一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種脈沖調(diào)制器，更具體地說涉及一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器。
【背景技術(shù)】
[0002]在微波毫米波固態(tài)電路中，脈沖調(diào)制器被廣泛地應(yīng)用于微波毫米波固態(tài)功率放大器中。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，特別是GaAs功率器件的成熟和普及，涌現(xiàn)出大量漏偏置電源脈沖調(diào)制器的研宄成果，幫助GaAs功率器件被廣泛地應(yīng)用到各種脈沖體制的系統(tǒng)中。如今，第三代半導(dǎo)體GaN技術(shù)日漸成熟，相對于GaAS功率放大器，GaN功率放大器具有帶寬寬、功率大的顯著優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開始取代GaAs功率放大器，應(yīng)用于需要更大功率更大帶寬的場合。GaN器件的工作電壓比GaAs器件高將近一個(gè)數(shù)量級，并且由于工作電壓的關(guān)系，GaN器件的等效漏極阻抗比GaAs的大，GaN微波功率放大器漏偏置脈沖調(diào)制器面臨兩個(gè)技術(shù)難題，一個(gè)是提升工作電壓，一個(gè)是提升驅(qū)動(dòng)速度解決脈沖前后沿的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是:提供一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，三極管Q2和三極管Q3組成升壓電路，提升了 P溝道MOSFET Q4的柵極電壓，脈沖前后沿陡，可應(yīng)用于各種GaN微波功率放大器中。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用涉及一種脈沖調(diào)制器，更具體地說涉及一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，包括脈沖驅(qū)動(dòng)器D1、三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、P溝道MOSFET Q4、電容Cl、電容C2、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、負(fù)載RL、調(diào)制電壓輸出電路和高壓電源VDC，三極管Q2和三極管Q3組成升壓電路，提升了 P溝道MOSFET Q4的柵極電壓，脈沖前后沿陡，可應(yīng)用于各種GaN微波功率放大器中。
[0005]電阻R4和電阻R3并聯(lián)連接于脈沖驅(qū)動(dòng)器Dl的輸出端，電阻R4的一端接地。電容C2并聯(lián)連接在電阻R3兩端。電阻R3的輸出端連接在三極管Ql的基極，三極管Ql的發(fā)射極接地，三極管Ql的集電極連接在電阻R2的一端。電阻Rl的輸入端連接在電源上，三極管Q2的基極和三極管Q3的基極都連接在電阻Rl的輸出端。三極管Q3的集電極連接在電源上，發(fā)射極連接在P溝道MOSFET Q4的柵極。三極管Q2的發(fā)射極連接在三極管Q3的發(fā)射極，集電極接地。P溝道MOSFET Q4的源極連接在電源上，負(fù)載RL和調(diào)制電壓輸出電路并聯(lián)連接于P溝道MOSFET Q4的漏極上，負(fù)載RL的一端接地。電容Cl的一端連接電源，一端接地。
[0006]作為本方案的進(jìn)一步優(yōu)化，本實(shí)用新型一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器所述的三極管Ql和三極管Q3都是NPN型三極管。
[0007]作為本方案的進(jìn)一步優(yōu)化，本實(shí)用新型一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器所述的三極管Q2是PNP型三極管。
[0008]作為本方案的進(jìn)一步優(yōu)化，本實(shí)用新型一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器所述的P溝道MOSFET Q4的材質(zhì)為GaN型半導(dǎo)體。
[0009]本實(shí)用新型一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器的有益效果為:
[0010]a.為P溝道MOSFET Q4提供了合適的工作電壓；
[0011]b.驅(qū)動(dòng)速度高；
[0012]c.可應(yīng)用于大帶寬信號的調(diào)制。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]在圖1中，本實(shí)用涉及一種脈沖調(diào)制器，更具體地說涉及一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，包括脈沖驅(qū)動(dòng)器D1、三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、P溝道MOSFET Q4、電容Cl、電容C2、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、負(fù)載RL、調(diào)制電壓輸出電路和高壓電源VDC,三極管Q2和三極管Q3組成升壓電路，提升了 P溝道MOSFET Q4的柵極電壓，脈沖前后沿陡，可應(yīng)用于各種GaN微波功率放大器中。
[0015]電阻R4和電阻R3并聯(lián)連接于脈沖驅(qū)動(dòng)器Dl的輸出端，電阻R4 —端接地。電容C2并聯(lián)連接在電阻R3兩端。脈沖驅(qū)動(dòng)器Dl放大輸入的TTL脈沖信號，放大后的脈沖信號經(jīng)電阻R4和電組R3分壓后傳輸至三極管Ql的基極。三極管Ql是NPN型三極管，當(dāng)三極管Ql的基極電位大于集電極電位，三極管Ql截止，當(dāng)三極管Ql的基極電位小于集電極電位，三極管Ql導(dǎo)通。脈沖驅(qū)動(dòng)器輸出不同的電壓從而控制三極管Ql的通斷。
[0016]電阻R3的輸出端連接在三極管Ql的基極，三極管Ql的發(fā)射極接地，三極管Ql的集電極連接在電阻R2的一端。脈沖驅(qū)動(dòng)器輸出的電壓經(jīng)過三極管Ql放大后，提升了流過電阻R2的電流，從而提升了電阻R2兩端的電壓。
[0017]電阻Rl的輸入端連接在電源上，三極管Q2的基極和三極管Q3的基極都連接在電阻Rl的輸出端。三極管Q3是NPN型三極管，三極管Q2是PNP型三極管。三極管Q2的基極和三極管Q3組成了放大驅(qū)動(dòng)電路，電阻Rl和電阻R2組成分壓電路，分壓信號經(jīng)放大驅(qū)動(dòng)電路放大后，驅(qū)動(dòng)能力上升。
[0018]三極管Q3的集電極連接在電源上，發(fā)射極連接在P溝道MOSFET Q4的柵極。三極管Q2的發(fā)射極連接在三極管Q3的發(fā)射極，集電極接地。P溝道MOSFET Q4的材質(zhì)為GaN型半導(dǎo)體。P溝道MOSFET Q4的源極連接在電源上，負(fù)載RL和調(diào)制電壓輸出電路并聯(lián)連接于P溝道MOSFET Q4的漏極上，負(fù)載RL的一端接地。經(jīng)放大驅(qū)動(dòng)電路放大后的信號傳輸至P溝道MOSFET Q4的柵極，P溝道MOSFET Q4的源極連接在電源上，柵極電壓變化可以控制P溝道MOSFET Q4的導(dǎo)通和關(guān)斷，也可以控制漏極輸出電壓的大小。
[0019]電容Cl的一端連接電源，一端接地。電容Cl組成分壓電路，且可防止電源短路。
[0020]當(dāng)然上述說明并非對本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，包括脈沖驅(qū)動(dòng)器D1、三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3、P溝道MOSFET Q4、電容Cl、電容C2、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、負(fù)載RL、調(diào)制電壓輸出電路和高壓電源VDC，其特征在于:電阻R4和電阻R3并聯(lián)連接于脈沖驅(qū)動(dòng)器Dl的輸出端，電阻R4的一端接地；電容C2并聯(lián)連接在電阻R3兩端；電阻R3的輸出端連接在三極管Ql的基極，三極管Ql的發(fā)射極接地，三極管Ql的集電極連接在電阻R2的一端；電阻Rl的輸入端連接在電源上，三極管Q2的基極和三極管Q3的基極都連接在電阻Rl的輸出端；三極管Q3的集電極連接在電源上，發(fā)射極連接在P溝道MOSFET Q4的柵極；三極管Q2的發(fā)射極連接在三極管Q3的發(fā)射極，集電極接地；P溝道MOSFET Q4的源極連接在電源上，負(fù)載RL和調(diào)制電壓輸出電路并聯(lián)連接于P溝道MOSFET Q4的漏極上，負(fù)載RL的一端接地；電容Cl的一端連接電源，一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，其特征在于:所述三極管Ql和三極管Q3都是NPN型三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，其特征在于:所述三極管Q2是PNP型三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，其特征在于:所述P溝道MOSFET Q4的材質(zhì)為GaN型半導(dǎo)體。
【專利摘要】本實(shí)用涉及一種脈沖調(diào)制器，更具體地說涉及一種GaN微波功率放大器高速脈沖調(diào)制器，提升了P溝道MOSFET Q4的柵極電壓，脈沖前后沿陡。電阻R4和電阻R3并聯(lián)連接于脈沖驅(qū)動(dòng)器D1的輸出端，電阻R4的一端接地。電阻R3的輸出端連接在三極管Q1的基極，三極管Q1的發(fā)射極接地，三極管Q1的集電極連接在電阻R2的一端。電阻R1的輸入端連接在電源上，三極管Q2的基極和三極管Q3的基極都連接在電阻R1的輸出端。三極管Q3的集電極連接在電源上，發(fā)射極連接在P溝道MOSFET Q4的柵極。三極管Q2的發(fā)射極連接在三極管Q3的發(fā)射極，集電極接地。P溝道MOSFET Q4的源極連接在電源上，負(fù)載RL和調(diào)制電壓輸出電路并聯(lián)連接于P溝道MOSFET Q4的漏極上，負(fù)載RL的一端接地。
【IPC分類】H03K7-00
【公開號】CN204481779
【申請?zhí)枴緾N201520221195
【發(fā)明人】劉義冬, 曹海勇
【申請人】劉義冬
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2015年4月13日