驅(qū)動電路、發(fā)光電路和移動終端的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，尤其涉及一種驅(qū)動電路、發(fā)光電路和移動終端。
【背景技術(shù)】
[0002]智能時代的手機已不僅僅是語音和簡單的短信服務(SMS)數(shù)據(jù)通訊設(shè)備，現(xiàn)在已然成為一個功能超強的個人移動多媒體終端。電感升壓型背光驅(qū)動由于具有發(fā)光二極管(LED)電流匹配度好、與屏的接口連線少等優(yōu)點而被手機設(shè)計人員選做大尺寸的智能手機背光驅(qū)動。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有串聯(lián)背光驅(qū)動電路內(nèi)部集成了功率MOS管MN，采用開關(guān)直流升壓架構(gòu)(Boost升壓架構(gòu))，結(jié)合電感L和肖特基二極管Dl進行升壓，多顆LED串聯(lián)可以保證LED電流的一致性。
[0004]BOOST多采用峰值電流模式控制(Current-Mode Control)。峰值電流模式控制模式是一種固定時鐘開啟、峰值電流關(guān)斷的控制方法。反饋端FB進來通過誤差放大器，然后與電流及電壓檢測、斜率補償電路11和Boost控制電路12等模塊一起構(gòu)成Boost控制。環(huán)路補償網(wǎng)絡13可以確保在各種應用情況下控制環(huán)路是穩(wěn)定的。串聯(lián)背光驅(qū)動電路還可以集成其他相關(guān)的電路模塊，如使能控制、過溫保護、軟啟動、基準模塊等。
[0005]反饋端FB —般設(shè)定為在滿亮度時是200mV、300mV或其他值，下面以200mV為例繼續(xù)說明。流過LED的電流值等于反饋端FB對地的電壓值除以反饋電阻RSET的阻值。例如一串LED希望其最大亮度是20mA，那么反饋電阻RSET取lOohm。假設(shè)PffM或一線調(diào)光控制單元14進行一線調(diào)光時取32階調(diào)光，反饋端FB最小電壓可以調(diào)到5mV。PffM或一線調(diào)光控制單元14進行PffM調(diào)光時，反饋端FB電壓等于200mV*D，D是調(diào)光的占空比，反饋端FB最小電壓可以調(diào)到幾個mV。
[0006]然而，當反饋端FB電壓低到幾個mV到幾十個mV時，它就容易受到地線干擾的影響。因為LED的電流等于反饋電阻RSET兩端的電壓除以電阻值，那么，一方面如果PCB板布局不合適，反饋電阻RSET的參考地離芯片較遠，或者系統(tǒng)工作時的干擾較大，或者兩者結(jié)合的原因，這個參考地與芯片的地不再是理想的相等；而芯片的反饋環(huán)路控制反饋端FB電壓時，是以芯片的地為參考的。那么就會導致LED的電流偏離了設(shè)定值。一旦這個電流偏差是時變的，例如系統(tǒng)干擾的強度在不同的時間點不一樣，那么就會導致LED的亮度在不同的時間點不一樣。那么在終端用戶來看，他就會直觀的感覺到閃爍。尤其是在亮度設(shè)定為比較低，比如亮度設(shè)定為10%或5%以下時，干擾導致的偏差占總電流的比例更大，那么更容易看到閃爍。
[0007]另外，由于芯片內(nèi)部的反饋環(huán)路也需要反饋端FB電壓來做反饋控制，那么當反饋端FB電壓調(diào)整為很低(幾個mV)時，對芯片內(nèi)部的低電壓處理能力以及抗干擾能力也提出了更高的要求。如果處理不當，也會導致LED的電流隨時間發(fā)生變化，同樣的導致閃爍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有驅(qū)動電路易使發(fā)光二極管產(chǎn)生閃爍。
[0009]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種驅(qū)動電路，用于連接發(fā)光二極管組，所述發(fā)光二極管組包括一個或多個串聯(lián)的發(fā)光二極管，包括:
[0010]基準單元，適于提供第一基準電壓和第二基準電壓；
[0011]升壓電路，適于根據(jù)反饋信號將輸入電壓升壓后提供至所述發(fā)光二極管組的輸入端;
[0012]誤差放大器，所述誤差放大器的負相輸入端連接所述發(fā)光二極管組的輸出端，所述誤差放大器的正相輸入端適于輸入所述第二基準電壓，所述誤差放大器的輸出端適于輸出所述反饋信號；
[0013]調(diào)光控制單元，適于根據(jù)調(diào)光控制信號將所述第一基準電壓轉(zhuǎn)換為基準調(diào)光電流；
[0014]恒流控制單元，包括第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端和第二輸出端，所述恒流控制單元的第一輸入端適于接收所述基準調(diào)光電流，所述恒流控制單元的第二輸出端連接所述發(fā)光二極管組的輸出端并適于提供驅(qū)動電流，所述恒流控制單元的第一輸出端和第二輸出端均接地，所述驅(qū)動電流和基準調(diào)光電流的電流值成比例。
[0015]可選的，所述驅(qū)動電路還包括:第一 NMOS管；
[0016]所述第一 NMOS管的漏極連接所述第一 NMOS管的柵極和所述發(fā)光二極管組的輸出端，所述第一 NMOS管的源極接地。
[0017]可選的，所述驅(qū)動電路還包括:第一電阻；
[0018]所述第一 NMOS管與所述第一電阻串聯(lián)，所述第一 NMOS管的漏極通過所述第一電阻連接所述第一 NMOS管的柵極。
[0019]可選的，所述驅(qū)動電路還包括:第二電阻、第一電容和第二電容；
[0020]所述第二電阻的第一端連接所述誤差放大器的輸出端，所述第二電阻的第二端連接所述第一電容的第一端和第二電容的第一端；
[0021]所述第一電容的第二端和第二電容的第二端均接地。
[0022]可選的，所述調(diào)光控制單元包括:第一運算放大器、第二 NMOS管、第三電阻、電流鏡電路、選擇開關(guān)和開關(guān)控制單元，所述調(diào)光控制信號包括第一調(diào)光控制信號；
[0023]所述第一運算放大器的正相輸入端適于輸入所述第一基準電壓，所述第一運算放大器的負相輸入端連接所述第二 NMOS管的源極和第三電阻的第一端，所述第一運算放大器的輸出端連接所述第二 NMOS管的柵極；
[0024]所述第三電阻的第二端接地；
[0025]所述電流鏡電路包括:輸入端、基準電流輸出端和鏡像電流輸出端，所述鏡像電流輸出端的數(shù)量與所述選擇開關(guān)數(shù)量相同，所述電流鏡電路的輸入端適于接收所述輸入電壓，所述電流鏡電路的基準電流輸出端連接所述第二 NMOS管的漏極，所述電流鏡電路的鏡像電流輸出端與所述選擇開關(guān)的第一端一一對應連接；
[0026]所述選擇開關(guān)的第二端均連接在一起并提供所述基準調(diào)光電流；
[0027]所述開關(guān)控制單元適于根據(jù)所述第一調(diào)光控制信號閉合一個或多個選擇開關(guān)。
[0028]可選的，所述調(diào)光控制單元包括:PWM調(diào)光單元、第一運算放大器、第二 NMOS管、第三電阻、電流鏡電路、選擇開關(guān)和開關(guān)控制單元，所述調(diào)光控制信號包括第二調(diào)光控制信號;
[0029]所述PffM調(diào)光單元適于根據(jù)所述第二調(diào)光控制信號產(chǎn)生PffM調(diào)整信號，并根據(jù)所述PffM調(diào)整信號將所述第一基準電壓轉(zhuǎn)換為轉(zhuǎn)換電壓，所述轉(zhuǎn)換電壓的電壓值=Vreg*Duty, Vreg為所述第一基準電壓的電壓值，Duty為所述PffM調(diào)整信號的占空比；
[0030]所述第一運算放大器的正相輸入端適于輸入所述轉(zhuǎn)換電壓，所述第一運算放大器的負相輸入端連接所述第二 NMOS管的源極和第三電阻的第一端，所述第一運算放大器的輸出端連接所述第二 NMOS管的柵極；
[0031]所述第三電阻的第二端接地；
[0032]所述電流鏡電路包括:輸入端、基準電流輸出端和鏡像電流輸出端，所述鏡像電流輸出端的數(shù)量與所述選擇開關(guān)數(shù)量相同，所述電流鏡電路的輸入端適于接收所述輸入電壓，所述電流鏡電路的基準電流輸出端連接所述第二 NMOS管的漏極，所述電流鏡電路的鏡像電流輸出端與所述選擇開關(guān)的第一端一一對應連接；
[0033]所述選擇開關(guān)的第二端均連接在一起并提供所述基準調(diào)光電流；
[0034]所述開關(guān)控制單元適于閉合一個或多個選擇開關(guān)。
[0035]可選的，所述調(diào)光控制信號還包括第一調(diào)光控制信號；
[0036]所述開關(guān)控制單元適于根據(jù)所述第一調(diào)光控制信號閉合一個或多個選擇開關(guān)。
[0037]可選的，所述恒流控制單元還包括:第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第二運算放大器；
[0038]所述第三NMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的柵極和所述恒流控制單元的第一輸入端，所述第三NMOS管的柵極連接所述第二運算放大器的輸出端，所述第三NMOS管的源極連接所述第二運算放大器的負相輸入端和第四NMO