圈2的位置，來(lái)自加熱線圈2的漏磁通被抑制，因此在防磁環(huán)7產(chǎn)生的感應(yīng)電流減少，防磁環(huán)7的溫度上升被抑制，能夠得到降低了電力損耗的感應(yīng)加熱烹調(diào)器100。另外，通過(guò)將在漏磁通回收線圈10產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)朝冷卻機(jī)構(gòu)8以及/或者電源部9供給，能夠作為電負(fù)載的驅(qū)動(dòng)用電源有效利用，能夠得到實(shí)現(xiàn)了節(jié)能化的感應(yīng)加熱烹調(diào)器100。
[0094]進(jìn)一步，由于防磁環(huán)7等金屬部件的發(fā)熱被抑制，因此感應(yīng)加熱烹調(diào)器100內(nèi)部的溫度上升得以緩和，也能夠抑制冷卻機(jī)構(gòu)8的冷卻能力。因此，能夠使冷卻機(jī)構(gòu)8低成本化、小型化、輕型化，另外，還能夠降低因冷卻機(jī)構(gòu)8的動(dòng)作而導(dǎo)致的噪聲。
[0095]此外，雖然在本實(shí)施方式I中示出了使用IGBT作為開關(guān)元件的例子，但也可以使用其他的開關(guān)器件如功率晶體管或MOSFET。但是，由于在開關(guān)元件中流動(dòng)有大電流，因此在使用采用了硅(Si)的現(xiàn)有的IGBT或MOSFET等作為開關(guān)元件的情況下，導(dǎo)通電阻大，因此元件本身的發(fā)熱大。進(jìn)一步，若將開關(guān)元件配置在構(gòu)成逆變器的基板上的發(fā)熱部件如諧振電容器24或二極管電橋21等的附近，則由于部件發(fā)熱的影響而導(dǎo)致開關(guān)元件周圍的溫度變高，存在開關(guān)元件的結(jié)溫上升的可能性。
[0096]因此，作為開關(guān)元件，優(yōu)選使用由氮化鎵系材料、碳化娃(SiC，Silicon Carbide)、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體構(gòu)成的開關(guān)元件。例如，作為使用了 SiC的M0SFET(SiC - MOSFET)的特性，具有元件的導(dǎo)通電阻小、進(jìn)一步即便結(jié)溫上升導(dǎo)通電阻也幾乎不上升的特長(zhǎng)。因此，能夠?qū)iC - MOSFET配置在發(fā)熱部件附近，能夠得到實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)電路板的小型化/低成本化的感應(yīng)加熱烹調(diào)器。
[0097]此處，對(duì)漏磁通回收線圈10的其他配置例進(jìn)行說(shuō)明。圖9是示出實(shí)施方式I所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器的變形例的概要剖視圖，在漏磁通回收線圈10的外周側(cè)一部分設(shè)置防磁環(huán)7。即、圖9是從加熱線圈2觀察將漏磁通回收線圈10設(shè)置在防磁環(huán)7的內(nèi)側(cè)的圖。
[0098]借助本結(jié)構(gòu)，加熱線圈2的漏磁通更有效地與漏磁通回收線圈10交鏈，因此能夠進(jìn)一步抑制感應(yīng)加熱烹調(diào)器100整體的漏磁通。另外，能夠有效地使感應(yīng)電流在漏磁通回收線圈10流動(dòng)，因此能夠減少在防磁環(huán)7流動(dòng)的感應(yīng)電流，能夠得到抑制了防磁環(huán)7的發(fā)熱的感應(yīng)加熱烹調(diào)器100。
[0099]另外，在圖9中，對(duì)將漏磁通回收線圈10沿縱向垂直配置的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以將漏磁通回收線圈10傾斜配置。例如，通過(guò)縮小漏磁通回收線圈10的下側(cè)、即靠近加熱線圈2的一側(cè)的外徑，且增大靠近防磁環(huán)7的一側(cè)的外徑，能夠進(jìn)一步抑制漏磁通。
[0100]此外，在本實(shí)施方式I中，對(duì)鋁/銅等金屬部件的防磁環(huán)7進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于此，即便是其他金屬部件，通過(guò)仿效本例而同樣地構(gòu)成，能夠得到相同的效果。
[0101]另外，在本實(shí)施方式I中，對(duì)將由漏磁通回收線圈10生成的電動(dòng)勢(shì)作為驅(qū)動(dòng)部3、顯示操作部4、控制部5、以及/或者冷卻機(jī)構(gòu)8的驅(qū)動(dòng)用電源使用的例子進(jìn)行了敘述，但并不限定于此，也可以將漏磁通回收線圈10的電動(dòng)勢(shì)作為其他電負(fù)載的電源使用。
[0102]進(jìn)一步，雖然以漏磁通回收線圈10經(jīng)由電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)11與電源部9連接，電負(fù)載一并使用來(lái)自漏磁通回收線圈10的電力與來(lái)自電源部9的電力的形式進(jìn)行了敘述，但是也可以單獨(dú)使用來(lái)自漏磁通回收線圈10的電力。例如，也可以將來(lái)自漏磁通回收線圈10的電力作為冷卻機(jī)構(gòu)8專用的單體電源使用。在該情況下，電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)11無(wú)需經(jīng)由二極管29與電源部9連接，電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)11與電源部9也可以電絕緣。進(jìn)而，雖然并未特意圖示，但是也可以通過(guò)在電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)11的后段附加穩(wěn)壓(定壓)機(jī)構(gòu)如齊納二極管(zenerd1de)、三端子調(diào)節(jié)器、開關(guān)調(diào)節(jié)器等，另行設(shè)置將由電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)11直流化后的電壓保持為定壓的電路。
[0103]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0104]1:鍋；2:加熱線圈；3:驅(qū)動(dòng)部；4:顯示操作部；5:控制部；7:防磁環(huán)；8:冷卻機(jī)構(gòu)；9:電源部；10:漏磁通回收線圈；11:電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)；12:鐵氧體；20:交流電源；21:二極管電橋；22:電感器；23:平滑電容器；24:諧振電容器；25:IGBT ;26、27、29:二極管；28:電容器；100:感應(yīng)加熱烹調(diào)器。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述感應(yīng)加熱烹調(diào)器具備: 加熱線圈，所述加熱線圈對(duì)被加熱物進(jìn)行感應(yīng)加熱； 驅(qū)動(dòng)部，所述驅(qū)動(dòng)部對(duì)所述加熱線圈供給高頻電流； 控制部，所述控制部對(duì)所述驅(qū)動(dòng)部進(jìn)行控制； 電源部，所述電源部至少對(duì)所述驅(qū)動(dòng)部以及所述控制部供給電力； 電負(fù)載； 導(dǎo)電性部件，所述導(dǎo)電性部件配置于所述被加熱物的外周； 漏磁通回收線圈，所述漏磁通回收線圈配置于從側(cè)面觀察比所述加熱線圈靠上側(cè)的位置，并與從所述加熱線圈產(chǎn)生的漏磁通交鏈；以及 電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，所述電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)將由所述漏磁通回收線圈生成的電力朝所述驅(qū)動(dòng)部、所述控制部以及所述電負(fù)載中的至少任一個(gè)供給。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述漏磁通回收線圈的一部分配置于從側(cè)面觀察與所述加熱線圈的最上段部在高度方向重疊的位置。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述導(dǎo)電性部件與所述漏磁通回收線圈在所述被加熱物的外周以大致相同外徑形成為環(huán)狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述漏磁通回收線圈配置在所述加熱線圈與所述導(dǎo)電性部件之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 在所述導(dǎo)電性部件的內(nèi)周側(cè)具備所述漏磁通回收線圈。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述漏磁通回收線圈以下側(cè)的外徑比上側(cè)的外徑小的方式傾斜配置，其中，所述下側(cè)是靠近所述加熱線圈的一側(cè)，所述上側(cè)是靠近所述導(dǎo)電性部件的一側(cè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)與所述電源部電絕緣。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)與所述電源部電絕緣。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電負(fù)載包括對(duì)所述加熱線圈以及所述驅(qū)動(dòng)部中的至少一方進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電負(fù)載包括對(duì)所述加熱線圈以及所述驅(qū)動(dòng)部中的至少一方進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電負(fù)載包括對(duì)所述加熱線圈以及所述驅(qū)動(dòng)部中的至少一方進(jìn)行冷卻的冷卻機(jī)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述被加熱物為鍋。13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述被加熱物為鍋。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述被加熱物為鍋。15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)由倍壓整流電路構(gòu)成。16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)由倍壓整流電路構(gòu)成。17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)由倍壓整流電路構(gòu)成。18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)部具有使用了由寬帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的開關(guān)元件的逆變器，所述寬帶隙半導(dǎo)體由碳化硅、氮化鎵系材料、或者金剛石構(gòu)成。19.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)部具有使用了由寬帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的開關(guān)元件的逆變器，所述寬帶隙半導(dǎo)體由碳化硅、氮化鎵系材料、或者金剛石構(gòu)成。20.根據(jù)權(quán)利要求8所述的感應(yīng)加熱烹調(diào)器，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)部具有使用了由寬帶隙半導(dǎo)體構(gòu)成的開關(guān)元件的逆變器，所述寬帶隙半導(dǎo)體由碳化硅、氮化鎵系材料、或者金剛石構(gòu)成。
【專利摘要】本實(shí)用新型所涉及的感應(yīng)加熱烹調(diào)器具備：加熱線圈(2)，其對(duì)被加熱物(1)進(jìn)行感應(yīng)加熱；驅(qū)動(dòng)部(3)，其對(duì)加熱線圈(2)供給高頻電流；控制部(5)，其對(duì)驅(qū)動(dòng)部(3)進(jìn)行控制；電源部(9)，其至少對(duì)驅(qū)動(dòng)部(3)以及控制部(5)供給電力；電負(fù)載(8)；導(dǎo)電性部件(7)，其配置于被加熱物(1)的外周；漏磁通回收線圈(10)，其配置于從側(cè)面觀察比加熱線圈(2)靠上側(cè)的位置，并與從加熱線圈(2)產(chǎn)生的漏磁通交鏈；以及電力轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)(11)，其將由漏磁通回收線圈(10)生成的電力朝驅(qū)動(dòng)部(3)、控制部(5)以及電負(fù)載(8)中的至少任一個(gè)供給。
【IPC分類】H05B6/12, A47J27/00
【公開號(hào)】CN204707300
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201290001297
【發(fā)明人】吉野勇人, 伊藤雄一郎, 西健一郎, 森井彰
【申請(qǐng)人】三菱電機(jī)株式會(huì)社, 三菱電機(jī)家用機(jī)器株式會(huì)社
【公開日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2012年8月29日
【公告號(hào)】WO2014033773A1