彈性波裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及彈性波裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] W往，作為彈性波裝置，提出了使用基板端面反射彈性波的端面反射型的彈 性波裝置。端面反射型的彈性波裝置中，通過形成在壓電基板上的IDTdnterdigital Trans化cer)電極所激發(fā)的彈性波傳播至基板的端面，在該端面反射。此種端面反射型的彈 性波裝置例如如下制造。目P，首先，將圓盤狀的壓電晶片和熱膨脹系數(shù)小于該壓電晶片的支 撐晶片接合，制作圓盤狀的復(fù)合晶片。接著，在該復(fù)合晶片的壓電晶片上分割出多個(gè)規(guī)定尺 寸的矩形區(qū)域，在各個(gè)矩形區(qū)域形成IDT電極。然后，通過劃片機(jī)等切割裝置，將復(fù)合晶片 按矩形區(qū)域切割。如此，得到具備有壓電基板與支撐基板接合而成的近長(zhǎng)方體狀復(fù)合基板， W及形成在壓電基板上的IDT電極的彈性波裝置。另外，使用復(fù)合基板是為了減小溫度變 化時(shí)的壓電基板的大小變化，抑制彈性波裝置的對(duì)于溫度變化的頻率特性變化。
[0003] 但是，切割復(fù)合晶片時(shí)，壓電晶片的切割面會(huì)產(chǎn)生缺口，其成為寄生信號(hào)（因共振 而在峰前后產(chǎn)生的小而不需要的峰）增加的原因。為了抑制此種寄生信號(hào)，專利文獻(xiàn)1、2 中，采用如下的制法。目P，專利文獻(xiàn)1中，采用的順序是：（1)在形成IDT電極前，在矩形區(qū) 域周邊，用劃片機(jī)設(shè)置切割溝；（2)接著研磨壓電晶片的表面，除去切割溝的開口附近的缺 口，（3)接著形成IDT電極，（4)然后使用寬度小于切割溝的劃片機(jī)，切下彈性波裝置。另一 方面，專利文獻(xiàn)2中，采用的順序是：（1)在復(fù)合晶片中設(shè)置了壓電晶片的多個(gè)矩形區(qū)域上， 分別形成IDT電極；（2)接著在每個(gè)矩形區(qū)域，通過激光切割法，從支撐晶片側(cè)切槽至未到 達(dá)壓電晶片的深度；（3)然后通過施加可W分割支撐晶片的應(yīng)力，切下彈性波裝置。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0004] 【專利文獻(xiàn)1】日本專利特開2002-261559號(hào)公報(bào) 【專利文獻(xiàn)2】日本專利特開2002-9583號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】
陽〇化]但是，上述的專利文獻(xiàn)1、2中，雖然記載了通過除去彈性波反射端面、即與彈性波 傳播方向正交的端面的缺口而抑制寄生信號(hào)，但沒有考慮與彈性波傳播方向平行的端面。 本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，與彈性波傳播方向平行的端面是沒有缺口的光滑面時(shí)，該端面會(huì)反射不 需要的彈性波，成為寄生信號(hào)增加的一個(gè)原因。
[0006] 本發(fā)明的主要目的是解決此種課題，更確切地抑制端面反射型的彈性波裝置中的 寄生信號(hào)。
[0007] 本發(fā)明的彈性波裝置， 是端面反射型的彈性波裝置，在支撐基板與壓電基板相接合而成的近長(zhǎng)方體狀復(fù)合基 板中的所述壓電基板上，配置有一對(duì)相互插入的IDT電極， 所述壓電基板的側(cè)面中的與彈性波傳播方向正交的第I側(cè)面的缺口尺寸，在彈性波波 長(zhǎng)入的1/10W下， 所述壓電基板的側(cè)面中的與彈性波傳播方向平行的第2側(cè)面的缺口尺寸，大于所述第 1側(cè)面的缺口尺寸，在彈性波波長(zhǎng)A的1/2W上、50倍W下。
[000引該彈性波裝置中，由于反射期望波長(zhǎng)的彈性波的第1側(cè)面的缺口尺寸在彈性波波 長(zhǎng)入的1/10W下，因此第1側(cè)面上的反射量充分提高。此外，由于難W產(chǎn)生第1側(cè)面位置 偏離引起的彈性波相位變化，因而可W抑制伴隨相位變化而產(chǎn)生的寄生信號(hào)。另一方面，由 于第2側(cè)面的缺口尺寸大于第1側(cè)面的缺口尺寸、在彈性波波長(zhǎng)A的1/2W上、50倍W下， 因此不需要的波長(zhǎng)的彈性波難W在第2側(cè)面反射，運(yùn)一點(diǎn)也可W抑制寄生信號(hào)的發(fā)生。第2 側(cè)面的缺口尺寸不足波長(zhǎng)A的1/2時(shí)，不需要的波長(zhǎng)的彈性波容易在第2側(cè)面反射，容易 發(fā)生寄生信號(hào)，因此并不理想。第2側(cè)面的缺口尺寸超過波長(zhǎng)A的50倍時(shí)，諧振器的Q值 會(huì)惡化，因此并不理想。
[0009] 本發(fā)明的彈性波裝置中，所述第2側(cè)面的缺口尺寸優(yōu)選在彈性波波長(zhǎng)A的12. 5 倍W上、50倍W下。運(yùn)樣的話，可W進(jìn)一步抑制寄生信號(hào)的發(fā)生。
[0010] 本發(fā)明的彈性波裝置中，優(yōu)選所述支撐基板的熱膨脹系數(shù)小于所述壓電基板。運(yùn) 樣的話，可W減小溫度變化時(shí)的壓電基板大小的變化，抑制彈性波裝置的相對(duì)于溫度變化 的頻率特性的變化。
【附圖說明】
[0011] 【圖1】彈性波裝置10的側(cè)視圖。 【圖2】彈性波裝置10的平面圖。 【圖3】圖2的A-A截面圖。 【圖4】顯示彈性波裝置10的制造流程的側(cè)視圖。 【圖5】切割的說明圖。 符號(hào)說明 10彈性波裝置，12壓電基板，12a第1側(cè)面，1化第2側(cè)面，14支撐基板，15復(fù)合基 板，16、18IDT電極，16a、18a基部，1化、18b寬電極柵線，16c、18c細(xì)電極柵線，22壓電晶 片，24支撐晶片，25復(fù)合晶片。
【具體實(shí)施方式】
[0012] 接著，根據(jù)【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1及圖2是本實(shí)施方式的彈性波裝置 10的側(cè)視圖及平面圖，圖3是圖2的A-A截面圖。
[0013] 彈性波裝置10是端面反射型的彈性波裝置，在壓電基板12與支撐基板14接合而 成的近長(zhǎng)方體狀復(fù)合基板15中的壓電基板12上，配置有一對(duì)相互插入的IDT電極16、18。
[0014] 壓電基板12是可W傳播聲表面波（SAW)的基板。作為該壓電基板12的材質(zhì)，可 舉出粗酸裡化T)、妮酸裡（LN)、妮酸裡-粗酸裡固溶體單晶、水晶、棚酸裡、氧化鋒、氮化侶、 娃酸嫁銅（LGS)、粗酸嫁銅（LGT)等。其中，優(yōu)選LT或LN。運(yùn)是因?yàn)長(zhǎng)T和LN的SAW的傳 播速度快，機(jī)電禪合系數(shù)大，因而適合用作高頻率并且寬頻帶頻率用的彈性波裝置。壓電基 板12的厚度并無特別限定，例如可W是0. 2~50ym。該壓電基板12具有與彈性波傳播 方向（SAW傳播方向）正交的第I側(cè)面12a、與SAW傳播方向平行的第2側(cè)面12b。被激發(fā) 的SAW的波長(zhǎng)為A、互相相對(duì)的第1側(cè)面12a相互間的距離為L(zhǎng)(參照?qǐng)D3)的話，L設(shè)計(jì)為 入/2的整數(shù)倍。
[0015] 支撐基板14的熱膨脹系數(shù)小于壓電基板12,通過直接鍵合在壓電基板12的背面 而接合，或者通過有機(jī)粘合層接合。通過使支撐基板14的熱膨脹系數(shù)小于壓電基板12,可 W抑制溫度變化時(shí)的壓電基板12的大小變化，可W抑制將復(fù)合基板15用于彈性波裝置10 時(shí)的頻率特性的溫度變化。作為支撐基板14的材質(zhì)，可舉出娃、藍(lán)寶石、氮化侶、氧化侶、棚 娃酸鹽玻璃、石英玻璃等，優(yōu)選娃或藍(lán)寶石。此外，支撐基板14的厚度并無特別限定，例如 可W是 200 ~1200Jim。
[0016] 復(fù)合基板15是壓電基板12與支撐基板14接合而成。接合可W采用直接鍵合，也 可W采用通過有機(jī)粘合層接合的間接接合。此種復(fù)合基板15為近長(zhǎng)方體狀，其尺寸并無特 別限定，例如縱橫可W是ImmX2mm或2mmX2. 5mm等。 陽017] IDT電極16具備有：與SAW傳播方向平行的基部16a;從基部16a起，向著與SAW 傳播方向正交的方向延伸的寬電極柵線16b;從基部16a起，向著與SAW傳播方向正交的方 向延伸、配置在SAW傳播方向端部的細(xì)電極柵線16c。此外，IDT電極18也相同的具備有基 部18a、寬電極柵線18b、細(xì)電極柵線18c。兩IDT電極16、18互不接觸，分離配置。具體的， IDT電極16的2個(gè)寬電極柵線16b中的一方配置為插入到IDT電極18的相鄰2個(gè)寬電極 柵線18b之間，另一方配置為插入到寬電極柵線18b和細(xì)電極柵線18c之間。在運(yùn)里，被激 發(fā)的彈性表面波波長(zhǎng)為A的話，如圖3所示，寬電極柵線16b、18b的寬度為A/4,鄰接的電 極柵線的縫隙寬度也是A/4,細(xì)電極柵線16c、18c的寬度是A/8。 陽01引此種彈性波裝置10中，被IDT電極16、18激發(fā)的波長(zhǎng)A的SAW傳播至壓電基板 12的第1側(cè)面12曰，在第1側(cè)面12a反射。本實(shí)施方式中，由于第1側(cè)面12a的缺口尺寸在 SAW波長(zhǎng)A的1/10W下，因此第1側(cè)面12a上的反射量充分提高。此外，由于第1側(cè)面12a 的面精度高，難W產(chǎn)生第1側(cè)面12a的位置偏離所引起的SAW的相位變化，因此可W抑制伴 隨相位變化所產(chǎn)生的寄生信號(hào)。另一方面，第2側(cè)面12b的缺口尺寸大于第1側(cè)面12a的 缺口尺寸，具體在波長(zhǎng)A的1/2W上、50倍W下。因此，不需要的波長(zhǎng)的SAW難W在第2側(cè) 面1化反射，運(yùn)一點(diǎn)也可W抑制寄生信號(hào)的發(fā)生。
[0019] 接著，使用圖4如下說明彈性波裝置10的制造方法。圖4顯示的是彈性波裝置10 的制造流程的側(cè)視圖。
[0020] 首先，準(zhǔn)備好具有定向平面（0巧的圓盤狀壓電晶片22、W及相同形狀的支撐晶片 24(參照?qǐng)D4