頂部發(fā)射型有機電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及具有輔助電極的頂部發(fā)射型有機電致發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光元件的如下優(yōu)點受到關(guān)注：因自發(fā)色而可視性高；與液晶顯示裝置 不同，為全固態(tài)顯示器，因而耐沖擊性優(yōu)異；響應(yīng)速度快；因溫度變化導(dǎo)致的影響少W及視 場角寬廣等。需要說明的是，下文有時將有機電致發(fā)光縮寫為有機化。
[0003] 有機化元件的構(gòu)成W在陽極與陰極之間夾持有機化層的層疊結(jié)構(gòu)為基本。在具有 運樣的有機化元件的有機化顯示裝置的驅(qū)動方式中存在無源矩陣驅(qū)動和有源矩陣驅(qū)動，但 在制造大型顯示器時，從能夠利用低電壓進行驅(qū)動的觀點出發(fā)，有源矩陣驅(qū)動是有利的。需 要說明的是，有源矩陣驅(qū)動是指在形成了有機化元件的基板上形成TFT等電路并通過上述 TFT等電路進行驅(qū)動的方式。
[0004] 在運樣的有機化顯示裝置中存在有從形成了有機化元件的基板側(cè)提取光的底部 發(fā)射型和從與形成了有機化元件的基板相反側(cè)提取光的頂部發(fā)射型。在此，有源矩陣驅(qū)動 的有機化顯示裝置的情況下，對于底部發(fā)射型而言存在有如下問題:開口率因在作為光的 提取面的基板上形成的TFT等電路而受到限制，光提取效率降低。與此相對，對于頂部發(fā)射 型而言，由于從與基板相反側(cè)的面提取光，因此與底部發(fā)射型相比可W得到優(yōu)異的光提取 效率。需要說明的是，在頂部發(fā)射型的情況下，使用透明電極層作為成為光提取面的一側(cè)的 電極層。
[0005] 然而，與由AU化等金屬構(gòu)成的電極層相比，一般的透明電極層的電阻較大。因此， 對于具有透明電極層的有機顯示裝置而言存在如下問題：因透明電極層的電阻而產(chǎn)生電 壓下降，結(jié)果是有機化層的亮度的均勻性下降、即產(chǎn)生所謂的亮度不均。另外，透明電極層 的面積越大則其電阻越大，因此上述亮度不均的問題在制造大型顯示器的情況下變得明 思O
[0006] 對于上述課題，例如如專利文獻1所述，已知有如下方法:形成電阻值低的輔助電 極，使其與透明電極層電連接由此來抑制電壓下降。在此，輔助電極通常是成膜出金屬層后 通過濕法工藝實施蝕刻處理而形成為圖案狀。因此，對于頂部發(fā)射型有機顯示裝置而言， 在形成有機EL層后形成輔助電極的情況下，存在有機EL層因在形成輔助電極時所使用的蝕 刻液而被侵蝕運樣的問題。因此，如專利文獻2~5所述，已知有在形成有機化層之前形成輔 助電極的方法。
[0007] 但是，如果在形成有機化層之前形成輔助電極，則在整個面上形成有機化層的情 況下或者在整個面上形成構(gòu)成有機KJl的至少一層有機層的情況下，變成在輔助電極上形 成有機化層或至少一層有機層。因此，存在如下問題:輔助電極與透明電極層的電連接會因 輔助電極上的有機化層或有機層而受到妨礙。
[000引因此，在專利文獻2~3中提出了如下方法:通過激光除去輔助電極上的有機化層， 制作出輔助電極與透明電極層電連接的有機化顯示裝置。但是，運種情況下存在如下問題： 通過激光除去的有機化層飛散而污染有機化顯示裝置中的像素區(qū)域，顯示特性下降。
[0009] 另外，作為解決上述問題的方法，例如在專利文獻4中提出如下方法:在利用激光 除去有機化層之前，在被有機化層包覆的輔助電極整個面上形成具有透光性的第一電極， 然后隔著第一電極通過激光除去有機化層，最后形成第二電極。但是，運種情況下，雖然能 夠抑制上述顯示特性下降，但由于形成第一電極和第二電極作為透明電極層，因此存在制 造工序增加運樣的問題。
[0010] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0011] 專利文獻
[0012] 專利文獻1:日本專利第4434411號 [OOU] 專利文獻2:日本專利第4959119號
[0014] 專利文獻3:日本專利第4545780號
[0015] 專利文獻4:日本特表2010-538440號公報
[0016] 專利文獻5:日本專利第4340982號

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]發(fā)明所要解決的問題
[0018] 另外，在專利文獻5中，作為防止為了形成連接輔助電極與透明電極層的接觸部而 利用激光除去的有機層污染顯示裝置的方法，公開了如下所述的有機化顯示裝置的制造方 法。即為如下所述的方法:如圖6(a)所示，在基板20上形成像素電極30和輔助電極40,在上 述像素電極30與上述輔助電極40之間形成絕緣層50后，如圖6(b)所示，形成有機EL層60從 而形成有機化層側(cè)基板100'。接著，如圖6(c)所示，在減壓下，使蓋材80與有機化層側(cè)基板 100'相對置，將蓋材80W與絕緣層50的頂部接觸的方式配置，使有機化層側(cè)基板100'和蓋 材80之間的空間V為減壓狀態(tài)。然后，對有機化層側(cè)基板100'和蓋材80的外周的空間加壓， 由此使蓋材80與有機化層側(cè)基板100'密合。接著，利用激光L除去輔助電極40上的有機化層 60,如圖6(d)所示，將蓋材80剝離。最后，如圖6(e)所示，在有機化層側(cè)基板上形成透明電極 層70,由此制作出輔助電極40與透明電極層70通過接觸部電連接的有機化顯示裝置100。使 用上述方法來制造有機化顯示裝置，由此能夠抑制通過照射激光而除去的有機化層的粉塵 等向像素區(qū)域飛散，能夠防止顯示特性下降。
[0019] 因此，本發(fā)明人對使用上述方法制造的有機化顯示裝置進行了各種研究，著眼于 下述方面。即，本發(fā)明人著眼于：絕緣層至少與像素電極重疊地形成，因此對于照射激光而 形成接觸部的區(qū)域與相鄰的像素電極之間形成的絕緣層的頂部而言，與像素電極重疊的區(qū) 域的頂部和與像素電極不重疊的區(qū)域的頂部之間產(chǎn)生高度差。其結(jié)果是發(fā)現(xiàn)了如下新課 題:絕緣層的高度較高的區(qū)域少時，如圖6(C)所例示，在減壓下使蓋材80與有機化層側(cè)基板 100 '相對置，使有機化層側(cè)基板100 '和蓋材80之間的空間V為減壓狀態(tài)時，有機化層側(cè)基板 100 '與蓋材80接觸的區(qū)域也減少，使有機化層側(cè)基板100 '與蓋材80之間的空間為減壓狀態(tài) 后，難W使有機化層側(cè)基板與蓋材充分密合。需要說明的是，如果難W使有機化層側(cè)基板與 蓋材充分密合，則如圖6(c)所例示照射激光L形成接觸部時，產(chǎn)生如下問題:不能充分防止 利用照射激光除去的有機化層60的粉塵等向像素區(qū)域飛散，不能抑制顯示特性下降。
[0020] 本發(fā)明是鑒于上述實際情況而完成的，其目的在于，為了形成接觸部，使蓋材與在 形成接觸部的區(qū)域和與上述區(qū)域相鄰的像素電極之間的絕緣層接觸，使在基板上形成有像 素電極、輔助電極、絕緣層和有機化層的有機化層側(cè)基板與蓋材之間的空間為減壓狀態(tài)，接 著調(diào)節(jié)蓋材的與有機化層型基板相反側(cè)的空間的壓力從而使有機化層側(cè)基板和蓋材密合， 然后，照射激光，除去從絕緣層的開口部露出的覆蓋上述輔助電極的上述有機層，此時可充 分防止利用激光除去的有機層向像素區(qū)域飛散，可抑制顯示特性下降。
[0021] 用于解決問題的手段
[0022] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種頂部發(fā)射型有機化顯示裝置，其特征在于，其 具有:基板、在上述基板上形成的多個像素電極、在上述像素電極之間形成的輔助電極、W 覆蓋上述像素電極的邊緣部分的方式在相鄰的上述像素電極之間形成的且具有開口部使 得上述輔助電極露出的絕緣層、在上述像素電極上形成且由多個有機層構(gòu)成的至少具有發(fā) 光層的有機KJ1、在從上述絕緣層的開口部露出的上述輔助電極上形成的至少一層的上述 有機層、在從上述絕緣層的開口部露出的上述輔助電極上形成的作為上述有機層的開口部 的接觸部、和在上述有機EL層及上述接觸部上形成的透明電極層，將在上述接觸部和與上 述接觸部相鄰的上述像素電極之間的上述絕緣層與上述像素電極重疊的距離設(shè)為a、并且 將在上述接觸部和與上述接觸部相鄰的上述像素電極之間的上述絕緣層與上述輔助電極 重疊的距離設(shè)為b時，a和b的至少一個為上，上述透明電極層通過上述接觸部而與上 述輔助電極電連接。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明，通過使上述a和b的至少一個為2皿W上，由此為了形成上述接觸部而 使蓋材與在接觸部形成區(qū)域和與上述接觸部形成區(qū)域相鄰的上述像素電極之間的上述絕 緣層接觸時，能夠充分確保上述絕緣層中與蓋材密合的區(qū)域，能夠提高密合性。因此，使在 基板上形成有像素電極、輔助電極、絕緣層和有機化層的上述有機化層側(cè)基板與上述蓋材 之間的空間為減壓狀態(tài)后使有機化層側(cè)基板與蓋材密合，照射激光，從而除去從上述絕緣 層的開口部露出的覆蓋上述輔助電極的上述有機層，此時能夠充分地防止利用激光除去的 有機層向像素區(qū)域飛散，能夠抑制顯示特性下降。
[0024] 在本發(fā)明中，將在上述接觸部和與上述接觸部相鄰的上述像素電極之間的上述絕 緣層的高度設(shè)為X、將除上述接觸部和與上述接觸部相鄰的上述像素電極之間W外的上述 絕緣層的高度中最高的高度設(shè)為y時，優(yōu)選y-x ^ 0.05WI1。通過使高度X與高度y之差為0.05ii mW下，為了形成上述接觸部，使蓋材與在形成接觸部的區(qū)域和與上述區(qū)域相鄰的上述像素 電極之間的上述絕緣層接觸，使在基板上形成有像素電極、輔助電極、絕緣層和有機EL層的 上述有機化層側(cè)基板與上述蓋材之間的空間為減壓狀態(tài)從而使有機化層側(cè)基板與蓋材密 合，此時能夠使在接觸部和與接觸部相鄰的像素電極之間的絕緣層與蓋材充分密合。因此， 能夠更有效地防止在形成接觸部時利用激光除去的有機層向像素區(qū)域飛散，能夠抑制顯示 特性下降。
[0025] 本發(fā)明提供一種頂部發(fā)射型有機化顯示裝置的制造方法，其制造如下所述的頂部 發(fā)射型有機化顯示裝置，該頂部發(fā)射型有機化顯示裝置具有:基板、在上述基板上形成的多 個像素電極、在上述像素電極之間形成的輔助電極、W覆蓋上述像素電極的邊緣部分的方 式在相鄰的上述像素電極之間形成的且具有開口部使得上述輔助電極露出的絕緣層、在上 述像素電極上形成且由多個有機層構(gòu)成的至少具有發(fā)光層的有機KJ1、在從上述絕緣層的 開口部露出的上述輔助電極上形成的至少一層的上述有機層、在從上述絕緣層的開口部露 出的上述輔助電極上形成的作為上述有機層的開口部的接觸部、W及在上述有機KJl及上 述接觸部上形成的透明電極層，將在上述接觸部和與上述接觸部相鄰的上述像素電極之間 的上述絕緣層與上述像素電極重疊的距離設(shè)為a、并且將在上述接觸部和與上述接觸部相 鄰的上述像素電極之間的上述絕緣層與上述輔助電極重疊的距離設(shè)為b時，a和b的至少一 個為化mW上，上述透明電極層通過上述接觸部而與上述輔助電極電連接，該制造方法的特 征在于，其具有:有機化層側(cè)基板準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備具有上述基板、上述像素電極、上述輔助電 極、上述絕緣層和上述有機KJl并且在上述輔助電極上的整個面上形成有至少一層的上述 有機層的有機化層側(cè)基板;配置工序，在第一壓力下，使蓋材與在上述有機化層側(cè)基板準(zhǔn)備 工序中得到的上述有機化層側(cè)基板相對置，上述蓋材W隔著上述有機層與上述絕緣層的頂 部相接觸的方式配置于上述絕緣層的頂部;密合工序，將上述蓋材的與上述有機EL層側(cè)基 板相反側(cè)的空間調(diào)節(jié)成比上述第一壓力高的第二壓力從而使上述有機化層側(cè)基板和上述 蓋材密合;和接觸部形成工序，隔著上述蓋材照射激光，除去覆蓋從上述絕緣層的開口部露 出的上述輔助電極的上述有機層從而形成上述接觸部。
[00%]本發(fā)明通過使上述a和b的至少一個為化mW上，在密合工序時能夠充分地確保上 述絕緣層中與蓋材密合的區(qū)域，能夠提高密合性。由此，可W得到如下頂部發(fā)射型有機化顯 示裝置，其能夠更有效地防止在上述絕緣層中在接觸部形成工序時利用激光除去的有機層 向像素區(qū)域飛散，能夠抑制顯示特性下降。
[0027] 發(fā)明效果
[0028] 在本發(fā)明中發(fā)揮如下效果:為了形成接觸部，在第一壓力下，使蓋材與在形成接觸 部的區(qū)域和與上述區(qū)域相鄰的像素電極之間的絕緣層接觸，使在基板上形成有像素電極、 輔助電極、絕緣層和有機化層的有機化層側(cè)基板與蓋材之間的空間為減壓狀態(tài)，接著將蓋 材的與有機化層側(cè)基板相反側(cè)的空間調(diào)節(jié)成第二壓力從而使有機化層側(cè)基板和蓋材密合， 然后，照射激光，除去覆蓋從絕緣層的開口部露出的上述輔助電極的上述有機層，此時能夠 充分地防止利用激光除去的有機層向像素區(qū)域飛散，能夠抑制顯示特性下降。
[0029] 在此，對于上述"第一壓力"和上述"第二壓力"而言，只要第一壓力為比第二壓力 低的壓力就沒有特別限定。另外，將在有機化層側(cè)基板的表面配置有蓋材時的上述有機化 層側(cè)基板和上述蓋材之間的空間的壓力調(diào)節(jié)為第一壓力，進一步將上述蓋材的與上述有機 化層側(cè)基板相反側(cè)的空間的壓力調(diào)節(jié)為第二壓力時，只要是通過上述有機化層側(cè)基板和上 述蓋材之間的壓力與上述蓋材的與上述有機化層側(cè)基板相反側(cè)的空間的壓力的差壓能夠 使上述有機化層側(cè)基板和上述蓋材密合的程度的壓力，就沒有特別限定。需要說明的是，通 常，上述"第一壓力"是比常壓低的壓力，上述"第二壓力"是比上述"第一壓力"高的壓力。另 夕h對于上述"第一壓方'，在后述的"B.有機化顯示裝置的制造方法"的項中有記載，因此省 略此處的說明。
【附圖說明】
[0030] 圖1是表示本發(fā)明的頂部發(fā)射型有機化顯示裝置的一個示例的示意圖。
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