平均厚度。
[0062] 通過(guò)氟代經(jīng)的等離子體聚合可獲得的層通常具有IOnm至lOOnm、優(yōu)選地20nm至 60nm、例如約40nm的平均厚度。
[0063] 每層的厚度可以由技術(shù)人員容易地控制。等離子體聚合以均勻的速率沉積聚合 物，并且因此，沉積的聚合物的層的厚度與沉積時(shí)間成比例。相應(yīng)地，在沉積速率已經(jīng)被確 定后，具有特定厚度的層可以通過(guò)控制沉積的持續(xù)時(shí)間來(lái)沉積。
[0064] 共形涂層的厚度可以是大體上均勻的或可以從點(diǎn)到點(diǎn)變化。
[0065] 式（I)的前體化合物具有以下結(jié)構(gòu)：
[0066]
[0067] 其中R1代表C「C3烷基或C 2_C3烯基；R 2代表氫、C「C3烷基或C 2_C3烯基；R 3代表 氫、C1-C3烷基或C 2-C3烯基；R 4代表氫、C ^C3烷基或C 2-C3烯基；R 5代表氫、C ^C3烷基或C 2-C3 烯基；并且R6代表氫、C i-C3烷基或C 2-C3烯基。
[0068] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)C1-C3烷基包括具有1個(gè)至3個(gè)、優(yōu)選地1個(gè)至2個(gè)碳原子的 直鏈或支鏈的烴基。實(shí)例包括甲基、乙基、正丙基和異丙基。
[0069] 如本文所使用，術(shù)語(yǔ)C2-C3烯基包括具有2個(gè)或3個(gè)碳原子和碳碳雙鍵的直鏈或支 鏈的烴基。優(yōu)選的實(shí)例是乙烯基。
[0070] 通常，R1代表甲基或乙烯基。通常，R2代表氫、甲基或乙烯基。通常，R 3代表氫、甲 基或乙烯基。通常，R4代表氫、甲基或乙烯基。通常，R5代表氫、甲基或乙烯基，優(yōu)選地氫。 通常，R 6代表氫、甲基或乙烯基，優(yōu)選地氫。
[0071 ] 優(yōu)選地，R5和R 6代表氫。
[0072] 更優(yōu)選地，R1代表甲基或乙烯基，R 2代表氫、甲基或乙烯基，R 3代表氫、甲基或乙烯 基，R4代表氫、甲基或乙烯基，R 5代表氫并且R 6代表氫。
[0073] 通常優(yōu)選的是，私至R4中的兩個(gè)代表氫。
[0074] 優(yōu)選的式⑴的化合物是1，4-二甲苯、1，3-二甲苯、1，2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯 乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1，2_二乙烯基 苯。1，4-二甲苯是特別優(yōu)選的。
[0075] 氟代烴是包含氟原子的烴材料。優(yōu)選的氟代烴是全氟烷烴、全氟烯烴、全氟炔烴、 氟代烷烴、氟代烯烴和氟代炔烴，其中所述化合物優(yōu)選地包含多達(dá)10個(gè)碳原子、更優(yōu)選地 多達(dá)五個(gè)碳原子。優(yōu)選的實(shí)例包括CF 4、C2F4、C2F6、C 3F6、C3F8和C 4FS。最優(yōu)選的氟代烴是六 氟丙烯（C3F6)。
[0076] 特別優(yōu)選的是，式（I)的化合物或每種式（I)的化合物是1，4-二甲苯、1，3-二甲 苯、1，2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1，4-二乙烯基苯、 1，3-二乙烯基苯或1，2-二乙烯基苯，并且氟代烴或每種氟代烴是CF 4、C2F4、C2F6、C 3F6、C3F8 或C4F8。特別優(yōu)選的組合是1，4-二甲苯和六氟丙烯（C3F 6)。
[0077] 電組件通常包括包含絕緣材料的基底、存在于基底的至少一個(gè)表面上的一個(gè)或更 多