一種基于igbt控制的照明電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于IGBT控制的照明電路，涉及電力電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；M0SFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道M0SFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴(少子)，對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，在具體到HID車頭燈應(yīng)用設(shè)計(jì)電路時(shí)，為了達(dá)到嚴(yán)苛的EMI要求，需要電路設(shè)計(jì)滿足具有超低飽和電壓和較慢的開(kāi)關(guān)速度，現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)現(xiàn)上述電路設(shè)計(jì)時(shí)開(kāi)關(guān)速度效率較低，電壓控制效果不理想。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種基于IGBT控制的照明電路。
[0005]本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題采用以下技術(shù)方案:
[0006]一種基于IGBT控制的照明電路，包括控制單元，還包括第一、第二 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，第一至第四低飽和電壓IGBT，第一至第六柵極驅(qū)動(dòng)器，照明燈，分流器電阻，整流器，電感，電容以及脈沖輸入端□，其中，
[0007]第一 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的漏極接正輸入端，第一 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的柵極經(jīng)過(guò)第二柵極驅(qū)動(dòng)器與控制單元相連接；第一 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的源極分別與脈沖輸入端口、電感的一端相連接，電感的另一端分別與整流器的一端、第二 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的漏極相連接，第二 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器的柵極經(jīng)過(guò)第一柵極驅(qū)動(dòng)器與控制單元相連接；整流器的另一端分別與電阻的一端、第一低飽和電壓IGBT的漏極、第二低飽和電壓IGBT的漏極相連接；所述第一低飽和電壓IGBT的源極分別與照明燈的一端、第三低飽和電壓IGBT的漏極相連接，所述第二低飽和電壓IGBT的源極分別與照明燈的另一端、第四低飽和電壓IGBT的漏極相連接；第一低飽和電壓IGBT的柵極經(jīng)過(guò)第三柵極驅(qū)動(dòng)器與控制單元相連接，第二低飽和電壓IGBT的柵極經(jīng)過(guò)第四柵極驅(qū)動(dòng)器與控制單元相連接，第三低飽和電壓IGBT的柵極經(jīng)過(guò)第五柵極驅(qū)動(dòng)器與控制單元相連接，第四低飽和電壓IGBT的柵極經(jīng)過(guò)第六柵極驅(qū)動(dòng)器與控制單元相連接；第三低飽和電壓IGBT的源極還分別于控制單元、分流電阻器的一端、第四低飽和電壓IGBT的源極相連接，分流電阻器的另一端接地。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述第一至第四低飽和電壓IGBT的具體型號(hào)為 FGD3N60LSD。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述第一和第二柵極驅(qū)動(dòng)器為低電壓柵極驅(qū)動(dòng)器。
[0010]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述第三至第六柵極驅(qū)動(dòng)器為HVIC柵極驅(qū)動(dòng)器。
[0011]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步優(yōu)選方案，所述照明燈為HID車頭燈。
[0012]本實(shí)用新型采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果:電路設(shè)計(jì)滿足具有超低飽和電壓和較慢的開(kāi)關(guān)速度，尤其適合針對(duì)HID車頭燈照明控制電路的設(shè)計(jì)使用。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型的電路連接示意圖，
[0014]其中:T1、T2分別為第一、第二 N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，T3至T6分別為第一至第四低飽和電壓IGBT，Ql至Q6分別為第一至第六柵極驅(qū)動(dòng)器，A為照明燈，R為分流器電阻，C為電容，CPl為脈沖輸入端口，D為整流器，L為電感。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能解釋為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0016]本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本實(shí)用新型中涉及到的相關(guān)模塊及其實(shí)現(xiàn)的功能是在改進(jìn)后的硬件及其構(gòu)成的裝置、器件或系統(tǒng)上搭載現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)的計(jì)算機(jī)軟件程序或有關(guān)協(xié)議就可實(shí)現(xiàn)，并非是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的計(jì)算機(jī)軟件程序或有關(guān)協(xié)議進(jìn)行改進(jìn)。例如，改進(jìn)后的計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)依然可以通過(guò)裝載現(xiàn)有的軟件操作系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)該硬件系統(tǒng)的特定功能。因此，可以理解的是，本實(shí)用新型的創(chuàng)新之處在于對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中硬件模塊的改進(jìn)及其連接組合關(guān)系，而非僅僅是對(duì)硬件模塊中為實(shí)現(xiàn)有關(guān)功能而搭載的軟件或協(xié)議的改進(jìn)。
[0017]本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本實(shí)用新型中提到的相關(guān)模塊是用于執(zhí)行本申請(qǐng)中所述操作、方法、流程中的步驟、措施、方案中的一項(xiàng)或多項(xiàng)的硬件設(shè)備。所述硬件設(shè)備可以為所需的目的而專門設(shè)計(jì)和制造，或者也可以采用通用計(jì)算機(jī)中的已知設(shè)備或已知的其他硬件設(shè)備。所述通用計(jì)算機(jī)有存儲(chǔ)在其內(nèi)的程序選擇性地激活或重構(gòu)。
[0018]本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，除非特意聲明，這里使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”、“所述”和“該”也可包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中使用的措辭“包括”是指存在所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。應(yīng)該理解，當(dāng)我們稱元件被“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，它可以直接連接或耦接