專利名稱：圖象傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括光傳感器電路矩陣的圖象傳感器，其中每個所述電路表示一個單位象素并且能在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流，而且能用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把傳感器電流轉(zhuǎn)換成電壓信號。
未經(jīng)審查的日本專利申請?zhí)卦S公開KOKAI No.219443(1993)和已經(jīng)審查的日本專利申請KOKOKU No.46481(1995)公開一種常規(guī)的MOS晶體管型圖象傳感器，其中，如

圖1所示，用于一個象素的一個光傳感器電路包括用作光電轉(zhuǎn)換元件的光電二極管PD，用于產(chǎn)生與照射到其上的入射光Ls的量成正比的傳感器電流；在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的晶體管Q1，利用其亞閥值區(qū)域的性質(zhì)把在光電二極管中產(chǎn)生的傳感器電流轉(zhuǎn)換成電壓信號Vpd；用于放大電壓信號Vpd的晶體管Q2；以及根據(jù)讀出信號Vs的定時脈沖而輸出傳感器信號的晶體管Q3，其特征在于通過把對數(shù)特性賦予該輸出而得到寬動態(tài)范圍，由此實(shí)現(xiàn)光信號檢測的高靈敏度。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)的使用光傳感器電路作為相應(yīng)象素的圖象傳感器中，與入射光成正比的傳感器電流在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生，并被在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管轉(zhuǎn)換成電壓信號，此種圖象傳感器仍有這樣的問題，即隨著照射到光電轉(zhuǎn)換元件上的入射光的量的減少而使每個象素產(chǎn)生無用的余輝。
上述光傳感器電路可在晶體管Q1中產(chǎn)生傳感器電流，同時足夠量的光Ls照射到光電二極管PD上并且因此能以一定的響應(yīng)速度檢測光信號，該響應(yīng)速度足以不產(chǎn)生因晶體管Q1電阻相對較小而引起的象素余象。然而，晶體管Q1的工作原理是當(dāng)其中電流逐漸減少時電阻逐漸增加。因此，當(dāng)照射到光電二極管PD上的入射光Ls的量減少時晶體管Q1中的電流減小，這使得晶體管Q1的電阻迅速增加。包括光電二極管PD的寄生電容C(結(jié)電容及布線寄生電容)的電路的時間常數(shù)隨著電阻增加而增加，從而延長除去寄生電容C中累積電荷所必需的時間。結(jié)果，當(dāng)入射光Ls的量減少時余象會顯示更長的時間。
圖5示出當(dāng)光電二極管PD中的傳感器電流迅速從值IE-10A改變到值IE-15A時可變電壓信號Vpd的特性。
該圖表明，在以1/30秒間隔輸出傳感器信號的情況下，在上述時間內(nèi)且傳感器電流為IE-12A時電壓信號Vpd不能得到飽和，此電流對應(yīng)于照射到光電二極管PD的少量入射光。換句話說，隨著照射到光電二極管PD上的入射光的量的減少，傳感器電流減小，從而導(dǎo)致使電壓信號Vpd飽和所必需的時間相應(yīng)地延長。
因此，如圖13所示，如果傳感器信號根據(jù)讀信號Vs的定時脈沖輸出，那么該輸出顯示一種在早期有更高電平的余輝。在圖13中，Vpd′代表由放大晶體管Q2產(chǎn)生的反向放大電壓信號。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種包括光傳感器電路矩陣的圖象傳感器，其中，每個所述電路表示一個單位象素，并能在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的入射光的量成正比的電流，且用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓信號；此圖象傳感器還設(shè)置一種器件，該器件在檢測光信號之前，通過把晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間而除去在光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷，從而對電路進(jìn)行初始化。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種包括以象素電路矩陣形式排列的光傳感器電路的圖象傳感器，每個所述電路能在光電元件中產(chǎn)生與照射到其上的入射光的量成正比的電流，且用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓信號。此圖象傳感器還設(shè)置有電壓切換電路，該電路在檢測其光信號之前，通過把所有象素的晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間而除去在各個光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷，從而對所有象素進(jìn)行初始化。因此，即使當(dāng)傳感器電流隨著照明度減小而迅速減小時，每個傳感器電路也可立即獲得相應(yīng)于當(dāng)時入射光量的電壓信號，由此在減小的入射光情況下消除象素發(fā)生余輝的可能性。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種包括光傳感器電路的圖象傳感器，該電路排列形成多個相應(yīng)象素的矩陣，其中，傳感器信號在一定的時間序列內(nèi)以后述方式被讀出(掃描)，此方式為用象素行選擇電路依次選擇象素行并用象素選擇電路在一個已選擇的象素行中依次選擇象素；并且其中，將要選擇的每個象素行中的每個象素在適于從該行中閱讀每個象素的時間以后述方式進(jìn)行初始化，此方式為目標(biāo)象素的MOS晶體管的漏電壓值被電壓切換電路改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間，從而除去在相關(guān)的光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷。
圖1為與一個象素對應(yīng)的光傳感器電路的電路圖，該電路用作根據(jù)本發(fā)明的圖象傳感器的單位組件。
圖2為在光傳感器電路中產(chǎn)生的信號的時間圖。
圖3用晶體管Q1中的電荷流(q)模擬示出在對光傳感器電路初始化時晶體管Q1的工作狀態(tài)。
圖4用晶體管Q1中的電荷流(q)模擬示出在檢測光傳感器電路的光信號時晶體管Q1的工作狀態(tài)。
圖5示出電壓信號(Vpd)隨光傳感器電路中光電二極管(PD)的傳感器電流的變化而變化的特性曲線。
圖6示出在光傳感器電路以特定的時間間隔重復(fù)光信號讀出操作時電壓(Vpd)放大信號的特性曲線。
圖7示出象素信號(Vo)隨著照射到光傳感器電路中光電二極管上的入射光(Ls)的量的變化而變化的輸出特性。
圖8為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖象傳感器的方框圖。
圖9為來自本發(fā)明圖象傳感器各部分的信號的時間圖。
圖10為在圖象傳感器中所有象素同時初始化的過程中來自圖象傳感器各部分的信號的時間圖。
圖11為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖象傳感器的方框圖。
圖12為來自本發(fā)明圖象傳感器各部分的信號的時間圖。
圖13示出在照射到光傳感器電路上的入射光的量減少且不對圖象傳感器進(jìn)行初始化時，根據(jù)特定的定時脈沖閱讀的傳感器信號的輸出特性。
圖1示出表示一個象素的光傳感器電路，該電路用作體現(xiàn)本發(fā)明的圖象傳感器的單位組件。
光傳感器電路包括光電二極管PD，用于在檢測光信號時產(chǎn)生與入射光Ls的量成正比的傳感器電流；晶體管Q1，利用其在弱反向狀態(tài)下的對數(shù)輸出特性把在光電二極管PD中流動的傳感器電流轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓信號Vpd；晶體管Q2，用于放大電壓信號Vpd；以及MOS型晶體管Q3，用于輸出根據(jù)讀出信號Vs定時脈沖的傳感器信號。由于利用其對數(shù)輸出特性而實(shí)現(xiàn)寬動態(tài)范圍，此傳感器能以高靈敏度地檢測光信號。
根據(jù)本發(fā)明的光傳感器電路能在檢測光信號之前，通過把MOS型晶體管Q1的漏電壓VD的值改變到低于正常值并維持一段特定的時間而除去光電二極管PD的寄生電容C中所積累的電荷，從而對光傳感器電路初始化。這使得即使在傳感器電流迅速改變時，光傳感器電路也能立即獲得對應(yīng)于照射到其上的光量的電壓信號。因而，光傳感器電路即使在少量入射光Ls情況下也不產(chǎn)生象素的余輝。
圖2為在光傳感器電路的不同部分中所產(chǎn)生的信號的時間圖。在圖2中，t1是初始化定時脈沖，t2為光信號檢測定時脈沖。設(shè)置特定時間tm，例如在以大約100納秒速度讀象素的情況下tm為大約5微秒，在特定時間tm內(nèi)，晶體管Q1的漏電壓VD從正常值(高電平H)切換到更低的電壓值(低電平L)，并保持低電平L。在圖2中，T表示在光電二極管PD的寄生電容C中積累電荷的時間段，對于NTSC信號該時間段為大約1/30(或1/60)秒。
在光傳感器電路中，一旦MOS型晶體管Q1的漏電壓VD切換到低電平L以對電路初始化時，如果柵壓VG和漏電壓VD之間的電勢大于晶體管Q1的閥值，晶體管Q1就進(jìn)入低電阻狀態(tài)。因此，這時源側(cè)電勢變得等于漏電壓VD(在實(shí)際應(yīng)用中仍保留電勢差)，使光電二極管PD的結(jié)電容C放電。
圖3用晶體管Q1的電荷流(q)簡略地示出在對光傳感器電路初始化時電路的操作。
一旦晶體管Q1的漏電壓VD在經(jīng)過時間tm后改變到正常值(高電平H)并且接著檢測光信號時，源側(cè)電勢就變得比漏電壓VD更低。如果柵壓VG和漏電壓VD之間的電勢差大于閥值，MOS型晶體管Q1就進(jìn)入低電阻狀態(tài)并使光電二極管的結(jié)電容C再次充電。
圖4用晶體管Q1的電荷流(q)簡略地示出在檢測光信號時光傳感器電路的操作。光電二極管PD的結(jié)電容C在檢測光信號之前進(jìn)行放電以對光傳感器電路初始化，接著進(jìn)行充電。在此情況下，輸出電壓Vpd(光電二極管PD的端電壓)從初始化時間經(jīng)過特定的時間段之后變成對應(yīng)于入射光Ls的量的值。換句話說，光傳感器電路在初始化之后可獲得具有響應(yīng)入射光量變化的特定時間常數(shù)的放電特性。
在此情況下，如果光傳感器電路保留一段較長時間，晶體管Q1中從漏電壓VD輸出的電流就變得等于光電二極管PD中的電流。因而總是保持相同的放電特性，直到再沒有電荷留下為止。這就消除象素發(fā)生余輝的可能性。
光傳感器電路可因此獲得對應(yīng)于入射光Ls的量的傳感器信號，在電路初始化后經(jīng)過特定的時間檢測光信號時沒有象素余輝。
圖5示出在初始化之后以1/30秒時間間隔檢測光信號的情況下，電壓信號Vpd隨電流從IE-10A迅速變化到IE-15A而變化的特性。
圖6示出在以1/30秒時間間隔重復(fù)閱讀光信號時放大電壓信號Vpd的特性。該圖表明每隔1/30秒獲得的信號特性對應(yīng)于與照射到光電二極管PD上的入射光的量成正比的傳感器電流，且沒有象素余輝。
圖7示出傳感器信號的輸出特性，該輸出特性通過改變照射到光電二極管上的入射光Ls的量而得到。該圖表明在傳感器電流為IE-13A或更大時傳感器信號具有完全的對數(shù)輸出特性。還發(fā)現(xiàn)在傳感器電流小于IE-13A時輸出的傳感器信號不是對數(shù)曲線，但也不產(chǎn)生余輝。
該圖也表明，通過調(diào)整低電平L的閥值并減小漏電壓VD直到晶體管Q1達(dá)到完全低電阻狀態(tài)，可獲得如圖7(a)所示的輸出特性，晶體管Q1的漏電壓VD必須變?yōu)榇说碗娖絃。相反，通過設(shè)置控制電壓VD具有與柵壓VG相同的值可獲得如圖7(b)所示的正常的對數(shù)輸出特性。
因此，圖7(a)的輸出特性不受余輝的影響，但光信號檢測的靈敏度隨著入射光量減少而減小，同時，圖7(b)的輸出特性可在少量的入射光時具有較高的檢測靈敏度，但伴隨有明顯的余輝。換言之，即在檢測靈敏度和余輝之間有種折衷的關(guān)系。
因而，希望在一定條件下，調(diào)整晶體管的漏電壓VD的值位于圖7(a)所示輸出特性和圖7(b)所示輸出特性之間的中間區(qū)域內(nèi)，此條件為在允許余輝存在的應(yīng)用中，晶體管的漏電壓值設(shè)置為可獲得更高檢測靈敏度的值。相反，在必須避免余輝的應(yīng)用中，漏電壓值必須設(shè)置為不產(chǎn)生余輝的值。在實(shí)際應(yīng)用中，考慮到實(shí)際應(yīng)用和實(shí)際允許的余輝，漏電壓VD的值調(diào)整為可獲得最高靈敏度的值。
本發(fā)明提供一種圖象傳感器，該圖象傳感器包括一定數(shù)量的以象素矩陣形式排列的上述光傳感器電路，其中，通過在一定時間序列內(nèi)掃描來閱讀來自各個象素的傳感器信號，并且在適于對各個傳感器信號進(jìn)行讀出掃描的時間內(nèi)對象素初始化。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖象傳感器。
圖象傳感器包括以象素電路矩陣形式排列的4×4象素D11-D44，其中，象素行用依次從象素行選擇電路1輸出的各個選擇信號LS1-LS4進(jìn)行選擇，在每個已選擇的象素行中的象素逐個被讀出作為各個傳感器信號，讀出方式為依次從象素選擇電路2輸出的選擇信號DS在一定的時間序列內(nèi)打開相應(yīng)的開關(guān)SW1-SW4以閱讀傳感器信號。在圖8中，參考號4表示用于晶體管Q1的柵壓VG的電源，參考號6表示用于晶體管Q1的漏電壓VD的電源。
本發(fā)明的圖象傳感器設(shè)置有電壓切換電路5，通過該電路，在選擇每個象素行時借助特定定時脈沖的作用，每個象素的每個晶體管Q1的漏電壓VD從正常高電平H變化到初始低電平L。
上述根據(jù)本發(fā)明的圖象傳感器的操作結(jié)合圖9進(jìn)行描述，圖9示出在圖象傳感器各個部分中產(chǎn)生的信號的時間圖。
一旦象素行選擇信號LS1變?yōu)楦唠娖紿，包括象素(光傳感器電路)D11、D12、D13和D14的第一象素行就被選上，而且，在信號LS1保持為高電平H的特定時間內(nèi)，象素選擇信號DS1-DS4依次變?yōu)楦唠娖紿，開始依次閱讀傳感器信號D11、D12、D13和D14。
象素行選擇信號LS1剛變?yōu)榈碗娖絃，下一個象素行選擇信號LS2就變成高電平H以選擇包括象素D21、D22、D23和D24的第二象素行。在信號LS2保持為高電平的特定時間段T1內(nèi)，象素選擇信號DS1-DS4依次變?yōu)楦唠娖紿，開始依次閱讀傳感器信號D21、D22、D23和D24。
相似地，隨著象素行選擇信號LS3(LS4)變?yōu)楦唠娖紿，第三(第四)象素行被選上，接著，在信號LS1保持為高電平H的特定時間段T1內(nèi)，象素選擇信號DS1-DS4依次變?yōu)楦唠娖紿，開始依次閱讀傳感器信號D31、D32、D33和D34(D41、D42、D43和D44)。
當(dāng)象素行選擇信號LS1變?yōu)榈碗娖絃時，第一已選擇行中象素D11、D12、D13和D14的漏電壓VD1變?yōu)榈碗娖讲⒕S持一段特定的時間T2，以使象素初始化并為下一個傳感器信號閱讀周期作準(zhǔn)備，該周期將在一個周期時間T3之后進(jìn)行。
當(dāng)象素行選擇信號LS2在時間段T1后變?yōu)榈碗娖絃時，第二已選擇行中象素D21、D22、D23和D24的漏電壓VD2變?yōu)榈碗娖讲⒕S持一段特定的時間T2，為下一個傳感器信號閱讀周期對象素進(jìn)行初始化，該周期將在一個周期時間T3之后進(jìn)行。
相似地，一旦象素行選擇信號LS3(LS4)在時間段T1后變?yōu)榈碗娖絃，第三(第四)已選擇行中象素D31、D32、D33和D34(D41、D42、D43和D44)的漏電壓VD3(VD4)就變?yōu)榈碗娖剑瑸橄乱粋€傳感器信號閱讀周期對象素進(jìn)行初始化，該周期將在一個周期時間T3之后進(jìn)行。
盡管隨著象素行選擇信號LSX(X＝1-4)在時間段T1之后降低為低電平，漏電壓VDX變?yōu)榈碗娖絃以對每個光傳感器電路進(jìn)行初始化，初始化時間也可在周期T4之內(nèi)，在周期T4內(nèi)當(dāng)象素行選擇信號變?yōu)榈碗娖絃時中止象素行選擇。
在對如圖8所示圖象傳感器中的每個象素進(jìn)行初始化時，所有象素D11-D44可在閱讀來自各個象素的傳感器信號之前在相同時間內(nèi)初始化。
圖10示出當(dāng)所有象素D11-D44在相同時間內(nèi)初始化時在圖象傳感器的各個部分中產(chǎn)生的信號的時間圖。
通過在控制電路(未示出)的控制下驅(qū)動象素行選擇電路1、象素選擇電路2和電壓切換電路5，決定在各個部分中發(fā)生的信號的時間。
在適于為閱讀各個傳感器信號而進(jìn)行掃描的時間內(nèi)對每個象素的初始化，可避免圖象傳感器整個系統(tǒng)的過度或不足的電荷積累周期。
因而，根據(jù)本發(fā)明，有可能實(shí)現(xiàn)一種圖象傳感器，該傳感器具有寬動態(tài)范圍的對數(shù)輸出特性且不產(chǎn)生象素余輝。
圖11示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖象傳感器。
在此情況下，取樣保持電路SH1-SH4設(shè)置在各個可選擇的象素行中的象素的輸出端。
如圖12所示，取樣保持信號SHS輸出到每個取樣保持電路SH1-SH4，該電路依次在一個已選擇的象素行中保持每個象素的傳感器信號。
由此構(gòu)造的圖象傳感器可從已選擇的象素行中各個象素穩(wěn)定地輸出傳感器信號。
根據(jù)本發(fā)明一方面的圖象傳感器使用以象素電路矩陣形式排列的多個光傳感器電路，其中每個所述電路在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流，并用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成電壓信號。每個光傳感器電路進(jìn)一步設(shè)置用于在檢測光信號之前把晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間的器件，從而通過除去在光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷而對電路進(jìn)行初始化，由此獲得不受殘余電荷影響的傳感器信號。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的圖象傳感器包括一定數(shù)量的以象素電路矩陣形式排列的光傳感器電路，其中每個所述電路在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流，并用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成電壓信號。每個光傳感器電路進(jìn)一步設(shè)置電壓切換電路，借助電壓切換電路在檢測光信號之前，把晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間，從而除去在光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷，由此獲得對應(yīng)于入射光的量的傳感器信號，即使在傳感器電流迅速變化的情況下也同樣能獲得。這消除在照射少量光到光傳感器電路上時每個象素發(fā)生余輝的可能性。
根據(jù)本發(fā)明又一方面的圖象傳感器包括一定數(shù)量的以象素矩陣形式排列的光傳感器電路、用于依次選擇象素行的象素行選擇電路以及用于在每個已選擇的象素行中選擇象素的象素選擇電路，其中來自各個象素的傳感器信號可在一定的時間序列內(nèi)被掃描和被閱讀。此圖象傳感器還設(shè)置有電壓切換電路，一個電壓切換電路對應(yīng)每個光傳感器電路，借助電壓切換電路把每個MOS型晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間，從而在選擇每個象素行之前除去在光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷。每個象素的初始化可在適于閱讀每個傳感器信號的時間進(jìn)行。
權(quán)利要求
1.一種圖象傳感器，包括一定數(shù)量的光傳感器電路，其中每個表示一個單位象素，并能在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流，且用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成電壓信號，以及包括一種裝置，用于在檢測光信號之前通過把晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ刀ピ诠怆娹D(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷，從而對每個象素進(jìn)行初始化。
2.一種圖象傳感器，包括一定數(shù)量的以象素矩陣形式排列的光傳感器電路，其中每個所述電路能在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流，且用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把所產(chǎn)生的電流轉(zhuǎn)換成電壓信號，以及包括電壓切換電路，用于檢測來自每個象素的光信號之前，把所有象素的MOS型晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間，從而除去在光電元件的寄生電容中所積累的電荷。
3.一種圖象傳感器，包括一定數(shù)量的以象素矩陣形式排列的光傳感器電路，其中每個所述電路能在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流，且用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成電壓信號，包括象素行選擇電路，用于依次選擇象素行，包括象素選擇電路，用于在已選擇的行中依次選擇象素，兩種所述選擇電路協(xié)同工作，在一定的時間序列內(nèi)依次掃描和閱讀來自各個象素的傳感器信號，以及包括電壓切換電路，用于在選擇每個象素行之前，把一個可選擇的象素行中的各個象素的MOS型晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間，從而除去在光電元件的寄生電容中所積累的電荷。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的圖象傳感器，其特征在于，每個光傳感器電路包括第一晶體管，利用其在弱反向狀態(tài)下的對數(shù)輸出特性把流過光電轉(zhuǎn)換元件中的傳感器電流轉(zhuǎn)換成電壓信號，第二晶體管，用于放大電壓信號，以及第三晶體管，用于在特定時刻輸出對應(yīng)于已放大電壓信號的傳感器信號。
5.如權(quán)利要求3所述的圖象傳感器，其特征在于，取樣保持電路提供在每個象素行中每個象素的輸出端。
全文摘要
本發(fā)明公開一種包括以象素矩陣形式排列的光傳感器電路的圖象傳感器,每個所述電路在光電轉(zhuǎn)換元件中產(chǎn)生與照射到其上的光的量成正比的傳感器電流,并用在弱反向狀態(tài)下具有對數(shù)輸出特性的MOS型晶體管把該電流轉(zhuǎn)換成電壓信號,還設(shè)置一種器件用于在檢測光信號之前,把每個光傳感器電路的晶體管的漏電壓值改變?yōu)榈陀谡Ｖ挡⒕S持一段特定的時間而除去在光電轉(zhuǎn)換元件的寄生電容中所積累的電荷,從而對電路進(jìn)行初始化。由此消除每個象素發(fā)生余輝的可能性。
文檔編號H04N5/357GK1348304SQ0111711
公開日2002年5月8日 申請日期2001年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月5日
發(fā)明者篠塚典之, 笛木信宏, 栗田次郎, 武部克彥 申請人:本田技研工業(yè)株式會社