專利名稱：移動終端省電系統中的自適應校準裝置及方法
技術領域：
本發(fā)明涉及通信技術領域，特別是涉及一種移動終端省電系統中的自適應校準裝置及方法。
背景技術：
隨著通信技術的發(fā)展，移動終端(比如手機)的設計除了向一機多功能的方向發(fā)展外，最大限度節(jié)省移動終端的耗電問題，延長移動終端的使用時間是本領域技術人員一直追求的目標。所述移動終端作為一種便攜式手持設備，在電池電量一定的前提下，為使其待機時間達到最大，就必須最小化待機時間的平均功耗。其降低移動終端(以手機為例)功耗主要包括的途徑為1)電源和時鐘管理即在手機處于激活狀態(tài)時，對于不同的業(yè)務處理，配置不同的CPU工作時鐘和核電壓，從而動態(tài)的調節(jié)手機功耗，以達到在不同業(yè)務時最小化手機功耗的目的。比如，在手機通話時，配置較高的CPU工作頻率和核電壓，而當手機處于待機狀態(tài)時，則配置較低的工作頻率和核電壓。2)大程度地降低睡眠時間的手機功耗即關閉所有可以關閉的外設以及芯片的輸入/輸出(I/O)管腳。3)最大化系統的睡眠時間當手機處于待機時，每隔一定的時間(即尋呼周期)，手機將自動喚醒來接收網絡側的尋呼消息，以保持與網路的同步。
目前，一種最新的省電技術是充分利用睡眠情況下實時時鐘(RTC，Real-time Communication Clock)仍舊工作的特性，對系統進行接收定時尋呼時的喚醒，但由于RTC晶體頻率的不穩(wěn)定，所以在數字基帶芯片內植入一個RTC時鐘校準單元，校準參數提取是在喚醒期間利用高頻穩(wěn)定的系統時鐘測量并計算獲得，然后在睡眠期間利用校準參數對RTC時鐘進行實時校準。而校準的周期往往很難確定，如果太長，很有可能由于長時間不校準導致手機和基站失步而必須進行重同步；如果太短，由于每次校準參數測量和計算都需要500多ms，此時系統電流大約為200多mA，因此會增加系統功耗。因此，在睡眠狀態(tài)下利用32K時鐘來定時喚醒系統進行尋呼消息的接收。但為保證喚醒的時間精度而每隔一段時間進行的RTC時鐘校準參數提取，由于校準參數提取需要系統時鐘工作，這就勢必要犧牲一定的睡眠時間。但是，為保證系統睡眠時的功耗達到最小化，系統睡眠時只有32K時鐘在工作，但普通的32K晶體的頻率受環(huán)境溫度影響較大，因此必須對32K時鐘進行校準以得到一個頻率比較穩(wěn)定的校準時鐘CCLK32K。由于高頻的系統時鐘VCTXO頻率相當穩(wěn)定，因此可以利用13M時鐘對普通的32K晶體進行校準。其校準的原理框圖如圖1所示。
如圖1所示，數字基帶芯片內部的32K校準模塊，主要包括兩個子模塊校準參數提取模塊和校準實現模塊。
校準的實質就是每隔一定的32K時鐘周期扣除一個32K時鐘周期，以得到一個頻率穩(wěn)定，但頻率值小于外部32K晶體的校準時鐘CCLK32K，并且系統時鐘與該校準時鐘頻率的比值為整數。系統的校準參數提取模塊首先用芯片內部的硬件邏輯計算出N32K個32K時鐘周期內的SYSCLK周期數NSYSCLK，這樣就可以通過軟件計算出一個CLK32K時鐘周期所包含的SYSCLK周期數R，即R＝T32K/TSYSCLK＝NSYSCLK/N32KR包含整數和分數兩部分。事實上R也表示了系統時鐘與外部32K時鐘的分頻比，假定系統時鐘與CCLK32K的頻率比為CR，則可以進一步計算出兩個分頻比之間的差ΔR，即ΔR＝CR-R該差值ΔR就是所要求的校準參數CP。校準實現模塊得到了該校準參數，即可通過累加器不斷累加該參數，當累加器的結果超過CR時，即可扣除一個32K時鐘周期。通過這種方法，即可獲得頻率穩(wěn)定的CCLK32K時鐘。
由于校準參數提取模塊的工作時鐘為SYSCLK和PCLK(CPU核時鐘)，因此當參數提取時，系統功耗相當大約200多mA，而且更新一次參數，需要大約幾百ms的時間，遠大于喚醒后接收尋呼消息的時間，從而必然會縮短實際睡眠時間。因此，校準參數的更新周期，往往很難設定。目前的省電技術一般根據大量的測試結果設定一個固定值SCALE值，然后當32K計數器計數到該值時，通過EN信號啟動校準參數提取模塊。這就很難避免設置值太小造成睡眠時間減小，或者太大，存在手機與NodeB失步而需要重同步的風險。
由此可見，現有技術的缺點是每隔固定時間更新校準參數模塊，當實際晶體頻率沒有漂移時，會浪費相當大的系統功耗，減少待機時間；當實際晶體頻率漂移發(fā)生在固定周期時間內，也就是說如果在下次啟動校準參數提取模塊之前，晶體頻率已經發(fā)生了較大的漂移，就會存在系統與網絡失步的風險。

發(fā)明內容
本發(fā)明解決的技術問題是提供一種移動終端省電系統中的自適應校準裝置及方法，以降低目前技術中手機功耗和待機平均電流，延長系統的待機時間。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于移動終端省電系統中的自適應校準裝置，所述裝置包括溫度測量單元、溫差檢測單元和校準單元，其中，所述溫度測量單元，用于測量分壓電路的電壓，并將該電壓進行模數變換后發(fā)送；所述溫差檢測單元，與溫度測量單元相連，用于建立并存儲讀取的電壓及其對應環(huán)境溫度的映射表，通過查找該映射表得到相應的環(huán)境溫度值，當當前喚醒時刻的環(huán)境溫度與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度之差大于預設的溫度判決門限值時，自動啟動校準單元進行校準；
所述校準單元，與溫差檢測單元相連，用于對外部的32K晶體時鐘頻率進行校準，以得到一個頻率比較穩(wěn)定的校準時鐘。
所述溫度測量單元包括電壓測量子單元，用于在每個喚醒時刻測量帶有熱敏電阻分壓電路的電壓；模數轉換子單元，與電壓測量子單元相連，用于將分壓電路的模擬電壓轉換成數字電壓。
所述溫差檢測單元包括建立子單元，通過通信串口與模數轉換子單元相連，來讀取數字電壓值，并根據預先建立的數字電壓與環(huán)境溫度的映射表獲得當前喚醒時刻所對應的環(huán)境溫度；緩存子單元，用于存儲上一個喚醒時刻的環(huán)境溫度；計算子單元，與建立子單元和緩存子單元分別相連，用于計算本次喚醒時刻的環(huán)境溫度與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度的差值；判斷子單元，與計算子單元相連，用于判斷所述溫度差值是否大于預設的溫度判決門限值，并根據判決結果進行相應的處理。
所述校準單元包括校準參數提取子單元，利用高頻的系統時鐘，并根據外部32K時鐘頻率與該子單元輸出時鐘頻率的關系計算出校準參數；校準實現子單元，與校準參數提取子單元相連，用于根據校準參數，通過扣除時鐘周期的方式實現校準。
所述根據判決結果進行相應的處理為若溫度差值大于預設的判決門限值，則通過控制信號啟動校準參數提取子單元更新校準參數。
所述校準參數的內容包括系統時鐘與校準參數提取子單元輸出時鐘的分頻比、以及所述分頻比與外部時鐘的分頻比之間的差值。
所述溫度測量單元位于模擬基帶芯片上，所述校準單元和溫差檢測單元位于數字基帶芯片上，且所述溫度測量單元與溫差檢測單元通過通信串口相連。
另外，本發(fā)明還提供一種用于移動終端省電系統中的自適應校準方法，所述方法包括步驟A、建立環(huán)境溫度與其對應數字電壓的映射表；B、讀取當前喚醒時刻的數字電壓值，根據該數字電壓值查找所述映射表得到當前喚醒時刻的環(huán)境溫度，并從緩沖區(qū)中讀取上次喚醒時刻時的環(huán)境溫度值；C、計算當前喚醒時刻測量的環(huán)境溫度值與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度值的差值；D、當所述環(huán)境溫度差值大于預設的溫度判決門限值時，則自動啟動校準參數提取單元更新校準參數。
步驟A中所述映射表的建立過程為A1、計算任一溫度時熱敏電阻一端的模擬分壓值；A2、將所述模擬分壓值經過模數變換成數字分壓值；A3、建立任意溫度與其對應的數字分壓值的映射表。
所述啟動校準參數提取子單元更新校準參數的具體過程為利用數字基帶芯片內部的硬件邏輯計算出一定數量的外部32K時鐘周期內的系統時鐘周期數；計算所述系統時鐘與外部時鐘的分頻比；根據所述分頻比與系統時鐘和預設的校準時鐘的頻率比計算校準參數。
由上述公開的技術方案可知，本發(fā)明利用晶體頻率(比如32K晶體頻率)在移動終端(比如手機系統)睡眠喚醒的時間誤差只要不超過一定的門限值，系統就不需重同步的這一特性，利用晶體頻率主要隨溫度漂移的特點，在系統必須的激活時間內(即喚醒時間)計算系統的溫度漂移(溫差)，并與保證系統同步所對應的最大溫差門限值進行比較，自適應的判決是否啟動參數校準單元來更新校準參數。由此可見，本發(fā)明不但保證了睡眠喚醒時始終使系統不失步，而且也保證了最大限度的增加系統的睡眠時間以降低待機平均電流，提高待機時間，降低系統功耗。本發(fā)明中雖然以尋呼周期作為自適應校準的喚醒時間周期，但是發(fā)明中的喚醒時間的周期也可以采用其它整數個尋呼周期，具體的喚醒時間周期取值與元器件的性能有關，當32K低頻時鐘的穩(wěn)定性較好時可以采用較長的校準喚醒周期。


圖1是現有技術中校準模塊原理的結構示意圖；圖2是本發(fā)明所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置的結構示意圖；圖3是圖2所述裝置中各個單元的具體結構式意圖；圖4是圖2所述裝置的一應用實例；圖5是本發(fā)明所述移動終端省電系統中的自適應校準方法的流程圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的核心是利用RTC晶體主要隨時間和溫度變化的特性以及大多模擬基帶芯片都具有輔助模數變化器(ADC，Analogue to Digital Converter)，在每次喚醒期間對手機溫度進行檢測，并計算兩次相鄰喚醒時刻之間的溫度差來自適應的調用校準參數提取單元，從而即確保了手機和基站系統的穩(wěn)定同步，又最大限度的增加系統的睡眠時間以降低待機平均電流，提高待機時間，降低系統功耗。
下面結合附圖對本發(fā)明做進一步的說明。
請參考圖2，是本發(fā)明所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置的結構示意圖。所述裝置包括溫度測量單元11、溫差檢測單元12和校準單元13，其中，所述溫度測量單元11，用于測量分壓電路的電壓，并將該電壓進行模數變換后發(fā)送；所述溫差檢測單元12，與溫度測量單元11相連，用于建立并存儲讀取的電壓及其對應環(huán)境溫度的映射表，通過查找該映射表得到相應的環(huán)境溫度值，當當前喚醒時刻的環(huán)境溫度與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度之差大于預設的溫度判決門限值時，自動啟動校準單元進行校準；所述校準單元13，與溫差檢測單元12相連，用于對外部的時鐘頻率進行校準，以得到一個頻率比較穩(wěn)定的校準時鐘。
所述溫度測量單元11包括電壓測量子單元111和模數轉換子單元112。其中，所述電壓測量子單元111，用于在每個喚醒時刻測量帶有熱敏電阻分壓電路的電壓；所述模數轉換子單元112，與電壓測量子單元111相連，用于將分壓電路的模擬電壓轉換成數字電壓。所述溫差檢測單元12包括建立子單元121、緩存子單元122、計算子單元123和判斷子單元124。其中，所述建立子單元121，通過通信串口與模數轉換子單元112相連，來讀取數字電壓值，然后根據預先建立的數字電壓與環(huán)境溫度的映射表獲得當前喚醒時刻周期所對應的環(huán)境溫度；所述緩存子單元122，用于存儲上一個喚醒時刻的環(huán)境溫度；所述計算子單元123，與建立子單元121和緩存子單元122分別相連，用于計算本次喚醒時刻的環(huán)境溫度與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度的差值；所述判斷子單元124，與計算子單元123相連，用于判斷所述溫度差值是否大于預設的溫度判決門限值，并根據判決結果進行相應的處理。所述校準單元13包括校準參數提取子單元131和校準實現子單元132，其中，所述校準參數提取子單元131，利用高頻的系統時鐘，并根據外部32K時鐘頻率與該子單元輸出時鐘頻率的關系計算出校準參數，所述校準參數包括系統時鐘(13M)與校準參數提取子單元輸出時鐘的分頻比、以及所述分頻比與外部32K時鐘的分頻比之間的差值；所述校準實現子單元132，與校準參數提取子單元131相連，用于根據校準參數，通過扣除時鐘周期的方式實現校準。上述所述單元的具體結構示意圖詳見圖3。
為了便于本領域技術人員的理解，下面以32K晶體頻率為例來說明本發(fā)明，其具體的原理實現框圖如圖4所示。
也就是說，本發(fā)明利用普通32K晶體頻率主要與溫度有關的特性，提出了一種基于溫差檢測的自適應校準方案。即在每次喚醒時刻時，對環(huán)境溫度進行檢測，然后計算相鄰喚醒時刻的溫度差，當該溫度差大于一個判決門限ΔT時，表明32K晶體頻偏過大，則啟動校準參數提取模塊更新校準參數；否則，不啟動校準參數提取模塊。其具體的實現過程為從圖中可以看出，本發(fā)明與現有技術(即圖1)相比，去掉了固定32K計數器對校準參數提取模塊的控制，增加了溫度檢測單元11、溫差檢測單元12對校準參數提取單元的控制。且所述溫差檢測單元12和校準單元13(包括校準參數提取子單元131和校準實現子單元132)位于數字基帶芯片中，而所述溫度檢測單元位于模擬芯片中。溫差檢測單元通過通信串口讀取溫度檢測單元中轉換過的數字電壓。其中，所述溫度檢測單元一般包括電壓測量子單元，即由熱敏電阻和普通電阻所組成的分壓電路；模數轉換子單元(ADC，Analogue to Digital Converter)，其實際上是一個模/數轉換器，即將接收到的模擬電壓轉換成數字電壓。而溫差檢測單元，包括建立子單元，即根據讀取的數字電壓值以及預先建立的數字電壓與環(huán)境溫度的映射表獲得當前喚醒時刻所對應的環(huán)境溫度；緩存(Buffer)子單元，用于存儲上一個喚醒時刻的環(huán)境溫度值；計算子單元，該單元是由相關的程序來計算溫差的；以及判斷子單元，判斷計算的溫差是否大于溫度的判決門限值，若大于，則說明32K晶體頻偏過大，就自適應的啟動校準參數提取子單元更新校準參數，從而消除了系統失步的風險。
下面以舉例的形式描述一下建立環(huán)境溫度與數字電壓映射表的具體實現過程。如圖中所示，R0為一阻值固定的普通電阻，R1為一熱敏電阻，即阻值隨溫度發(fā)生變化。假定電源電壓VCC為2.8V，R0＝33K，R1是常溫下(25度)為68K的熱敏電阻(其校準的熱敏電阻的溫度及其阻值的對照表參見表1)，而模擬芯片ABB內部的模數轉換器(ADC)為16bit精度，其滿幅電壓為3V。本發(fā)明以熱敏電阻的溫度為-40度為例來說明，從該表1中可查到其對應的熱敏電阻的阻值為2735.3593，由分壓電路可以計算出此時R1另一端的電壓為2.8V*2735.3593/(2735.3593+33)＝2.767V，所對應的16bit數字電壓為2.796V*216/3V＝60438，在該表中熱敏電阻其它的溫度與所對應的數字電壓是重復上述計算的過程得到的，在此不再詳細的描述，依據其數據來建立熱敏電阻的溫度及其數字電壓的映射表，具體如表2所示，該表中所示的數據只是本發(fā)明所舉的一些例子，但本發(fā)明并不限于所公開的這些數據。
表1

表2

每當移動終端(比如手機)喚醒時，DBB芯片通過通信串口啟動ABB芯片中的溫度檢測單元，即從熱敏電阻R1的一端提取電壓模擬電壓，定義為Vtemp，并將該電壓進行模/數(A/D)變換，得到一個量化的數字電壓值(DV，Digital Video)，然后DBB芯片將通過通信串口(本發(fā)明并不限于該通信串口，也可以其它接口)讀出該數字電壓值，及其對應的實際環(huán)境溫度，然后再通過查數字電壓與環(huán)境溫度的對應表(如表2)獲得最接近的環(huán)境溫度值T，并存儲在一個固定的緩存器(Buffer)中，以后每次喚醒時刻時，溫差檢測單元首先從Buffer中讀出上一次喚醒時刻時的環(huán)境溫度Tpre，然后與當前喚醒時刻周期查表得到的環(huán)境溫度Tcur相減，得到溫差ΔT，即ΔT＝Tcur-Tpre同時用Tcur更新Buffer中的環(huán)境溫度值。當ΔT的絕對值大于判決門限Td(所述Td為溫差的最大值)時，則通過EN控制信號啟動校準參數提取單元更新校準參數；否則，不啟動校準參數提取單元。由此可見，本發(fā)明根據溫度漂移決定是否啟動校準參數提取單元來更新校準參數，大大降低了啟動校準參數單元的次數，從而減少了系統激活的時間，增加了系統的睡眠時間，較大的降低了系統的功耗；在每次喚醒時刻時都計算系統溫度漂移(溫差)的值，通過該值只是應判斷是否更新校準參數，從而基本上消除了系統失步的風險。
其中，所述啟動校準參數提取單元來更新校準參數的實現過程為還以手機為例手機每隔一個喚醒時刻必須定時喚醒，接收小區(qū)的尋呼消息，以便和終端接入設備基站NodeB保持同步。喚醒歷時一段時間(對于TD-SCDMA系統約為10個子幀周期即50ms)，然后繼續(xù)睡眠。因此，對于無線系統，特別是TD-SCDMA系統，保證喚醒的誤差精度是相當重要的。對于TD-SCDMA系統，該誤差一般要求小于正負16個碼片即16/1.28M＝12.5us，因此睡眠喚醒的時鐘頻率必須相當穩(wěn)定。同時，為保證系統睡眠時的功耗達到最小化，系統睡眠時只有32K時鐘在工作，但普通的32K晶體的頻率受環(huán)境溫度影響較大，因此必須對32K時鐘進行校準以得到一個頻率比較穩(wěn)定的校準時鐘CCLK32K。由于高頻的系統時鐘VCTXO頻率相當穩(wěn)定，因此可以利用13M時鐘對普通的32K晶體進行校準。而校準的實質是每隔一定的32K時鐘周期扣除一個32K時鐘周期，以得到一個頻率穩(wěn)定，但頻率值小于外部32K晶體的校準時鐘CCLK32K，并且系統時鐘與該校準時鐘頻率的比值為整數。其具體的校準過程詳見背景技術，在此不再贅述。
此外，系統所能容忍的32K晶體最大頻率偏差ΔF是固定時，因此判決門限Td主要由32K晶體的溫度參數所決定。對于不同型號的32K晶體，判決門限Td很可能不同。例如，某32K晶體的溫度參數為ΔF＝0.035*ΔT2+/-10％，假定最大ΔF為3.5ppm，則代入該公式后可以得到ΔT的最大值Td約為10度。
另外，本發(fā)明還提供一種移動終端省電系統中的自適應校準方法，該方法的流程圖詳見圖5。所述方法包括步驟步驟S11建立環(huán)境溫度與其對應數字電壓的映射表；其建立映射表的過程為先計算熱敏電阻一端的分壓值，即根據外部電路以及某一溫度時熱敏電阻的阻值計算其一端的分壓值；再將所述電壓經過模數變換；最后通過通信串口讀取變換后的數字電壓及其對應的環(huán)境溫度值，建立映射表。
步驟S12讀取當前喚醒時刻的數字電壓值，根據該數字電壓值查找所述映射表得到當前喚醒時刻的環(huán)境溫度，并從緩沖區(qū)中讀取上次喚醒時刻時的環(huán)境溫度值；步驟S13計算當前喚醒時刻測量的環(huán)境溫度值與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度值的差值；步驟S14當所述環(huán)境溫度差值大于預設的溫度判決門限值時，則自動啟動校準參數提取單元更新校準參數。
也就是說，先利用數字基帶芯片內部的硬件邏輯計算出一定數量的外部32K時鐘周期內的系統時鐘周期數；然后，計算所述系統時鐘與外部時鐘的分頻比，所述計算所述系統時鐘與外部時鐘分頻比的公式為R＝T32K/TSYSCLK＝NSYSCLK/N32K其中，R為系統時鐘與外部時鐘的分頻比；NSYSCLK表示N32K個32K時鐘周期T32K內的系統周期數；N32K表示外部32K時鐘周期數所包括的系統周期數。
最后根據所述分頻比與預設的校準時鐘和系統時鐘的頻率比計算校準參數。所述計算校準參數的公式為ΔR＝CR-R其中，ΔR為所要求的校準參數CP；CR為系統時鐘與CCLK32K的頻率比。其具體的校準過程詳見背景技術，在此不再贅述。
由上述步驟可知，本發(fā)明充分利用系統喚醒時間誤差在一定范圍內不需要重同步這一條件。即，當32K晶體頻率漂移范圍小于ΔF時，系統喚醒時間誤差就不會超出系統同步所能容忍的最大誤差。也就是說，此時就不需要啟動校準參數提取模塊，從而節(jié)省了不必要的系統激活時間(大約五六百ms，此時積分電流大約200多mA)，增加了系統睡眠時間。此外，本發(fā)明還利用普通32K晶體頻率主要受溫度影響而漂移的特性，通過對溫差的判決，來決定是否啟動校準參數提取模塊。根據系統所應用的32K晶體的溫度參數指標，將系統的最大頻率漂移范圍ΔF換算成最大溫度變化范圍Td，然后利用系統在每隔一定時間周期必須激活來接收網絡喚醒時刻消息的特性，在喚醒時間內計算系統的溫差，最后將計算結果與溫差門限進行比較，若大于門限，啟動校準參數提取模塊更新校準參數，從而保證下次睡眠喚醒的時間誤差仍舊在誤差范圍內；否則不啟動校準參數提取模塊，從而最大限度地降低了校準參數提取所浪費掉的睡眠時間，即最大限度的增加睡眠時間，降低系統待機平均電流。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述裝置包括溫度測量單元、溫差檢測單元和校準單元，其中，所述溫度測量單元，用于測量分壓電路的電壓，并將該電壓進行模數變換后發(fā)送；所述溫差檢測單元，與溫度測量單元相連，用于建立并存儲讀取的電壓及其對應環(huán)境溫度的映射表，通過查找該映射表得到相應的環(huán)境溫度值，當當前喚醒時刻的環(huán)境溫度與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度之差大于預設的溫度判決門限值時，自動啟動校準單元進行校準；所述校準單元，與溫差檢測單元相連，用于對外部的32K晶體時鐘頻率進行校準，得到一個頻率比較穩(wěn)定的校準時鐘。
2.根據權利要求1所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述溫度測量單元包括電壓測量子單元，用于在每個喚醒時刻測量帶有熱敏電阻分壓電路的電壓；模數轉換子單元，與電壓測量子單元相連，用于將分壓電路的模擬電壓轉換成數字電壓。
3.根據權利要求1所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述溫差檢測單元包括建立子單元，通過通信串口與模數轉換子單元相連，來讀取數字電壓值，并根據預先建立的數字電壓與環(huán)境溫度的映射表獲得當前喚醒時刻周期所對應的環(huán)境溫度；緩存子單元，用于存儲上一個喚醒時刻的環(huán)境溫度；計算子單元，與建立子單元和緩存子單元分別相連，用于計算本次喚醒時刻的環(huán)境溫度與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度的差值；判斷子單元，與計算子單元相連，用于判斷所述溫度差值是否大于預設的溫度判決門限值，并根據判決結果進行相應的處理。
4.根據權利要求1所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述校準單元包括校準參數提取子單元，利用高頻的系統時鐘，并根據外部32K時鐘頻率與該子單元輸出時鐘頻率的關系計算出校準參數；校準實現子單元，與校準參數提取子單元相連，用于根據校準參數，通過扣除時鐘周期的方式實現校準。
5.根據權利要求4所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述根據判決結果進行相應的處理為若溫度差值大于預設的判決門限值，則通過控制信號啟動校準參數提取子單元更新校準參數。
6.根據權利要求5所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述校準參數的內容包括系統時鐘與校準參數提取子單元輸出時鐘的分頻比、以及所述分頻比與外部時鐘的分頻比之間的差值。
7.根據權利要求1所述移動終端省電系統中的自適應校準裝置，其特征在于，所述溫度測量單元位于模擬基帶芯片上，所述校準單元和溫差檢測單元位于數字基帶芯片上，且所述溫度測量單元與溫差檢測單元通過通信串口相連。
8.一種移動終端省電系統中的自適應校準方法，其特征在于，包括步驟A、建立環(huán)境溫度與其對應數字電壓的映射表；B、讀取當前喚醒時刻的數字電壓值，根據該數字電壓值查找所述映射表得到當前喚醒時刻的環(huán)境溫度，并從緩沖區(qū)中讀取上次喚醒時刻時的環(huán)境溫度值；C、計算當前喚醒時刻測量的環(huán)境溫度值與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度值的差值；D、當所述環(huán)境溫度差值大于預設的溫度判決門限值時，則自動啟動校準參數提取單元更新校準參數。
9.根據權利要求8所述移動終端省電系統中自適應校準的方法，其特征在于，步驟A中所述映射表的建立過程為A1、計算任一溫度時熱敏電阻一端的模擬分壓值；A2、將所述模擬分壓值經過模數變換成數字分壓值；A3、建立任意溫度與其對應的數字分壓值的映射表。
10.根據權利要求8所述移動終端省電系統中自適應校準的方法，其特征在于，所述啟動校準參數提取子單元更新校準參數的具體過程為利用數字基帶芯片內部的硬件邏輯計算出一定數量的外部32K時鐘周期內的系統時鐘周期數；計算所述系統時鐘與外部時鐘的分頻比；根據所述分頻比與系統時鐘和預設的校準時鐘的頻率比計算校準參數。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種移動終端省電系統中的自適應校準裝置及方法，所述裝置包括溫度測量單元、溫差檢測單元和校準單元。所述方法包括A.建立環(huán)境溫度與其對應數字電壓的映射表；B.讀取當前喚醒時刻的數字電壓值，根據該數字電壓值查找所述映射表得到當前喚醒時刻的環(huán)境溫度，并從緩沖區(qū)中讀取上次喚醒時刻時的環(huán)境溫度值；C.計算當前喚醒時刻測量的環(huán)境溫度值與上次喚醒時刻的環(huán)境溫度值的差值；D.當所述環(huán)境溫度差值大于預設的溫度判決門限值時，則自動啟動校準參數提取單元更新校準參數。其目的是在目前技術基礎上進一步降低手機功耗和待機平均電流，延長系統的待機時間。
文檔編號H04M1/725GK101060667SQ20061007248
公開日2007年10月24日 申請日期2006年4月17日 優(yōu)先權日2006年4月17日
發(fā)明者史公正 申請人:大唐移動通信設備有限公司, 上海大唐移動通信設備有限公司