專利名稱：圖象失真校正裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于CRT(陰極射線管)顯示裝置的圖象失真校正裝置。
<垂直線中間枕形失真>


圖18是表示在目前的高品位顯示監(jiān)視器等中所使用的CRT顯示裝置中，再三成為問題的垂直線的中間部分枕形失真(以下簡稱為「中間枕形失真」)的模式圖。在該圖中，在屏幕(畫面)20上的周邊部表示出了垂直線23，在畫面中間部分(畫面中心部與周邊部的中間部分)表示出了中間部分的垂直線24，當(dāng)畫面周邊部的垂直線23為大致直線狀時(shí)，把中間部分的垂直線24成為失真為枕形的狀態(tài)稱為中間枕形失真。
這樣的中間枕形失真僅通過偏轉(zhuǎn)線圈的磁場分布的調(diào)整，是難于消除的。
另一方面，作為在電路上校正中間枕形失真的方法之一，廣泛使用在垂直掃描線的周期中(以下簡稱為「垂直周期」)使S字校正量變化的改進(jìn)S字校正方法。
<S字校正>
首先，對S字校正進(jìn)行說明。所謂S字校正是這樣的校正方法為了使水平方向的線性成為適當(dāng)?shù)模阉狡D(zhuǎn)電流從鋸齒狀調(diào)制成為大致S字狀。
圖19是表示由鋸齒狀的水平偏轉(zhuǎn)電流IH所產(chǎn)生的屏幕20上的顯示狀況的示意圖；如該圖所示的那樣，當(dāng)由曲線G11所示的鋸齒狀的波形的水平偏轉(zhuǎn)電流IH流過時(shí)，如曲線G12所示的那樣，由CRT等的顯示器的水平斷面內(nèi)的電子束的軌道25所產(chǎn)生的變位量X發(fā)生變化。
此時(shí)，屏幕20(把畫面逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)90°)的畫面周邊部從畫面中間部距偏轉(zhuǎn)中心的距離較大，因此，在偏轉(zhuǎn)電流量的變化相同的情況下，電子束在畫面周邊部比畫面中間部發(fā)生更大的偏轉(zhuǎn)。因此，在畫面周邊部上的垂直線(在圖中為橫線)間隔ΔB大于中間部的縱線間隔ΔA(即ΔA＜ΔB)。
圖20是表示波形進(jìn)行了S字校正的鋸齒狀的水平偏轉(zhuǎn)電流IH所產(chǎn)生的屏幕20上的顯示狀況的示意圖。為了校正圖19所示的水平方向的線性，可以把圖19的曲線G11所示的鋸齒形的水平偏轉(zhuǎn)電流IH調(diào)制為圖20曲線G21所示那樣的大致S字狀。
當(dāng)把水平偏轉(zhuǎn)電流IH調(diào)制為大致S字狀時(shí)，如圖20的曲線G22所示的那樣，S字狀電流與鋸齒狀電流相比，在畫面中間部的電流量較大，因此，能夠彌補(bǔ)畫面中間部的偏轉(zhuǎn)量的不足。因此，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整大致S字狀波形，能夠得到在圖20的屏幕20所示那樣的適當(dāng)?shù)?即ΔA=ΔB)水平方向的線性畫面。
圖21是表示具有S字校正功能的水平偏轉(zhuǎn)電路的電路構(gòu)成例的電路圖。如該圖所示的那樣，在電源E0的正極側(cè)連接回掃變壓器41，在負(fù)極連接水平輸出用晶體管Q1的發(fā)射極。水平輸出用晶體管Q1的集電極連接在回掃變壓器41的原邊，由基極接受控制脈沖。
與該水平輸出用晶體管Q1并聯(lián)地分別連接著二極管D20、電容器C20、水平偏轉(zhuǎn)線圈LH與S字校正用電容器CS的串聯(lián)連接部。而且，二極管D21連接在回掃變壓器41的副邊上，對由回掃變壓器41所變壓的信號(hào)進(jìn)行整流。
在這樣的構(gòu)成中，為了把水平偏轉(zhuǎn)電流調(diào)制成大致S字狀，給水平輸出用晶體管Q1的基極提供水平掃描的周期(以下簡稱為「水平周期」)的脈沖，使水平偏轉(zhuǎn)線圈LH和與其串聯(lián)連接的S字校正電容器CS以由水平偏轉(zhuǎn)線圈LH和電容器C20決定的諧振頻率進(jìn)行共振，由此在S字校正電容器CS的兩端發(fā)生圖22所示那樣的拋物線狀的電壓。在該電壓較高期間即畫面的水平方向中間部的掃描期間，電流量變大，因此，能夠得到鋸齒狀電流被調(diào)制為大致S字狀的水平偏轉(zhuǎn)電流IH。
<由S字校正的垂直調(diào)制所產(chǎn)生的中間枕形失真>
為了便于以下的說明，把圖19所示的成為ΔA＜ΔB的線性稱為外域延伸，反之，把成為ΔA＞ΔB的線性稱為內(nèi)域延伸。
當(dāng)從水平線性的觀點(diǎn)來看中間枕形失真時(shí)，可以看出在畫面上下端部成為內(nèi)域延伸，在畫面中央部成為外域延伸。可以考慮為內(nèi)域延伸是S字校正過大的狀態(tài)，外域延伸是S字校正不足的狀態(tài)。因此，為了校正中間枕形失真，可以在畫面上下端部減小S字校正量，在畫面中央部加大S字校正量。即，可以通過垂直周期來適當(dāng)改變S字校正量的大小。
<具有S字校正的垂直調(diào)制功能的現(xiàn)有圖象失真校正電路的構(gòu)成>
圖23是表示例如日本專利申請公開公報(bào)特開平11-261839號(hào)公報(bào)所表示的現(xiàn)有的圖象失真校正電路的構(gòu)成的電路圖。如該圖所示的那樣，水平偏轉(zhuǎn)電流IH流在端子P1，端子P2之間，在端子P1，端子P2之間串聯(lián)連接水平偏轉(zhuǎn)線圈21、水平校正線圈L13和水平校正線圈L14。水平校正線圈L13和水平校正線圈L14繞制在同一鐵心13上。而且，考慮到水平偏轉(zhuǎn)線圈21的內(nèi)部具有單一的線圈或者多個(gè)線圈的并聯(lián)連接等各種構(gòu)成，為了方便，用方框來表示。
另一方面，垂直偏轉(zhuǎn)電流IV流在端子P3，端子P4之間，在端子P3、中間端子P11之間設(shè)置垂直偏轉(zhuǎn)線圈22。而且，考慮到垂直偏轉(zhuǎn)線圈22是單一的線圈或者多個(gè)線圈的串聯(lián)連接和均衡校正用的多個(gè)電阻(在一部分中包含可變電阻)的組合電路等構(gòu)成，為了方便，用方框來表示。
在中間點(diǎn)P11上連接二極管D7的正極和電阻R4的一端，在二極管D7的負(fù)極上連接垂直校正線圈L15的一端和二極管D8的負(fù)極，在垂直校正線圈L15的另一端上連接電阻R4的另一端和電阻R5的一端，在端子P4上連接二極管D8的正極和電阻R5的另一端。垂直校正線圈L15繞制在鐵心13上。
另一方面，中間枕形失真校正飽和電抗器單元10由水平校正線圈L13、L14、垂直校正線圈L15、磁鐵11、12和鐵心13所構(gòu)成，在鐵心13的兩端上，磁鐵11、12被配置成磁場在一個(gè)方向(圖23中的左方向)上被偏置。水平校正線圈L13,L14的繞線方向被反向設(shè)定，以便于發(fā)生相反方向的磁場，垂直校正線圈L15的繞線方向被設(shè)定在這樣的方向上在與由磁鐵11,12所偏置的方向相反的方向上產(chǎn)生磁場。
在該圖象失真校正電路的中間枕形失真校正飽和電抗器單元10中，根據(jù)流過垂直校正線圈L15的垂直偏轉(zhuǎn)電流IV，來控制水平偏轉(zhuǎn)電流IH流過的水平校正線圈L13,L14的電感，由此，根據(jù)垂直偏轉(zhuǎn)的量改變水平偏轉(zhuǎn)中的S字校正量。
即，把該水平校正線圈L13,L14連接到水平偏轉(zhuǎn)線圈21的一端上，用按垂直周期變化的垂直偏轉(zhuǎn)電流IV來進(jìn)行調(diào)制，由垂直校正線圈L15產(chǎn)生抵消由磁鐵11,12所產(chǎn)生的偏置磁場的方向上的磁場，由此，使水平校正線圈L13,L14的電感變化，進(jìn)行校正。此時(shí)，施加在兩個(gè)水平校正線圈L13,L14上的水平偏轉(zhuǎn)電流IH是在每個(gè)水平周期被提供的進(jìn)行了S字校正的鋸齒狀波形電流，施加在垂直校正線圈L15上的垂直偏轉(zhuǎn)電流IV是這樣的電流通過兩個(gè)二極管D7,D8和兩個(gè)電阻R4,R5把在每個(gè)垂直周期被提供的鋸齒狀波形電流整流成為同極性。
而且，圖24是表示中間枕形失真校正飽和電抗器單元10的主要部分構(gòu)造的大致側(cè)面圖。如該圖所示的那樣，外殼39內(nèi)鼓狀的三個(gè)部分鐵心13a～13c同軸相鄰配置，在部分鐵心13a上繞制水平校正線圈L13，在部分鐵心13b上繞制垂直校正線圈L15，在部分鐵心13c上繞制水平校正線圈L14。
在部分鐵心13a～13c的兩端配置一對磁鐵11和磁鐵12，它們的極性成為相同方向。如上述那樣，水平校正線圈L13,L14的繞制方向是相反方向，垂直校正線圈L15的繞制方向?yàn)檫@樣的方向通電時(shí)產(chǎn)生的磁場抵消一對磁鐵11,12發(fā)生的磁場(以下稱為偏置磁場)。
<現(xiàn)有裝置的作用>
在圖23和圖24所示構(gòu)成的現(xiàn)有圖象失真校正電路中，垂直校正線圈L15以垂直周期發(fā)生的磁場抵消由磁鐵11,12所產(chǎn)生的偏置磁場，因此，水平校正線圈L13,L14的電感發(fā)生變化。即，在畫面上下端部，由于偏置磁場被抵消，故水平校正線圈L13,L14的合成電感變大，在畫面中央部，由于偏置磁場仍殘存，故水平校正線圈L13,L14的合成電感變小。
因此，由于考慮到水平期間中的S字校正電容器CS的兩端電壓波形是通過水平偏轉(zhuǎn)線圈21、水平校正線圈L13,L14和S字校正電容器CS的串聯(lián)諧振而產(chǎn)生的正弦波的一部分，可以通過下式(1)來表示該諧振頻率ωsωs=1/{(Lh+Ls)·Cs}···(1)]]>其中，Lh是水平偏轉(zhuǎn)線圈21的電感，Ls是水平校正線圈L13,L14的合成電感，Cs是S字校正電容器CS的電容量。
從式(1)可以看出當(dāng)水平校正線圈的合成電感Ls較大時(shí)，諧振頻率ωs變小。結(jié)果，拋物線電壓波形變成平坦的，S字校正的效果較弱。反之，當(dāng)水平校正線圈的合成電感Ls較小時(shí)，S字校正的效果較強(qiáng)。
因此，在圖23和圖24所示的圖象失真校正電路中，在畫面上下端部，由于水平校正線圈的合成電感Ls變大，故S字校正的效果較弱，成為外域延伸，在畫面中央部，由于水平校正線圈的合成電感Ls變小，則S字校正的效果較強(qiáng)，而成為內(nèi)域延伸。這樣，能夠校正中間枕形失真。
現(xiàn)有的圖象失真校正電路，如圖24所示的那樣，為了實(shí)現(xiàn)中間枕形失真校正飽和電抗器單元10的鐵心13，使用三個(gè)部分鐵心13a～13c，因此，成本提高，制造方法變得復(fù)雜。
而且，由于包含鐵心13和磁鐵11,12的系統(tǒng)全體不是閉合磁路，而發(fā)生低強(qiáng)度的泄漏磁場，而且，通過二極管來整流垂直校正線圈，因此，存在由于二極管的電阻成分使垂直偏轉(zhuǎn)靈敏度惡化，同時(shí)，耗電量變大等問題。
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供謀求裝置的低成本化和低耗電量的構(gòu)造的圖象失真校正裝置。
本發(fā)明所涉及的技術(shù)方案1的圖象失真校正裝置，包括設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)電流流過的水平偏轉(zhuǎn)電流路徑上的第一和第二水平校正線圈，上述第一和第二水平校正線圈串聯(lián)連接，同時(shí)，設(shè)定相對于鐵心的繞線方向以便于產(chǎn)生相反方向的磁場，還包括磁場偏置裝置，在第一方向上偏置上述磁場；垂直校正線圈，設(shè)在垂直偏轉(zhuǎn)電流流過的垂直偏轉(zhuǎn)電流路徑上，在作為與上述第一方向相反的方向的第二方向上發(fā)生磁場，沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周重疊繞制上述垂直校正線圈。
此外，技術(shù)方案2的發(fā)明，是在技術(shù)方案1記載的圖象失真校正裝置中，上述鐵心包含第一和第二部分鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述第一和第二部分鐵心上的線圈。
此外，技術(shù)方案3的發(fā)明，是技術(shù)方案1記載的圖象失真校正裝置，上述鐵心包含一個(gè)單位的一體型鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述一體型鐵心的第一和第二區(qū)域上的線圈。
此外，技術(shù)方案4的發(fā)明，是在技術(shù)方案1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置中，上述磁場偏置裝置包含分別配置在上述鐵心的兩端并且極性相一致的第一和第二磁鐵。
此外，技術(shù)方案5的發(fā)明，是在技術(shù)方案2記載的圖象失真校正裝置中，上述磁場偏置裝置包含配置在上述第一和第二部分鐵心之間的一個(gè)單位的磁鐵。
此外，技術(shù)方案6的發(fā)明，是在技術(shù)方案1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置中，進(jìn)一步包括閉合磁路部件，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心中至少一方相連接，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心一起形成閉合磁路。
此外，技術(shù)方案7的發(fā)明，是在技術(shù)方案6記載的圖象失真校正裝置中，上述閉合磁路部件包含配置成與上述磁場偏置裝置或者上述鐵心的任一個(gè)磁性結(jié)合的磁軛板。
此外，技術(shù)方案8的發(fā)明，是在技術(shù)方案1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置中，上述垂直校正線圈包含第一和第二垂直校正線圈，上述第一和第二垂直校正線圈在第一極性的上述垂直偏轉(zhuǎn)電流流過時(shí)都在上述第二方向上產(chǎn)生磁場，上述第二垂直校正線圈在作為與上述第一極性相反的極性的第二極性的上述垂直偏轉(zhuǎn)電流流過時(shí)在第二方向產(chǎn)生磁場，上述第一和第二垂直校正線圈包含同時(shí)繞制在上述第一和第二水平校正線圈的外周上的線圈。
此外，技術(shù)方案9的發(fā)明，是在技術(shù)方案1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置中，進(jìn)一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設(shè)置的絕緣性的線圈架，上述垂直校正線圈包含繞制在上述線圈架上的線圈。
此外，技術(shù)方案10的發(fā)明，是在技術(shù)方案1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置中，上述垂直校正線圈包含這樣的線圈在與上述第一和第二水平校正線圈分別對應(yīng)的第一和第二外周區(qū)域之間，匝數(shù)被設(shè)定為大致相同。
此外，技術(shù)方案11的發(fā)明，是在技術(shù)方案10記載的圖象失真校正裝置中，進(jìn)一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設(shè)置的絕緣性的線圈架，上述線圈架在相當(dāng)于上述第一和第二水平校正線圈的中間部分的位置上具有凸緣部。
此外，技術(shù)方案12的發(fā)明，是在技術(shù)方案1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置中，上述第一和第二水平校正線圈以及上述垂直校正線圈中的至少一個(gè)線圈包含使用集合絞合線作為繞組的線圈。
如以上說明的那樣，本發(fā)明中的技術(shù)方案1的圖象失真校正裝置，沿著第一和第二水平校正線圈的繞組的外周重疊繞制垂直校正線圈，因此，不需要單獨(dú)的垂直校正線圈的繞線用的鐵心，能夠謀求裝置的成本的削減。
而且，垂直校正線圈利用從第一和第二水平校正線圈的外周進(jìn)行繞線的構(gòu)造，可以使用線徑比較粗的繞線，由此，能謀求垂直校正線圈的電阻成分的降低，因此，能夠謀求垂直校正線圈所需要的耗電量的降低。
在技術(shù)方案2記載的圖象失真校正裝置中，由于第一和第二水平校正線圈分別繞制在第一和第二部分鐵心上，故能夠比較容易地減小兩者的互感。
技術(shù)方案3記載的圖象失真校正裝置，是在一體型鐵心上繞制第一和第二水平校正線圈的構(gòu)造，因此，對于兩個(gè)水平校正線圈，能夠用一個(gè)一體形的鐵心來完成，能夠謀求裝置的成本的削減。
在此基礎(chǔ)上，由于在共同的一體型鐵心上繞制第一和第二水平校正線圈，而不會(huì)在第一和第二水平校正線圈之間產(chǎn)生鐵心的軸偏移。
技術(shù)方案4記載的圖象失真校正裝置，通過配置在鐵心兩端上的第一和第二磁鐵，能夠在第一和第二磁鐵之間使磁場在第一方向上有效地起作用。
技術(shù)方案5記載的圖象失真校正裝置，在第一和第二部分鐵心之間配置一個(gè)單位的磁鐵，使磁場在第一方向上起作用，由此，與使用多個(gè)單位的磁鐵的構(gòu)成相比，能夠謀求裝置的成本的削減。
而且，由于不需要在由第一和第二部分鐵心組成的鐵心的兩端配置磁鐵，故繞制在第一和第二部分鐵心上的第一和第二水平校正線圈的繞組的引出變得容易，能夠謀求裝置制造的高效化。
技術(shù)方案6記載的圖象失真校正裝置，通過閉合磁路部件與磁場偏置裝置和鐵心一起形成閉合磁路，因此，能夠有效地抑制漏磁場。
技術(shù)方案7記載的圖象失真校正裝置，通過磁軛板的磁性結(jié)合，能夠謀求磁場偏置裝置或者垂直校正線圈的磁力的提高，因此，能夠使磁場偏置裝置進(jìn)一步小型化，謀求裝置的成本的削減，或者減少垂直校正線圈的匝數(shù)，來謀求低耗電化。
技術(shù)方案8記載的圖象失真校正裝置，通過同時(shí)繞制第一和第二垂直校正線圈，能夠謀求繞線作業(yè)的高效化。而且，由于以大致相同的路徑繞制第一和第二垂直校正線圈，能夠抑制第一和第二垂直校正線圈間的電阻成分的偏差。
技術(shù)方案9記載的圖象失真校正裝置，通過在第一和第二水平校正線圈與垂直校正線圈之間設(shè)置的絕緣性的線圈架，能夠有效地抑制第一和第二水平校正線圈與垂直校正線圈之間的短路。
技術(shù)方案10記載的圖象失真校正裝置，在與第一和第二水平校正線圈分別對應(yīng)的第一和第二外周區(qū)域之間，把垂直校正線圈的匝數(shù)設(shè)定為大致相同，由此，能夠抑制在第一和第二水平校正線圈與垂直校正線圈之間產(chǎn)生的感應(yīng)電流的發(fā)生，而減小發(fā)熱量，能夠增大中間枕形失真的校正量。
技術(shù)方案11記載的圖象失真校正裝置，通過線圈架的中間部設(shè)置的凸緣部，能夠把垂直校正線圈容易地分割成各自的匝數(shù)大致相同并且設(shè)在第一和第二外周區(qū)域中的兩個(gè)部分線圈。
技術(shù)方案12記載的圖象失真校正裝置，第一和第二水平校正線圈以及垂直校正線圈中的至少一個(gè)線圈使用集合絞合線作為繞組，由此，能夠抑制趨膚效應(yīng)所產(chǎn)生的交流電阻的增大，而減小發(fā)熱量。
本發(fā)明的這些和其他的目的、優(yōu)點(diǎn)及特征將通過結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例的描述而得到進(jìn)一步說明。在這些附圖中圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的圖象失真校正裝置中的電路構(gòu)成的電路圖；圖2是表示圖1所示的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖；圖3是表示水平校正線圈的電感-安匝特性的曲線圖；圖4是表示加在畫面上的各個(gè)顯示位置上的標(biāo)號(hào)與實(shí)際的顯示位置的對應(yīng)關(guān)系的示意圖；圖5是表示畫面中心部的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖6是表示畫面上端、下端的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖7是表示畫面左邊的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖8是表示畫面右邊的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖9是表示畫面左上端、左下端的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖10是表示畫面右上端、右下端的中間枕形失真校正飽和電抗單元的磁場的示意圖；圖11是表示對于畫面顯示位置的水平校正線圈的合成電感變化的示意圖；圖12是表示本發(fā)明實(shí)施例2的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖；圖13是表示本發(fā)明實(shí)施例3的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖；圖14是表示本發(fā)明實(shí)施例4的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖；圖15是表示本發(fā)明實(shí)施例5的圖象失真校正裝置的電路構(gòu)成的電路圖；圖16是表示實(shí)施例5的垂直校正線圈的繞制狀況的示意圖；圖17是表示本發(fā)明實(shí)施例6的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖；圖18是表示中間枕形失真的模式圖；圖19是表示由波形為鋸齒形的水平偏轉(zhuǎn)電流所產(chǎn)生的屏幕上的顯示狀況的示意圖；圖20是表示由波形為進(jìn)行了S字校正的鋸齒形的水平偏轉(zhuǎn)電流所產(chǎn)生的屏幕上的顯示狀況的示意圖；圖21是表示具有S字校正功能的水平偏轉(zhuǎn)電路的電路構(gòu)成例的電路圖；圖22是表示在S字校正用電容器的兩端產(chǎn)生的電壓分布的曲線圖；圖23是表示現(xiàn)有的圖象失真校正電路的構(gòu)成的電路圖；圖24是表示現(xiàn)有的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的主要部分構(gòu)造的大致側(cè)面圖。
實(shí)施例1<電路構(gòu)成>
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的圖象失真校正裝置中的電路構(gòu)成的電路圖。在圖1中，1是中間枕形失真校正飽和電抗器單元，2，3是磁鐵，4是鐵心。
如該圖所示的那樣，水平偏轉(zhuǎn)電流IH流過端子P1，端子P2之間的水平偏轉(zhuǎn)電流路徑，在端子P1,P2之間串聯(lián)連接著水平偏轉(zhuǎn)線圈21、水平校正線圈L1和水平校正線圈L2。水平校正線圈L1和水平校正線圈L2分別繞制在鐵心4上。
另一方面，垂直偏轉(zhuǎn)電流IV流過端子P3，端子P4之間的垂直偏轉(zhuǎn)電流路徑，在端子P3，中間端子P11之間設(shè)置垂直偏轉(zhuǎn)線圈22。
在中間端子P11，端子P4之間設(shè)置由垂直校正線圈L3、二極管D1～D4和電阻R1組成的垂直校正部31。以下對垂直校正部31的內(nèi)部構(gòu)成進(jìn)行說明。在中間端子P11上連接二極管D1的正極、二極管D3的負(fù)極和電阻R1的一端，在二極管D1的負(fù)極上連接垂直校正線圈L3的一端和二極管D2的負(fù)極，在垂直校正線圈L3的另一端連接二極管D3和D4的正極，在端子P4上連接二極管D2的正極、二極管D4的負(fù)極以及電阻R1的另一端。
即，對于設(shè)在中間端子P11，端子P4之間的第一電流路徑(串聯(lián)連接二極管D1,D4和垂直校正線圈L3的路徑)和第二電流路徑(串聯(lián)連接二極管D2,D3和垂直校正線圈L3的路徑)，并聯(lián)連接作為共用電阻的電阻R1。
在圖1所示的電路構(gòu)成中，為了在垂直校正線圈L3中流過被整流的垂直偏轉(zhuǎn)電流，而使用由二極管D1～D4和電阻R3組成的二極管橋，但是，也可以使用其他的整流電路。
<中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造>
圖2是表示圖1所示的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖。如該圖所示的那樣，構(gòu)成鐵心4的部分鐵心4a,4b相接觸以便于磁結(jié)合，并且同軸配置，在其兩端上配置磁鐵2,3，磁鐵2,3在同一方向上配置成磁鐵2側(cè)的S極，磁鐵3側(cè)的N極，分別與鐵心4接觸。
在部分鐵心4a上繞制水平校正線圈L1，在部分鐵心4b上繞制水平校正線圈L2。這兩個(gè)水平校正線圈L1、L2的匝數(shù)被設(shè)定為大致相同，繞線方向是以產(chǎn)生相反方向的磁場的方向進(jìn)行繞制，同時(shí)，以水平校正線圈L1、L2之間的互感成為可以忽略的大小這樣的距離來進(jìn)行配置。由于水平校正線圈L1,L2分別繞制在各自的部分鐵心4a,4b上，而能夠比較容易地實(shí)現(xiàn)把互感抑制得較低的配置。而且，水平校正線圈L1和水平校正線圈L2按圖1所示的那樣串聯(lián)連接。
在部分鐵心4a,4b和磁鐵2,3的外周設(shè)置沿水平校正線圈L1,L2的繞線方向覆蓋的例如圓筒狀的線圈架5，線圈架5具有絕緣性。垂直校正線圈L3沿著水平校正線圈L1,L2的繞組上并以部分鐵心4a,4b為中心而繞制在線圈架5上。即，垂直校正線圈L3沿著水平校正線圈L1,L2的繞組的外周，通過線圈架5而重疊繞制在水平校正線圈L1,L2上。該垂直校正線圈L3以這樣的繞線方向進(jìn)行繞制產(chǎn)生抵消由磁鐵2,3產(chǎn)生的偏置磁場的方向的磁場。
這樣，圖2所示的中間枕形失真校正飽和電抗器單元1的等效電路是圖1所示的中間枕形失真校正飽和電抗器單元1。使用該中間枕形失真校正飽和電抗器單元1，能夠象下面詳細(xì)描述的那樣，校正在畫面的左右產(chǎn)生的中間枕形失真。
在實(shí)施例1的圖象失真校正裝置中，具有這樣的特征在中間枕形失真校正飽和電抗器單元1中，把垂直校正線圈L3重疊繞制在水平校正線圈L1,L2上。
<動(dòng)作>
這樣，實(shí)施例1的圖象失真校正裝置是由中間枕形失真校正飽和電抗器單元1和垂直校正部31的垂直偏轉(zhuǎn)電流的整流電路來構(gòu)成圖象失真校正電路。下面對實(shí)施例1的圖象失真校正裝置的動(dòng)作進(jìn)行說明。
圖3是表示水平校正線圈的電感-安匝特性的曲線圖。在圖3中，縱軸表示水平校正線圈的電感，橫軸表示安匝或者外部磁場。如該圖所示的那樣，水平校正線圈的電感在安匝較小的狀態(tài)下較大，隨著安匝變大而變小，在某個(gè)值以上的安匝(飽和狀態(tài))下，成為大致恒定的小值。
此外，由于兩個(gè)水平校正線圈L1,L2以能夠忽略互感的水平進(jìn)行配置，兩個(gè)水平校正線圈L1,L2的合成電感Ls用各自的線圈的電感L1、L2之和來表示。即，成為「Ls=L1+L2」。
下面，對應(yīng)于畫面上的顯示位置，來說明水平校正線圈的合成電感Ls的變化。在圖4中表示了加在畫面上的各個(gè)顯示位置上的標(biāo)號(hào)與實(shí)際的顯示位置的對應(yīng)關(guān)系。在圖中，把畫面的水平軸作為X軸，把垂直軸作為Y軸。
而且，施加在兩個(gè)水平校正線圈L1,L2上的水平偏轉(zhuǎn)電流IH是在每個(gè)水平周期內(nèi)所提供的進(jìn)行了S字校正的鋸齒狀波形電流，施加在垂直校正線圈L3上的垂直偏轉(zhuǎn)電流IV是通過4個(gè)二極管D1～D4和一個(gè)電阻R1把在每個(gè)水平周期內(nèi)所提供的鋸齒狀波形電流整流成相同極性的電流。
如圖5所示的那樣，在顯示位置O(畫面中央)，水平校正線圈L1,L2、垂直校正線圈L3中都沒有流過電流。因此，作用在水平校正線圈L1,L2上的磁場僅是由磁鐵2,3所產(chǎn)生的偏置磁場M0。此時(shí)，水平校正線圈L1,L2都被設(shè)定為飽和狀態(tài)，合成電感Ls變小。
如圖6所示的那樣，在顯示位置T(Y軸的上端)或者顯示位置B(Y軸的下端)，在水平校正線圈L1中沒有電流流過，僅在垂直校正線圈L3中流過電流。垂直校正線圈L3產(chǎn)生的磁場M3抵消了磁鐵2,3的偏置磁場M0，因此，解除了水平校正線圈L1,L2各自的飽和狀態(tài)。因此，水平校正線圈L1,L2的電感變大，它們的合成電感Ls變大。
如圖7所示的那樣，在顯示位置L(X軸的左端)，在水平校正線圈L1,L2中流過電流，在垂直校正線圈L3中沒有電流流過。此時(shí)，水平校正線圈L1產(chǎn)生的磁場M1是抵消由磁鐵2,3所產(chǎn)生的偏置磁場M0的方向，因此，解除了水平校正線圈L1的飽和狀態(tài)，電感L1變大。另一方面，水平校正線圈L2產(chǎn)生的磁場M2是與由磁鐵2,3所產(chǎn)生的偏置磁場M0相同的方向，因此，水平校正線圈L2仍是飽和狀態(tài)，電感L2較小。因此，合成電感Ls增大了L1的增加量。
如圖8所示的那樣，顯示位置R(X軸的右端)為與顯示位置L的情況相反的狀態(tài)，水平校正線圈L1仍是飽和狀態(tài)，電感較小，另一方面，水平校正線圈L2被解除了飽和狀態(tài)，因此，電感L2變大。因此，合成電感Ls增大了L2的增加量。
如圖9所示的那樣，在顯示位置TL(畫面左上角)或者顯示位置BL(畫面左下角)的情況下，可以考慮是在顯示位置T或者顯示位置B的情況下(以下稱為Y軸端)疊加了顯示位置L的情況而形成的結(jié)果。在此情況下，水平校正線圈L1其自身產(chǎn)生的磁場M1和垂直校正線圈L3產(chǎn)生的磁場M3具有相同方向，因此，與Y軸端的狀態(tài)相比，進(jìn)一步推進(jìn)了飽和狀態(tài)的解除。因此，水平校正線圈L1的電感L1與Y軸端相比更大了。另一方面，水平校正線圈L2其自身產(chǎn)生的磁場M2和垂直校正線圈L3產(chǎn)生的磁場M3具有相反方向，因此，與Y軸端的狀態(tài)相比，接近飽和狀態(tài)。因此，水平校正線圈L2的電感L2與Y軸端相比更小了。合成電感Ls由兩個(gè)線圈的電感L1、L2的Y軸端的變化量之差所決定，但是，通常，與Y軸端的狀態(tài)相比，相同或者變小了。
如圖10所示的那樣，顯示位置TR(畫面右上角)或者顯示位置BR(畫面右下角)可以考慮是在Y軸端的情況下疊加到顯示位置R的情況上的結(jié)果。在此情況下，水平校正線圈L1與Y軸端的狀態(tài)相比接近飽和狀態(tài)，因此，電感L1與Y軸端的狀態(tài)相比變小了，水平校正線圈L2與Y軸端的狀態(tài)相比推進(jìn)了飽和狀態(tài)的解除，因此，電感L2與Y軸端的狀態(tài)相比變大了。合成電感Ls與Y軸端的狀態(tài)相比，相同或者變小了。
圖11是表示對于畫面顯示位置的水平校正線圈的合成電感變化的示意圖。在該圖中，在縱軸上表示合成電感Ls，在橫軸上表示水平偏轉(zhuǎn)電流IH。在兩個(gè)曲線中，曲線LC1表示與畫面上下端部的橫線相對應(yīng)的合成電感Ls的變化，曲線LC2表示與畫面中央部的橫線相對應(yīng)的合成電感Ls的變化。表示與曲線上的各點(diǎn)相對應(yīng)的畫面上的顯示位置的標(biāo)號(hào)與圖4相同。
從圖11可以看出，在畫面上下端部，合成電感Ls，在Y軸端最大，越接近畫面角部，變得越小。另一方面，在畫面中央部，合成電感Ls，在畫面中央最小，越接近X軸端，變得越大。
因此，水平校正線圈的合成電感Ls在畫面上下端部變大，在畫面中央部變小，因此，在畫面上下端部減小S字校正量，在畫面中央部加大S字校正量，從而能校正中間枕形失真。
而且，通過合成電感Ls對水平偏轉(zhuǎn)電流IH的變化，能夠增大中間枕形失真校正效果。即，在畫面上下端部，水平校正線圈的合成電感Ls在水平方向的中間部變大，在周邊部變小，因此，水平方向的振幅相對地在中間部縮回而在周邊部伸長(即外域延伸)。
另一方面，在畫面中央部，水平校正線圈的合成電感Ls在水平方向的中間部變小，在周邊部變大，因此，水平方向的振幅相對地在中間部伸長而在周邊部縮回(即內(nèi)域延伸)。
而且，在實(shí)施例1的圖象失真校正裝置中，在中間枕形失真校正飽和電抗器單元1中使用的鐵心4用的部分鐵心用兩個(gè)(4a,4b)就夠了，與由3個(gè)部分鐵心組成的現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠降低裝置成本。
而且，由于鐵心13繞制在線圈架5的外側(cè)上，與象現(xiàn)有裝置那樣繞制在較小的鐵心13上的情況下相比，在繞組間存在裕量，因此，能夠使用線徑大、電阻率小的繞線作為垂直校正線圈L3的線圈，能夠減小垂直校正線圈L3的耗電量。
而且，水平校正線圈L1,L2和垂直校正線圈L3通過它們之間存在的絕緣性線圈架5進(jìn)行絕緣，因此，能夠把在水平校正線圈L1,L2和垂直校正線圈L3之間產(chǎn)生短路的可能性抑制到足夠低。
而且，如果水平校正線圈L1,L2和垂直校正線圈L3各自線圈本體被充分絕緣，也可以在水平校正線圈L1,L2上直接重疊繞制垂直校正線圈L3。
實(shí)施例2圖12是表示本發(fā)明實(shí)施例2的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖。電路構(gòu)成與圖1所示的實(shí)施例1的圖象失真校正電路的電路構(gòu)成相同。
如該圖所示的那樣，圖1的鐵心4由整體形成的一個(gè)單位的鐵心6來實(shí)現(xiàn)。而且，在鐵心6的磁鐵2側(cè)的區(qū)域中繞制水平校正線圈L1，在磁鐵3側(cè)的區(qū)域中繞制水平校正線圈L2。其他的構(gòu)成與圖2所示的實(shí)施例1相同。
這樣構(gòu)成的實(shí)施例2的圖象失真校正裝置能夠進(jìn)行與實(shí)施例1的圖象失真校正裝置相同的動(dòng)作。而且，通過實(shí)施例2這樣的構(gòu)成，與實(shí)施例1相比，從兩個(gè)單位的鐵心4減少為一個(gè)單位的鐵心6，由于減少了部件數(shù)量和裝配工時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)裝置成本的降低。而且，不會(huì)產(chǎn)生實(shí)施例1那樣的由兩個(gè)部分鐵心構(gòu)成鐵心時(shí)產(chǎn)生的軸偏移等問題。
實(shí)施例3圖13是表示本發(fā)明實(shí)施例3的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖。電路構(gòu)成除了磁鐵的配置之外與圖1所示的實(shí)施例1的圖象失真校正電路的電路構(gòu)成相同。
如該圖所示的那樣，在部分鐵心4a,4b之間配置一個(gè)磁鐵8，來取代磁鐵2,3。由磁鐵8產(chǎn)生的偏置磁場與由磁鐵2,3產(chǎn)生的偏置磁場相同。而且，其他的構(gòu)成與圖2所示的實(shí)施例1相同。
這樣構(gòu)成的實(shí)施例3的圖象失真校正裝置能夠進(jìn)行與實(shí)施例1的圖象失真校正裝置相同的動(dòng)作。而且，通過實(shí)施例3這樣的構(gòu)成，與實(shí)施例1、2相比，從兩個(gè)單位的磁鐵2、3減少為一個(gè)單位的磁鐵8，由于減少了部件數(shù)量，能夠?qū)崿F(xiàn)裝置成本的降低。
而且，由于不需要象實(shí)施例1和實(shí)施例2那樣，在鐵心(4a,4b；6)的兩端配置磁鐵2,3，在把繞組從水平校正線圈L1,L2引出到線圈架5外的過程中，磁鐵不會(huì)成為障礙，能夠謀求裝置制造的高效化。而且，不需要在線圈架5上設(shè)置繞組引出用的槽，能夠簡化線圈架構(gòu)造。
實(shí)施例4圖14是表示本發(fā)明實(shí)施例4的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖。而且，電路構(gòu)成與圖1所示的實(shí)施例1的圖象失真校正電路的電路構(gòu)成相同。
如該圖所示的那樣，在線圈架5的一部分的外側(cè)進(jìn)一步設(shè)置大致為コ字形的磁軛板9來作為閉合磁路部件。磁軛板9由例如硅鋼片等廉價(jià)的材料組成，其兩端面分別緊密連接在左右兩側(cè)的磁鐵2,3的端面上，鐵心6-磁鐵2,3-磁軛板9作為整體形成閉合磁路。而且，其他的構(gòu)成與圖12所示的實(shí)施例2相同。
而且，磁軛板9可以設(shè)在上述實(shí)施例1或者實(shí)施例3所示的中間枕形失真校正飽和電抗器單元上。但是，當(dāng)在實(shí)施例3的構(gòu)成中設(shè)置磁軛板9時(shí)，磁軛板9的端面與部分鐵心4a,4b的端面緊密連接。即，磁軛板9與磁鐵2、3或者部分鐵心4a、4b磁結(jié)合，而形成閉合磁路。
這樣構(gòu)成的實(shí)施例3的圖象失真校正裝置，由于通過磁軛板9使磁鐵2,3發(fā)生的磁通密度變大，故能夠使用厚度更小的磁鐵2,3,能夠謀求裝置成本的降低和裝置的小型化。
而且，通過磁軛板9降低了磁阻，而提高了垂直校正線圈L3的效率，因此，能夠減少線圈的匝數(shù)，除了能夠?qū)崿F(xiàn)裝置成本的降低之外，還能夠減小耗電量。而且，由于整體構(gòu)成閉合磁路，故能夠有效地抑制漏磁場。
實(shí)施例5圖15是表示本發(fā)明實(shí)施例5的圖象失真校正裝置的電路構(gòu)成的電路圖。在圖15中，7是中間枕形失真校正飽和電抗器單元。
如該圖所示的那樣，在中間端子P11，端子P4之間構(gòu)成由垂直校正線圈L4,L5、二極管D5,D6和電阻R2組成的垂直校正部32。以下對垂直校正部32的內(nèi)部構(gòu)成進(jìn)行說明。在中間端子P11上連接二極管D5的正極、二極管D6的負(fù)極和電阻R2的一端，在二極管D5的負(fù)極上連接垂直校正線圈L4的一端，在垂直校正線圈L4的另一端上連接電阻R2的另一端和端子P4的。在端子P4上連接垂直校正線圈L5的一端，垂直校正線圈L5的另一端連接在二極管D6的正極上。其他構(gòu)成與圖1所示的實(shí)施例1的電路構(gòu)成相同。
這樣，對于設(shè)在中間端子P11，端子P4之間的第一電流路徑(串聯(lián)連接二極管D5和垂直校正線圈L4的路徑)和第二電流路徑(串聯(lián)連接二極管D6和垂直校正線圈L5的路徑)，并聯(lián)連接作為共用電阻的電阻R2。
而且，在垂直校正部32中，在畫面的上偏轉(zhuǎn)的情況下和下偏轉(zhuǎn)的情況下，切換電流流過的垂直校正線圈L4,L5，構(gòu)成為在無論哪種情況下從兩個(gè)垂直校正線圈的某個(gè)產(chǎn)生的磁場都成為抵消磁鐵2,3的偏置磁場的方向。
實(shí)施例5的中間枕形失真校正飽和電抗器單元7的構(gòu)造可以是實(shí)施例1～實(shí)施例4的中間枕形失真校正飽和電抗器單元1的構(gòu)造中的任一種構(gòu)造，可以在線圈架5上同時(shí)繞制垂直校正線圈L4,L5來取代垂直校正線圈L3。
垂直校正線圈L4,L5，在一次的繞線作業(yè)中，同時(shí)以相同方向把兩條繞線繞制在線圈架5上，由此，如圖16所示的那樣，能夠得到在線圈架5上交替繞制垂直校正線圈L4,L5的構(gòu)造。
而且，垂直校正線圈L4,L5的磁場產(chǎn)生的方向可以通過電路板上的電路布線來進(jìn)行控制。通過這樣進(jìn)行繞制，兩個(gè)垂直校正線圈L4,L5以大致相同的路徑進(jìn)行繞制，因此，能夠抑制電感的偏差。而且，繞線作業(yè)可以一次完成。
這樣構(gòu)成的實(shí)施例5的垂直校正部32，與圖1所示的實(shí)施例1的垂直校正部31那樣把單一的垂直校正線圈L3與二極管橋等整流電路組合使用的情況相比，由于電流通過的二極管的數(shù)量減少了，能夠減少由二極管的ON電阻所產(chǎn)生的耗電量。
實(shí)施例6圖17是表示本發(fā)明實(shí)施例6的圖象失真校正裝置中的中間枕形失真校正飽和電抗器單元的構(gòu)造的截面圖。而且，電路構(gòu)成與圖1所示的實(shí)施例1的圖象失真校正電路或者圖15所示的實(shí)施例5的圖象失真校正電路相同。
如該圖所示的那樣，在線圈架5的兩端與凸緣部5a,5b的中間部進(jìn)一步設(shè)置垂直校正線圈的匝數(shù)控制用的凸緣部5c。凸緣部5c可以與線圈架5一體構(gòu)成，也可以作為獨(dú)立部件裝在線圈架5中。凸緣部5c的位置與水平校正線圈L1,L2的中間部或者部分鐵心4a,4b的接觸面的位置相一致。垂直校正線圈L3由與通過該凸緣部5c隔開的兩個(gè)部分垂直校正線圈L3a、L3b的串聯(lián)連接而構(gòu)成。
部分垂直校正線圈L3a繞制在與水平校正線圈L1相對應(yīng)的凸緣部5a,5c之間的第一外周區(qū)域上，部分垂直校正線圈L3b繞制在與水平校正線圈L2相對應(yīng)的凸緣部5b,5c之間的第二外周區(qū)域上。而且，部分垂直校正線圈L3a,L3b沿相同方向繞制，各自的匝數(shù)大致相同。而且，其他構(gòu)成與圖2所示的實(shí)施例1相同。
這樣構(gòu)成的實(shí)施例6的圖象失真校正裝置，通過水平校正線圈L1,L2產(chǎn)生的磁通的變化，能夠抑制由垂直校正線圈L3產(chǎn)生的感應(yīng)(串?dāng)_)電壓。這是因?yàn)樵跇?gòu)成垂直校正線圈L3的部分垂直校正線圈L3a,L3b中產(chǎn)生的感應(yīng)電壓的極性相反，其絕對值相等，因此，在垂直校正線圈全體中，沒有感應(yīng)電壓。以下更詳細(xì)地進(jìn)行說明。
由于部分垂直校正線圈L3a繞制在水平校正線圈L1的外周上，受到水平校正線圈L1產(chǎn)生的磁通的變化的影響較多。另一方面，部分垂直校正線圈L3b較多地受到水平校正線圈L2產(chǎn)生的磁通的影響。部分垂直校正線圈L3a,L3b的繞線方向是相同的，水平校正線圈L1,L2產(chǎn)生的磁通的方向是反向的，因此，感應(yīng)電壓的極性不同。即，在某個(gè)瞬間，若假定在部分垂直校正線圈L3a中產(chǎn)生的感應(yīng)電壓在繞線開始側(cè)是正的，則部分垂直校正線圈L3b產(chǎn)生的感應(yīng)電壓在繞線開始側(cè)是負(fù)的。各自的電壓的絕對值由水平校正線圈L1的匝數(shù)與部分垂直校正線圈L3a之比、水平校正線圈L2的匝數(shù)與部分垂直校正線圈L3b的匝數(shù)之比所決定，但是，在此情況下，兩者是相等的。因此，在部分垂直校正線圈L3a,L3b中產(chǎn)生的感應(yīng)電壓的極性相反，絕對值相等。
因此，在串聯(lián)連接著部分垂直校正線圈L3a,L3b的垂直校正線圈的兩端不會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電壓。因此，在例如圖1的電路中，在由垂直校正線圈L3、二極管D2,D4組成的回路中，不會(huì)流過感應(yīng)電壓。
正如以上說明的那樣，實(shí)施例6能夠抑制流過垂直校正線圈及其周邊電路的水平周期的感應(yīng)電流，因此，能夠減少垂直校正線圈或者其周邊電路的發(fā)熱。而且，在垂直校正線圈中本來就沒有流過垂直偏轉(zhuǎn)電流的情況下，由于感應(yīng)電流流過等設(shè)計(jì)本意上沒有的電流不會(huì)流過垂直校正線圈，因此，飽和電抗器單元的動(dòng)作是適當(dāng)?shù)模軌蛟龃笾虚g枕形失真的校正量。
如果能夠通過繞線上的作業(yè)技巧使垂直校正線圈的匝數(shù)分配與水平校正線圈L1的外周區(qū)域的匝數(shù)和水平校正線圈L2的外周區(qū)域的匝數(shù)成為大致相同匝數(shù)，則也可以省略線圈架5的中間部的凸緣部5c。
在實(shí)施例6中，表示了圖1所示的圖象失真校正電路的使用例子，但是，下面簡單地說明用于圖5所示的圖象失真校正電路的情況。在此情況下，在凸緣部5a,5c之間設(shè)置由垂直校正線圈L4,L5各自的一部分組成的部分垂直校正線圈L3a；在凸緣部5b,5c之間設(shè)置由垂直校正線圈L4,L5各自的其余部分組成的部分垂直校正線圈L3b，同時(shí)繞制垂直校正線圈L4,L5。此時(shí)，部分垂直校正線圈L3a,L3b沿相同方向繞制，各自的匝數(shù)大致相同即可。
實(shí)施例7在實(shí)施例1～6所示的圖象失真校正裝置中，可以在水平校正線圈或者垂直校正線圈中使用集合絞合線。通過使用絞合線，這些線圈的表面積變大，因此，能夠抑制由趨膚效應(yīng)所產(chǎn)生的交流電阻的增大。因此，能夠減小頻率較大的水平偏轉(zhuǎn)電流和由感應(yīng)電流所產(chǎn)生的損耗，能夠減小線圈的發(fā)熱量。
權(quán)利要求
1．一種圖象失真校正裝置，其特征在于，包括設(shè)在水平偏轉(zhuǎn)電流流過的水平偏轉(zhuǎn)電流路徑上的第一和第二水平校正線圈，上述第一和第二水平校正線圈串聯(lián)連接，同時(shí)，設(shè)定相對于鐵心的繞線方向以便于產(chǎn)生相反方向的磁場，還包括磁場偏置裝置，在第一方向上偏置上述磁場；垂直校正線圈，設(shè)在垂直偏轉(zhuǎn)電流流過的垂直偏轉(zhuǎn)電流路徑上，在作為與上述第一方向相反的方向的第二方向上發(fā)生磁場，沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周重疊繞制上述垂直校正線圈。
2．根據(jù)權(quán)利要求1記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述鐵心包含第一和第二部分鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述第一和第二部分鐵心上的線圈。
3．根據(jù)權(quán)利要求1記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述鐵心包含一個(gè)單位的一體型鐵心，上述第一和第二水平校正線圈包含分別繞制在上述一體型鐵心的第一和第二區(qū)域上的線圈。
4．根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述磁場偏置裝置包含分別配置在上述鐵心的兩端并且極性相一致的第一和第二磁鐵。
5．根據(jù)權(quán)利要求2記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述磁場偏置裝置包含配置在上述第一和第二部分鐵心之間的一個(gè)單位的磁鐵。
6．根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括閉合磁路部件，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心中至少一方相連接，與上述磁場偏置裝置及上述鐵心一起形成閉合磁路。
7．根據(jù)權(quán)利要求6記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述閉合磁路部件包含配置成與上述磁場偏置裝置或者上述鐵心的任一個(gè)磁性結(jié)合的磁軛板。
8．根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述垂直校正線圈包含第一和第二垂直校正線圈，上述第一和第二垂直校正線圈在第一極性的上述垂直偏轉(zhuǎn)電流流過時(shí)都在上述第二方向上產(chǎn)生磁場，上述第二垂直校正線圈在作為與上述第一極性相反的極性的第二極性的上述垂直偏轉(zhuǎn)電流流過時(shí)在第二方向產(chǎn)生磁場，上述第一和第二垂直校正線圈包含同時(shí)繞制在上述第一和第二水平校正線圈的外周上的線圈。
9．根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設(shè)置的絕緣性的線圈架，上述垂直校正線圈包含繞制在上述線圈架上的線圈。
10．根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述垂直校正線圈包含這樣的線圈在與上述第一和第二水平校正線圈分別對應(yīng)的第一和第二外周區(qū)域之間，匝數(shù)被設(shè)定為大致相同。
11．根據(jù)權(quán)利要求10記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括沿著上述第一和第二水平校正線圈的外周設(shè)置的絕緣性的線圈架，上述線圈架在相當(dāng)于上述第一和第二水平校正線圈的中間部分的位置上具有凸緣部。
12．根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所記載的圖象失真校正裝置，其特征在于，上述第一和第二水平校正線圈以及上述垂直校正線圈中的至少一個(gè)線圈包含使用集合絞合線作為繞組的線圈。
全文摘要
提供低成本和低耗電的構(gòu)造的圖象失真校正裝置。在部分鐵心4a,4b上分別繞制水平校正線圈L1,L2。這兩個(gè)水平校正線圈L1,L2的繞線方向是以產(chǎn)生相反的磁場的方向進(jìn)行繞制。設(shè)置沿水平校正線圈L1,L2的繞線方向包覆部分鐵心4a,4b和磁鐵2,3的外周的具有絕緣性的線圈架5,垂直校正線圈L3沿著水平校正線圈L1,L2繞制在線圈架5上,以使部分鐵心4a,4b為中心。該垂直校正線圈L3以產(chǎn)生抵消由磁鐵2,3產(chǎn)生的偏置磁場的方向的磁場那樣的繞線方向進(jìn)行繞制。
文檔編號(hào)H04N3/237GK1323134SQ00134468
公開日2001年11月21日 申請日期2000年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月8日
發(fā)明者宮本佳典, 安井裕信, 瓶子晃永, 石森彰, 西野浩章 申請人:三菱電機(jī)株式會(huì)社