1、第二激勵電極82、及引出電極83、84為導(dǎo)通狀態(tài)，對于金屬膜93為非導(dǎo)通狀態(tài)。
[0128]具有上述結(jié)構(gòu)的石英晶體諧振片2，采用由具有結(jié)晶取向的各向異性材料的石英晶體Z板構(gòu)成的石英晶圓(省略圖示)，利用光刻技術(shù)(光刻法)，將保護涂層作為掩膜，例如通過濕法刻蝕來實現(xiàn)石英晶體諧振片2的基板4的外形成形。
[0129]基板4的平板成形之后，利用光刻法，將保護涂層作為掩膜，例如通過濕法刻蝕，電鍍形成第一激勵電極81、第二激勵電極82、引出電極83、84、金屬膜93、及前端金屬膜96 (金屬膜形成工序)。
[0130]金屬膜形成工序中，在兩根腳部51、52的前端部9的至少一個主面(另一主面42)上，形成周圍(周邊部94)為基板4平板的島狀金屬膜93，以使金屬膜93對于第一激勵電極81、第二激勵電極82、引出電極83、引出電極84、及前端金屬膜96成為非導(dǎo)通狀態(tài)。
[0131]在金屬膜形成工序之后，電鍍形成與外部電連接用的導(dǎo)電性凸塊61。
[0132]然后，根據(jù)需要，利用干法刻蝕將前端金屬膜除去，進行振蕩頻率的微調(diào)節(jié)，從而完成石英晶體諧振片2的頻率調(diào)節(jié)。
[0133]通過上述制造工序制造出的、具有上述結(jié)構(gòu)的石英晶體諧振片2的平板(基板4)被成形為圖3、4所示的形狀。從圖3、4可知，本實施方式所涉及的石英晶體諧振片2中，石英晶體諧振片2的腳部51、52的根部6側(cè)的平板形狀為左右對稱的平衡良好的形狀。
[0134]基于本實施方式所涉及的石英晶體諧振片2及石英晶體諧振器I，對于設(shè)置有形成了溝槽53的腳部51、52的石英晶體諧振片2，即便是相對于腳部51、52的寬度，溝槽53的寬度較大，也能實現(xiàn)穩(wěn)定的振蕩。具體而言，由于第一坎部561由寬壁部563和窄壁部564構(gòu)成，所以，能夠使第一坎部561的寬度實質(zhì)上較厚，其結(jié)果，能夠抑制其它振蕩模的發(fā)生(亂真的發(fā)生)，實現(xiàn)穩(wěn)定的振蕩。另外，基于以往的音叉型石英晶體諧振片，雖然可以通過擴寬溝槽的寬度來實現(xiàn)Cl值的降低，但另一方面，如果使腳部側(cè)面的形狀平坦，則會使坎部的寬度整體上變窄，其結(jié)果，會導(dǎo)致剛性降低。因此，以往的音叉型石英晶體諧振片中，將溝槽的寬度擴寬而實現(xiàn)Cl值的降低的方式，會使振蕩所需的坎部寬度難于得到確保。對此，基于本實施方式所涉及的石英晶體諧振片2及石英晶體諧振器1，通過擴寬溝槽53的寬度能實現(xiàn)Cl值的降低，并能確保振蕩所需的坎部56的寬度。
[0135]另外，基于本實施方式所涉及的石英晶體諧振片2及石英晶體諧振器1，由于第一坎部561由寬壁部563和窄壁部564構(gòu)成，所以通過寬壁部563，既能實現(xiàn)石英晶體諧振片2的小型化，又能使剛性強化，其結(jié)果，能夠獲得穩(wěn)定的振蕩，抑制振蕩頻率的增加。另外，通過窄壁部564，既能實現(xiàn)石英晶體諧振片2的小型化，又能使Cl值降低。這樣，通過采用寬壁部563和窄壁部564的結(jié)構(gòu)，能夠提供在利用寬壁部563維持剛性的同時，相對于腳部51、52的寬度擴大了溝槽53的寬度，并在抑制振蕩頻率的增加的同時降低了 Cl值的小型石英晶體諧振片2。
[0136]另外，雖然溝槽53被形成為相對于腳部51、52的寬度方向的中心偏位，但溝槽53的最低點533至腳部51、52的兩側(cè)面43為止的長度相同，借助于寬壁部563，在寬度方向的截面形狀中，溝槽53左右的重量平衡良好。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)振蕩的穩(wěn)定化。
[0137]另外，寬壁部563的截面形狀為梯形，溝槽53的最低點533所處位置的寬度方向上有寬壁部563，因而，能夠使形成在溝槽53的激勵電極82與配置在兩側(cè)面43的激勵電極81隔著第一坎部561相互背對，其結(jié)果，能夠提高振蕩效率并使Cl值降低。
[0138]另外，由于寬壁部563的梯形頂面被配置為與溝槽53的側(cè)面相互背對，所以能夠利用作為一對的第一激勵電極81、第二激勵電極82來形成平行電極，獲得最理想的電流效率。特別是，通過將寬壁部563構(gòu)成為梯形形狀，能夠使第一坎部561的一部分區(qū)域相對于彎曲方向有一定的厚度，從而有望抑制其它振蕩模(縱向振蕩模等)的發(fā)生并降低Cl值。
[0139]另外，在比前端部9的金屬膜93更靠前端側(cè)，形成有調(diào)節(jié)振蕩頻率用的前端金屬膜96，由于前端金屬膜96與金屬膜93之間為非導(dǎo)通狀態(tài)，所以，因凹部95形成而調(diào)節(jié)頻率之后，還可以用其它方式進行振蕩頻率的微調(diào)節(jié)。另外，由于在比前端部9的金屬膜93更靠前端側(cè)形成有前端金屬膜96，所以能夠?qū)ξ锢砩系臎_撞(例如，裝載有石英晶體諧振片2的基座3與石英晶體諧振片2相碰等)起到保護作用。
[0140]另外，本實施方式中，在各腳部51、52的兩主面41、42上分別形成有溝槽53，但不局限于此，也可以只在各腳部51、52的兩主面41、42中的任意一個主面上形成溝槽53。即使在這種情況下，也能夠獲得本實施方式的效果，但較佳為，在兩主面41、42上形成溝槽53。
[0141]另外，本實施方式中，在兩根腳部51、52的前端部9的另一主面42上形成有金屬膜93，但不局限于此，也可以在腳部51、52的前端部9的兩主面41、42上形成金屬膜93。
[0142]另外，有關(guān)坎部56的寬度，不局限于圖3所示的本實施方式，例如，也可以如圖6所示那樣，將坎部56的前端部565的寬度設(shè)定得比圖3所示的形態(tài)更窄。另外，圖6所示的坎部56中，第一坎部561及第二坎部562的前端部565的寬度較窄，但不局限于此，也可以是至少使有寬壁部563和窄壁部564的第一坎部561的前端部565的寬度較窄。
[0143]另外，本實施方式中，如圖3所示那樣，相當(dāng)于第一坎部561的寬壁部563(除去斜坡形狀的部位)的側(cè)面43為平坦面，但也可以為圖6所示那樣的向外側(cè)凸出的形狀。
[0144]本發(fā)明可以不超越其構(gòu)思及主要特征，而以其它各種形式實施。因此，上述實施方式只不過是對各方面的示例而已，不能作限定性的解釋。本發(fā)明的范圍是權(quán)利要求書所表達的范圍，說明書中不存在任何限定。而且，屬于權(quán)利要求書的同等范圍內(nèi)的變形和變更均涵蓋在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
[0145]另外，本申請要求基于2013年4月11日向日本提出了申請的特愿2013-083066號的優(yōu)先權(quán)。因而，其所有內(nèi)容被導(dǎo)入本申請。
[0146]工業(yè)實用性
[0147]本發(fā)明對于設(shè)有形成了溝槽的腳部的音叉型石英晶體諧振片有效，尤其適合于實現(xiàn)了小型化的音叉型石英晶體諧振片。
【主權(quán)項】
1.一種音叉型石英晶體諧振片，其特征在于: 設(shè)有根部、和從所述根部向一個方向伸出的一對腳部， 所述各腳部的至少一個主面上形成有溝槽和坎部， 所述坎部是因所述溝槽的形成而成形的， 所述坎部的寬度在厚度方向上不同，所述坎部由寬度較寬的寬壁部和寬度較窄的窄壁部構(gòu)成。2.如權(quán)利要求1所述的音叉型石英晶體諧振片，其特征在于: 所述溝槽被形成為相對于所述腳部的寬度方向的中心偏位， 所述溝槽為，在所述寬度方向的截面形狀中，所述溝槽的最低點至所述腳部的兩側(cè)面為止的長度相同。3.如權(quán)利要求1或2所述的音叉型石英晶體諧振片，其特征在于: 在所述寬度方向的截面形狀中，所述寬壁部的截面形狀為梯形， 所述溝槽的最低點所在位置的寬度方向上有所述寬壁部。4.如權(quán)利要求3所述的音叉型石英晶體諧振片，其特征在于: 所述寬壁部的梯形的頂面被配置為與所述溝槽的側(cè)面相互背對。5.如權(quán)利要求2至4中任一項所述的音叉型壓電振蕩片，其特征在于: 所述腳部的兩主面上，分別形成有一個主面?zhèn)鹊臏喜酆土硪恢髅鎮(zhèn)鹊臏喜郏? 一個主面?zhèn)鹊臏喜酆土硪恢髅鎮(zhèn)鹊臏喜墼谘由旆较虻慕孛嫘螤钪?，所述最低點所處的位置相對。6.一種石英晶體諧振器，其特征在于:具備權(quán)利要求1至5中任一項所述的音叉型石英晶體諧振片。
【專利摘要】一種音叉型石英晶體諧振片，設(shè)有根部、和從根部向一個方向伸出的一對腳部。各腳部的至少一個主面上形成有溝槽和坎部?？膊渴且驕喜鄣男纬啥尚蔚模膊康膶挾仍诤穸确较蛏喜煌?。坎部由寬度較寬的寬壁部、和寬度較窄的窄壁部構(gòu)成。
【IPC分類】H03H9/19, H03H9/215
【公開號】CN105122643
【申請?zhí)枴緾N201480020666
【發(fā)明人】石野悟, 阪本和靖
【申請人】株式會社大真空
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2014年3月12日
【公告號】WO2014167933A1