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      一種基于移相式高負(fù)載的線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):8626313閱讀:292來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于移相式高負(fù)載的線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),具體是指一種基于移相式高負(fù)載的線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前電子產(chǎn)品種類(lèi)、功能不斷增加,線(xiàn)束的使用隨之增多。在線(xiàn)束生產(chǎn)過(guò)程中工作量非常大,現(xiàn)在人們廣泛使用線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)進(jìn)行線(xiàn)束生產(chǎn)從而大大提高了工作效率。
      [0003]然而,目前線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)載能力不夠,當(dāng)其負(fù)載過(guò)大時(shí)很容易燒壞驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]本實(shí)用新型的目的在于克服目前線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)負(fù)載能力不夠的缺陷,提供一種基于移相式高負(fù)載的線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
      [0005]本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于移相式高負(fù)載的線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),包括前端采樣電路,和前端采樣電路輸出端相連接的觸發(fā)電路,和觸發(fā)電路輸出端相連的移相處理電路,與移相處理電路相連接的自舉控制電路,以及與自舉控制電路相連接的輸出電路;所述的移相處理電路由移相芯片Ul,三極管VT2,三極管VT3,一端與移相芯片Ul的VCC+管腳相連接、另一端與移相芯片Ul的INl管腳相連接的電阻R3,負(fù)極經(jīng)電阻R2后與移相芯片Ul的INl管腳相連接、正極與移相芯片Ul的IN2管腳相連接的極性電容C3,正極經(jīng)電阻R4后與移相芯片Ul的NC管腳相連接、負(fù)極與三極管VT2的集電極相連接的極性電容C5,正極與移相芯片Ul的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的極性電容C14,一端與移相芯片Ul的OUT管腳相連接、另一端與自舉控制電路相連接的電位器R5,P極與移相芯片Ul的OFFl管腳相連接、N極與三極管VT2的基極相連接的二極管D3,以及P極與移相芯片Ul的0FF2管腳相連接、N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的二極管D4組成;所述移相芯片Ul的INl管腳和IN2管腳均與觸發(fā)電路相連接、VCC-管腳接地、OUT管腳與電位器R5的滑動(dòng)端相連接,三極管VT2的發(fā)射極與三極管VT3的基極相連接,三極管VT3的集電極與自舉控制電路相連接。
      [0006]所述的前端采樣電路包括二極管Dl,二極管D2,極性電容Cl,電阻Rl ;二極管D2的N極經(jīng)極性電容Cl后與二極管Dl的P極相連、P極則經(jīng)電阻Rl后與二極管Dl的N極相連;所述二極管D2的P極還與觸發(fā)電路連接。
      [0007]所述的觸發(fā)電路由三極管VT1,極性電容C2,電感LI組成;三極管VTl的基極與二極管D2的P極相連,其集電極則與移相芯片Ul的INl管腳相連接,發(fā)射極經(jīng)極性電容C2后同時(shí)與二極管D2的P極以及電容C3的負(fù)極相連接;電感LI的一端與三極管VTl的集電極相連,另一端則與二極管D2的P極相連。
      [0008]所述自舉控制電路由三極管VT4,場(chǎng)效應(yīng)管Q,一端與三極管VT4的集電極相連接、另一端則與輸出電路相連接的電阻R10,正極與三極管VT4的發(fā)射極相連接、負(fù)極則與輸出電路相連接的極性電容C9,正極與場(chǎng)效應(yīng)管Q的源極相連接、負(fù)極與極性電容C9的負(fù)極相連接的極性電容C8,一端與三極管VT4的基極相連接、另一端經(jīng)電阻R8后接地的電阻R6,正極與電阻R6和電阻R8的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R9后接地的極性電容C7,正極與電位器R5相連接、負(fù)極則與場(chǎng)效應(yīng)管Q的柵極相連接的極性電容C6,以及一端與極性電容C6的負(fù)極相連接、另一端則與極性電容C7的正極相連接的的電阻R7組成;所述場(chǎng)效應(yīng)管Q的漏極與三極管VT4的基極相連接,源極與極性電容C7的負(fù)極相連接。
      [0009]所述的輸出電路包括二極管D5,二極管D6,極性電容C10,電阻Rll,電阻R12,電阻R13 ;極性電容ClO的正極與二極管D5的N極相連接、其負(fù)極經(jīng)電阻R12和電阻Rll后與極性電容C8的負(fù)極相連接,電阻R13與電阻R12相并聯(lián),二極管D5的N極與電阻RlO相連接、其P極與二極管D6的P極相連接,二極管D6的N極與極性電容C8的負(fù)極相連接、P極則與三極管VT3的集電極相連接。
      [0010]本實(shí)用新型較現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
      [0011](I)本實(shí)用新型設(shè)置設(shè)置了移相處理電路,其可以保證線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在承受高負(fù)載時(shí)仍然可以輸出穩(wěn)定的功率。
      [0012](2)本實(shí)用新型設(shè)置設(shè)置了自舉控制電路,其能夠有效的提升線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的負(fù)載能力,避免驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)因負(fù)載過(guò)大而燒壞。
      [0013](3)本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制作成本低,適合廣泛推廣。
      【附圖說(shuō)明】
      [0014]圖1為本實(shí)用新型的整體電路圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明,但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。
      實(shí)施例
      [0016]如圖1所示,本實(shí)用新型的基于移相式高負(fù)載的線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),包括前端采樣電路,和前端采樣電路輸出端相連接的觸發(fā)電路,和觸發(fā)電路輸出端相連的移相處理電路,與移相處理電路相連接的自舉控制電路,以及與自舉控制電路相連接的輸出電路。
      [0017]所述的移相處理電路由移相芯片U1,三極管VT2,三極管VT3,一端與移相芯片Ul的VCC+管腳相連接、另一端與移相芯片Ul的INl管腳相連接的電阻R3,負(fù)極經(jīng)電阻R2后與移相芯片Ul的INl管腳相連接、正極與移相芯片Ul的IN2管腳相連接的極性電容C3,正極經(jīng)電阻R4后與移相芯片Ul的NC管腳相連接、負(fù)極與三極管VT2的集電極相連接的極性電容C5,正極與移相芯片Ul的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的極性電容C14,一端與移相芯片Ul的OUT管腳相連接、另一端與自舉控制電路相連接的電位器R5,P極與移相芯片Ul的OFFl管腳相連接、N極與三極管VT2的基極相連接的二極管D3,以及P極與移相芯片Ul的0FF2管腳相連接、N極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的二極管D4組成;所述移相芯片Ul的INl管腳和IN2管腳均與觸發(fā)電路相連接、VCC-管腳接地、OUT管腳與電位器R5的滑動(dòng)端相連接,三極管VT2的發(fā)射極與三極管VT3的基極相連接,三極管VT3的集電極與自舉控制電路相連接。移相處理電路,可以保證線(xiàn)束下線(xiàn)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在承受高負(fù)載時(shí)仍然可以輸出穩(wěn)定的功率。為了更好的實(shí)施本實(shí)用新型,所述的移相芯片Ul優(yōu)選為L(zhǎng)M741集成芯片。
      [0018]所述的前端采樣電路包括二極管Dl,二極管D2,極性電容Cl,電阻Rl ;二極管D2的N極經(jīng)極性電容Cl后與二極管Dl的P極相連、P極則經(jīng)電阻Rl后與二極管Dl的N極
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